Title:
多結晶シリコン膜の製造方法および製造装置ならびに半導体装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2002031871
Kind Code:
A1
Abstract:
多結晶シリコン膜の製造方法は、第１の領域（３３ａ）と、この第１の領域３３ｂ）と接する第２の領域（３３ｂ）とを有する非晶質シリコン膜（３３）をガラス基板（３１）の上に形成する工程と、非晶質シリコン膜（３３）の第１の領域（３３ａ）に波長が３９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザ（３５）を照射して第１の多結晶部分（３４ａ）を形成する工程と、非晶質シリコン膜（３３）の第２領域（３３ｂ）とその第２の領域（３３ｂ）に接する第１の多結晶部分（３４ａ）の一部領域とに波長が３９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザ（３５）を照射して第１の多結晶部分（３４ａ）に接するように第２の多結晶部分（３４ｂ）を形成する工程とを備える。
Inventors:
小川 哲也
時岡 秀忠
西前 順一
岡本 達樹
佐藤 行雄
井上 満夫
宮坂 光敏
次六 寛明
時岡 秀忠
西前 順一
岡本 達樹
佐藤 行雄
井上 満夫
宮坂 光敏
次六 寛明
Application Number:
JP2002535163A
Publication Date:
February 26, 2004
Filing Date:
October 06, 2000
Export Citation:
Assignee:
三菱電機株式会社
セイコーエプソン株式会社
セイコーエプソン株式会社
International Classes:
H01L21/20; C23C14/58; G02F1/1368; H01L21/268; H01L21/336; H01L29/786