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Title:
マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016147518
Kind Code:
A1
Abstract:
ケイ素を含有する材料で光半透過膜を形成し、クロムを含有する材料で遮光膜を形成した構造とした場合であっても、光半透過膜に微細な転写パターンを高精度に形成することが可能なマスクブランクを提供する。透光性基板１上に、光半透過膜２、エッチングマスク膜３および遮光膜４がこの順に積層した構造を有するマスクブランク１００であって、光半透過膜２は、ケイ素を含有する材料からなり、エッチングマスク膜３は、クロムを含有する材料からなり、遮光膜４は、クロムおよび酸素を含有する材料からなり、酸素含有塩素系ガスを用いたドライエッチングにおけるエッチングマスク膜３のエッチングレートに対する遮光膜４のエッチングレートの比率が３以上１２以下であることを特徴とする。

Inventors:
Jun Nozawa
Hiroshi Shishido
Ryo Okubo
Application Number:
JP2017506036A
Publication Date:
December 28, 2017
Filing Date:
December 24, 2015
Export Citation:
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Assignee:
HOYA CORPORATION
International Classes:
G03F1/32; C23C14/06; G03F7/20; H01L21/3065
Domestic Patent References:
JP2016004223A2016-01-12
JP2015111212A2015-06-18
JP2010008868A2010-01-14
JP2003121988A2003-04-23
JP2011175240A2011-09-08
JP2011164598A2011-08-25
JP2007033469A2007-02-08
JP2007241065A2007-09-20
JP2010072406A2010-04-02
JP2007241136A2007-09-20
Foreign References:
WO2009123170A12009-10-08
WO2015045801A12015-04-02
WO2004090635A12004-10-21
WO2014189004A12014-11-27
WO2007074806A12007-07-05
KR20100096650A2010-09-02
Attorney, Agent or Firm:
Yutaka Nagata
Takafumi Oshima
Tsukasa Ota



 
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