Title:
半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019138924
Kind Code:
A1
Abstract:
本技術は、金属配線のレイアウトに関係なく、任意の領域にエアギャップ構造を形成することができるようにする半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。金属膜を含む第１の配線層と第２の配線層が、金属膜の拡散を防止する拡散防止膜を介して積層されている。拡散防止膜は、第１の膜に形成された多数の孔に第２の膜を埋め込んで構成される。少なくとも第１の配線層は、金属膜と、エアギャップと、エアギャップの内周面に第２の膜で形成された保護膜とを有し、エアギャップの開口幅が、第１の膜に形成された孔の開口幅と同じか、または、孔の開口幅より大きく構成される。本技術は、例えば、複数の配線層を積層した半導体装置等に適用できる。
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Inventors:
Taku Saito
Nobuyoshi Fujii
Maki Haneda
Kazunori Nagahata
Nobuyoshi Fujii
Maki Haneda
Kazunori Nagahata
Application Number:
JP2019564646A
Publication Date:
January 07, 2021
Filing Date:
December 28, 2018
Export Citation:
Assignee:
Sony Semiconductor Solutions Corporation
International Classes:
H01L21/768; H01L23/532; H01L27/146
Domestic Patent References:
| JPH1126575A | 1999-01-29 | |||
| JPH0521617A | 1993-01-29 | |||
| JP2004214648A | 2004-07-29 | |||
| JP2004072018A | 2004-03-04 | |||
| JPH11243145A | 1999-09-07 | |||
| JP2009302545A | 2009-12-24 |
Attorney, Agent or Firm:
Takashi Nishikawa
Yoshio Inamoto
Yusuke Miura
Yoshio Inamoto
Yusuke Miura