Title:
超音波トランスデューサデバイス及び超音波トランスデューサデバイスを作製する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021516899
Kind Code:
A
Abstract:
本明細書に記載される技術の態様は、容量性微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）を含む超音波トランスデューサデバイス及び超音波トランスデューサデバイスにＣＭＵＴを形成する方法に関する。幾つかの実施形態は、絶縁材料の第１層を第１基板上に形成し、絶縁材料の第２層を絶縁材料の第１層上に形成し、次に、第２絶縁材料にキャビティをエッチングすることによりＣＭＵＴのキャビティを形成することを含む。第２基板は第１基板に接合されて、キャビティを封止し得る。絶縁材料の第１層は、例えば、酸化アルミニウムを含み得る。第１基板は集積回路を含み得る。幾つかの実施形態は、第１及び第２絶縁層を形成する前（ＴＳＶミドルプロセス）又は第１及び第２基板を接合した後（ＴＳＶラストプロセス）、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を第１基板に形成することを含む。
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Inventors:
Fife, Keith, Gee.
Ryu, Jian Way
Ryu, Jian Way
Application Number:
JP2020545089A
Publication Date:
July 08, 2021
Filing Date:
March 08, 2019
Export Citation:
Assignee:
Butterfly Network, Incorporated
International Classes:
H04R19/00; H01L21/02; H01L21/768; H01L23/522; H04R31/00
Domestic Patent References:
| JP2018023165A | 2018-02-08 | |||
| JP2017529683A | 2017-10-05 | |||
| JP2018501719A | 2018-01-18 |
Foreign References:
| US20170225196A1 | 2017-08-10 | |||
| US20160045935A1 | 2016-02-18 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshiyuki Inaba
Toshifumi Onuki
Akihiko Eguchi
Kazuhiko Naito
Toshifumi Onuki
Akihiko Eguchi
Kazuhiko Naito