以下、本発明の接合膜付き基材、接合方法� ��よび接合体を、添付図面に示す好適実施形� ��に基づいて詳細に説明する。
 本発明の接合膜付き基材は、基板(基材)と� �この基板上に設けられた接合膜とを有して� �り、対向基板(他の被着体)に対して接合する のに用いられるものである。
 この接合膜付き基材のうち、接合膜は、シ� ��キサン(Si-O)結合を含みランダムな原子構造� ��有するSi骨格と、このSi骨格に結合する脱離 基とを含む接合膜とを有するものである。

 このような接合膜付き基材は、接合膜の平� ��視における少なくとも一部の領域、すなわ� ��、平面視における接合膜の全面または一部� ��領域に対して、エネルギーを付与すること� ��より、接合膜の少なくとも表面付近に存在� ��る脱離基がSi骨格から脱離するものである� �そして、この接合膜は、脱離基の脱離によ� �て、その表面のエネルギーを付与した領域� �、他の被着体との接着性が発現するという� �徴を有するものである。
 このような特徴を有する接合膜付き基材は� ��対向基板に対して、高い寸法精度で強固に� ��かつ低温下で効率よく接合可能なものであ� ��。そして、かかる接合膜付き基材を用いる� ��とにより、基板と対向基板とが強固に接合� ��てなる信頼性の高い接合体が得られる。

 <第1実施形態>
 まず、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第1実施形態につ� ��て説明する。
 図1および図2は、本発明の接合膜付き基材� �用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接� �する接合方法の第1実施形態を説明するため� ��図(縦断面図)、図3は、本発明の接合膜付き� ��材が備える接合膜のエネルギー付与前の状� ��を示す部分拡大図、図4は、本発明の接合膜 付き基材が備える接合膜のエネルギー付与後 の状態を示す部分拡大図である。なお、以下 の説明では、図1ないし図4中の上側を「上」� ��下側を「下」と言う。

 本実施形態にかかる接合方法は、本発明� ��接合膜付き基材を用意する工程と、接合膜� ��き基材の接合膜に対してエネルギーを付与� ��て、接合膜中から脱離基を脱離させること� ��より、接合膜を活性化させる工程と、対向� ��板(他の被着体)を用意し、接合膜付き基材� �備える接合膜と対向基板とが密着するよう� �、これらを貼り合わせ、接合体を得る工程� �を有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、接合膜付き基材1(本発明の接合膜� �き基材)を用意する。
 接合膜付き基材1は、図1(a)に示すように、� �状をなす基板(基材)2と、基板2上に設けられ� ��接合膜3とを有している。
 このうち、基板2は、接合膜3を支持する程� �の剛性を有するものであれば、いかなる材� �で構成されたものであってもよい。

 具体的には、基板2の構成材料は、ポリエ チレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピ� �ン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体( EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィ� �、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、� �リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリア� �ド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ� �ーボネート、ポリ-(4-メチルペンテン-1)、ア� ��オノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメ� ��クリレート、アクリロニトリル-ブタジエン -スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリ ル-スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン-ス チレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリ ビニルアルコール(PVA)、エチレン-ビニルアル コール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタ レート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポ� ��ブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロ� �キサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル 、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、� ��リエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエー� ��ルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェ� �レンオキシド、変性ポリフェニレンオキシ� �、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォ� �、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリ� �ート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、 ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビ ニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系 、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポ リウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド 系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプ レン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン 系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ 樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミ ン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステ ル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、また はこれらを主とする共重合体、ブレンド体、 ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Fe、Ni、Co、 Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo 、Nb、Zr、Pr、Nd、Smのような金属、またはこ� �らの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス� �、酸化インジウムスズ(ITO)、ガリウムヒ素の ような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶 シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン 系材料、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸� ��ルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石� ��ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガ� �ス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材� �、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒� �ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、� �化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化� �タン、炭化タングステンのようなセラミッ� �ス系材料、グラファイトのような炭素系材� �、またはこれらの各材料の1種または2種以上 を組み合わせた複合材料等が挙げられる。

 また、基板2は、その表面に、Niめっきのよ� ��なめっき処理、クロメート処理のような不� ��態化処理、または窒化処理等を施したもの� ��あってもよい。
 また、基板(基材)2の形状は、接合膜3を支持 する面を有するような形状であればよく、板 状のものに限定されない。すなわち、基材の 形状は、例えば、塊状(ブロック状)、棒状等� ��あってもよい。

 なお、本実施形態では、基板2が板状をなし ていることから、基板2が撓み易くなり、基� �2は、対向基板4の形状に沿って十分に変形可 能なものとなるため、これらの密着性がより 高くなる。また、接合膜付き基材1において� �基板2と接合膜3との密着性が高くなるととも に、基板2が撓むことによって、接合界面に� �じる応力を、ある程度緩和することができ� �。
 この場合、基板2の平均厚さは、特に限定さ れないが、0.01~10mm程度であるのが好ましく、 0.1~3mm程度であるのがより好ましい。なお、� �述する対向基板4の平均厚さも、前述した基� ��2の平均厚さと同様の範囲内であるのが好ま しい。

 一方、接合膜3は、基板2と後述する対向基� �4との間に位置し、これらの基板2、4の接合� �担うものである。
 かかる接合膜3は、図3、4に示すように、シ� ��キサン(Si-O)結合302を含み、ランダムな原子� ��造を有するSi骨格301と、このSi骨格301に結合 する脱離基303とを有するものである。

 本発明の接合膜付き基材は、主にこの接合� ��3に特徴を有する。なお、この接合膜3につ� �ては、後に詳述する。
 また、基板2の少なくとも接合膜3を形成す� �き領域には、基板2の構成材料に応じて、接� ��膜3を形成する前に、あらかじめ、基板2と� �合膜3との密着性を高める表面処理を施すの� ��好ましい。

 かかる表面処理としては、例えば、スパ� ��タリング処理、ブラスト処理のような物理� ��表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等� ��用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エ� ��チング処理、電子線照射処理、紫外線照射� ��理、オゾン暴露処理のような化学的表面処� ��、または、これらを組み合わせた処理等が� ��げられる。このような処理を施すことによ� ��、基板2の接合膜3を形成すべき領域を清浄� �するとともに、該領域を活性化させること� �できる。これにより、基板2と接合膜3との接 合強度を高めることができる。

 また、これらの各表面処理の中でもプラズ� ��処理を用いることにより、接合膜3を形成す るために、基板2の表面を特に最適化するこ� �ができる。
 なお、表面処理を施す基板2が、樹脂材料(� �分子材料)で構成されている場合には、特に� ��コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好� ��に用いられる。
 また、基板2の構成材料によっては、上記の ような表面処理を施さなくても、接合膜3の� �合強度が十分に高くなるものがある。この� �うな効果が得られる基板2の構成材料として� ��、例えば、前述したような各種金属系材料� ��各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等� ��主材料とするものが挙げられる。

 このような材料で構成された基板2は、その 表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の 表面には、比較的活性の高い水酸基が結合し ている。したがって、このような材料で構成 された基板2を用いると、上記のような表面� �理を施さなくても、基板2と接合膜3との密着 強度を高めることができる。
 なお、この場合、基板2の全体が上記のよう な材料で構成されていなくてもよく、少なく とも接合膜3を形成すべき領域の表面付近が� �記のような材料で構成されていればよい。

 また、表面処理に代えて、基板2の少なくと も接合膜3を形成すべき領域には、あらかじ� �、中間層を形成しておくのが好ましい。
 この中間層は、いかなる機能を有するもの� ��あってもよく、例えば、接合膜3との密着性 を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応� ��集中を緩和する機能等を有するものが好ま� ��い。このような中間層を介して基板2と接合 膜3とを接合することになり、信頼性の高い� �合体を得ることができる。

 かかる中間層の構成材料としては、例えば� ��アルミニウム、チタンのような金属系材料� ��金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化� ��系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のよ� ��な窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモ� ��ドライクカーボンのような炭素系材料、シ� ��ンカップリング剤、チオール系化合物、金� ��アルコキシド、金属-ハロゲン化合物のよう な自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フ ィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料 、各種エラストマーのような樹脂系材料等が 挙げられ、これらのうちの1種または2種以上� ��組み合わせて用いることができる。
 また、これらの各材料で構成された中間層� ��中でも、酸化物系材料で構成された中間層� ��よれば、基板2と接合膜3との間の接合強度� �特に高めることができる。

 [2]次に、接合膜付き基材1の接合膜3の表面35 に対してエネルギーを付与する。
 エネルギーが付与されると、接合膜3では、 脱離基303がSi骨格301から脱離する。そして、� ��離基303が脱離した後には、接合膜3の表面35� ��よび内部に活性手が生じる。これにより、� ��合膜3の表面35に、対向基板4との接着性が発 現する。
 このような状態の接合膜付き基材1は、対向 基板4と、化学的結合に基づいて強固に接合� �能なものとなる。
 ここで、接合膜3に付与するエネルギーは、 いかなる方法で付与されてもよく、例えば、 エネルギー線を照射する方法、接合膜3を加� �する方法、接合膜3に圧縮力(物理的エネルギ ー)を付与する方法、プラズマに曝す(プラズ� ��エネルギーを付与する)方法、オゾンガスに 曝す(化学的エネルギーを付与する)方法等が� ��げられる。

 また、本実施形態では、接合膜3にエネルギ ーを付与する方法として、特に、接合膜3に� �ネルギー線を照射する方法を用いるのが好� �しい。これらの方法は、接合膜3に対して比� ��的簡単に効率よくエネルギーを付与するこ� ��ができるので、エネルギー付与方法として� ��適である。
 このうち、エネルギー線としては、例えば� ��紫外線、レーザー光のような光、X線、γ線� ��電子線、イオンビームのような粒子線等、� ��たはこれらのエネルギー線を組み合わせた� ��のが挙げられる。

 これらのエネルギー線の中でも、特に、� ��長150~300nm程度の紫外線を用いるのが好まし� ��(図1(b)参照)。かかる紫外線によれば、付与� ��れるエネルギー量が最適化されるので、接� ��膜3中のSi骨格301が必要以上に破壊されるの� ��防止しつつ、Si骨格301と脱離基303との間の� �合を選択的に切断することができる。これ� �より、接合膜3の特性(機械的特性、化学的特 性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜3に� ��着性を発現させることができる。

 また、紫外線によれば、広い範囲をムラな� ��短時間に処理することができるので、脱離� ��303の脱離を効率よく行わせることができる� ��さらに、紫外線には、例えば、UVランプ等� �簡単な設備で発生させることができるとい� �利点もある。
 なお、紫外線の波長は、より好ましくは、1 60~200nm程度とされる。

 また、UVランプを用いる場合、その出力は� �接合膜3の面積に応じて異なるが、1mW/cm ² ~1W/cm ² 程度であるのが好ましく、5mW/cm ² ~50mW/cm ² 程度であるのがより好ましい。なお、この場 合、UVランプと接合膜3との離間距離は、3~3000 mm程度とするのが好ましく、10~1000mm程度とす� ��のがより好ましい。

 また、紫外線を照射する時間は、接合膜3の 表面35付近の脱離基303を脱離し得る程度の時� ��、すなわち、接合膜3の内部の脱離基303を多 量に脱離させない程度の時間とするのが好ま しい。具体的には、紫外線の光量、接合膜3� �構成材料等に応じて若干異なるものの、0.5~3 0分程度であるのが好ましく、1~10分程度であ� ��のがより好ましい。
 また、紫外線は、時間的に連続して照射さ� ��てもよいが、間欠的(パルス状)に照射され� �もよい。
 一方、レーザー光としては、例えば、エキ� ��マレーザー(フェムト秒レーザー)、Nd-YAGレ� �ザー、Arレーザー、CO ₂ レーザー、He-Neレーザー等が挙げられる。

 また、接合膜3に対するエネルギー線の照射 は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよ く、具体的には、大気、酸素のような酸化性 ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気 、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気 、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真� �)雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気� ��で行うのが好ましい。これにより、雰囲気� ��制御することに手間やコストをかける必要� ��なくなり、エネルギー線の照射をより簡単� ��行うことができる。
 このように、エネルギー線を照射する方法� ��よれば、接合膜3に対して選択的にエネルギ ーを付与することが容易に行えるため、例え ば、エネルギーの付与による基板2の変質・� �化を防止することができる。

 また、エネルギー線を照射する方法によれ� ��、付与するエネルギーの大きさを、精度よ� ��簡単に調整することができる。このため、� ��合膜3から脱離する脱離基303の脱離量を調整 することが可能となる。このように脱離基303 の脱離量を調整することにより、接合膜付き 基材1と対向基板4との間の接合強度を容易に� ��御することができる。
 すなわち、脱離基303の脱離量を多くするこ� ��により、接合膜3の表面35および内部に、よ� ��多くの活性手が生じるため、接合膜3に発現 する接着性をより高めることができる。一方 、脱離基303の脱離量を少なくすることにより 、接合膜3の表面および内部に生じる活性手� �少なくし、接合膜3に発現する接着性を抑え� ��ことができる。
 なお、付与するエネルギーの大きさを調整� ��るためには、例えば、エネルギー線の種類� ��エネルギー線の出力、エネルギー線の照射� ��間等の条件を調整すればよい。
 さらに、エネルギー線を照射する方法によ� ��ば、短時間で大きなエネルギーを付与する� ��とができるので、エネルギーの付与をより� ��率よく行うことができる。

 ここで、エネルギーが付与される前の接� ��膜3は、図3に示すように、Si骨格301と脱離基 303とを有している。かかる接合膜3にエネル� �ーが付与されると、脱離基303(本実施形態で� ��、メチル基)がSi骨格301から脱離する。これ� ��より、図4に示すように、接合膜3の表面35に 活性手304が生じ、活性化される。その結果、 接合膜3の表面に接着性が発現する。

 ここで、接合膜3を「活性化させる」とは 、接合膜3の表面35および内部の脱離基303が脱 離して、Si骨格301において終端化されていな� ��結合手(以下、「未結合手」または「ダング リングボンド」とも言う。)が生じた状態や� �この未結合手が水酸基(OH基)によって終端化� ��れた状態、または、これらの状態が混在し� ��状態のことを言う。

 したがって、活性手304とは、未結合手(ダン グリングボンド)、または未結合手が水酸基� �よって終端化されたもののことを言う。こ� �ような活性手304によれば、対向基板4に対し� ��、特に強固な接合が可能となる。
 なお、後者の状態(未結合手が水酸基によっ て終端化された状態)は、例えば、接合膜3に� ��して大気雰囲気中でエネルギー線を照射す� ��ことにより、大気中の水分が未結合手を終� ��化することによって、容易に生成すること� ��できる。

 また、本実施形態では、接合膜付き基材1 と対向基板4とを貼り合わせる前に、あらか� �め、接合膜付き基材1の接合膜3に対してエネ ルギーを付与する場合について説明している が、かかるエネルギーの付与は、接合膜付き 基材1と対向基板4とを貼り合わせる(重ね合わ せる)際、または貼り合わせた(重ね合わせた) 後に行われるようにしてもよい。このような 場合については、後述する第2実施形態にお� �て説明する。

 [3]対向基板(他の被着体)4を用意する。そし� ��、図1(c)に示すように、活性化させた接合膜 3と対向基板4とが密着するように、接合膜付� ��基材1と対向基板4とを貼り合わせる。これ� �より、図2(d)に示すような接合体5を得る。
 このようにして得られた接合体5では、従来 の接合方法で用いられていた接着剤のように 、主にアンカー効果のような物理的結合に基 づく接着ではなく、共有結合のような短時間 で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合 膜付き基材1と対向基板4とが接合されている� ��このため、接合体5は短時間で形成すること ができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ 等も生じ難いものとなる。

 また、このような接合膜付き基材1を用いて 得られた接合体5を得る方法によれば、従来� �固体接合のように、高温(例えば、700℃以上) での熱処理を必要としないことから、耐熱性 の低い材料で構成された基板2および対向基� �4をも、接合に供することができる。
 また、接合膜3を介して基板2と対向基板4と� ��接合しているため、基板2や対向基板4の構� �材料に制約がないという利点もある。

 以上のことから、本発明によれば、基板2お よび対向基板4の各構成材料の選択の幅をそ� �ぞれ広げることができる。
 また、固体接合では、接合層を介していな� ��ため、基板2と対向基板4との間の熱膨張率� �大きな差がある場合、その差に基づく応力� �接合界面に集中し易く、剥離等が生じるお� �れがあったが、接合体(本発明の接合体)5で� �、接合膜3によって応力の集中が緩和され、� ��離を防止することができる。

 また、本実施形態では、接合に供される� ��板2および対向基板4のうち、一方のみ(本実� ��形態では、基板2)に接合膜3が設けられてい� ��。基板2上に接合膜3を形成する際に、接合� �3の形成方法によっては、基板2が比較的長時 間にわたってプラズマに曝されることになる が、本実施形態では、対向基板4は、プラズ� �に曝されることはない。したがって、例え� �、対向基板4のプラズマに対する耐久性が著� ��く低い場合であっても、本実施形態にかか� ��方法によれば、接合膜付き基材1と対向基板 4とを強固に接合することができる。したが� �て、対向基板4を構成する材料は、プラズマ� ��対する耐久性をあまり考慮することなく、� ��広い材料から選択することが可能になると� ��う利点もある。

 ここで、用意する対向基板4は、基板2と同� �、いかなる材料で構成されたものであって� �よい。
 具体的には、対向基板4は、基板2の構成材� �と同様の材料で構成される。
 また、対向基板4の形状も、基板2と同様、� �合膜3が密着する面を有する形状であれば、� ��に限定されず、例えば、板状(層状)、塊状(� ��ロック状)、棒状等とされる。
 ところで、対向基板4の構成材料は、基板2� �異なっていても同じでもよい。

 また、基板2と対向基板4の各熱膨張率は、� �ぼ等しいのが好ましい。基板2と対向基板4の 熱膨張率がほぼ等しければ、接合膜付き基材 1と対向基板4とを貼り合せた際に、その接合� ��面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。� ��の結果、最終的に得られる接合体5において 、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止 することができる。
 また、後に詳述するが、基板2および対向基 板4の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、� �合膜付き基材1と対向基板4とを貼り合わせる 際の条件を以下のように最適化することによ り、接合膜付き基材1と対向基板4とを高い寸� ��精度で強固に接合することができる。
 すなわち、基板2と対向基板4の熱膨張率が� �いに異なっている場合には、できるだけ低� �下で接合を行うのが好ましい。接合を低温� �で行うことにより、接合界面に発生する熱� �力のさらなる低減を図ることができる。

 具体的には、基板2と対向基板4との熱膨� �率差にもよるが、基板2および対向基板4の温 度が25~50℃程度である状態下で、接合膜付き� ��材1と対向基板4とを貼り合わせるのが好ま� �く、25~40℃程度である状態下で貼り合わせる のがより好ましい。このような温度範囲であ れば、基板2と対向基板4の熱膨張率差がある� ��度大きくても、接合界面に発生する熱応力� ��十分に低減することができる。その結果、� ��合体5における反りや剥離等の発生を確実に 防止することができる。

 また、この場合、基板2と対向基板4との間� �熱膨張係数の差が、5×10 ^-5 /K以上あるような場合には、上記のようにし� ��、できるだけ低温下で接合を行うことが特� ��推奨される。
 また、基板2と対向基板4は、互いに剛性が� �なっているのが好ましい。これにより、接� �膜付き基材1と対向基板4とをより強固に接合 することができる。

 また、基板2と対向基板4のうち、少なく� �も一方の構成材料が、樹脂材料で構成され� �いるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟� �により、接合膜付き基材1と対向基板4とを接 合した際に、その接合界面に発生する応力(� �えば、熱膨張に伴う応力等)を緩和すること� ��できる。このため、接合界面が破壊し難く� ��り、結果的に、接合強度の高い接合体5を得 ることができる。

 このような対向基板4の接合膜付き基材1と� �接合に供される領域には、対向基板4の構成� ��料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ� ��対向基板4と接合膜3との密着性を高める表� �処理を施すのが好ましい。これにより、接� �膜付き基材1と対向基板4との接合強度をより 高めることができる。
 なお、表面処理としては、基板2に対して施 す前述したような表面処理と同様の処理を適 用することができる。

 また、対向基板4の構成材料によっては、上 記のような表面処理を施さなくても、接合膜 付き基材1と対向基板4との接合強度が十分に� ��くなるものがある。このような効果が得ら� ��る対向基板4の構成材料には、前述した基板 2の構成材料と同様のもの、すなわち、各種� �属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラ� �系材料等を用いることができる。
 さらに、対向基板4の接合膜付き基材1との� �合に供される領域に、以下の基や物質を有� �る場合には、上記のような表面処理を施さ� �くても、接合膜付き基材1と対向基板4との接 合強度を十分に高くすることができる。

 このような基や物質としては、例えば、� ��酸基、チオール基、カルボキシル基、アミ� ��基、ニトロ基、イミダゾール基のような官� ��基、ラジカル、開環分子、2重結合、3重結� �のような不飽和結合、F、Cl、Br、Iのような� �ロゲン、過酸化物からなる群から選択され� �少なくとも1つの基または物質が挙げられる� ��このような基または物質を有する表面は、� ��合膜付き基材1の接合膜3に対する接合強度� �さらなる向上を実現し得るものとなる。

 また、このようなものを有する表面が得ら� ��るように、上述したような各種表面処理を� ��宜選択して行うことにより、接合膜付き基� ��1と特に強固に接合可能な対向基板4が得ら� �る。
 また、表面処理に代えて、対向基板4の接合 膜付き基材1との接合に供される領域には、� �らかじめ、接合膜3との密着性を高める機能� ��有する中間層を形成しておくのが好ましい� ��これにより、かかる中間層を介して接合膜� ��き基材1と対向基板4とを接合することにな� �、より接合強度の高い接合体5が得られるよ� ��になる。
 かかる中間層の構成材料には、前述の基板2 に形成する中間層の構成材料と同様のものを 用いることができる。

 ここで、本工程において、接合膜付き基材1 と対向基板4とが接合されるメカニズムにつ� �て説明する。
 例えば、対向基板4の接合膜付き基材1との� �合に供される領域に、水酸基が露出してい� �場合を例に説明すると、本工程において、� �合膜付き基材1の接合膜3と対向基板4とが接� �するように、これらを貼り合わせたとき、� �合膜付き基材1の接合膜3の表面35に存在する� ��酸基と、対向基板4の前記領域に存在する水 酸基とが、水素結合によって互いに引き合い 、水酸基同士の間に引力が発生する。この引 力によって、接合膜付き基材1と対向基板4と� ��接合されると推察される。
 また、この水素結合によって互いに引き合� ��水酸基同士は、温度条件等によって、脱水� ��合する。その結果、接合膜付き基材1と対向 基板4との接触界面では、水酸基が結合して� �た結合手同士が酸素原子を介して結合する� �これにより、接合膜付き基材1と対向基板4と がより強固に接合されると推察される。

 なお、前記工程[2]で活性化された接合膜3 の表面は、その活性状態が経時的に緩和して しまう。このため、前記工程[2]の終了後、で きるだけ早く本工程[3]を行うようにするのが 好ましい。具体的には、前記工程[2]の終了後 、60分以内に本工程[3]を行うようにするのが� ��ましく、5分以内に行うのがより好ましい。 かかる時間内であれば、接合膜3の表面が十� �な活性状態を維持しているので、本工程で� �合膜付き基材1と対向基板4とを貼り合わせた とき、これらの間に十分な接合強度を得るこ とができる。

 換言すれば、活性化させる前の接合膜3は 、Si骨格301を有する接合膜であるため、化学� ��に比較的安定であり、耐候性に優れている� ��このため、活性化させる前の接合膜3は、長 期にわたる保存に適したものとなる。したが って、そのような接合膜3を備えた基板2を多� ��に製造または購入して保存しておき、本工� ��の貼り合わせを行う直前に、必要な個数の� ��に前記工程[2]に記載したエネルギーの付与� ��行うようにすれば、接合体5の製造効率の観 点から有効である。

 以上のようにして、図2(d)に示す接合体(本� �明の接合体)5を得ることができる。
 なお、図2(d)では、接合膜付き基材1の接合� �3の全面を覆うように対向基板4を重ね合わせ ているが、これらの相対的な位置は、互いに ずれていてもよい。すなわち、接合膜3から� �向基板4がはみ出るように、接合膜付き基材1 と対向基板4とが重ね合わされていてもよい� �

 このようにして得られた接合体5は、基板2� �対向基板4との間の接合強度が5MPa(50kgf/cm ² )以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm ² )以上であるのがより好ましい。このような� �合強度を有する接合体5は、その剥離を十分� ��防止し得るものとなる。そして、後述のよ� ��に、接合体5を用いて、例えば液滴吐出ヘッ ドを構成した場合、耐久性に優れた液滴吐出 ヘッドが得られる。また、本発明の接合膜付 き基材1によれば、基板2と対向基板4とが上記 のような大きな接合強度で接合された接合体 5を効率よく作製することができる。

 なお、従来のシリコン直接接合のような固� ��接合では、接合に供される表面を活性化さ� ��ても、その活性状態は、大気中で数秒~数十 秒程度の極めて短時間しか維持することがで きなかった。このため、表面の活性化を行っ た後、接合する2つの基板を貼り合わせる等� �作業に要する時間を、十分に確保すること� �できないという問題があった。
 これに対し、本発明によれば、Si骨格301を� �する接合膜3を用いて接合を行っているため� ��数分以上の比較的長時間にわたって活性状� ��を維持することができる。このため、貼り� ��わせ作業に要する時間を十分に確保するこ� ��ができ、接合作業の効率化を高めることが� ��きる。
 なお、接合体5を得た後、この接合体5に対� �て、必要に応じ、以下の3つの工程([4A]、[4B]� ��よび[4C])のうちの少なくとも1つの工程(接合 体5の接合強度を高める工程)を行うようにし� ��もよい。これにより、接合体5の接合強度の さらなる向上を図ることができる。

 [4A]図2(e)に示すように、得られた接合体5を� ��基板2と対向基板4とが互いに近づく方向に� �圧する。
 これにより、基板2の表面および対向基板4� �表面に、それぞれ接合膜3の表面がより近接� ��、接合体5における接合強度をより高めるこ とができる。
 また、接合体5を加圧することにより、接合 体5中の接合界面に残存していた隙間を押し� �して、接合面積をさらに広げることができ� �。これにより、接合体5における接合強度を� ��らに高めることができる。
 このとき、接合体5を加圧する際の圧力は、 接合体5が損傷を受けない程度の圧力で、で� �るだけ高い方が好ましい。これにより、こ� �圧力に比例して接合体5における接合強度を� ��めることができる。

 なお、この圧力は、基板2および対向基板4� �各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に� �じて、適宜調整すればよい。具体的には、� �板2および対向基板4の各構成材料や各厚さ等 に応じて若干異なるものの、0.2~10MPa程度であ るのが好ましく、1~5MPa程度であるのがより好 ましい。これにより、接合体5の接合強度を� �実に高めることができる。なお、この圧力� �前記上限値を上回っても構わないが、基板2� ��よび対向基板4の各構成材料によっては、基 板2および対向基板4に損傷等が生じるおそれ� ��ある。
 また、加圧する時間は、特に限定されない� ��、10秒~30分程度であるのが好ましい。なお� �加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じ� �適宜変更すればよい。具体的には、接合体5� ��加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時� ��を短くしても、接合強度の向上を図ること� ��できる。

 [4B]図2(e)に示すように、得られた接合体5を� ��熱する。
 これにより、接合体5における接合強度をよ り高めることができる。
 このとき、接合体5を加熱する際の温度は、 室温より高く、接合体5の耐熱温度未満であ� �ば、特に限定されないが、好ましくは25~100� �程度とされ、より好ましくは50~100℃程度と� �れる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接� �体5が熱によって変質・劣化するのを確実に� ��止しつつ、接合強度を確実に高めることが� ��きる。

 また、加熱時間は、特に限定されないが、1 ~30分程度であるのが好ましい。
 また、前記工程[4A]、[4B]の双方を行う場合� �これらを同時に行うのが好ましい。すなわ� �、図2(e)に示すように、接合体5を加圧しつつ 、加熱するのが好ましい。これにより、加圧 による効果と、加熱による効果とが相乗的に 発揮され、接合体5の接合強度を特に高める� �とができる。

 [4C]図2(f)に示すように、得られた接合体5に� ��外線を照射する。
 これにより、接合膜3と基板2および対向基� �4との間に形成される化学結合を増加させ、� ��板2および対向基板4と接合膜3との間の接合� ��度をそれぞれ高めることができる。その結� ��、接合体5の接合強度を特に高めることがで きる。
 このとき照射される紫外線の条件は、前記� ��程[2]に示した紫外線の条件と同等にすれば� ��い。
 また、本工程[4C]を行う場合、基板2および� �向基板4のうち、いずれか一方が透光性を有� ��ていることが必要である。そして、透光性� ��有する基板側から、紫外線を照射すること� ��より、接合膜3に対して確実に紫外線を照射 することができる。
 以上のような工程を行うことにより、接合� ��5における接合強度のさらなる向上を容易に 図ることができる。

 ここで、前述したように、本発明の接合膜� ��き基材は、接合膜3に特徴を有している。以 下、接合膜3について詳述する。
 前述したように、接合膜3は、図3、4に示す� ��うに、シロキサン(Si-O)結合302を含み、ラン� ��ムな原子構造を有するSi骨格301と、このSi骨 格301に結合する脱離基303とを有するものであ る。また、Si骨格301は、その結晶化度が45%以� ��のものである。このような接合膜3は、シロ キサン結合302を含みランダムな原子構造を有 するSi骨格301の影響によって、変形し難い強� ��な膜となる。これは、Si骨格301の結晶性が� �くなるため、結晶粒界における転位やズレ� �の欠陥が生じ難いためであると考えられる� �このため、接合膜3自体が接合強度、耐薬品� ��および寸法精度の高いものとなり、最終的� ��得られる接合体5においても、接合強度、耐 薬品性および寸法精度が高いものが得られる 。

 このような接合膜3は、エネルギーが付与さ れると、脱離基303がSi骨格301から脱離し、図4 に示すように、接合膜3の表面35および内部に 、活性手304が生じるものである。そして、こ れにより、接合膜3表面に接着性が発現する� �
 かかる接着性が発現すると、接合膜3を備え た接合膜付き基材1は、対向基板4に対して、� ��い寸法精度で強固に効率よく接合可能なも� ��となる。

 また、このような接合膜3は、流動性を有 しない固体状のものとなる。このため、従来 、流動性を有する液状または粘液状の接着剤 に比べて、接着層(接合膜3)の厚さや形状がほ とんど変化しない。これにより、接合膜付き 基材1を用いて得られた接合体5の寸法精度は� ��従来に比べて格段に高いものとなる。さら� ��、接着剤の硬化に要する時間が不要になる� ��め、短時間で強固な接合が可能となる。

 このような接合膜3としては、特に、接合 膜3を構成する全原子からH原子を除いた原子� ��うち、Si原子の含有率とO原子の含有率の合� ��が、10~90原子%程度であるのが好ましく、20~8 0原子%程度であるのがより好ましい。Si原子� �O原子とが、前記範囲の含有率で含まれてい� ��ば、接合膜3は、Si原子とO原子とが強固なネ ットワークを形成し、接合膜3自体が強固な� �のとなる。また、かかる接合膜3は、基板2お よび対向基板4に対して、特に高い接合強度� �示すものとなる。

 また、接合膜3中のSi原子とO原子の存在比は 、3:7~7:3程度であるのが好ましく、4:6~6:4程度� ��あるのがより好ましい。Si原子とO原子の存� ��比を前記範囲内になるよう設定することに� ��り、接合膜3の安定性が高くなり、接合膜付 き基材1と対向基板4とをより強固に接合する� ��とができるようになる。
 また、接合膜3中のSi骨格301の結晶化度は、� ��述したように45%以下であるが、好ましくは4 0%以下である。このようなSi骨格301は十分に� �ンダムな原子構造を含むものとなる。この� �め、前述したSi骨格301の特性が顕在化し、接 合膜3の寸法精度および接着性がより優れた� �のとなる。

 なお、Si骨格301の結晶化度が前記上限値を� �回った場合、Si骨格301における原子構造の規 則性が顕著になり、Si骨格301において結晶の� ��性が支配的になる一方、Si骨格301の原子構� �がランダムであることの特性がほとんど認� �られなくなる。
 前述したように、Si骨格301がランダムな原� �構造を有することにより、Si骨格301において 結晶粒界における転位やズレ等の欠陥が生じ 難くなるため、接合膜3は変形し難い強固な� �となる。その結果、接合膜3は、接合強度、� ��薬品性および寸法精度の高いものとなる。

 また、接合膜3は、その構造中にSi-H結合を� �んでいるのが好ましい。このSi-H結合は、特� ��プラズマ重合法によってシランが重合反応� ��る際に重合物中に生じるものであるが、こ� ��とき、Si-H結合がシロキサン結合の生成が規 則的に行われるのを阻害すると考えられる。 このため、シロキサン結合は、Si-H結合を避� �るように形成されることとなり、Si骨格301の 原子構造の規則性が低下する。このようにし て、プラズマ重合法によれば、結晶化度の低 いSi骨格301を効率よく形成することができる� ��
 一方、接合膜3中のSi-H結合の含有率が多け� �ば多いほど結晶化度が低くなるわけではな� �。具体的には、接合膜3の赤外光吸収スペク� ��ルにおいて、シロキサン結合に帰属するピ� ��クの強度を1としたとき、Si-H結合に帰属す� �ピークの強度は、0.001~0.2程度であるのが好� �しく、0.002~0.05程度であるのがより好ましく� ��0.005~0.02程度であるのがさらに好ましい。Si- H結合のシロキサン結合に対する割合が前記� �囲内であることにより、接合膜3中の原子構� ��は、相対的に最もランダムなものとなる。� ��のため、Si-H結合のピーク強度がシロキサン 結合のピーク強度に対して前記範囲内にある 場合、接合膜3は、接合強度、耐薬品性およ� �寸法精度において特に優れたものとなる。

 また、Si骨格301に結合する脱離基303は、� �述したように、Si骨格301から脱離することに よって、接合膜3に活性手を生じさせるよう� �る舞うものである。したがって、脱離基303� �は、エネルギーを付与されることによって� �比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの� �エネルギーが付与されないときには、脱離� �ないようSi骨格301に確実に結合しているもの である必要がある。

 かかる観点から、脱離基303には、H原子、 B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子お よびハロゲン系原子、またはこれらの各原子 を含み、これらの各原子がSi骨格301に結合す� ��よう配置された原子団からなる群から選択� ��れる少なくとも1種で構成されたものが好ま しく用いられる。かかる脱離基303は、エネル ギーの付与による結合/脱離の選択性に比較� �優れている。このため、このような脱離基30 3は、上記のような必要性を十分に満足し得� �ものとなり、接合膜付き基材1の接着性をよ� ��高度なものとすることができる。

 なお、上記のような各原子がSi骨格301に� �合するよう配置された原子団(基)としては、 例えば、メチル基、エチル基のようなアルキ ル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニ ル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシ ル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロ ゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン 酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げ られる。

 これらの各基の中でも、脱離基303は、特に� ��ルキル基であるのが好ましい。アルキル基� ��化学的な安定性が高いため、アルキル基を� ��む接合膜3は、耐候性および耐薬品性に優れ たものとなる。
 ここで、脱離基303がメチル基(-CH ₃ )である場合、その好ましい含有率は、赤外� �吸収スペクトルにおけるピーク強度から以� �のように規定される。

 すなわち、接合膜3の赤外光吸収スペクト ルにおいて、シロキサン結合に帰属するピー クの強度を1としたとき、メチル基に帰属す� �ピークの強度は、0.05~0.45程度であるのが好� �しく、0.1~0.4程度であるのがより好ましく、0 .2~0.3程度であるのがさらに好ましい。メチル 基のピーク強度がシロキサン結合のピーク強 度に対する割合が前記範囲内であることによ り、メチル基がシロキサン結合の生成を必要 以上に阻害するのを防止しつつ、接合膜3中� �必要かつ十分な数の活性手が生じるため、� �合膜3に十分な接着性が生じる。また、接合� ��3には、メチル基に起因する十分な耐候性お よび耐薬品性が発現する。

 このような特徴を有する接合膜3の構成材料 としては、例えば、ポリオルガノシロキサン のようなシロキサン結合を含む重合物等が挙 げられる。
 ポリオルガノシロキサンで構成された接合� ��3は、それ自体が優れた機械的特性を有して いる。また、多くの材料に対して特に優れた 接着性を示すものである。したがって、ポリ オルガノシロキサンで構成された接合膜3は� �基板2に対して特に強固に被着するとともに� ��対向基板4に対しても特に強い被着力を示し 、その結果として、基板2と対向基板4とを強� ��に接合することができる。
 また、ポリオルガノシロキサンは、通常、� ��水性(非接着性)を示すが、エネルギーを付� �されることにより、容易に有機基を脱離さ� �ることができ、親水性に変化し、接着性を� �現するが、この非接着性と接着性との制御� �容易かつ確実に行えるという利点を有する� �

 なお、この撥水性(非接着性)は、主に、� �リオルガノシロキサン中に含まれたアルキ� �基による作用である。したがって、ポリオ� �ガノシロキサンで構成された接合膜3は、エ� ��ルギーを付与されることにより、表面35に� �着性が発現するとともに、表面35以外の部分 においては、前述したアルキル基による作用 ・効果が得られるという利点も有する。した がって、接合膜3は、耐候性および耐薬品性� �優れたものとなり、例えば、薬品類等に長� �にわたって曝されるような基板の接合に際� �て、有効に用いられるものとなる。これに� �り、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系� �ンクが用いられる工業用インクジェットプ� �ンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、ポ� �オルガノシロキサンで構成された接合膜3を� ��えた接合膜付き基材1を用いることにより、 耐久性および耐薬品性の高い液滴吐出ヘッド を得ることができる。

 また、ポリオルガノシロキサンの中でも、� ��に、オクタメチルトリシロキサンの重合物� ��主成分とするものが好ましい。オクタメチ� ��トリシロキサンの重合物を主成分とする接� ��膜3は、接着性に特に優れることから、本発 明の接合膜付き基材に対して特に好適に適用 できるものである。また、オクタメチルトリ シロキサンを主成分とする原料は、常温で液 状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱 いが容易であるという利点もある。
 また、接合膜3の平均厚さは、1~1000nm程度で� ��るのが好ましく、2~800nm程度であるのがより 好ましい。接合膜3の平均厚さを前記範囲内� �することにより、接合膜付き基材1と対向基� ��4とを接合した接合体5の寸法精度が著しく� �下するのを防止しつつ、これらをより強固� �接合することができる。

 すなわち、接合膜3の平均厚さが前記下限値 を下回った場合は、十分な接合強度が得られ ないおそれがある。一方、接合膜3の平均厚� �が前記上限値を上回った場合は、接合体5の� ��法精度が著しく低下するおそれがある。
 さらに、接合膜3の平均厚さが前記範囲内で あれば、接合膜3にある程度の形状追従性が� �保される。このため、例えば、基板2の接合� ��(接合膜3に隣接する面)に凹凸が存在してい� ��場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹� ��の形状に追従するように接合膜3を被着させ ることができる。その結果、接合膜3は、凹� �を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さ� �緩和することができる。そして、接合膜付� �基材1と対向基板4とを貼り合わせた際に、接 合膜3の対向基板4に対する密着性を高めるこ� ��ができる。
 なお、上記のような形状追従性の程度は、� ��合膜3の厚さが厚いほど顕著になる。したが って、形状追従性を十分に確保するためには 、接合膜3の厚さをできるだけ厚くすればよ� �。

 このような接合膜3は、いかなる方法で作 製されたものでもよく、プラズマ重合法、CVD 法、PVD法のような各種気相成膜法や、各種液 相成膜法等により作製することができるが、 これらの中でも、プラズマ重合法により作製 されたものが好ましい。プラズマ重合法によ れば、緻密で均質な接合膜3を効率よく作製� �ることができる。これにより、プラズマ重� �法で作製された接合膜3は、対向基板4に対し て特に強固に接合し得るものとなる。さらに 、プラズマ重合法で作製された接合膜3は、� �ネルギーが付与されて活性化された状態が� �較的長時間にわたって維持される。このた� �、接合体5の製造過程の簡素化、効率化を図� ��ことができる。

 以下、一例として、プラズマ重合法により� ��合膜3を作製する方法について説明する。
 まず、接合膜3の作製方法を説明するのに先 立って、基板2上にプラズマ重合法を行いて� �合膜3を作製する際に用いるプラズマ重合装� ��について説明する。
 図5は、本発明の接合方法に用いられるプラ ズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である 。なお、以下の説明では、図5中の上側を「� �」、下側を「下」と言う。

 図5に示すプラズマ重合装置100は、チャン バー101と、基板2を支持する第1の電極130と、� ��2の電極140と、各電極130、140間に高周波電圧 を印加する電源回路180と、チャンバー101内に ガスを供給するガス供給部190と、チャンバー 101内のガスを排気する排気ポンプ170とを備え ている。これらの各部のうち、第1の電極130� �よび第2の電極140がチャンバー101内に設けら� ��ている。以下、各部について詳細に説明す� ��。

 チャンバー101は、内部の気密を保持し得る� ��器であり、内部を減圧(真空)状態にして使� �されるため、内部と外部との圧力差に耐え� �る耐圧性能を有するものとされる。
 図5に示すチャンバー101は、軸線が水平方向 に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャン バー本体と、チャンバー本体の左側開口部を 封止する円形の側壁と、右側開口部を封止す る円形の側壁とで構成されている。

 チャンバー101の上方には供給口103が、下方� ��は排気口104が、それぞれ設けられている。� ��して、供給口103にはガス供給部190が接続さ� ��、排気口104には排気ポンプ170が接続されて� ��る。
 なお、本実施形態では、チャンバー101は、� ��電性の高い金属材料で構成されており、接� ��線102を介して電気的に接地されている。

 第1の電極130は、板状をなしており、基板2� �支持している。
 この第1の電極130は、チャンバー101の側壁の 内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており 、これにより、第1の電極130は、チャンバー10 1を介して電気的に接地されている。なお、� �1の電極130は、図5に示すように、チャンバー 本体と同心状に設けられている。

 第1の電極130の基板2を支持する面には、静� �チャック(吸着機構)139が設けられている。
 この静電チャック139により、図5に示すよう に、基板2を鉛直方向に沿って支持すること� �できる。また、基板2に多少の反りがあって� ��、静電チャック139に吸着させることにより� ��その反りを矯正した状態で基板2をプラズマ 処理に供することができる。

 第2の電極140は、基板2を介して、第1の電極1 30と対向して設けられている。なお、第2の電 極140は、チャンバー101の側壁の内壁面から離 間した(絶縁された)状態で設けられている。
 この第2の電極140には、配線184を介して高周 波電源182が接続されている。また、配線184の 途中には、マッチングボックス(整合器)183が� ��けられている。これらの配線184、高周波電� ��182およびマッチングボックス183により、電� ��回路180が構成されている。

 このような電源回路180によれば、第1の電極 130は接地されているので、第1の電極130と第2� ��電極140との間に高周波電圧が印加される。� ��れにより、第1の電極130と第2の電極140との� �隙には、高い周波数で向きが反転する電界� �誘起される。
 ガス供給部190は、チャンバー101内に所定の� ��スを供給するものである。

 図5に示すガス供給部190は、液状の膜材料 (原料液)を貯留する貯液部191と、液状の膜材� ��を気化してガス状に変化させる気化装置192� ��、キャリアガスを貯留するガスボンベ193と� ��有している。また、これらの各部とチャン� ��ー101の供給口103とが、それぞれ配管194で接� ��されており、ガス状の膜材料(原料ガス)と� �ャリアガスとの混合ガスを、供給口103から� �ャンバー101内に供給するように構成されて� �る。

 貯液部191に貯留される液状の膜材料は、プ� ��ズマ重合装置100により、重合して基板2の表 面に重合膜を形成する原材料となるものであ る。
 このような液状の膜材料は、気化装置192に� ��り気化され、ガス状の膜材料(原料ガス)と� �ってチャンバー101内に供給される。なお、� �料ガスについては、後に詳述する。

 ガスボンベ193に貯留されるキャリアガスは� ��電界の作用により放電し、およびこの放電� ��維持するために導入するガスである。この� ��うなキャリアガスとしては、例えば、Arガ� �、Heガス等が挙げられる。
 また、チャンバー101内の供給口103の近傍に� ��、拡散板195が設けられている。

 拡散板195は、チャンバー101内に供給される� ��合ガスの拡散を促進する機能を有する。こ� ��により、混合ガスは、チャンバー101内に、� ��ぼ均一の濃度で分散することができる。
 排気ポンプ170は、チャンバー101内を排気す� ��ものであり、例えば、油回転ポンプ、ター� ��分子ポンプ等で構成される。このようにチ� ��ンバー101内を排気して減圧することにより� ��ガスを容易にプラズマ化することができる� ��また、大気雰囲気との接触による基板2の汚 染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処 理による反応生成物をチャンバー101内から効 果的に除去することができる。
 また、排気口104には、チャンバー101内の圧� ��を調整する圧力制御機構171が設けられてい� ��。これにより、チャンバー101内の圧力が、� ��ス供給部190の動作状況に応じて、適宜設定� ��れる。

 次に、上記のプラズマ重合装置100を用いて� ��基板2上に接合膜3を作製する方法について� �明する。
 図6は、基板2上に接合膜3を作製する方法を� ��明するための図(縦断面図)である。なお、� �下の説明では、図6中の上側を「上」、下側� ��「下」と言う。
 接合膜3は、強電界中に、原料ガスとキャリ アガスとの混合ガスを供給することにより、 原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板 2上に堆積させることにより得ることができ� �。以下、詳細に説明する。

 まず、基板2を用意し、必要に応じて、基板 2の上面25に前述したような表面処理を施す。
 次に、基板2をプラズマ重合装置100のチャン バー101内に収納して封止状態とした後、排気 ポンプ170の作動により、チャンバー101内を減 圧状態とする。
 次に、ガス供給部190を作動させ、チャンバ� ��101内に原料ガスとキャリアガスの混合ガス� ��供給する。供給された混合ガスは、チャン� ��ー101内に充填される(図6(a)参照)。

 ここで、混合ガス中における原料ガスの占� ��る割合(混合比)は、原料ガスやキャリアガ� �の種類や目的とする成膜速度等によって若� �異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガス� �割合を20~70%程度に設定するのが好ましく、30 ~60%程度に設定するのがより好ましい。これ� �より、重合膜の形成(成膜)の条件の最適化を 図ることができる。
 また、供給するガスの流量は、ガスの種類� ��目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜� ��定され、特に限定されるものではないが、� ��常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量� ��、それぞれ、1~100ccm程度に設定するのが好� �しく、10~60ccm程度に設定するのがより好まし い。

 次いで、電源回路180を作動させ、一対の電� ��130、140間に高周波電圧を印加する。これに� ��り、一対の電極130、140間に存在するガスの� ��子が電離し、プラズマが発生する。このプ� ��ズマのエネルギーにより原料ガス中の分子� ��重合し、図6(b)に示すように、重合物が基板 2に付着・堆積する。これにより、基板2上に� ��ラズマ重合膜で構成された接合膜3が形成さ れる(図6(c)参照)。
 また、プラズマの作用により、基板2の表面 が活性化・清浄化される。このため、原料ガ スの重合物が基板2の表面に堆積し易くなり� �接合膜3の安定した成膜が可能になる。この� ��うにプラズマ重合法によれば、基板2の構成 材料によらず、基板2と接合膜3との密着強度� ��より高めることができる。

 原料ガスとしては、例えば、メチルシロキ� ��ン、オクタメチルトリシロキサン、デカメ� ��ルテトラシロキサン、デカメチルシクロペ� ��タシロキサン、オクタメチルシクロテトラ� ��ロキサン、メチルフェニルシロキサンのよ� ��なオルガノシロキサン等が挙げられる。
 このような原料ガスを用いて得られるプラ� ��マ重合膜、すなわち接合膜3は、これらの原 料が重合してなるもの(重合物)、すなわちポ� ��オルガノシロキサンで構成されることとな� ��。

 プラズマ重合の際、一対の電極130、140間に� ��加する高周波の周波数は、特に限定されな� ��が、1kHz~100MHz程度であるのが好ましく、10~60 MHz程度であるのがより好ましい。
 また、高周波の出力密度は、特に限定され� ��いが、0.01~100W/cm ² 程度であるのが好ましく、0.1~50W/cm ² 程度であるのがより好ましく、1~40W/cm ² 程度であるのがさらに好ましい。高周波の出 力密度を前記範囲内とすることにより、高周 波の出力密度が高過ぎて原料ガスに必要以上 のプラズマエネルギーが付加されるのを防止 しつつ、ランダムな原子構造を有するSi骨格3 01を確実に形成することができる。すなわち� ��高周波の出力密度が前記下限値を下回った� ��合、原料ガス中の分子に重合反応を生じさ� ��ることができず、接合膜3を形成することが できないおそれがある。一方、高周波の出力 密度が前記上限値を上回った場合、原料ガス が分解する等して、脱離基303となり得る構造 がSi骨格301から分離してしまい、得られる接� ��膜3において脱離基303の含有率が著しく低く なったり、Si骨格301のランダム性が低下する( 規則性が高くなる)おそれがある。

 また、成膜時のチャンバー101内の圧力は、1 33.3×10 ^-5 ~1333Pa(1×10 ^-5 ~10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10 ^-4 ~133.3Pa(1×10 ^-4 ~1Torr)程度であるのがより好ましい。
 原料ガス流量は、0.5~200sccm程度であるのが� �ましく、1~100sccm程度であるのがより好まし� �。一方、キャリアガス流量は、5~750sccm程度� �あるのが好ましく、10~500sccm程度であるのが� ��り好ましい。

 処理時間は、1~10分程度であるのが好ましく 、4~7分程度であるのがより好ましい。
 また、基板2の温度は、25℃以上であるのが� ��ましく、25~100℃程度であるのがより好まし� ��。
 以上のようにして、接合膜3を得るとともに 、接合膜付き基材1を得ることができる。
 なお、接合膜3は、光を透過させることがで きる。また、接合膜3の形成条件(プラズマ重� ��の際の条件や原料ガスの組成等)を適宜設定 することにより、接合膜3の屈折率を調整す� �ことができる。具体的には、プラズマ重合� �際の高周波の出力密度を高めることにより� �接合膜3の屈折率を高めることができ、反対� ��、プラズマ重合の際の高周波の出力密度を� ��くすることにより、接合膜3の屈折率を低く することができる。

 具体的には、プラズマ重合法によれば、� ��折率の範囲が1.35~1.6程度の接合膜3が得られ� ��。このような接合膜3は、その屈折率が、水 晶や石英ガラスの屈折率に近いため、例えば 接合膜3を光路が貫通するような構造の光学� �品を製造する際に好適に用いられる。また� �接合膜3の屈折率を調整することができるの� ��、所望の屈折率の接合膜3を作製することが できる。

 <第2実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第2実施形態につ� ��て説明する。
 図7は、本発明の接合膜付き基材を用いて、 接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合 方法の第2実施形態を説明するための図(縦断� ��図)である。なお、以下の説明では、図7中� �上側を「上」、下側を「下」と言う。

 以下、第2実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態との相違点� �中心に説明し、同様の事項については、そ� �説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付� ��基材1と対向基板4とを重ね合わせた後に、� �合膜3にエネルギーを付与するようにした以� ��は、前記第1実施形態と同様である。
 すなわち、本実施形態にかかる接合方法は� ��本発明の接合膜付き基材1を用意する工程と 、対向基板(他の被着体)4を用意し、接合膜付 き基材1が備える接合膜3と対向基板4とが密着 するように、これらを重ね合わせる工程と、 重ね合わせてなる仮接合体中の接合膜3に対� �てエネルギーを付与して、接合膜3を活性化� ��せ、これにより、接合膜付き基材1と対向基 板4とを接合してなる接合体5を得る工程とを� ��する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、前記第1実施形態と同様にして、接 合膜付き基材1を用意する(図7(a)参照)。
 [2]次に、図7(b)に示すように、対向基板4を� �意し、接合膜3の表面35と対向基板4とが密着� ��るように、接合膜付き基材1と対向基板4と� �重ね合わせ、仮接合体を得る。なお、この� �接合体の状態では、接合膜付き基材1と対向� ��板4との間は接合されていないので、接合膜 付き基材1の対向基板4に対する相対位置を調� ��することができる。これにより、接合膜付� ��基材1と対向基板4とを重ね合わせた後、互� �をずらすことによって、これらの位置を容� �に微調整することができる。その結果、接� �膜付き基材1の対向基板4に対する位置精度を 高めることができる。

 [3]次に、図7(c)に示すように、仮接合体中の 接合膜3に対してエネルギーを付与する。接� �膜3にエネルギーが付与されると、接合膜3に 、対向基板4との接着性が発現する。これに� �り、接合膜付き基材1と対向基板4とが接合さ れ、接合体5が得られる。
 ここで、接合膜3に付与するエネルギーは、 いかなる方法で付与されてもよいが、例えば 、前記第1実施形態で挙げたような方法で付� �される。

 また、本実施形態では、接合膜3にエネル ギーを付与する方法として、特に、接合膜3� �エネルギー線を照射する方法、接合膜3を加� ��する方法、および接合膜3に圧縮力(物理的� �ネルギー)を付与する方法のうちの少なくと� ��1つの方法を用いるのが好ましい。これらの 方法は、接合膜3に対して比較的簡単に効率� �くエネルギーを付与することができるので� �エネルギー付与方法として好適である。

 このうち、接合膜3にエネルギー線を照射す る方法としては、前記第1実施形態と同様の� �法を用いることができる。
 なお、この場合、エネルギー線は、基板2ま たは対向基板4を透過して接合膜3に照射され� ��こととなる。したがって、基板2または対向 基板4は、透光性を有するものであるのが好� �しい。
 一方、接合膜3を加熱することにより、接合 膜3に対してエネルギーを付与する場合には� �加熱温度を25~100℃程度に設定するのが好ま� �く、50~100℃程度に設定するのがより好まし� �。かかる範囲の温度で加熱すれば、基板2が� ��によって変質・劣化するのを確実に防止し� ��つ、接合膜3を確実に活性化させることがで きる。

 また、加熱時間は、接合膜3の脱離基303を脱 離し得る程度の時間とすればよく、具体的に は、加熱温度が前記範囲内であれば、1~30分� �度であるのが好ましい。
 また、接合膜3は、いかなる方法で加熱され てもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、 赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方 法等の各種方法で加熱することができる。
 なお、赤外線を照射する方法を用いる場合� ��は、基板2または対向基板4は、光吸収性を� �する材料で構成されているのが好ましい。� �れにより、赤外線を照射された基板2または� ��向基板4は、効率よく発熱する。その結果、 接合膜3を効率よく加熱することができる。

 また、ヒータを用いる方法または火炎に接� ��させる方法を用いる場合には、基板2または 対向基板4は、熱伝導性に優れた材料で構成� �れているのが好ましい。これにより、基板2� ��たは対向基板4を介して、接合膜3に対して� �率よく熱を伝えることができ、接合膜3を効� ��よく加熱することができる。
 また、接合膜3に圧縮力を付与することによ り、接合膜3に対してエネルギーを付与する� �合には、接合膜付き基材1と対向基板4とが互 いに近づく方向に、0.2~10MPa程度の圧力で圧縮 するのが好ましく、1~5MPa程度の圧力で圧縮す るのがより好ましい。これにより、単に圧縮 するのみで、接合膜3に対して適度なエネル� �ーを簡単に付与することができ、接合膜3に� ��対向基板4との十分な接着性が発現する。な お、この圧力が前記上限値を上回っても構わ ないが、基板2と対向基板4の各構成材料によ� ��ては、基板2および対向基板4に損傷等が生� �るおそれがある。

 また、圧縮力を付与する時間は、特に限定� ��れないが、10秒~30分程度であるのが好まし� �。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力� �大きさに応じて適宜変更すればよい。具体� �には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮� �を付与する時間を短くすることができる。
 以上のようにして接合体5を得ることができ る。
 なお、接合体5を得た後、この接合体5に対� �て、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4A] 、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工程 を行うようにしてもよい。

 <第3実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第3実施形態につ� ��て説明する。
 図8および図9は、本発明の接合膜付き基材� �用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接� �する接合方法の第3実施形態を説明するため� ��図(縦断面図)である。なお、以下の説明で� �、図8および図9中の上側を「上」、下側を「 下」と言う。

 以下、第3実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態および前記� �2実施形態との相違点を中心に説明し、同様� ��事項については、その説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、2枚の接合 膜付き基材1同士を接合するようにした以外� �、前記第1実施形態と同様である。

 すなわち、本実施形態にかかる接合方法� ��、本発明の接合膜付き基材1を2枚用意する� �程と、それぞれの接合膜付き基材1の各接合� ��31、32に対してそれぞれエネルギーを付与し て、各接合膜31、32を活性化させる工程と、� �接合膜31、32同士が密着するように、2枚の接 合膜付き基材1同士を貼り合わせ、接合体5aを 得る工程とを有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、前記第1実施形態と同様にして、2� �の接合膜付き基材1を用意する(図8(a)参照)。� ��お、本実施形態では、この2枚の接合膜付き 基材1として、図8(a)に示すように、基板21と� �の基板21上に設けられた接合膜31とを有する� ��合膜付き基材1と、基板22とこの基板22上に� �けられた接合膜32とを有する接合膜付き基材 1とを用いるものとする。

 [2]次に、図8(b)に示すように、2枚の接合膜� �き基材1の各接合膜31、32に対して、それぞれ エネルギーを付与する。各接合膜31、32にエ� �ルギーが付与されると、各接合膜31、32では� ��図3に示す脱離基303がSi骨格301から脱離する� ��そして、脱離基303が脱離した後には、図4に 示すように、各接合膜31、32の表面35および内 部に活性手304が生じ、各接合膜31、32が活性� �される。これにより、各接合膜31、32にそれ� ��れ接着性が発現する。
 このような状態の2枚の接合膜付き基材1は� �それぞれ互いに接着可能なものとなる。
 なお、エネルギー付与方法としては、前記� ��1実施形態と同様の方法を用いることができ る。

 ここで、接合膜3を「活性化させる」とは、 前述したように、各接合膜31、32の表面351、35 2および内部の脱離基303が脱離して、Si骨格301 に終端化されていない結合手(未結合手)が生� ��た状態や、この未結合手が水酸基(OH基)によ って終端化された状態、または、これらの状 態が混在した状態のことを言う。
 したがって、活性手304とは、未結合手また� ��未結合手が水酸基によって終端化されたも� ��のことを言う。

 [3]次に、図8(c)に示すように、接着性が発現 した各接合膜3同士が密着するように、2枚の� ��合膜付き基材1同士を貼り合わせ、接合体5a� ��得る。
 ここで、本工程において、2枚の接合膜付き 基材1同士を接合するが、この接合は、以下� �ような2つのメカニズム(i)、(ii)の双方または 一方に基づくものであると推察される。

 (i)例えば、各接合膜31、32の表面351、352に水 酸基が露出している場合を例に説明すると、 本工程において、各接合膜31、32同士が密着� �るように、2枚の接合膜付き基材1同士を貼り 合わせたとき、各接合膜付き基材1の接合膜31 、32の表面351、352に存在する水酸基同士が、� ��素結合によって互いに引き合い、水酸基同� ��の間に引力が発生する。この引力によって� ��2枚の接合膜付き基材1同士が接合されると� �察される。
 また、この水素結合によって互いに引き合� ��水酸基同士は、温度条件等によって、脱水� ��合する。その結果、2枚の接合膜付き基材1� �士の間では、水酸基が結合していた結合手� �士が酸素原子を介して結合する。これによ� �、2枚の接合膜付き基材1同士がより強固に接 合されると推察される。

 (ii)2枚の接合膜付き基材1同士を貼り合わ� ��ると、各接合膜31、32の表面351、352や内部に 生じた終端化されていない結合手(未結合手)� ��士が再結合する。この再結合は、互いに重� ��り合う(絡み合う)ように複雑に生じること� �ら、接合界面にネットワーク状の結合が形� �される。これにより、各接合膜31、32を構成� ��るそれぞれの母材(Si骨格301)同士が直接接合 して、各接合膜31、32同士が一体化する。

 以上のような(i)または(ii)のメカニズムによ り、図8(d)に示すような接合体5aが得られる。
 なお、接合体5aを得た後、この接合体5aに対 して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4 A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工� ��を行うようにしてもよい。
 例えば、図9(e)に示すように、接合体5aを加� ��しつつ、加熱することにより、接合体5aの� �基板21、22同士がより近接する。これにより� ��各接合膜31、32の界面における水酸基の脱水 縮合や未結合手同士の再結合が促進される。 そして、各接合膜31、32同士の一体化がより� �行する。その結果、図9(f)に示すように、ほ� ��完全に一体化された接合膜30を有する接合� �5a’が得られる。

 <第4実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第4実施形態につ� ��て説明する。
 図10は、本発明の接合膜付き基材を用いて� �接合膜付き基材と対向基板とを接合する接� �方法の第4実施形態を説明するための図(縦断 面図)である。なお、以下の説明では、図10中 の上側を「上」、下側を「下」と言う。

 以下、第4実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態ないし前記� �3実施形態との相違点を中心に説明し、同様� ��事項については、その説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、接合膜3の 一部の所定領域350のみを選択的に活性化させ ることにより、接合膜付き基材1と対向基板4� ��を、前記所定領域350において部分的に接合� ��るようにした以外は、前記第1実施形態と同 様である。

 すなわち、本実施形態にかかる接合方法� ��、本発明の接合膜付き基材1を用意する工程 と、接合膜付き基材1の接合膜3に対して、一� ��の所定領域350に対して選択的にエネルギー� ��付与して、前記所定領域350を選択的に活性� ��させる工程と、対向基板(他の被着体)4を用� ��し、接合膜付き基材1が備える接合膜3と対� �基板4とが密着するように、これらを貼り合� ��せ、接合膜付き基材1と対向基板4とが前記� �定領域350において部分的に接合されてなる� �合体5bを得る工程とを有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、接合膜付き基材1(本発明の接合膜� �き基材)を用意する(図10(a)参照)。
 [2]次に、図10(b)に示すように、接合膜付き� �材1の接合膜3の表面35のうち、一部の所定領� ��350に対して選択的にエネルギーを付与する� ��
 エネルギーが付与されると、接合膜3では、 所定領域において、脱離基303がSi骨格301から� ��離する(図3参照)。そして、脱離基303が脱離� ��た後には、接合膜3の表面35および内部に活� ��手304が生じる(図4参照)。これにより、接合� ��3の所定領域350に、対向基板4との接着性が� �現し、一方、接合膜3の所定領域350以外の領� ��には、該接着性はほとんど発現しない。
 このような状態の接合膜付き基材1は、所定 領域350において、対向基板4と部分的に接着� �能なものとなる。

 ここで、接合膜3に付与するエネルギーは、 いかなる方法で付与されてもよいが、例えば 、前記第1実施形態で挙げたような方法で付� �される。
 また、本実施形態では、接合膜3にエネルギ ーを付与する方法として、特に、接合膜3に� �ネルギー線を照射する方法を用いるのが好� �しい。この方法は、接合膜3に対して比較的� ��単に効率よくエネルギーを付与することが� ��きるので、エネルギー付与方法として好適� ��ある。

 また、本実施形態では、エネルギー線とし� ��、特に、レーザー光、電子線のような指向� ��の高いエネルギー線を用いるのが好ましい� ��かかるエネルギー線であれば、目的の方向� ��向けて照射することにより、所定領域に対� ��てエネルギー線を選択的にかつ簡単に照射� ��ることができる。
 また、指向性の低いエネルギー線であって� ��、接合膜3の表面35のうち、エネルギー線を� ��射すべき所定領域350以外の領域を覆うよう� ��(隠すように)して照射すれば、所定領域350� �対してエネルギー線を選択的に照射するこ� �ができる。
 具体的には、図10(b)に示すように、接合膜3� ��表面35の上方に、エネルギー線を照射すべ� �所定領域350の形状に対応する形状をなす窓� �61を有するマスク6を設け、このマスク6を介� ��てエネルギー線を照射すればよい。このよ� ��にすれば、所定領域350に対して、エネルギ� ��線を選択的に照射することが容易に行える� ��

 [3]次に、図10(c)に示すように、対向基板(他� ��被着体)4を用意する。そして、所定領域350� �選択的に活性化させた接合膜3と対向基板4と が密着するように、接合膜付き基材1と対向� �板4とを貼り合わせる。これにより、図10(d)� �示す接合体5bを得る。
 このようにして得られた接合体5bは、基板2� ��対向基板4の対向面全体を接合するのではな く、一部の領域(所定領域350)のみを部分的に� ��合してなるものである。そして、この接合� ��際、接合膜3に対してエネルギーを付与する 領域を制御することのみで、接合される領域 を簡単に選択することができる。これにより 、例えば、接合膜付き基材1の接合膜3を活性� ��させる領域(本実施形態では、所定領域350)� �面積を制御することにより、接合体5bの接合 強度を容易に調整することができる。その結 果、例えば、接合した箇所を容易に分離する ことができる接合体5bが得られる。

 また、図10(d)に示す接合膜付き基材1と対向� ��板4との接合部(所定領域350)の面積や形状を� ��宜制御することにより、接合部に生じる応� ��の局所集中を緩和することができる。これ� ��より、例えば、基板2と対向基板4との間で� �膨張率差が大きい場合でも、接合膜付き基� �1と対向基板4とを確実に接合することができ る。
 さらに、接合体5bでは、接合膜付き基材1と� ��向基板4との間隙のうち、接合している所定 領域350以外の領域では、わずかな間隙が生じ ている(残存している)。したがって、この所� ��領域350の形状を適宜調整することにより、� ��合膜付き基材1と対向基板4との間に、閉空� �や流路等を容易に形成することができる。

 なお、前述したように、接合膜付き基材1と 対向基板4との接合部(所定領域350)の面積を制 御することにより、接合体5bの接合強度を調� ��可能であると同時に、接合体5bを分離する� �の強度(割裂強度)を調整可能である。
 かかる観点から、容易に分離可能な接合体5 bを作製する場合には、接合体5bの接合強度は 、人の手で容易に分離可能な程度の大きさで あるのが好ましい。これにより、接合体5bを� ��離する際、装置等を用いることなく、簡単� ��行うことができる。
 以上のようにして接合体5bを得ることがで� �る。

 なお、接合体5bを得た後、この接合体5bに対 して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4 A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工� ��を行うようにしてもよい。
 このとき、接合体5bの接合膜3と対向基板4と の界面のうち、所定領域350以外の領域(非接� �領域)では、わずかな間隙が生じている(残存 している)。したがって、接合体5bを加圧しつ つ、加熱する際には、この所定領域350以外の 領域において、接合膜3と対向基板4とが接合� ��れないような条件で行うようにするのが好� ��しい。
 また、上記のことを考慮して、前記第1実施 形態の工程[4A]、[4B]および[4C]のうちの少なく とも1つの工程を行う場合、これらの工程を� �所定領域350に対して選択的に行うのが好ま� �い。これにより、所定領域350以外の領域に� �いて、接合膜3と対向基板4とが接合されるの を防止することができる。

 <第5実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第5実施形態につ� ��て説明する。
 図11は、本発明の接合膜付き基材を用いて� �接合膜付き基材と対向基板とを接合する接� �方法の第5実施形態を説明するための図(縦断 面図)である。なお、以下の説明では、図11中 の上側を「上」、下側を「下」と言う。

 以下、第5実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態ないし前記� �4実施形態との相違点を中心に説明し、同様� ��事項については、その説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、基板2の上 面25のうち、一部の所定領域350のみに選択的� ��接合膜3aを形成することにより、接合膜付� �基材1と対向基板4とを、前記所定領域350にお いて部分的に接合するようにした以外は、前 記第1実施形態と同様である。

 すなわち、本実施形態にかかる接合方法� ��、基板2と、基板2上の一部の所定領域350の� �に形成された接合膜3aとを有する接合膜付き 基材1を用意する工程と、接合膜付き基材1の� ��合膜3aに対してエネルギーを付与して、接� �膜3aを活性化させる工程と、対向基板(他の� �着体)4を用意し、接合膜付き基材1が備える� �合膜3aと対向基板4とが密着するように、こ� �らを貼り合わせ、接合膜付き基材1と対向基� ��4とが接合膜3aを介して接合されてなる接合� ��5cを得る工程とを有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、図11(a)に示すように、基板2の上面2 5の上方に、所定領域350の形状に対応する形� �をなす窓部61を有するマスク6を設ける。
 次に、マスク6を介して、基板2の上面25に接 合膜3aを成膜する。例えば、図11(a)に示すよ� �に、マスク6を介してプラズマ重合法により� ��合膜3aを成膜する場合、プラズマ重合法に� �って生成された重合物は、基板2の上面25上� �堆積するが、このときマスク6を介すること� ��より、所定領域350にのみ重合物が堆積する� ��その結果、基板2の上面25の一部の所定領域3 50に接合膜3aが形成される。

 [2]次に、図11(b)に示すように、接合膜3aにエ ネルギーを付与する。これにより、接合膜付 き基材1では、接合膜3aに、対向基板4との接� �性が発現する。
 なお、本工程でエネルギーを付与する際に� ��、接合膜3aに選択的にエネルギーを付与し� �もよいが、接合膜3aを含む基板2の上面25全体 にエネルギーを付与するようにしてもよい。
 また、接合膜3aに付与するエネルギーは、� �かなる方法で付与されてもよいが、例えば� �前記第1実施形態で挙げたような方法で付与� ��れる。

 [3]次に、図11(c)に示すように、対向基板(他� ��被着体)4を用意する。そして、接合膜3aと対 向基板4とを密着するように、接合膜付き基� �1と対向基板4とを貼り合わせる。これにより 、図11(d)に示す接合体5cを得る。
 このようにして得られた接合体5cは、基板2� ��対向基板4の対向面全体を接合するのではな く、一部の領域(所定領域350)のみを部分的に� ��合してなるものである。そして、接合膜3a� �形成する際、形成領域を制御することのみ� �、接合される領域を簡単に選択することが� �きる。これにより、例えば、接合膜3aを形成 する領域(所定領域350)の面積を制御すること� ��より、接合体5cの接合強度を容易に調整す� �ことができる。その結果、例えば、接合し� �箇所を容易に分離することができる接合体5c が得られる。
 また、図11(d)に示す接合膜付き基材1と対向� ��板4との接合部(所定領域350)の面積や形状を� ��宜制御することにより、接合部に生じる応� ��の局所集中を緩和することができる。これ� ��より、例えば、基板2と対向基板4との間で� �膨張率差が大きい場合でも、接合膜付き基� �1と対向基板4とを確実に接合することができ る。

 さらに、接合体5cの基板2と対向基板4との間 には、所定領域350以外の領域に、接合膜3aの� ��さに相当する離間距離の間隙3cが形成され� �いる(図11(d)参照)。したがって、所定領域350� ��形状や接合膜3aの厚さを適宜調整すること� �より、基板2と対向基板4との間に、所望の形 状の閉空間や流路等を容易に形成することが できる。
 以上のようにして接合体5cを得ることがで� �る。
 なお、接合体5cを得た後、この接合体5cに対 して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4 A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工� ��を行うようにしてもよい。

 <第6実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第6実施形態につ� ��て説明する。
 図12は、本発明の接合膜付き基材を用いて� �接合膜付き基材と対向基板とを接合する接� �方法の第6実施形態を説明するための図(縦断 面図)である。なお、以下の説明では、図12中 の上側を「上」、下側を「下」と言う。

 以下、第6実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態ないし前記� �5実施形態との相違点を中心に説明し、同様� ��事項については、その説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、2枚の接合 膜付き基材1を用意し、そのうち一方の接合� �付き基材1において、接合膜3の一部の所定領 域350のみを選択的に活性化させた後、2枚の� �合膜付き基材1の各接合膜31、32同士が接触す るように、これらを重ね合わせることにより 、2枚の接合膜付き基材1同士を前記所定領域3 50において接合するようにした以外は、前記� ��1実施形態と同様である。

 すなわち、本実施形態にかかる接合方法� ��、本発明の接合膜付き基材1を2枚用意する� �程と、それぞれの接合膜付き基材1の接合膜3 1、32に対して、それぞれ異なる領域にエネル ギーを付与して、その領域を活性化させる工 程と、2枚の接合膜付き基材1同士を貼り合わ� ��、2枚の接合膜付き基材1同士が、前記所定� �域350において部分的に接合されてなる接合� �5dを得る工程とを有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、前記第1実施形態と同様にして、2� �の接合膜付き基材1を用意する(図12(a)参照)。 なお、本実施形態では、この2枚の接合膜付� �基材1として、図12(a)に示すように、基板21と この基板21上に設けられた接合膜31とを有す� �接合膜付き基材1と、基板22とこの基板22上に 設けられた接合膜32とを有する接合膜付き基� ��1とを用いるものとする。

 [2]次に、図12(b)に示すように、2枚の接合膜� ��き基材1のうち、一方の接合膜付き基材1の� �合膜31の表面351には、全面にエネルギーを付 与する。これにより、接合膜31の表面351の全� ��に接着性が発現する。
 一方、2枚の接合膜付き基材1のうち、他方� �接合膜付き基材1の接合膜32の表面352には、� �部の所定領域350に対して選択的にエネルギ� �を付与する。所定領域350に対して選択的に� �ネルギーを付与する方法としては、例えば� �前記第4実施形態と同様の方法を用いること� ��できる。

 各接合膜31、32にそれぞれエネルギーが付与 されると、各接合膜31、32では、脱離基303がSi 骨格301から脱離する(図3参照)。そして、脱離 基303が脱離した後には、各接合膜31、32の表� �351、352および内部に活性手304が生じる(図4参 照)。これにより、接合膜31の表面351の全面と 、接合膜32の表面352の所定領域350とに、それ� ��れ接着性が発現する。また、その一方、接� ��膜32の所定領域350以外の領域には、該接着� �はほとんど発現しない。
 このような状態の2枚の接合膜付き基材1は� �所定領域350において部分的に接着可能なも� �となる。

 [3]次に、図12(c)に示すように、接着性が発� �した各接合膜31、32同士が密着するように、2 枚の接合膜付き基材1同士を貼り合わせる。� �れにより、図12(d)に示す接合体5dを得る。
 このようにして得られた接合体5dは、2枚の� ��合膜付き基材1同士を対向面全体で接合する のではなく、一部の領域(所定領域350)のみを� ��分的に接合してなるものである。そして、� ��の接合の際、接合膜32に対してエネルギー� �付与する領域を制御することのみで、接合� �れる領域を簡単に選択することができる。� �れにより、例えば、接合体5dの接合強度を容 易に調整することができる。

 以上のようにして接合体5dを得ることがで� �る。
 なお、接合体5dを得た後、この接合体5dに対 して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4 A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工� ��を行うようにしてもよい。
 例えば、接合体5dを加圧しつつ、加熱する� �とにより、接合体5dの各基板21、22同士がよ� �近接する。これにより、各接合膜31、32の界� ��における水酸基の脱水縮合や未結合手同士� ��再結合が促進される。そして、所定領域350� ��形成された接合部において、一体化がより� ��行し、最終的には、ほぼ完全に一体化され� ��。

 なお、このとき、接合膜31の表面351と接合� �32の表面352との界面のうち、所定領域350以外 の領域(非接合領域)では、各表面351、352間に� ��ずかな間隙が生じている(残存している)。� �たがって、接合体5dを加圧しつつ、加熱する 際には、この所定領域350以外の領域において 、各接合膜31、32が接合されないような条件� �行うようにするのが好ましい。
 また、上記のことを考慮して、前記第1実施 形態の工程[4A]、[4B]および[4C]のうちの少なく とも1つの工程を行う場合、これらの工程を� �所定領域350に対して選択的に行うのが好ま� �い。これにより、所定領域350以外の領域に� �いて、各接合膜31、32が接合されるのを防止� ��ることができる。

 <第7実施形態>
 次に、本発明の接合膜付き基材、この接合� ��付き基材と対向基板とを接合する接合方法( 本発明の接合方法)、および本発明の接合膜� �き基材を備える接合体の各第7実施形態につ� ��て説明する。
 図13は、本発明の接合膜付き基材を用いて� �接合膜付き基材と対向基板とを接合する接� �方法の第7実施形態を説明するための図(縦断 面図)である。なお、以下の説明では、図13中 の上側を「上」、下側を「下」と言う。

 以下、第7実施形態にかかる接合方法につい て説明するが、前記第1実施形態ないし前記� �6実施形態との相違点を中心に説明し、同様� ��事項については、その説明を省略する。
 本実施形態にかかる接合方法は、各基板21� �22の上面251、252のうち、それぞれ一部の所定 領域350にのみに選択的に接合膜3a、3bを形成� �ることにより、2枚の接合膜付き基材1を用意 し、これらを各接合膜3a、3bを介して部分的� �接合するようにした以外は、前記第1実施形� ��と同様である。

 すなわち、本実施形態にかかる接合方法� ��、各基板21、22と、この基板21、22の各所定� �域350にそれぞれ接合膜3a、3bとを有する2枚の 接合膜付き基材1を用意する工程と、各接合� �付き基材1の各接合膜3a、3bに対してエネルギ ーを付与して、各接合膜3a、3bを活性化させ� �工程と、2枚の接合膜付き基材1同士を貼り合 わせ、2枚の接合膜付き基材1同士が、前記所� ��領域350において部分的に接合されてなる接� ��体5eを得る工程とを有する。

 以下、本実施形態にかかる接合方法の各工� ��について順次説明する。
 [1]まず、図13(a)に示すように、各基板21、22� ��上方に、所定領域350の形状に対応する形状� ��なす窓部61を有するマスク6をそれぞれ設け� ��。
 次に、マスク6を介して、各基板21、22の上� �251、252に、それぞれ接合膜3a、3bを成膜する� ��例えば、図13(a)に示すように、マスク6を介� ��てプラズマ重合法により接合膜3a、3bを成膜 する場合、プラズマ重合法によって生成され た重合物は、各基板21、22の上面251、252上に� �積するが、このときマスク6を介することに� ��り、それぞれの所定領域350にのみ重合物が� ��積する。その結果、各基板21、22の上面251、 252の一部の所定領域350に、接合膜3a、3bがそ� �ぞれ形成される。

 [2]次に、図13(b)に示すように、各接合膜3a、 3bにエネルギーを付与する。これにより、各� ��合膜付き基材1では、接合膜3a、3bに接着性� �発現する。
 なお、本工程でエネルギーを付与する際に� ��、各接合膜3a、3bに選択的にエネルギーを付 与してもよいが、各接合膜3a、3bを含む基板21 、22の上面251、252の全体に、それぞれエネル� ��ーを付与するようにしてもよい。
 また、各接合膜3a、3bに付与するエネルギー は、いかなる方法で付与されてもよいが、例 えば、前記第1実施形態で挙げたような方法� �付与される。

 [3]次に、図13(c)に示すように、接着性が発� �した各接合膜3a、3b同士が密着するように、2 枚の接合膜付き基材1同士を貼り合わせる。� �れにより、図13(d)に示す接合体5eを得る。
 このようにして得られた接合体5eは、2枚の� ��合膜付き基材1同士を対向面全体で接合する のではなく、一部の領域(所定領域350)のみを� ��分的に接合してなるものである。そして、� ��の接合の際、接合膜32に対してエネルギー� �付与する領域を制御することのみで、接合� �れる領域を簡単に選択することができる。� �れにより、例えば、接合体5eの接合強度を容 易に調整することができる。
 また、接合体5eの各基板21、22間には、所定� ��域350以外の領域に、接合膜3aと接合膜3bとの 合計の厚さに相当する離間距離の間隙3cが形� ��されている(図13(d)参照)。したがって、所定 領域350の形状や各接合膜3a、3bの厚さを適宜� �整することにより、各基板21、22間に、所望� ��形状の閉空間や流路等を容易に形成するこ� ��ができる。

 以上のようにして接合体5eを得ることがで� �る。
 なお、接合体5eを得た後、この接合体5eに対 して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[4 A]、[4B]および[4C]のうちの少なくとも1つの工� ��を行うようにしてもよい。
 例えば、接合体5eを加圧しつつ、加熱する� �とにより、接合体5eの各基板21、22同士がよ� �近接する。これにより、各接合膜31、32の界� ��における水酸基の脱水縮合や未結合手同士� ��再結合が促進される。そして、所定領域350� ��形成された接合部において、一体化がより� ��行し、最終的には、ほぼ完全に一体化され� ��。

 以上のような前記各実施形態にかかる接合� ��法は、種々の複数の部材同士を接合するの� ��用いることができる。
 このような接合に供される部材としては、� ��えば、トランジスタ、ダイオード、メモリ� ��ような半導体素子、水晶発振子のような圧� ��素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光� ��フィルターのような光学素子、太陽電池の� ��うな光電変換素子、半導体基板とそれに搭� ��される半導体素子、絶縁性基板と配線また� ��電極、インクジェット式記録ヘッド、マイ� ��ロリアクタ、マイクロミラーのようなMEMS(Mi cro Electro Mechanical Systems)部品、圧力センサ� �加速度センサのようなセンサ部品、半導体� �子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録� �体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような� �録媒体、液晶表示素子、有機EL素子、電気泳 動表示素子のような表示素子用部品、燃料電 池用部品等が挙げられる。

 <液滴吐出ヘッド>
 ここでは、本発明の接合体をインクジェッ� ��式記録ヘッドに適用した場合の実施形態に� ��いて説明する。
 図14は、本発明の接合体を適用して得られ� �インクジェット式記録ヘッド(液滴吐出ヘッ� ��)を示す分解斜視図、図15は、図14に示すイ� �クジェット式記録ヘッドの主要部の構成を� �す断面図、図16は、図14に示すインクジェッ� ��式記録ヘッドを備えるインクジェットプリ� ��タの実施形態を示す概略図である。なお、� ��14は、通常使用される状態とは、上下逆に� �されている。

 図14に示すインクジェット式記録ヘッド10は 、図16に示すようなインクジェットプリンタ( 本発明の液滴吐出装置)9に搭載されている。
 図16に示すインクジェットプリンタ9は、装� ��本体92を備えており、上部後方に記録用紙P� ��設置するトレイ921と、下部前方に記録用紙P を排出する排紙口922と、上部面に操作パネル 97とが設けられている。

 操作パネル97は、例えば、液晶ディスプレ� �、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成さ れ、エラーメッセージ等を表示する表示部(� �示せず)と、各種スイッチ等で構成される操� ��部(図示せず)とを備えている。
 また、装置本体92の内部には、主に、往復� �するヘッドユニット93を備える印刷装置(印� �手段)94と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置94に� ��り込む給紙装置(給紙手段)95と、印刷装置94� ��よび給紙装置95を制御する制御部(制御手段) 96とを有している。

 制御部96の制御により、給紙装置95は、記 録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録� �紙Pは、ヘッドユニット93の下部近傍を通過� �る。このとき、ヘッドユニット93が記録用紙 Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動� �て、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すな� ��ち、ヘッドユニット93の往復動と記録用紙P� ��間欠送りとが、印刷における主走査および� ��走査となって、インクジェット方式の印刷� ��行なわれる。

 印刷装置94は、ヘッドユニット93と、ヘッド ユニット93の駆動源となるキャリッジモータ9 41と、キャリッジモータ941の回転を受けて、� ��ッドユニット93を往復動させる往復動機構94 2とを備えている。
 ヘッドユニット93は、その下部に、多数の� �ズル孔111を備えるインクジェット式記録ヘ� �ド10(以下、単に「ヘッド10」と言う。)と、� �ッド10にインクを供給するインクカートリッ ジ931と、ヘッド10およびインクカートリッジ9 31を搭載したキャリッジ932とを有している。
 なお、インクカートリッジ931として、イエ� ��ー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色� ��インクを充填したものを用いることにより� ��フルカラー印刷が可能となる。

 往復動機構942は、その両端をフレーム(図示 せず)に支持されたキャリッジガイド軸943と� �キャリッジガイド軸943と平行に延在するタ� �ミングベルト944とを有している。
 キャリッジ932は、キャリッジガイド軸943に� ��復動自在に支持されるとともに、タイミン� ��ベルト944の一部に固定されている。

 キャリッジモータ941の作動により、プーリ� ��介してタイミングベルト944を正逆走行させ� ��と、キャリッジガイド軸943に案内されて、� ��ッドユニット93が往復動する。そして、こ� �往復動の際に、ヘッド10から適宜インクが吐 出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
 給紙装置95は、その駆動源となる給紙モー� �951と、給紙モータ951の作動により回転する� �紙ローラ952とを有している。

 給紙ローラ952は、記録用紙Pの送り経路(� �録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ 952aと駆動ローラ952bとで構成され、駆動ロー� ��952bは給紙モータ951に連結されている。これ により、給紙ローラ952は、トレイ921に設置し た多数枚の記録用紙Pを、印刷装置94に向かっ て1枚ずつ送り込めるようになっている。な� �、トレイ921に代えて、記録用紙Pを収容する� ��紙カセットを着脱自在に装着し得るような� ��成であってもよい。

 制御部96は、例えばパーソナルコンピュー� �やディジタルカメラ等のホストコンピュー� �から入力された印刷データに基づいて、印� �装置94や給紙装置95等を制御することにより� ��刷を行うものである。
 制御部96は、いずれも図示しないが、主に� �各部を制御する制御プログラム等を記憶す� �メモリ、圧電素子(振動源)14を駆動して、イ� ��クの吐出タイミングを制御する圧電素子駆� ��回路、印刷装置94(キャリッジモータ941)を駆 動する駆動回路、給紙装置95(給紙モータ951)� �駆動する駆動回路、および、ホストコンピ� �ータからの印刷データを入手する通信回路� �、これらに電気的に接続され、各部での各� �制御を行うCPUとを備えている。
 また、CPUには、例えば、インクカートリッ� ��931のインク残量、ヘッドユニット93の位置� �を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電� �的に接続されている。

 制御部96は、通信回路を介して、印刷デ� �タを入手してメモリに格納する。CPUは、こ� �印刷データを処理して、この処理データお� �び各種センサからの入力データに基づいて� �各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆� �信号により圧電素子14、印刷装置94および給� ��装置95は、それぞれ作動する。これにより� �記録用紙Pに印刷が行われる。

 以下、ヘッド10について、図14および図15を� ��照しつつ詳述する。
 ヘッド10は、ノズル板11と、インク室基板12� ��、振動板13と、振動板13に接合された圧電素 子(振動源)14とを備えるヘッド本体17と、この ヘッド本体17を収納する基体16とを有してい� �。なお、このヘッド10は、オンデマンド形の ピエゾジェット式ヘッドを構成する。

 ノズル板11は、例えば、SiO ₂ 、SiN、石英ガラスのようなシリコン系材料、 Al、Fe、Ni、Cuまたはこれらを含む合金のよう� ��金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸� ��物系材料、カーボンブラック、グラファイ� ��のような炭素系材料等で構成されている。
 このノズル板11には、インク滴を吐出する� �めの多数のノズル孔111が形成されている。� �れらのノズル孔111間のピッチは、印刷精度� �応じて適宜設定される。

 ノズル板11には、インク室基板12が固着(固� �)されている。
 このインク室基板12は、ノズル板11、側壁(� �壁)122および後述する振動板13により、複数� �インク室(キャビティ、圧力室)121と、インク カートリッジ931から供給されるインクを貯留 するリザーバ室123と、リザーバ室123から各イ ンク室121に、それぞれインクを供給する供給 口124とが区画形成されている。

 各インク室121は、それぞれ短冊状(直方体状 )に形成され、各ノズル孔111に対応して配設� �れている。各インク室121は、後述する振動� �13の振動により容積可変であり、この容積変 化により、インクを吐出するよう構成されて いる。
 インク室基板12を得るための母材としては� �例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス� �板、各種樹脂基板等を用いることができる� �これらの基板は、いずれも汎用的な基板で� �るので、これらの基板を用いることにより� �ヘッド10の製造コストを低減することができ る。

 一方、インク室基板12のノズル板11と反対側 には、振動板13が接合され、さらに振動板13� �インク室基板12と反対側には、複数の圧電素 子14が設けられている。
 また、振動板13の所定位置には、振動板13の 厚さ方向に貫通して連通孔131が形成されてい る。この連通孔131を介して、前述したインク カートリッジ931からリザーバ室123に、インク が供給可能となっている。

 各圧電素子14は、それぞれ、下部電極142と� �部電極141との間に圧電体層143を介挿してな� �、各インク室121のほぼ中央部に対応して配� �されている。各圧電素子14は、圧電素子駆動 回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路 の信号に基づいて作動(振動、変形)するよう� ��成されている。
 各圧電素子14は、それぞれ、振動源として� �能し、振動板13は、圧電素子14の振動により� ��動し、インク室121の内部圧力を瞬間的に高� ��るよう機能する。
 基体16は、例えば各種樹脂材料、各種金属� �料等で構成されており、この基体16にノズル 板11が固定、支持されている。すなわち、基� ��16が備える凹部161に、ヘッド本体17を収納し た状態で、凹部161の外周部に形成された段差 162によりノズル板11の縁部を支持する。

 以上のような、ノズル板11とインク室基板12 との接合、インク室基板12と振動板13との接� �、およびノズル板11と基体16とを接合する際� ��、少なくとも1箇所において本発明の接合方 法が適用されている。
 換言すれば、ノズル板11とインク室基板12と の接合体、インク室基板12と振動板13との接� �体、およびノズル板11と基体16との接合体の� ��ち、少なくとも1箇所に本発明の接合体が適 用されている。
 このようなヘッド10は、接合部の接合界面� �接合強度および耐薬品性が高くなっており� �これにより、各インク室121に貯留されたイ� �クに対する耐久性および液密性が高くなっ� �いる。その結果、ヘッド10は、信頼性の高い ものとなる。

 また、非常に低温で信頼性の高い接合がで� ��るため、線膨張係数の異なる材料でも大面� ��のヘッドができる点でも有利である
 このようなヘッド10は、圧電素子駆動回路� �介して所定の吐出信号が入力されていない� �態、すなわち、圧電素子14の下部電極142と上 部電極141との間に電圧が印加されていない状 態では、圧電体層143に変形が生じない。この ため、振動板13にも変形が生じず、インク室1 21には容積変化が生じない。したがって、ノ� ��ル孔111からインク滴は吐出されない。

 一方、圧電素子駆動回路を介して所定の� ��出信号が入力された状態、すなわち、圧電� ��子14の下部電極142と上部電極141との間に一� �電圧が印加された状態では、圧電体層143に� �形が生じる。これにより、振動板13が大きく たわみ、インク室121の容積変化が生じる。こ のとき、インク室121内の圧力が瞬間的に高ま り、ノズル孔111からインク滴が吐出される。

 1回のインクの吐出が終了すると、圧電素 子駆動回路は、下部電極142と上部電極141との 間への電圧の印加を停止する。これにより、 圧電素子14は、ほぼ元の形状に戻り、インク� ��121の容積が増大する。なお、このとき、イ� ��クには、インクカートリッジ931からノズル� ��111へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用し� �いる。このため、空気がノズル孔111からイ� �ク室121へ入り込むことが防止され、インク� �吐出量に見合った量のインクがインクカー� �リッジ931(リザーバ室123)からインク室121へ供 給される。

 このようにして、ヘッド10において、印刷� �せたい位置の圧電素子14に、圧電素子駆動回 路を介して吐出信号を順次入力することによ り、任意の(所望の)文字や図形等を印刷する� ��とができる。
 なお、ヘッド10は、圧電素子14の代わりに電 気熱変換素子を有していてもよい。つまり、 ヘッド10は、電気熱変換素子による材料の熱� ��張を利用してインクを吐出する構成(いわゆ る、「バブルジェット方式」(「バブルジェ� �ト」は登録商標))のものであってもよい。

 かかる構成のヘッド10において、ノズル� �11には、撥液性を付与することを目的に形成 された被膜114が設けられている。これにより 、ノズル孔111からインク滴が吐出される際に 、このノズル孔111の周辺にインク滴が残存す るのを確実に防止することができる。その結 果、ノズル孔111から吐出されたインク滴を目 的とする領域に確実に着弾させることができ る。

 以上、本発明の接合膜付き基材、接合方法� ��よび接合体を、図示の実施形態に基づいて� ��明したが、本発明はこれらに限定されるも� ��ではない。
 例えば、本発明の接合方法は、前記各実施� ��態のうち、任意の1つまたは2つ以上を組み� �わせたものであってもよい。
 また、本発明の接合方法では、必要に応じ� ��、1以上の任意の目的の工程を追加してもよ い。
 また、前記各実施形態では、基板と対向基� ��の2枚の基材を接合する方法について説明し ているが、3枚以上の基材を接合する場合に� �本発明の接合膜付き基材および本発明の接� �方法を用いるようにしてもよい。