Träger mit passiver Kühlfunktion für ein Halbleiterbauelement

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Träger für ein

Halbleiterbauelement sowie eine Vorrichtung, die einen Träger und ein auf dem Träger angeordnetes Halbleiterbauelement aufweist .

Bei dem Halbleiterbauelement kann es sich hierbei

insbesondere um eine Leuchtdiode handeln.

Bei dem Design von Trägern für Leuchtdioden spielen

verschiedene Aspekte wie die Lichtausbeute, die Lebensdauer und das thermische Management eine wichtige Rolle. Neben den funktionalen und thermomechanischen Anforderungen gibt es auch geometrische Probleme zu lösen. Speziell bei mobilen Anwendungen, beispielsweise bei in den Kamerablitz eines Mobiltelefons integrierten Leuchtdioden, sollte der Träger und weitere Bauelemente, wie etwa diskrete Schutzbauelemente und Sensoren, einen möglichst geringen Platzbedarf und eine möglichst geringe Bauhöhe aufweisen.

Eine weitere wichtige Anforderung an einen Träger für eine Leuchtdiode besteht darin, die Lichtabstrahlung der

Leuchtdiode möglich ungehindert zu ermöglichen und dabei insbesondere Abschattungen zu vermeiden.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen verbesserten Träger für ein Halbleiterbauelement bereitzustellen, der beispielsweise ein gutes thermisches Management ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des vorliegenden Anspruchs 1 gelöst.

Es wird ein Träger mit passiver Kühlfunktion für ein

Halbleiterbauelement vorgeschlagen, der einen Grundkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite und zumindest ein elektrisches Bauelement, das in den Grundkörper eingebettet ist, aufweist. Der Träger weist ferner ein erstes thermisches Via auf, das sich von der Oberseite des Grundkörpers zu dem zumindest einen elektrischen Bauelement erstreckt. Der Träger weist ein zweites thermisches Via auf, das sich von dem zumindest einen elektrischen Bauelement zu der Unterseite des Grundkörpers erstreckt. Das zumindest eine elektrische

Bauelement ist durch das erste und das zweite thermische Via elektrisch kontaktiert.

Das erste und das zweite thermische Via erfüllen somit in dem Träger zwei Funktionen. Sie ermöglichen sowohl die

elektrische Kontaktierung des zumindest einen eingebetteten Bauelementes als auch eine Reduzierung des thermischen

Widerstands des Grundkörpers, da sie aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit dazu geeignet sind, von einem auf dem Träger aufgebrachten Halbleiterbauelement abgestrahlte Hitze schnell und effektiv von der Oberseite des Grundkörpers abzuleiten .

Dementsprechend sorgen die thermischen Vias für eine passive Kühlung des Trägers und/oder des Halbleiterbauelements. Als passive Kühlung wird hier die Kühlung von elektrischen oder elektronischen Geräten allein auf der Basis von "freier" Konvektion bezeichnet. Dabei kann Abwärme an die umgebende Luft abgeführt werden. Dadurch, dass das zumindest eine elektrische Bauelement in dem Träger eingebettet ist, kann der Träger frei von auf der Oberseite aufgebrachten Bauelementen sein, sodass sich insgesamt eine geringe Höhe des Trägers realisieren lässt. Dadurch kann die insbesondere bei mobilen Anwendungen kritische Bauhöhe deutlich reduziert werden.

Der Träger kann dazu geeignet sein, dass das

Halbleiterbauelement, beispielsweise ein Leuchtdiodenchip, unmittelbar auf dem Träger montiert werden kann. Dieses kann beispielsweise durch ein AuSn-Eutektikbonding oder ein AuSn- Reflow-Verfahren erfolgen. Der Träger ist dabei derart ausgestaltet, dass das Halbleiterbauelement, beispielsweise eine Leuchtdiode, auf der Oberseite des Grundkörpers

angeordnet werden kann. Der Träger kann ein oder mehrere Halbleiterbauelemente aufnehmen.

Der Begriff "eingebettet" ist hier derart zu verstehen, dass das eingebettete elektrische Bauelement von allen Seiten von einer Schicht des Grundkörpers beziehungsweise einem

thermischen Via umschlossen ist. In dem Grundkörper sind Öffnungen ausgebildet, in denen das elektrische Bauelement eingeschlossen ist. Das elektrische Bauelement ist an seiner Oberseite, an seiner Unterseite und an seinen seitlichen Flächen vollständig von Material des Grundkörpers und den thermischen Vias eingeschlossen.

Als Via wird eine Durchkontaktierung (englisch: Vertical Interconnect Axis, Via) bezeichnet, die eine vertikale elektrische Verbindung zwischen verschiedenen Ebenen des

Grundkörpers ermöglicht, wobei „vertikal" hier die Richtung von der Unterseite des Grundkörpers zur Oberseite des

Grundkörpers bezeichnet. Als thermisches Via wird hier eine Durchkontaktierung bezeichnet, die sich durch eine hohe

Wärmeleitfähigkeit von zumindest 250 W/(m-K) auszeichnet. Ein thermisches Via dient dazu, Hitze von der Oberseite des

Grundkörpers wegzuleiten. Ein thermisches Via kann Kupfer oder Silber aufweisen oder aus Kupfer oder Silber bestehen.

Der beschriebene Träger zeichnet sich durch eine effiziente Ableitung der von dem Halbleiterbauelement abgestrahlten Wärme aus, die sich aufgrund des niedrigen thermischen

Widerstands der thermischen Vias ergibt. Dadurch kann die Lebensdauer des Halbleiterbauelements verbessert werden.

Alternativ oder ergänzend kann es ermöglicht werden, das Halbleiterbauelement mit einer größeren Leistung zu betreiben als dieses für einen vergleichbaren Träger ohne thermische Vias möglich wäre, da erst die thermischen Vias die Ableitung der auf Grund der erhöhten Leistung zusätzlich erzeugten Hitze ermöglichen.

Ferner kann der Träger zumindest ein weiteres thermisches Via aufweisen, das sich von der Oberseite des Grundkörpers zu der Unterseite des Grundkörpers erstreckt. Das weitere thermische Via kann ein reines thermisches Via sein, das nicht zur

Kontaktierung des eingebetteten Bauelements dient. Durch das zumindest eine weitere thermische Via kann die

Wärmeleitfähigkeit des Grundkörpers weiter verbessert werden.

Ferner kann der Träger eine metallische Struktur aufweisen, die in den Grundkörper eingebettet ist und die in eine

Richtung parallel zu der Oberseite des Grundkörpers

ausgedehnt ist, wobei die metallische Struktur unmittelbar an dem weiteren thermischen Via anliegt. Insbesondere kann die metallische Struktur das weitere thermische Via berühren. Die metallische Struktur kann auch an mehreren weiteren thermischen Vias unmittelbar anliegen. Durch die metallische Struktur wird weiteres Material mit einer hohen

Wärmeleitfähigkeit in dem Grundkörper eingebracht, sodass die Wärmeleitfähigkeit des gesamten Grundkörpers erhöht wird. Insbesondere trägt die metallische Struktur dazu bei, Hitze schnell von der Oberseite des Grundkörpers abzuleiten. Die metallische Struktur kann beispielsweise als Block oder als Streifen ausgebildet sein.

Der Grundkörper kann einen Mehrschichtaufbau aufweisen, wobei die metallische Struktur und das eingebettete elektrische Bauelement in der gleichen Schicht angeordnet sind.

Bei dem eingebetteten elektrischen Bauelement kann es sich um einen Varistor, eine Diode, einen NTC-Thermistor, einen PTC- Thermistor, einen Keramikvielschicht-Chipkondensator, eine Vielschichtinduktivität oder eine Treiberschaltung für das zumindest eine Halbleiterbauelement handeln.

Das eingebettet Bauelement kann dazu geeignet sein, das

Halbleiterbauelement vor Beschädigung durch eine zu hohe angelegte Spannung zu schützen. Ein solches ESD- Schutzbauelement kann beispielsweise ein Varistor oder eine Diode sein.

Das eingebettete Bauelement kann auch eine definierte

thermische Anbindung des Halbleiterbauelements ermöglichen. Hierzu eignen sich insbesondere NTC- und PTC-Thermistoren . Diese können bei einer entsprechenden Verschaltung mit dem Halbleiterbauelement eine Beschädigung des

Halbleiterbauelements durch zu hohen Temperaturen verhinder Es ist auch möglich, dass es sich bei dem eingebetteten

Bauelement um einen Treiberschaltkreis oder einen

Regelschaltkreis zum Ansteuern des Halbleiterbauelements handelt .

Das eingebettete Bauelement kann insbesondere jede aktive elektronische Komponente (wie zum Beispiel ein elektronischer Chip, insbesondere ein Halbleiterchip) oder jede beliebige passive elektronische Komponente (wie zum Beispiel ein

Kondensator, ein Widerstand, ein Varistor, ein NTC, ein PTC oder eine Induktivität) sein. Beispiele der eingebetteten Bausteine bzw. Komponenten sind ein Datenspeicher wie zum Beispiel ein DRAM (oder jeder andere beliebige Speicher), ein Filter (der zum Beispiel als ein Hochpassfilter, ein

Tiefpassfilter oder ein Bandpassfilter konfiguriert sein kann, und der zum Beispiel zum Frequenzfiltern dienen kann) , ein integrierter Schaltkreis (wie zum Beispiel ein Logik IC) , eine Signalverarbeitungskomponente (wie zum Beispiel ein Mikroprozessor) , eine Leistungsmanagementkomponente, ein optisch-elektrisches Schnittstellenelement (zum Beispiel ein optoelektronisches Bauelement) , ein Spannungswandler (wie zum Beispiel ein DC/DC Konverter oder ein AC/DC Konverter) , ein elektromechanischer Wandler (z.B. ein PZT (Blei-Zirkonat- Titanat) Sensor und/oder Aktor), eine Sende- und/oder

Empfangseinheit für elektromagnetische Wellen (z. B. ein

RFID-Chip oder Transponder) , eine kryptografische Komponente, eine Kapazität, eine Induktivität, ein Schalter (zum Beispiel ein Transistor-basierter Schalter) und eine Kombination von diesen und anderen funktionalen elektronischen Bauteilen. Die Komponente kann auch ein mikroelektromechanisches System (MEMS) , eine Batterie, eine Kamera oder eine Antenne

aufweisen . Der Grundkörper kann ein mindestens ein Material aus einer Gruppe aufweisen, die besteht aus Harz, insbesondere

Bismaleimid-Triazin Harz, Glas, insbesondere Glasfasern, Prepreg-Material , Polyimid, ein Flüssigkristall-Polymer, Cyanatester, Epoxid-basierten Build-Up Film, FR4 Material, einer Keramik, und einem Metalloxid. FR4 bezeichnet eine Klasse von Verbundwerkstoffen bestehend aus Epoxidharz und Glasfasergewebe. Harz-Glasfaserlaminate zeichnen sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit und eine hohe mechanische

Festigkeit aus. Außerdem können sie einen

Wärmedehnungskoeffizienten aufweisen, der gut an den

Wärmedehnungskoeffizienten des Halbleiterbauelements

angepasst ist, so dass thermomechanische Störeinflüsse gering gehalten werden können.

Der Träger kann eine Höhe von weniger als 500 ym aufweisen, vorzugsweise eine Höhe von weniger als 350 ym. Insbesondere kann der Träger eine Höhe zwischen 200 und 500 ym,

vorzugsweise zwischen 200 und 350 ym, aufweisen. Eine solche geringe Höhe wird durch die Integration des elektrischen

Bauelementes in dem Träger ermöglicht. Auf diese Weise können Träger konstruiert werden, die kein auf der Trägeroberseite angeordnetes Bauelement aufweisen. Es ist jedoch auch

möglich, den Träger derart auszugestalten, dass weitere elektrische Bauelemente als SMD-Bauelement (SMD = Surface Mounted Device) auf der Oberfläche angeordnet sind.

Der Träger kann ferner ein drittes thermisches Via aufweisen, das sich von der Oberseite des Grundkörpers zu dem

elektrischen Bauelement erstreckt, und ein viertes

thermisches Via aufweisen, das sich von dem elektrischen Bauelement zu der Unterseite des Grundkörpers erstreckt. Das eingebettete elektrische Bauelement kann dabei auch durch das dritte und das vierte thermische Via elektrisch kontaktiert sein .

Ferner kann zumindest ein zweites elektrisches Bauelement in dem Grundkörper eingebettet sein, wobei der Träger ein fünftes thermisches Via aufweist, das sich von der Oberseite des Grundkörpers zu dem zweiten elektrischen Bauelement erstreckt, wobei der Träger ein sechstes thermisches Via aufweist, das sich von dem elektrischen Bauelement zu der Unterseite des Grundkörpers erstreckt, und wobei das

eingebettete elektrische Bauelement durch das fünfte und das sechste thermische Via elektrisch kontaktiert ist.

Dementsprechend kann der Träger mehrere eingebettete

elektrische Bauelemente aufweisen. Beispielsweise könnten das erste eingebettete Bauelement ein ESD-Schutzbauelement , wie etwa ein Varistor oder eine Diode, und das zweite

eingebettete Bauelement ein Temperatursensor oder ein

Bauelement zur Kontrolle der thermischen Anbindung des

Halbleiterbauelements, wie etwa einem PTC- oder einem NTC- Thermistor, sein, wobei beide Bauelemente mit demselben

Halbleiterbauelement verschaltbar sind. Die Verschaltung des Halbleiterbauelements mit einem PTC-Thermistor kann das

Halbleiterbauelement vor Überströmen schützen. Die

Verschaltung des Halbleiterbauelements mit einem NTC- Thermistor kann das Halbleiterbauelement vor Überhitzung schützen .

Gemäß einem weiteren Aspekt wird eine Vorrichtung

vorgeschlagen, die den oben beschriebenen Träger und ein Halbleiterbauelement aufweist, wobei das Halbleiterbauelement auf der Oberseite des Trägers angeordnet ist. Bei dem Halbleiterbauelement kann es sich um eine Leuchtdiode handeln .

Im nachfolgenden wird die Erfindung anhand von Figuren detaillierter beschrieben.

Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer

Vorrichtung . Die Figuren 2 und 3 zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung.

Die Figuren 4 und 5 zeigen in einer perspektivischen Ansicht ein drittes Ausführungsbeispiel für einen Träger für ein Halbleiterbauelement.

Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer

Vorrichtung 1. Die Vorrichtung 1 weist einen Träger 2 für mehrere Halbleiterbauelemente 3 auf. Die

Halbleiterbauelemente 3 sind hier jeweils Leuchtdioden. Auf dem Träger 2 sind drei Halbleiterbauelemente 3 angeordnet. Auf jedem Halbleiterbauelemente 3 ist eine als Linse

ausgebildete Schutzschicht 4 angeordnet. Die Schutzschicht 4 weist Silikon auf. Ferner ist die Schutzschicht 4 mit einer weiteren Phosphorschicht 5 überzogen.

Der Träger 2 weist einen Grundkörper 6 mit einer Oberseite 7 und einer Unterseite 8 auf. Der Träger 2 ist so ausgestaltet, dass die Halbleiterbauelemente 3 auf der Oberseite 7 des Grundkörpers 6 befestigt, beispielsweise angelötet, werden können. Dazu weist der Grundkörper 6 auf seiner Oberseite 7 Kontaktflächen 9 auf. Der Grundkörper 6 weist einen Mehrschichtaufbau auf. Dabei weist der Grundkörper 6 zumindest eine untere Schicht 10, eine mittlere Schicht 11 und eine obere Schicht 12 auf. Die untere Schicht 10 weist die Unterseite 8 des Grundkörpers 6 auf. Die obere Schicht 12 weist die Oberseite 7 des

Grundkörpers 6 auf. Die mittlere Schicht 11 ist zwischen der unteren und der oberen Schicht 10, 12 angeordnet. Jede dieser Schichten 10, 11, 12 weist eine Glasfaser-Harz-Mischung auf. Die Schichten 10, 11, 12 des Grundkörpers 6 können sich voneinander in dem Mischverhältnis von Glasfaser zu Harz unterscheiden. Die Schichten weisen ein FR4 auf.

In der mittleren Schicht 11 des Grundkörpers 6 ist ein elektrisches Bauelement 13 eingebettet. Die mittlere Schicht 11 weist Öffnungen in der Glasfaser-Harzschicht auf, in denen das eingebettete elektrische Bauelement 13 angeordnet ist. Das Bauelement 13 ist seitlich durch die mittlere Schicht 11 begrenzt. Über dem Bauelement 13 ist die obere Schicht 12 angeordnet und unter dem Bauelement 13 ist die untere Schicht 10 angeordnet. Dementsprechend ist das Bauelement 13 auf jeder Seite durch eine Schicht 10, 11, 12 des Grundkörpers 6 eingeschlossen .

Bei dem Bauelement 13 kann es sich um einen Varistor, eine Diode, einen NTC-Thermistor, einen PTC-Thermistor, einen Keramikvielschicht-Chipkondensator (englisch: Multi Layer Ceramic Capacitor, MLCC) , eine Vielschichtinduktivität

(englisch: Multi Layer Induktor, ML-Inductor) oder eine

Treiberschaltung für das Halbleiterbauelement 3 handeln.

Der Träger 2 weist ferner ein erstes thermisches Via 14 auf, das sich von der Oberseite 7 des Grundkörpers 6 zu dem elektrischen Bauelement 13 erstreckt. Das erste thermische Via 14 kontaktiert dabei das elektrische Bauelement 13 mit einer der auf der Oberseite 7 angeordneten Kontaktfläche 9.

Ferner weist der Träger 2 ein zweites thermisches Via 15 auf, das sich von dem elektrischen Bauelement 13 zu der Unterseite 8 des Grundkörpers 6 erstreckt. Das zweite thermische Via 15 kontaktiert dabei das Bauelement 13 mit einem auf der

Unterseite 8 des Grundkörpers 6 angeordneten elektrischen Kontakt 16. Dementsprechend sorgen das erste und das zweite thermische Via 14, 15 für eine elektrische Kontaktierung des Bauelements 13.

Ferner weist der Träger 2 ein drittes thermisches Via 17, das sich von der Oberseite 7 zu dem Bauelement 13 erstreckt, und ein viertes thermisches Via 18 auf, das sich von dem

eingebetteten elektrischen Bauelement 13 zu der Unterseite 8 erstreckt. Auch über das dritte und das vierte thermische Via 17, 18 ist das eingebettete Bauelement 13 elektrisch

kontaktiert .

Das erste bis vierte thermische Via 14, 15, 17, 18 erfüllen im vorliegenden Träger 2 zwei Funktionen. Zum einen sorgen sie für die elektrische Kontaktierung des eingebetteten

Bauelements 13. Zum anderen reduzieren sie den thermischen Widerstand des Trägers 2. Dementsprechend ermöglichen es die ersten bis vierten thermischen Vias 14, 15, 17, 18 von dem Halbleiterbauelement 3 erzeugte Hitze schnell und effektiv von der Oberseite 7 des Grundkörpers 6 wegzuleiten. Auf diese Weise sorgen die thermischen Vias 14, 15, 17, 18 für eine passive Kühlung des Trägers 2 und des Halbleiterbauelements 3. Die thermischen Vias 14, 15, 17, 18 weisen dazu ein

Material auf, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt. Die thermischen Vias 14, 15, 17, 18 weisen beispielsweise Kupfer oder Silber auf. Sie können auch aus Kupfer oder Silber bestehen. Beide Materialien zeichnen sich durch eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit aus. Reines Kupfer hat eine

Wärmeleitfähigkeit von 401 W/ (m-K) . Reines Silber hat eine Wärmeleitfähigkeit von 429 W/ (m-K) .

Ferner weist der Träger 2 weitere thermische Via 19 auf, die sich von der Oberseite 7 zu der Unterseite 8 erstrecken.

Diese weiteren thermischen Vias 19 dienen einzig der Aufgabe, den thermischen Widerstand des Trägers 2 zu reduzieren, d.h. für eine passive Kühlung des Trägers 2 und des

Halbleiterbauelements 3 zu sorgen. Diese weiteren thermischen Vias 19 weisen ebenfalls Kupfer oder Silber auf. Die weiteren thermischen Vias 19 sind nicht mit dem eingebetteten

Bauelement 13 kontaktiert.

Die weiteren thermischen Vias 19 weisen einen größeren

Durchmesser auf als die ersten bis vierten thermischen Vias 14, 15, 17, 18, mit denen das elektrische Bauelement 13 kontaktiert ist. Insbesondere weisen die weiteren thermischen Vias 19 einen Durchmesser zwischen 100 und 200 ym auf, vorzugsweise zwischen 130 und 170 ym. Die ersten bis vierten thermischen Vias 14, 15, 17, 18 weisen einen Durchmesser zwischen 40 und 100 ym, vorzugsweise zwischen 40 und 70 ym, auf.

Die Oberseite 7 des Grundkörpers 6 ist mit einer

Reflexionsschicht 20 beschichtet. Diese ist dazu geeignet, von dem Halbleiterbauelement 3 abgestrahltes Licht zu

reflektieren und so den Reflexionsgrad des Trägers 2 zu verbessern. Die Reflexionsschicht 20 kann einen gefüllten Polymer oder gefülltes Glas aufweisen. Ferner ist auf der Oberseite 7 des Trägers 2 ein SMD- Bauelement 21 (SMD = surface mounted device) angeordnet, das nicht in dem Grundkörper 6 eingebettet ist. In dem Grundkörper 6 sind ein zweites elektrisches Bauelement 13a und ein drittes elektrisches Bauelement 13b eingebettet. Diese sind jeweils mit auf der Oberseite 7 des Grundkörpers angeordneten Kontaktflächen 9 elektrisch über thermische Vias verbunden. Beispielsweise ist das zweite elektrische

Bauelement 13a über ein fünftes thermisches Via 22 mit der Oberseite 7 verbunden.

Ferner sind das zweite und das dritte Bauelement 13a, 13b über thermische Vias mit elektrischen Kontakten 16 auf der Unterseite 8 des Grundkörpers 6 elektrisch verbunden.

Beispielsweise ist das zweite Bauelement 13a über ein

sechstes thermisches Via 23 mit der Unterseite 8 verbunden.

Das zweite und das dritte eingebettete Bauelement 13a, 13b können in gleicherweise wie das erste eingebettete Bauelement 13 ausgestaltet und verschaltet sein. Die im Zusammenhang mit dem ersten Bauelement 13 beschriebenen Merkmale treffen auch auf das zweite und das dritte eingebettete Bauelement 13a, 13b zu.

Die Figuren 2 und 3 zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 1, bestehend aus einem Halbleiterbauelement 3 und einem Träger 2 für das Halbleiterbauelement 3, wobei es sich bei dem Halbleiterbauelement 3 um eine Leuchtdiode handelt. Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch die

Vorrichtung 1 entlang einer vertikalen Ebene und Figur 3 zeigt einen horizontalen Querschnitt. Die Vorrichtung 1 gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen der Vorrichtung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel erläutert. Auf dem Träger 2 sind jedoch hier lediglich Kontaktflächen 9 für eine einziges

Halbleiterbauelement 3 vorgesehen. Es ist ferner genau ein Bauelement 13 in den Grundkörper 6 eingebettet.

Das eingebettete Bauelement 13 kann ZnOPr aufweisen, das eine Wärmeleitfähigkeit von 40 W/(m-K) aufweist. Der Grundkörper 6 kann ein FR4 mit einer Wärmeleitfähigkeit von 0,62 W/ (m-K) aufweisen. Wie oben beschrieben können die thermischen Vias 14, 15, 17, 18, 19 dagegen eine wesentlich höhere

Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Der Träger 2 kann eine Höhe von weniger als 500 ym,

vorzugsweise eine Höhe zwischen 200 und 350 ym aufweisen. Ein solcher Träger 2 ist wesentlich niedriger als Träger 2, bei denen auf der Oberseite 7 SMD-Bauelemente 21 angeordnet sind. Dementsprechend kann durch das Einbetten des elektrischen Bauelements 13 in dem Träger 2 die Gesamthöhe der Anordnung wesentlich reduziert werden. Es können auch mehrere

Bauelemente 13, 13a, 13b in einen Träger mit einer Höhe von weniger als 500 ym eingebettet sein. In Figur 3 ist die Anordnung der weiteren thermischen Vias 19 sowie des ersten und des dritten thermischen Vias 14, 17 zu erkennen. Die weiteren Vias 19 sind um das eingebettete

Bauelement 13 herum angeordnet. Figur 3 zeigt, dass diese weiteren Vias 19 einen vergleichsweise großen Querschnitt aufweisen, der ihre Wärmeleitfähigkeit verbessert. Das erste und das dritte Via 14, 17 haben einen längliche Querschnitt. Auch das zweite und das vierte Via 15, 18 können einen solchen länglichen Querschnitt aufweisen. Die weiteren thermischen Vias 19 haben einen Durchmesser von 150 ym und einen Mindestabstand voneinander von zumindest 200 ym. Die weiteren Vias 19 weisen zu dem eingebetteten

Bauelement 13 einen Mindestabstand von 200 ym auf. Die weiteren Vias 19 weisen vom Rand des Trägers 2 einen Abstand von zumindest 125 ym auf. Das eingebettete Bauelement 13 weist vom Rand einen Abstand von zumindest 380 ym auf. Das eingebettete Bauelement 13 weist eine Höhe zwischen 80 und 200 ym auf, bei einer Gesamthöhe des Grundkörpers 6 von 300 ym. Das erste bis vierte Via 14, 15, 17, 18 weisen jeweils in einer ersten Richtung eine Ausdehnung von 60 ym und in eine zweite Richtung, die zur ersten Richtung senkrecht ist, eine Ausdehnung von 100 ym auf. Die untere und die obere Schicht 10, 12 des Grundkörpers 6 weisen eine Dicke von zumindest 50 ym auf. Die auf der Ober- und der Unterseite 7, 8 des

Grundkörpers 6 angeordneten Kontaktflächen 9, 16 bestehen aus Kupfer und weisen eine Dicke von 30 +/- 10 ym auf. Sie sind von den seitlichen Rändern des Grundkörpers 6 zumindest 75 ym beabstandet. Die hier angegebenen Größen ermöglichen einen stabilen Träger 2, der sich insbesondere durch eine geringe Bauhöhe und eine hohen Wärmeleitfähigkeit auszeichnet, die es ermöglich, das Halbleiterbauelement 3 mit einer hohen

Leistung zu betreiben.

Die Figuren 4 und 5 zeigen in einer perspektivischen Ansicht ein drittes Ausführungsbeispiel für einen Träger 2 für ein Halbleiterbauelemente 3. Zur besseren Veranschaulichung sind in Figur 4 der Grundkörper 6 und die auf der Oberseite 7 des Grundkörpers angeordneten Kontaktflächen 9 nicht

eingezeichnet. In Figur 5 ist nur der Grundkörper 6 nicht eingezeichnet . Der Träger 2 gemäß der dritten Ausführungsform weist

metallische Strukturen 24 auf, die in dem Grundkörper 6 eingebettet sind. Die metallischen Strukturen 24 sind in der mittleren Schicht 11 des Grundkörpers 6 angeordnet, in der auch das eingebettete elektrische Bauelement 13 angeordnet ist. Die metallischen Strukturen 24 sind jeweils mit drei weiteren thermischen Vias 19 verbunden. Insbesondere

umschließen sie die weiteren thermischen Vias 19 unmittelbar und liegen an diesen an. Durch die metallischen Strukturen 24 wird die Wärmeleitfähigkeit der von diesen berührten

thermischen Vias 19 verbessert.

Die Figuren 4 und 5 zeigen jeweils metallische Strukturen 24, die als Blöcke ausgebildet sind. Möglich sind auch

metallische Strukturen 24 mit anderen Formen, beispielsweise Streifen oder Fenster. Ein rahmenförmiges Fenster könnte dabei beispielsweise in seiner Mitte eine Öffnung aufweisen und so angeordnet sein, dass es das in den Grundkörper 6 eingebettete metallische Bauelement 13 umschließt und dieses in der Öffnung anordnet. Ein Streifen weist nur eine sehr kleine Höhe auf, die beispielsweise geringer als 10 ym sein kann. Als Höhe wird hierbei die Ausdehnung in der Richtung von Unterseite 8 zur Oberseite 7 hin bezeichnet.

Bezugs zeichenliste

1 Vorrichtung

2 Träger

3 Halbleiterbauelement

4 Schutzschicht

5 Phosphorschicht

6 Grundkörper

7 Oberseite

8 Unterseite

9 Kontaktflächen

10 untere Schicht

11 mittlere Schicht

12 obere Schicht

13 elektrisches Bauelement

13a elektrisches Bauelement

13b elektrisches Bauelement

14 erstes thermisches Via

15 zweites thermisches Via

16 elektrischer Kontakt

17 drittes thermisches Via

18 viertes thermisches Via

19 weitere thermische Via

20 Reflexionsschicht

21 SMD-Bauelement

22 fünftes thermisches Via

23 sechstes thermisches Via

24 metallische Struktur