図1及び2は本発明の一実施形態による回� �基板1を示す。回路基板1は、積層基板2及び� �層(導体パターン層)6を有する。積層基板2は� ��複数の絶縁セラミック層、複数の内層(導体 パターン層)、少なくとも一つのヴィアホー� �及び少なくとも一つの露出部を含む。複数� �内層の各々は、隣接する2つの絶縁セラミッ� ��層間に介在される。

 積層基板2は、限定されないが、例えば、第 1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ 、第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ 、複数のヴィアホール5、複数のスリット7及� ��複数の露出部11、並びに、電気めっき用の� �数のヴィアホール5A及び導体パターン8を含� �。

 第1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ の各々は、例えば一又は複数のグリーンシー トから作られる。焼成前に各グリーンシート を圧着により仮固定するか所定の厚みを後述 の積層体に付与するために、各グリーンシー トはプレス成形される。例えば、各グリーン シートは、第1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ の積層前又は後にプレス成形される。また、 各グリーンシートが第1から第4絶縁セラミッ� ��層3 ₁ ~3 ₄ の積層前にプレス成形されるときは、該絶縁 セラミック層を積層することにより得られる 積層体がプレス成形される。但し、第1から� �3内層4 ₁ ~4 ₃ 、複数のヴィアホール5及び5A、及び複数の露 出部11は、第1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ が積層される前に形成される。

 第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ 、複数のヴィアホール5、複数のスリット7及� ��複数の露出部11は、複数の回路基板チップ10 を形成するように配置される。図1では、複� �の回路基板チップ10は、矩形行列で配列され 、それらの各々は、複数のスリット7で区画� �れている。また、図1及び2では、複数の回路 基板チップ10の各々は、同一の構造を有し、� ��1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ の各一部、複数のヴィアホール5、複数のス� �ット7及び1つの露出部11から形成されている� ��なお、これに限らず、複数の回路基板チッ� ��10は種々の構造を有してもよい。

 第1内層4 ₁ は、複数のブロックに分割され、第1及び第2� ��縁セラミック層3 ₁ 及び3 ₂ の一方の内面に導電ペーストをパターン印刷 により塗布することによって形成される。例 えば、第1内層4 ₁ は、第1絶縁セラミック層3 ₁ の正面(図2では上部表面)上に形成される。第 2内層4 ₂ は、複数のブロックに分割され、第2及び第3� ��縁セラミック層3 ₂ 及び3 ₃ の一方の内面に導電ペーストをパターン印刷 により塗布することによって形成される。例 えば、第2内層4 ₂ は、第2絶縁セラミック層3 ₂ の正面上に形成される。第3内層4 ₃ は、複数のブロックに分割され、第3及び第4� ��縁セラミック層3 ₃ 及び3 ₄ の一方の内面に導電ペーストをパターン印刷 により塗布することによって形成される。例 えば、第3内層4 ₃ は、第3絶縁セラミック層3 ₃ の正面上に形成される。

 複数のヴィアホール5は、第1から第4絶縁セ� ��ミック層3 ₁ ~3 ₄ の何れかに形成される。図1及び2では、第1か ら第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ の各々に複数のヴィアホール5が具備されて� �る。各ヴィアホール5は、自己の内部に、少� ��くとも一つの内層と電気的に接続される導� ��部を有する。

 複数のスリット7は、複数の回路基板チップ 10を分断するべく、第1から第4絶縁セラミッ� �層3 ₁ ~3 ₄ の正面側及び裏面(図2では下部表面)側に形成 される。図2では、第1から第4絶縁セラミック 層3 ₁ ~3 ₄ の正面側に形成される各スリット7は、第2絶� ��セラミック層3 ₂ の中央まで形成されている。第1から第4絶縁� ��ラミック層3 ₁ ~3 ₄ の裏面側に形成される各スリット7は、第4絶� ��セラミック層3 ₄ の正面側まで形成されている。また、複数の スリット7は、前記積層体が焼成される前に� �成される。なお、これに限らず、複数のス� �ット7は、該積層体が焼成された後に形成さ� ��てもよい。

 複数の露出部11は、第1から第4絶縁セラミッ ク層3 ₁ ~3 ₄ の正面側に形成される。図1及び2では、各露� ��部11は、円柱状の凹所であり、第3及び第4絶 縁セラミック層3 ₃ 及び3 ₄ の一対の環状貫通孔から形成されている。な お、これに限らず、該貫通孔の各々は、多角 形等でもよい。該貫通孔の各々は、前記積層 体が焼成される前に形成される。従って、第 2絶縁セラミック層3 ₂ の正面の一部、第3内層4 ₃ の一部、及び複数のヴィアホール5の端面が� �複数の露出部11を介して露出される。

 電気めっき用の複数のヴィアホール5Aは、� �層基板2における長手方向両端に配置され、� ��1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ 及び中空矩形状の導体パターン8と電気的に� �続される。導体パターン8は、例えば、外層6 の後述の下地層6aと同様に形成され、積層基� ��2の正面周縁に配置される。

 積層基板2の製造方法を説明する。先ず、第 1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ 用のシートを用意し、それらには、複数のヴ ィアホール5及び5A用の貫通孔、及び複数の露 出部11用の貫通孔が形成されている。続いて� ��第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ の各々を、対応する絶縁セラミック層の表面 に導電ペーストをパターン印刷により塗布す ることによって形成する。例えば、第1内層4 ₁ は、第1絶縁セラミック層3 ₁ の正面に導電ペーストをパターン印刷により 塗布することによって形成される。また、導 電ペーストを、該複数のヴィアホール5及び5A 用の各貫通孔内に充填する。その後、積層体 を、第1から第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ を積層することによって形成し、複数のスリ ット7を、該積層体の正面及び裏面に形成す� �。続いて、該積層体を焼成することにより� �積層基板2が得られる。

 外層6は、複数のブロックに分割され、導電 性の下地層(薄膜)6a及びめっき層6b(例えばCu等 )から作られる。本実施形態では、回路基板1� ��、正面用外層6及び裏面用外層6を含む。正� �及び裏面用外層は、積層基板2の正面及び裏� ��の各一部上にそれぞれ形成され、それらの� ��々は、少なくとも一つの内層と直接又はヴ� ��アホール5を介して電気的に接続される。図 2の例では、正面用外層6は、複数の露出部11� �底で露出するヴィアホール5の各端面及び第3 内層4 ₃ の各縦断面、並びに第4絶縁セラミック層3 ₄ の正面で露出するヴィアホール5の各端面と� �気的に接続される。また、裏面用外層6は、� ��1絶縁セラミック層3 ₁ の裏面で露出するヴィアホール5の各端面と� �気的に接続される。

 回路基板1の製造方法を説明する。先ず、 正面用外層6の下地層6aを、無電解めっき、CVD (Chemical Vapor Deposition)又はスパッタリング等� ��よって積層基板2の正面全面に形成する。同 様に、裏面用外層6の下地層6aを積層基板2の� �面全面に形成する。続いて、積層基板2の正� ��の一部(外層6の形成領域)と残部との少なく� ��も境界(外層6の輪郭)にレーザビームを照射� ��て、該境界上の下地層6aを除去する。同様� �、積層基板2の裏面の一部(外層6の形成領域)� ��残部との少なくとも境界にレーザビームを� ��射して、該境界上の下地層6aを除去する。� �ーザビームは、ガルバノミラー等で走査す� �ことにより該境界上を移動しながら該境界� �に照射される。従って、下地層6aは、積層基 板2の正面の前記一部及び残部(図示しない)に なお存在し、また積層基板2の裏面の前記一� �及び残部(図示しない)になお存在する。なお 、これに限らず、積層基板2の正面又は裏面� �前記残部が狭い部分を含んでいれば、該狭� �部分をレーザービームによって除去しても� �い。

 続いて、積層基板2の導体パターン8を、直� �電源(図示しない)の負端子に接続し、積層基 板2を電気めっき槽(図示しない)に浸漬する。 これにより、正面用外層6の下地層6a及び裏面 用外層6の下地層6aが、導体パターン8、複数� �ヴィアホール5A及び5及び第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ を介して、直流電源の負端子と電気的に接続 される。即ち、第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ 等が、電気めっき用の給電路として利用され る。その後、積層基板2の正面の前記一部(外� ��6の形成領域)上の下地層2a上にめっき層6bを� ��気めっきにより形成すると同時に、積層基� ��2の裏面の前記一部(外層6の形成領域)上の下 地層2a上にめっき層6bを電気めっきにより形� �する。これにより、正面用外層6及び裏面用� ��層6が形成され、回路基板1が得られ、また� �リット7に沿った分断によって複数の回路基� ��チップ10を得ることができる。なお、これ� �限らず、正面及び裏面用外層6の各々におけ� ��外層6の形成領域外の下地層6aをエッチング� ��よって除去してもよい。

 本実施形態では、第1から第3内層4 ₁ ~4 ₃ 等が電気めっき用の給電路として利用される ので、積層基板2の表面に形成される外層6の� ��状及び配置に対する自由度を高めることが� ��きる。特に、複数のスリット7を含む積層基 板2では、電気めっき用の給電路を積層基板2� ��表面に形成することができないが、第1から 第3内層4 ₁ ~4 ₃ 等を電気めっき用の給電路として利用するこ とにより、外層6の形状及び配置に対する自� �度を高めることができる。

 外層6の各ブロックの構造を詳細に説明する 。図3は、露出部11の内周面における第3内層4 ₃ の縦断面と電気的に接続される表面用外層6� �一部を示す。その表面用外層6の一部は、第3 内層4 ₃ の縦断面の向かい側から見て矩形形状を持ち 、第3内層4 ₃ の縦断面と電気的に接続されている。この構 造では、レーザービームを露出部11の内周面� ��照射するだけであるので、露出部11におけ� �回路を容易に形成することができる。

 図4は、露出部11の底におけるヴィアホール5 の端面と電気的に接続される表面用外層6の� �部を示す。その表面用外層6の一部は、積層� ��板2の正面から見てほぼ円形形状を持ち、第 1及び第2絶縁セラミック層3 ₁ 及び3 ₂ を貫通するヴィアホール5の一端面と電気的� �接続されている。該ヴィアホール5の他端面� ��、裏面用外層6の一部と電気的に接続されて いる。この構造では、レーザービームを露出 部11の底に照射するだけであるので、露出部1 1における回路を一層容易に形成することが� �きる。

 図5は、露出部11によって形成される段差面( 露出部11の内周面)から露出部11における第2絶 縁セラミック層3 ₂ の正面の中央側に延長されている第2内層4 ₂ と電気的に接続される表面用外層6の一部を� �す。その表面用外層6の一部は、第2内層4 ₂ の被露出部分よりも大きく、該被露出部分の 全てを覆う。この構造では、レーザービーム を露出部11の内周面に照射するとき、レーザ� ��ビームを、表面用外層6の該一部(形成領域)� ��非形成領域との境界に照射するだけでよい� ��つまり、レーザービームを、露出部11の内� �面における第2内層4 ₂ の被露出部分に照射するのを避けることがで きる。

 図6A及び6Bは、横穴から露出部11における第2 絶縁セラミック層3 ₂ の正面の中央側に延長されている第2内層4 ₂ と電気的に接続される表面用外層6の一部を� �す。その表面用外層6の一部は、第2内層4 ₂ の被露出部分の先端側を覆う。横穴は、第2� �び第4絶縁セラミック層3 ₂ 及び3 ₄ 間に形成される。つまり、第4絶縁セラミッ� �層3 ₄ は、第3絶縁セラミック層3 ₃ の表面側に形成されて、露出部11によって形� ��される段差から露出部11の中央側に突出す� �。例えば、露出部11における第4絶縁セラミ� �ク層3 ₄ の孔径は、露出部11における第3絶縁セラミッ ク層3 ₃ のそれよりも小さい。表面用外層6の該一部� �下地層6aがスパッタリングによって形成され るとき、該下地層6aは、露出部11の開口直下� �形成される。この構造では、レーザービー� �を露出部11の内周面側に照射する必要がない 。

 一実施形態において、表面用外層6の少なく とも一ブロックにおける連続する一部は、第 3内層4 ₃ の該縦断面及びヴィアホール5の該一端面を� �って、それらと電気的に接続される(図3及び 4参照)。

 一実施形態において、製造方法は、第1から 第4絶縁セラミック層3 ₁ ~3 ₄ を積層することにより得られる積層体にレー ザビームを照射することによって、複数のヴ ィアホール5を形成することを含む。この方� �では、回路基板1の配線パターンを容易に変� ��することができるので、回路基板1の改良に 対する自由度を高めることができる。

 一実施形態において、図7A~7Cに示すように� �複数の露出部11の各々は、円錐台形状を持ち 、図5と同様に第2内層4 ₂ と電気的に接続される表面用外層6の一部6 ₂ に加えて、自己の内周面に形成される表面用 外層6の一部6 ₁ を含む。表面用外層6の一部6 ₁ は、第3内層4 ₃ の端面と電気的に接続される。また、電気め っき用の導体パターン8は、2つの導体パター� ��8 ₁ 及び8 ₂ に分割され、それらは積層基板2における長� �方向両端に配置される。導体パターン8 ₁ 及び8 ₂ の一方は、第3内層4 ₃ 及びヴィアホール5Aを介して、表面用外層6の 一部6 ₁ の下地層6aと電気的に接続される。導体パタ� ��ン8 ₁ 及び8 ₂ の他方は、第2内層4 ₂ 及びヴィアホール5Aを介して、表面用外層6の 一部6 ₂ の下地層6aと電気的に接続される。従って、� ��体パターン8 ₁ 及び8 ₂ を直流電源の負端子に接続することにより、 めっき層6bを、それら下地層6aの各々の上に� �成することができる。この構造では、複数� �発光ダイオードチップ(10)を製造することが� ��きる。即ち、発光ダイオードは、表面用外� ��6の一部6 ₂ に搭載され、表面用外層6の一部6 ₁ が反射板として機能する。この場合、表面用 外層6の一部6 ₂ のめっき層6bは、例えば金から作られ、表面� ��外層6の一部6 ₁ のめっき層6bは、例えば銀から作られる。

 一実施形態において、図8に示すように、 電気めっき用の導体パターン8は、積層基板2� ��少なくとも一つの側面に配置され、積層基� ��2には、電気めっき用の複数のヴィアホール 5Aは具備されない。導体パターン8は、積層基 板2の該側面で露出する複数の内層4の端部と� ��気的に接続される。この構造では、製造手� ��を簡単化することができる。

 要するに、本発明の回路基板は積層基板及� ��外層を有する。該積層基板は、少なくとも2 つの絶縁セラミック層及び該絶縁セラミック 層間に介在する内層を含む。該外層は、該積 層基板の表面の一部(外層の形成領域)上に形� ��され、該内層と電気的に接続される。本発� ��の特徴において、該内層は、該絶縁セラミ� ��ク層の一方の内面に形成された導体パター� ��層であり、該積層基板の縁側に配置された� ��子(例えば、図1の導体パターン8、図7Aの導� �パターン8 ₁ 及び8 ₂ 、及び図8の導体パターン8等)と電気的に接続 される。該積層基板は、前記少なくとも2つ� �絶縁セラミック層と、該絶縁セラミック層� �に介在する該内層とを含む焼成基板である� �該外層は、導電性の下地層及びめっき層か� �形成される。該下地層は、該積層基板の表� �の前記一部(外層の形成領域)上に形成され、 該内層と電気的に接続される。該めっき層は 、該積層基板の該表面の前記一部上の該下地 層上に形成される。この構造では、該端子及 び該内層を介して給電することにより、該積 層基板の該表面の前記一部上の該下地層上に 該めっき層を電気めっきにより形成すること ができる。該回路基板の製造においては、該 下地層は、該積層基板の該表面上に形成され 、続いて、該積層基板の該表面の前記一部と 残部との少なくとも境界にレーザビームを照 射することにより、該境界上の該下地層が除 去される。それ故に、本発明の回路基板は、 該積層基板の該表面の前記残部上に形成され た下地層を有してもよく、あるいはエッチン グ除去により該残部上の該下地層を有さなく てもよい。

 本発明を幾つかの好ましい実施形態につ� ��て記述したが、この発明の本来の精神およ� ��範囲を逸脱することなく、当業者によって� ��々な修正および変形が可能である。