以下、本発明の圧接型大電力用サイリス� ��モジュールの第1の実施形態について説明す る。図1は第1の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールの分解斜視図である。

 図1において、1は例えば銅製の放熱板を� �しており、1aは放熱板1に形成された冷却水� �路を示している。11,21は放熱板1上に配置さ� �た絶縁板を示している。第1の実施形態の圧� ��型大電力用サイリスタモジュールでは、図1 に示すように、絶縁板11,21として同一の部品� ��用いられている。

 また、図1において、12はアノード端子バ� ��としての機能とカソード端子バーとしての� ��能とを兼ね備えたコモンバーを示しており� ��22はアノード端子バーを示している。第1の� ��施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュ� ��ルでは、図1に示すように、コモンバー12が� ��縁板11,21上に配置されている。

 更に、図1において、113,123は概略四角形� �サイリスタチップを示している。第1の実施� ��態の圧接型大電力用サイリスタモジュール� ��は、サイリスタチップ113,123として同一の部 品が用いられている。

 図2はサイリスタチップ113,123の詳細図で� �る。詳細には、図2Aはサイリスタチップ113,12 3の平面図、図2Bはサイリスタチップ113,123の� �面図、図2Cはサイリスタチップ113,123の裏面� �である。図2において、113a,123aはサイリスタ� ��ップ113,123の一方の面に形成されたアノード 電極を示している。113b,123bはサイリスタチッ プ113,123の他方の面の中心部分に形成された� �ート電極を示している。113c,123cはゲート電� �113b,123bの周りに形成されたカソード電極を� �している。

 また、図1において、181,191はサイリスタ� �ップ113,123よりも小さい概略四角形の導電性� ��ノードサブスペーサを示しており、182,192は 導電性アノードサブスペーサ181,191を包囲す� �絶縁性アノードサブスペーサホルダを示し� �いる。183,193はサイリスタチップ113,123よりも 小さい概略四角形の導電性カソードサブスペ ーサを示している。184,194は導電性カソード� �ブスペーサ183,193を包囲する絶縁性カソード� ��ブスペーサホルダを示している。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、導電性アノードサブスペ ーサ181,191として同一の部品が用いられてお� �、絶縁性アノードサブスペーサホルダ182,192� ��して同一の部品が用いられており、導電性� ��ソードサブスペーサ183,193として同一の部品 が用いられており、絶縁性カソードサブスペ ーサホルダ184,194として同一の部品が用いら� �ている。

 図3は導電性アノードサブスペーサ181,191� �部品図である。詳細には、図3Aは導電性アノ ードサブスペーサ181,191の平面図、図3Bは導電 性アノードサブスペーサ181,191の断面図であ� �。また、図4は導電性カソードサブスペーサ1 83,193の部品図である。詳細には、図4Aは導電� ��カソードサブスペーサ183,193の平面図、図4B� ��導電性カソードサブスペーサ183,193の断面図 である。図4において、183a,193aはサイリスタ� �ップ113,123のゲート電極113b,123b(図2参照)に対� ��する位置に形成された円形の穴を示してい� ��。

 図5はサイリスタチップ113,123と導電性ア� �ードサブスペーサ181,191と導電性カソードサ� ��スペーサ183,193との関係を示した図である。 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリスタ� �ジュールでは、図5に示すように、導電性ア� ��ードサブスペーサ181,191の側(図5の下側)に突 出しているサイリスタチップ113,123の外縁部� �ガラス部分(図5中のベタ黒部分)と導電性ア� �ードサブスペーサ181,191とが干渉しないよう� ��、導電性アノードサブスペーサ181,191の幅寸 法および奥行き寸法がサイリスタチップ113,12 3の幅寸法および奥行き寸法よりも小さくさ� �ている。また、導電性カソードサブスペー� �183,193の側(図5の上側)に突出しているサイリ� ��タチップ113,123の外縁部のガラス部分(図5中� ��ベタ黒部分)と導電性カソードサブスペーサ 183,193とが干渉しないように、導電性カソー� �サブスペーサ183,193の幅寸法および奥行き寸� ��がサイリスタチップ113,123の幅寸法および奥 行き寸法よりも小さくされている。

 図6は絶縁性アノードサブスペーサホルダ 182(192)の部品図である。詳細には、図6Aは絶� �性アノードサブスペーサホルダ182(192)の平面 図、図6Bは絶縁性アノードサブスペーサホル� ��182(192)の正面図、図6Cは絶縁性アノードサブ スペーサホルダ182(192)の底面図である。図6に おいて、182aは導電性アノードサブスペーサ18 1の外周面と嵌合するために導電性アノード� �ブスペーサ181と相補形状に形成された穴を� �している。182bは絶縁性カソードサブスペー� ��ホルダ184に対して絶縁性アノードサブスペ� ��サホルダ182を位置決めするための係合突起� ��示している。182cは絶縁性アノードサブスペ ーサホルダ182のコーナー部を示しており、182 c1は絶縁性アノードサブスペーサホルダ182の� ��ーナー部182cに形成された壁部を示している 。182dは絶縁性アノードサブスペーサホルダ18 2の円弧状部を示している。

 図7は絶縁性カソードサブスペーサホルダ 184(194)の部品図である。詳細には、図7Aは絶� �性カソードサブスペーサホルダ184(194)の平面 図、図7Bは絶縁性カソードサブスペーサホル� ��184(194)の正面図、図7Cは絶縁性カソードサブ スペーサホルダ184(194)の底面図である。図7に おいて、184aは導電性カソードサブスペーサ18 3の外周面と嵌合するために導電性カソード� �ブスペーサ183と相補形状に形成された穴を� �している。184bは概略四角形のサイリスタチ� ��プ113の外周面と嵌合するための位置決め用� ��起を示している。184cは絶縁性アノードサブ スペーサホルダ182の係合突起182bと係合する� �めの係合穴を示している。184dは絶縁性アノ� ��ドサブスペーサホルダ182のコーナー部182cの 壁部182c1と嵌合せしめられる絶縁性カソード� ��ブスペーサホルダ184のコーナー部を示して� ��る。184eは絶縁性カソードサブスペーサホル ダ184の円弧状部を示している。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図1、図3および図6に示す ように、絶縁性アノードサブスペーサホルダ 182の穴182aに対して導電性アノードサブスペ� �サ181の外周面を嵌合させることにより、導� �性アノードサブスペーサ181が絶縁性アノー� �サブスペーサホルダ182に対して水平方向に� �置決めされる。

 また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1、図4および図7 に示すように、絶縁性カソードサブスペーサ ホルダ184の穴184aに対して導電性カソードサ� �スペーサ183の外周面を嵌合させることによ� �、導電性カソードサブスペーサ183が絶縁性� �ソードサブスペーサホルダ184に対して水平� �向に位置決めされる。

 更に、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1、図2および図7 に示すように、絶縁性カソードサブスペーサ ホルダ184の突起184bに対してサイリスタチッ� �113の外周面を嵌合させることにより、サイ� �スタチップ113が絶縁性カソードサブスペー� �ホルダ184に対して水平方向に位置決めされ� �。

 また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1、図6および図7 に示すように、絶縁性アノードサブスペーサ ホルダ182の係合突起182bと絶縁性カソードサ� �スペーサホルダ184の係合穴184cとを嵌合させ� ��ことにより、絶縁性カソードサブスペーサ� ��ルダ184が絶縁性アノードサブスペーサホル� ��182に対して水平方向に位置決めされる。

 つまり、第1の実施形態の圧接型大電力用 サイリスタモジュールでは、図1に示すよう� �、導電性アノードサブスペーサ181と、絶縁� �アノードサブスペーサホルダ182と、サイリ� �タチップ113と、導電性カソードサブスペー� �183と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ18 4とが、水平方向に相互に位置決めされ、組� �立てられた状態でコモンバー12上に載置され る。

 その結果、第1の実施形態の圧接型大電力 用サイリスタモジュールでは、図1、図2およ� ��図5に示すように、導電性アノードサブスペ ーサ181と絶縁性アノードサブスペーサホルダ 182とがコモンバー12上に配置され、サイリス� ��チップ113が導電性アノードサブスペーサ181� ��よび絶縁性アノードサブスペーサホルダ182� ��上に配置されている。また、導電性カソー� ��サブスペーサ183と絶縁性カソードサブスペ� ��サホルダ184とがサイリスタチップ113のカソ� ��ド電極113cおよび絶縁性アノードサブスペー サホルダ182の上に配置されている。その結果 、サイリスタチップ113のアノード電極113aが� �導電性アノードサブスペーサ181を介してコ� �ンバー12に電気的に接続されている。

 また、図1において、14,24は環状の導電性� ��ソードスペーサを示しており、18はカソー� �端子バーを示している。第1の実施形態の圧� ��型大電力用サイリスタモジュールでは、導� ��性カソードスペーサ14,24として同一の部品� �用いられている。

 図8は導電性カソードスペーサ14(24)の部品 図である。詳細には、図8Aは導電性カソード� ��ペーサ14(24)の平面図、図8Bは図8AのA-A線に沿 った断面図である。14aはサイリスタチップ113 のゲート電極113b(図2参照)および導電性カソ� �ドサブスペーサ183の穴183a(図4参照)に対向す� ��位置に形成された円形の穴を示している。1 4bは導電性カソードスペーサ14の穴14aから外� �面まで延びるように、導電性カソードスペ� �サ14の上面(図8Bの上側の面)に形成された収� �溝を示している。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図1および図8に示すよう� ��、導電性カソードスペーサ14の表面のうち� �収容溝14aが形成されていない面(図1および図 8Bの下側の面)が導電性カソードサブスペーサ 183と対向するように、導電性カソードスペー サ14が導電性カソードサブスペーサ183および� ��縁性カソードサブスペーサホルダ184の上に� ��置される。

 更に、図1において、316,317,326,327は絶縁性 ゲートスペーサを示している。第1の実施形� �の圧接型大電力用サイリスタモジュールで� �、絶縁性ゲートスペーサ316,326として同一の� ��品が用いられており、絶縁性ゲートスペー� ��317,327として同一の部品が用いられている。

 図9は絶縁性ゲートスペーサ316,317(326,327)� �の詳細図である。詳細には、図9Aは絶縁性ゲ ートスペーサ316,317(326,327)の斜視図、図9Bは絶 縁性ゲートスペーサ316,317(326,327)の断面図、� �9Cはコイルバネ型ゲート電極信号線15を示し� ��図である。

 図9において、316aは絶縁性ゲートスペー� �316の上面を示しており、316bは絶縁性ゲート� ��ペーサ316の下面を示しており、316cは絶縁性 ゲートスペーサ316の外周面を示している。316 dはコイルバネ型ゲート電極信号線15のコイル 部分15aと概略相補形状の円形の穴を示してお り、316eは絶縁性ゲートスペーサ316の上面316a� ��形成された係合突起を示している。317aは絶 縁性ゲートスペーサ317の上面を示しており、 317bは絶縁性ゲートスペーサ317の下面を示し� �おり、317cは絶縁性ゲートスペーサ317の外周� ��を示している。317dは絶縁性ゲートスペーサ 317の下面317bに形成された収容溝を示してお� �、317d1は収容溝317dの天井面を示している。31 7eは絶縁性ゲートスペーサ316の係合突起316eと 係合するために絶縁性ゲートスペーサ317の下 面317bに形成された係合穴を示している。15b� �コイルバネ型ゲート電極信号線15のコイル部 分15aの上端から水平方向に延ばされた部分を 示しており、15b1は水平方向に延ばされた部� �15bの先端側部分を示しており、15b2は水平方� ��に延ばされた部分15bの根元側部分を示して� ��る。

 図10は絶縁性ゲートスペーサ316,317(326,327)� ��コイルバネ型ゲート電極信号線15との組立� �を示した図である。第1の実施形態の圧接型� ��電力用サイリスタモジュールでは、図9およ び図10に示すように、コイルバネ型ゲート電� ��信号線15の水平方向に延ばされた部分15bが� �縁チューブによって被覆されている。更に� �コイルバネ型ゲート電極信号線15のコイル部 分15aが絶縁性ゲートスペーサ316の穴316dに挿� �され、次いで、コイルバネ型ゲート電極信� �線15のコイル部分15aの上端および水平方向に 延ばされた部分15bの根元側部分15b2が絶縁性� �ートスペーサ317の収容溝317d内に収容される� ��うに、絶縁性ゲートスペーサ316の係合突起3 16eが絶縁性ゲートスペーサ317の係合穴317eに� �入される。

 詳細には、第1の実施形態の圧接型大電力 用サイリスタモジュールでは、図9および図10 に示すように、絶縁性ゲートスペーサ316の係 合突起316eが絶縁性ゲートスペーサ317の係合� �317eに圧入されると、コイルバネ型ゲート電� ��信号線15の水平方向に延ばされた部分15bの� �元側部分15b2が、絶縁性ゲートスペーサ316の� ��面316aと絶縁性ゲートスペーサ317の収容溝317 dの天井面317d1とによって狭持され、押し潰さ れる。

 また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1、図8および図1 0に示すように、絶縁性ゲートスペーサ316の� �周面316cおよび絶縁性ゲートスペーサ317の外� ��面317cが環状の導電性カソードスペーサ14の� ��14aと嵌合せしめられ、コイルバネ型ゲート� ��極信号線15の水平方向に延ばされた部分15b� �先端側部分15b1が導電性カソードスペーサ14� �収容溝14b内に収容されるように、絶縁性ゲ� �トスペーサ316,317とコイルバネ型ゲート電極� ��号線15との組立体が導電性カソードスペー� �14上に載置される。更に、カソード端子バー 18が導電性カソードスペーサ14および絶縁性� �ートスペーサ317の上に載置される。

 図11はカソード端子バー18が導電性カソー ドスペーサ14および絶縁性ゲートスペーサ317� ��上に載置された状態を示した図である。第1 の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジ ュールでは、図1、図2および図11に示すよう� �、コイルバネ型ゲート電極信号線15のコイル 部分15aがサイリスタチップ113のゲート電極113 b上に配置されている。その結果、コイルバ� �型ゲート電極信号線15とサイリスタチップ113 のゲート電極113bとが電気的に接続されてい� �。また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールでは、図1、図2および図11 に示すように、カソード端子バー18とサイリ� ��タチップ113のカソード電極113cとが、導電性 カソードサブスペーサ183および導電性カソー ドスペーサ14を介して電気的に接続されてい� ��。

 更に、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1、図2および図1 1に示すように、コイルバネ型ゲート電極信� �線15のコイル部分15aと導電性カソードスペー サ14(24)との間に絶縁性ゲートスペーサ316,317(3 26,327)が配置されている。また、コイルバネ� �ゲート電極信号線15のコイル部分15aとカソー ド端子バー18(コモンバー12)との間に絶縁性ゲ ートスペーサ317(327)が配置されている。更に� ��導電性カソードスペーサ14の収容溝14b内に� �容されているコイルバネ型ゲート電極信号� �15の水平方向に延ばされた部分15bが絶縁チュ ーブによって被覆されている。その結果、コ イルバネ型ゲート電極信号線15と導電性カソ� ��ドスペーサ14(24)およびカソード端子バー18(� ��モンバー12)とが絶縁されている。

 図12は導電性カソードサブスペーサ183、� �縁性カソードサブスペーサホルダ184等を芯� �しする方法を示した図である。第1の実施形� ��の圧接型大電力用サイリスタモジュールで� ��、図12に示すように、導電性カソードサブ� �ペーサ183、絶縁性カソードサブスペーサホ� �ダ184等を芯出しするための嵌合部51a,51b,51c,51 dが外囲ケース51に設けられている。更に、絶 縁性カソードサブスペーサホルダ184等の周方 向の位置決めを行うための切り欠き部51e,51f� �嵌合部51aと嵌合部51bとの間および嵌合部51c� �嵌合部51dとの間に設けられている。

 詳細には、第1の実施形態の圧接型大電力 用サイリスタモジュールでは、図1および図12 に示すように、コモンバー12が絶縁板11上に� �置されると、コモンバー12の円弧状部の外周 面が嵌合部51a,51b,51c,51dと嵌合せしめられる。 また、導電性アノードサブスペーサ181と絶縁 性アノードサブスペーサホルダ182とサイリス タチップ113と導電性カソードサブスペーサ183 と絶縁性カソードサブスペーサホルダ184との 組立体がコモンバー12上に載置されると、絶� ��性アノードサブスペーサホルダ182の円弧状� ��182dの外周面と、絶縁性カソードサブスペー サホルダ184の円弧状部184eの外周面とが、嵌� �部51a,51b,51c,51dと嵌合せしめられ、その組立� �の芯出しが行われる。また、絶縁性アノー� �サブスペーサホルダ182のコーナー部182cと、� ��縁性カソードサブスペーサホルダ184のコー� ��ー部184dとが、切り欠き部51e,51fと嵌合せし� �られ、その組立体の周方向の位置決めが行� �れる。

 更に、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1および図12に示 すように、導電性カソードスペーサ14が導電� ��カソードサブスペーサ183上に載置されると� ��導電性カソードスペーサ14の外周面が嵌合� �51a,51b,51c,51dと嵌合せしめられ、導電性カソ� �ドスペーサ14の芯出しが行われる。また、カ ソード端子バー18が導電性カソードスペーサ1 4上に載置されると、カソード端子バー18の円 弧状部の外周面が嵌合部51a,51b,51c,51dと嵌合せ しめられ、カソード端子バー18の芯出しが行� ��れる。

 更に、図1において、52は蓋体を示してお� ��、31は例えば潰し加工、ビーム溶接等によ� �てカソード端子バー18に接合された電極片を 示しており、62は外囲ケース51に担持せしめ� �れている電極片を示している。

 図13は電極片31と電極片62とを電気接続す� ��手段を示した図である。詳細には、図13Aは� ��極片31と電極片62とを電気接続する手段を概 略的に示した図、図13Bは図13Aの一部の拡大図 である。図13において、32は絶縁チューブに� �って被覆された可撓性のカソード電極信号� �を示している。33はカソード電極信号線32と� ��極片31(図1参照)とを電気接続するためのフ� �ストンタブを示している。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図13に示すように、例え� ��半田によってカソード電極信号線32と電極� �62とが接合されている。また、例えばかしめ によってカソード電極信号線32とファストン� ��ブ33とが接合され、かしめられた部分が、� �えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって� �覆されている。更に、ファストンタブ33を電 極片31(図1参照)と嵌合させることにより、フ� ��ストンタブ33と電極片31とが電気接続されて いる。

 また、図1において、19は放熱板1と絶縁板 11とコモンバー12と導電性アノードサブスペ� �サ181とサイリスタチップ113と導電性カソー� �サブスペーサ183と導電性カソードスペーサ14 とカソード端子バー18とを上下方向に圧接す� ��ための圧接手段を示している。第1の実施形 態の圧接型大電力用サイリスタモジュールで は、図1に示すように、加圧板19aと、2本のネ� ��19bと、2個の皿バネ19cと、皿バネ19cを芯出し するために皿バネ19cの内縁と嵌合する絶縁性 芯出し部材19dとによって、圧接手段19が構成� ��れている。

 詳細には、第1の実施形態の圧接型大電力 用サイリスタモジュールでは、図1および図12 に示すように、絶縁性芯出し部材19dがカソー ド端子バー18上に載置されると、絶縁性芯出� ��部材19dの外周面が嵌合部51a,51b,51c,51dと嵌合� ��しめられ、絶縁性芯出し部材19dの芯出しが� ��われる。また、加圧板19aが皿バネ19c上に載� ��されると、加圧板19aの円弧状部の外周面が� ��合部51b,51dと嵌合せしめられ、加圧板19aの芯 出しが行われる。

 また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図2に示すように� �サイリスタチップ113,123のアノード電極113a,12 3a、ゲート電極113b,123bおよびカソード電極113c ,123cが約7~9μmの厚さでアルミニウム蒸着され� ��いる。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図9に示すように、絶縁� �ゲートスペーサ316に係合突起316eが形成され� ��絶縁性ゲートスペーサ317に係合穴317eが形成 されているが、第2の実施形態の圧接型大電� �用サイリスタモジュールでは、代わりに、� �縁性ゲートスペーサ316に係合穴を形成し、� �縁性ゲートスペーサ317に係合突起を形成す� �ことも可能である。

 また、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1および図10に示 すように、導電性カソードサブスペーサ183上 に載置されている導電性カソードスペーサ14� ��上に、コイルバネ型ゲート電極信号線15と� �縁性ゲートスペーサ316,317との組立体(図10参� ��)が載置されるが、第3の実施形態の圧接型� �電力用サイリスタモジュールでは、代わり� �、コイルバネ型ゲート電極信号線15と絶縁性 ゲートスペーサ316,317との組立体(図10参照)を� ��電性カソードスペーサ14上に予め載置し、� �れらを導電性カソードサブスペーサ183上に� �置することも可能である。

 更に、第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールでは、図1および図10に示 すように、コイルバネ型ゲート電極信号線15� ��絶縁性ゲートスペーサ316,317との組立体(図10 参照)と同様に構成されたコイルバネ型ゲー� �電極信号線15と絶縁性ゲートスペーサ326,327� �の組立体が、導電性カソードスペーサ24の下 側(図1の下側)から嵌合せしめられ、それらが コモンバー12上に載置される。また、導電性� ��ソードサブスペーサ193と絶縁性カソードサ� ��スペーサホルダ194とサイリスタチップ123と� ��電性アノードサブスペーサ191と絶縁性アノ� ��ドサブスペーサホルダ192との組立体が導電� ��カソードスペーサ24上に載置される。また� �アノード端子バー22が導電性アノードサブス ペーサ191および絶縁性アノードサブスペーサ ホルダ192上に載置される。

 図1において、29は放熱板1と絶縁板21とコ� ��ンバー12と導電性カソードスペーサ24と導電 性カソードサブスペーサ193とサイリスタチッ プ123と導電性アノードサブスペーサ191とアノ ード端子バー22とを上下方向に圧接するため� ��圧接手段を示している。第1の実施形態の圧 接型大電力用サイリスタモジュールでは、図 1に示すように、加圧板29aと、2本のネジ29bと� ��2個の皿バネ29cと、皿バネ29cを芯出しするた めに皿バネ29cの内縁と嵌合する絶縁性芯出し 部材29dとによって、圧接手段29が構成されて� ��る。更に、第1の実施形態の圧接型大電力用 サイリスタモジュールでは、加圧板19a,29aと� �て同一の部品が用いられ、ネジ19b,29bとして� ��一の部品が用いられ、皿バネ19c,29cとして同 一の部品が用いられ、絶縁性芯出し部材19d,29 dとして同一の部品が用いられている。

 また、図1において、34は外囲ケース51に� �持せしめられている電極片を示している。� �1の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモ� ��ュールでは、サイリスタチップ113のゲート� ��極113b(図2参照)に電気接続されているコイル バネ型ゲート電極信号線15の上端の水平方向� ��延ばされた部分15bの端部(図9Cの左端)が、可 撓性のゲート電極信号線(図示せず)を介して� ��極片34に電気接続されている。

 更に、図1において、41は例えば潰し加工� ��ビーム溶接等によってコモンバー12に接合� �れた電極片を示しており、44は外囲ケース51� ��担持せしめられている電極片を示している� ��

 図14は電極片41と電極片44とを電気接続す� ��手段を示した図である。詳細には、図14Aは� ��極片41と電極片44とを電気接続する手段を概 略的に示した図、図14Bは図14Aの一部の拡大図 である。図14において、42は絶縁チューブに� �って被覆された可撓性のカソード電極信号� �を示している。43はカソード電極信号線42と� ��極片41(図1参照)とを電気接続するためのフ� �ストンタブを示している。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図14に示すように、例え� ��半田によってカソード電極信号線42と電極� �44とが接合されている。また、例えばかしめ によってカソード電極信号線42とファストン� ��ブ43とが接合され、かしめられた部分が、� �えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって� �覆されている。更に、ファストンタブ43を電 極片41(図1参照)と嵌合させることにより、フ� ��ストンタブ43と電極片41とが電気接続されて いる。

 また、図1において、72は外囲ケース51に� �持せしめられている電極片を示している。� �1の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモ� ��ュールでは、サイリスタチップ123のゲート� ��極123b(図2参照)に電気接続されているコイル バネ型ゲート電極信号線15の水平方向に延ば� ��れた部分15bの端部(図9Cの左端)が、可撓性の ゲート電極信号線(図示せず)を介して電極片7 2に電気接続されている。

 図15は第1の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールの外観図である。詳細に� ��、図15Aは第1の実施形態の圧接型大電力用サ イリスタモジュールの平面図、図15Bは第1の� �施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュ� �ルの正面図、図15Cは第1の実施形態の圧接型� ��電力用サイリスタモジュールの右側面図で� ��る。

 図16は放熱板1の水平断面図である。第1の 実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュ ールでは、図1および図16に示すように、放熱 板1に冷却水流路1aが形成され、水冷によって 放熱板1が冷却される。詳細には、サイリス� �チップ113,123の真下の位置に冷却水流路1aが� �成されている。第4の実施形態の圧接型大電� ��用サイリスタモジュールでは、代わりに、� ��却水流路1aを省略することも可能である。

 図17は第1の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールの等価回路図である。図1 7中の「K1/A2」が図1中のコモンバー12に相当し 、図17中の「K2」が図1中のカソード端子バー1 8に相当し、図17中の「G2」が図1中の電極片34� ��相当し、図17中の「K2」が図1中の電極片62に 相当している。また、図17中の「A1」が図1中� ��アノード端子バー22に相当し、図17中の「G1� ��が図1中の電極片72に相当し、図17中の「K1」 が図1中の電極片44に相当している。

 第5の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、サイリスタチップ123の代 わりにダイオードチップを用い、コイルバネ 型ゲート電極信号線15と絶縁性ゲートスペー� ��326,327との組立体を省略することも可能であ る。

 第1の実施形態の圧接型大電力用サイリス タモジュールでは、図1に示すように、2本の� ��ジ19bが圧接手段19に設けられ、2本のネジ29b� ��圧接手段29に設けられているが、第6の実施� ��態の圧接型大電力用サイリスタモジュール� ��は、代わりに、3本以上のネジ19bを圧接手段 19に設け、3本以上のネジ29bを圧接手段29に設� ��ることも可能である。

 図18は第7の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールの圧接手段19の分解斜視� �である。第1の実施形態の圧接型大電力用サ� ��リスタモジュールでは、図1に示すように、 加圧板19aと、2本のネジ19bと、2個の皿バネ19c� ��、皿バネ19cを芯出しするために皿バネ19cの� ��縁と嵌合する絶縁性芯出し部材19dとによっ� ��、圧接手段19が構成されているが、第7の実� ��形態の圧接型大電力用サイリスタモジュー� ��では、図18に示すように、概略球状の凸部19 a1aを有する第1加圧板19a1と、凸部19a1aと嵌合� �る概略円錐状の穴19a2aを有する第2加圧板19a2� ��、2本のネジ19bと、皿バネ19cと、皿バネ19cを 芯出しするために皿バネ19cの内縁と嵌合する 絶縁性芯出し部材19dとによって圧接手段19が� ��成されている。

 つまり、第7の実施形態の圧接型大電力用 サイリスタモジュールでは、図18に示すよう� ��、第1加圧板19a1の概略球状の凸部19a1aと、第 2加圧板19a2の概略円錐状の穴19a2aとが嵌合せ� �められている。そのため、第7の実施形態の� ��接型大電力用サイリスタモジュールによれ� ��、例えば2本のネジ19bの締め付け量が異なる のに伴って、第1加圧板19a1が第2加圧板19a2に� �して平行にならない場合であっても、第2加� ��板19a2に真っ直ぐ下向きの力を加えることが できる。

 詳細には、第7の実施形態の圧接型大電力 用サイリスタモジュールでは、図12および図1 8に示すように、絶縁性芯出し部材19dがカソ� �ド端子バー18(図1参照)上に載置されると、絶 縁性芯出し部材19dの外周面が嵌合部51a,51b,51c, 51dと嵌合せしめられ、絶縁性芯出し部材19dの 芯出しが行われる。また、第2加圧板19a2が皿� ��ネ19c上に載置されると、第2加圧板19a2の円� �状部の外周面が嵌合部51b,51dと嵌合せしめら� ��、第2加圧板19a2の芯出しが行われる。更に� �第1加圧板19a1が第2加圧板19a2上に載置される� ��、第1加圧板19a1の概略球状の凸部19a1aと第2� �圧板19a2の概略円錐状の穴19a2aとが嵌合せし� �られ、第1加圧板19a1の芯出しが行われる。

 第8の実施形態では、第1から第7の実施形� ��を適宜組み合わせることも可能である。