技术领域

本发明实施例涉及通信技术领域， 尤其涉及一种介质谐振器、 介质滤波器 和制造方法。 背景技术

随着无线通信技术的日益发展， 无线通信基站分布越来越密集， 对基站 的体积要求越来越小，其中射频前端滤波器模 块在基站 RFU ( radio frequency unit, 射频单元）或 RRU ( remote radio unit, 射频拉远单元）中的体积比较大， 因此， 对滤波器的体积需求也是越来越小。 考虑到通信质量， 滤波器体积缩 小后的性能 （比如插损， 抑制， 功率容量等） 需保持不变。

射频滤波器的发展已经经历几十年， 滤波器的种类和形式非常多， 从实 现形式上， 比较常见的有金属同轴腔， 横电 （ TE , Transverse Electric )模 介质腔，横磁（ TM, Transverse Magnetic )模介质腔，横电磁（ TEM, Transverse ElectroMagnetic )模介质腔， 波导， 微带， 薄膜体声波谐振器 （ FBAR, Film Bulk Acoustic Resonator ) , 体声波 ( BAW, Bulk Acoustic Wave ) , 表面声 波（ SAW, Surface Acoustic Wave ) 等。 其中， 射频表示可以辐射到空间的 电磁频率， 频率范围在 300KHz ~ 30GHz之间。

在各种形式的滤波器中， 体积有较大的 （比如 TE模介质腔， 波导） ， 体积比较适中的（比如金属同轴腔， TM模介质腔 ) , 也有体积比较小（ TEM 模介质腔， 微带） ， 还有体积非常小的 （FBAR, BAW, SAW等） 。 但是， 从基本的电磁理论分析， 滤波器体积越小， 表面电流越大， 损耗越大， 功率 承受能力越低， 即功率容量越小， 总之滤波器的体积越小， 性能 （损耗， 抑 制， 功率容量等）越差。

根据无线基站对滤波器的性能 （包括插损， 抑制， 功率）要求， 当前， 金属同轴腔， TE模介质腔， TM模介质腔是比较常用的， 其中金属同轴腔最 常用。 其他的介质 TEM模， FBAR等小型化滤波器， 由于其性能指标不能满 足要求而无法应用到大功率的无线基站射频前 端。

目前， 有一种小型化滤波器， 釆用的是实心介质波导表面金属化 （如镀 银） ， 来形成的谐振器 （简称： 介质谐振器） 。 通常射频滤波器 （含微波滤 波器） 的指标规格要求 （比如回波、 插损、 抑制） 都比较严格， 滤波器各谐 振器的谐振频率， 以及谐振器之间的耦合必须准确， 但由于设计产品的加工 尺寸误差， 设计误差和介质介电常数的误差等原因， 导致介质谐振器的谐振 频率不准确， 需要调试。

当前的调试方案， 通常为在上述介质谐振器的上表面或下表面中 的至少一 个， 通过打磨去金属化， 如图 la和图 lb所示， 为在介质谐振器的下表面打磨去 金属化的示意图， 其中， 图 la为纵截面图， 图 lb为仰视图。 10为实心介质谐振 器本体， 其中， 101为其表面的金属化层， 102为其表面经过打磨后的金属化缺 口。 在此调试方案中， 发明人在发明过程中发现： 在该谐振器的装配过程中， 该金属化缺口可能会被一些器件的金属化表面 覆盖， 导致该谐振器的谐振频率 发生改变， 偏离已调试好的谐振频率， 从而影响该谐振器的工作性能。 发明内容

有鉴于此， 本发明提供了一种介质谐振器及其制造方法、 介质滤波器及 其制造方法， 以便于谐振器性能的调试， 且提高调试后性能的保持度。

根据第一方面， 本发明提供了一种介质谐振器， 包括： 实心介质谐振器 本体， 位于所述实心介质谐振器本体一侧的盲孔， 覆盖所述实心介质谐振器 本体和所述盲孔的表面的金属化层， 以及位于所述盲孔表面的金属化层上的 去金属化缺口。

在根据第一方面的第一种可能的实施方式中， 所述介质谐振器还包括： 用于封堵所述去金属化缺口且与所述去金属化 缺口之间有一定间隙的金属化 密封部分。 在根据第一方面的第一种可能的实施方式的第 二种可能的实施方式中， 所述金属化密封部分位于所述盲孔内， 与所述盲孔的表面相接， 所述金属化 密封部分与所述盲孔的开口方向一致的表面为 金属化表面； 或者， 所述金属 化密封部分位于所述盲孔外， 与所述盲孔的开口面周边的金属化层相接， 所 述金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金 属化层相接的表面为金属化表 面。

在根据第一方面的第一种可能的实施方式或第 二种可能的实施方式的第 三种可能的实施方式中， 所述间隙用于减少所述金属化密封部分对所述 介质 谐振器的频率的影响。

在根据第一方面的第三种可能的实施方式的第 四种可能的实施方式中， 所述间隙的宽度与所述介质谐振器介质的介电 常数和谐振频率有关。

在根据第一方面， 或第一方面的第一种至第四种可能的实施方式 中任一 种的第五种可能的实施方式中， 所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振 频率有关。

在根据第一方面的第五种可能的实施方式的第 六种可能的实施方式中， 所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振频 率有关具体为所述去金属化缺 口的面积和所述介质谐振器的谐振频率有关。

在根据第一方面， 或第一方面的第一种至第六种可能的实施方式 中任一 种的第七种可能的实施方式中， 所述去金属化缺口位于所述盲孔的内底部。

在根据第一方面， 或第一方面的第一种至第七种可能的实施方式 中任一 种的第八种可能的实施方式中， 所述去金属化缺口的个数为一个或者多于一 个。

在根据第一方面， 或第一方面的第一种至第八种可能的实施方式 中任一 种的第九种可能的实施方式中， 所述盲孔的深度根据所述介质谐振器介质的 介电常数和谐振频率确定。

根据第二方面， 本发明提供了一种介质滤波器， 其包括根据第一方面， 或第一方面的第一种至第九种可能的实施方式 中任一种提供的介质谐振器。 根据第三方面， 本发明提供了一种介质谐振器的制造方法， 包括： 在形成介质谐振器的实心介质上形成盲孔；

将具有所述盲孔的实心介质进行整体金属化， 形成介质谐振器的金属化 层；

在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属 化层， 形成金属化缺口。 在根据第三方面的第一种可能的实施方式中， 该介质谐振器的制造方法 还包括： 在所述盲孔内设置一用于封堵所述去金属化缺 口且与所述去金属化 缺口之间有一定间隙的去金属化密封部分， 所述金属化密封部分与所述盲孔 的开口方向一致的表面为金属 表面。

根据第三方面的第一种可能的实施方式的第二 种可能的实施方式中， 所 述间隙用于减少所述金属化密封部分对所述介 质谐振器的频率的影响。

在根据第三方面的第一种可能的实施方式或第 二种可能的实施方式的第 三种可能的实施方式中， 所述间隙的宽度与所述介质谐振器介质的介电 常数 和谐振频率有关。

在根据第三方面的第四种可能的实施方式中， 该介质谐振器的制造方法 还包括： 在所述盲孔开口面周边的金属化层上设置一用 于封堵所述去金属化 缺口的去金属化密封部分， 所述金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的 金 属化层相接的表面为金属化表面。

在根据第三方面或第三方面的第一种至第四种 可能的实施方式中的任一 种的第五种可能的实施方式中， 所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部 分金属化层具体为通过控制所去掉的金属化层 的面积调整所述介质谐振器的 谐振频率。

在根据第三方面或第三方面的第一种至第五种 可能的实施方式中的任一 种的第六种可能的实施方式中， 所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部 分金属化层， 形成金属化缺口具体为在所述盲孔的内底部的 表面的金属化层 上去掉部分金属化层， 形成金属化缺口。

在根据第三方面或第三方面的第一种至第六种 可能的实施方式中的任一 种的第七种可能的实施方式中， 所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部 分金属化层， 形成金属化缺口具体为在所述盲孔的表面的金 属化层上去掉至 少一处金属化层， 形成至少一个去金属化缺口。

在根据第三方面或第三方面的第一种至第七种 可能的实施方式中的任一 种的第八种可能的实施方式中， 所述盲孔的深度根据所述介质谐振器介质的 介电常数和谐振频率确定。

根据第四方面， 本发明提供了一种介质滤波器的制造方法， 包括根据第 三方面， 第三方面的第一种至第八种可能的实施方式中 的任一种提供的介质 谐振器的制造方法， 并釆用所述介质谐振器的制造方法制造出的介 质谐振器 制造介质滤波器。

釆用本发明实施例中所提供的介质谐振器及其 制造方法， 介质滤波器及 其制造方法， 由于用于调试介质谐振器的谐振频率的去金属 化缺口设于盲孔 内部， 因此， 既可以实现对介质谐振器的调试， 又可以减少在对介质谐振器 调试后， 去金属化缺口在介质谐振器装配过程中被金属 材料覆盖， 所产生的 对介质谐振器的谐振频率的影响， 进而提高了性能的保持度。 附图说明

图 la和图 lb为现有技术中在介质谐振器的下表面打磨去� ��属化的示意 图；

图 2为本发明实施例提供的一种介质谐振器的纵� �面的示意图； 图 3 a为本发明实施例提供的一种介质谐振器的纵� �面的示意图； 图 3b为本发明实施例提供的一种介质谐振器的纵� ��面的示意图； 图 3c为本发明实施例提供的一种介质谐振器的纵� ��面的示意图； 图 4 a为本发明实施例提供的一种介质谐振器的制� �方法的流程示意图； 图 4b为本发明实施例提供的一种介质谐振器的制� ��方法的流程示意图； 图 4 c为本发明实施例提供的一种介质谐振器的制� �方法的流程示意图。 具体实施方式

本发明实施例提供了一种介质谐振器、 介质滤波器、 介质谐振器或介质 滤波器的制造方法， 以便于谐振器性能的调试，且提高调试后性能 的保持度。

本发明实施例提供了一种介质谐振器 20 , 如图 2所示的纵截面示意图， 其包括实心介质谐振器本体 201 , 位于所述实心介质谐振器本体 201—侧的 盲孔 202 , 覆盖所述实心介质谐振器本体 201和所述盲孔 202的表面的金属 化层 203 ,以及位于所述盲孔 202表面的金属化层 203上的去金属化缺口 204。

其中， 所述盲孔 202表面的金属化层 203上的去金属化缺口 204用于对 所述介质谐振器的谐振频率进行调试， 即， 和所述介质谐振器的谐振频率有 关。 具体的， 可以通过控制所述去金属化缺口 204的面积来调整所述介质谐 振器的谐振频率。 具体的所述去金属化缺口 204的面积和所述谐振器的谐振 频率之间的关系， 可以通过仿真或测试来具体确定，在本实施例 中不予详述。 所述去金属化缺口 204 , 可以是通过对盲孔 202表面的金属化层 203进行去 金属化处理形成的缺口。 在缺口部分， 所述实心介质谐振器本体可见， 也就 是说， 缺口部分的金属化层均被去金属化， 使得实心介质谐振器的实心部分 不被金属层覆盖了。 举例而言， 若金属化层的厚度为 0.1毫米（mm ) ， 缺口 的深度不小于 0.1mm。 较优选的， 所述去金属化缺口 204可以位于所述盲孔 的内底部。 其个数可以为一个或多于一个。 所述去金属化缺口 204的形状， 可以为圓形， 也可以为方形， 也可以为其他形状， 如不规则图形， 具体在本 实施例中可以不予限定。

所述盲孔 202位于所述所述实心介质谐振器本体 201—侧， 具体可以为 所述实心介质谐振器本体 201的上表面或下表面或侧面， 在本发明所有实施 例中均可以不予限定。 所述盲孔 202可以为一内陷盲孔结构， 具有开口 2021 和内底部 2022 , 其中开口与实心介质谐振器本体齐平的面为开 口面 2023。 所述盲孔的深度的具体值， 可以根据谐振器介质的介电常数和谐振器的 谐振频率来确定，通常而言，该值大于 lmm。所述盲孔的横截面可以为圓形， 也可以为方形， 也可以为其他形状， 如不规则图形， 具体在本实施例中可以 不予限定。

所述实心介质谐振器 201中的介质可以为波导。

所述金属化层可以为任何金属形成的表面层， 其中， 形成的方式可以为 镀或激光，也可以为其他符合实际需要的方式 ，在本实施例中可以不予限定。 金属可以为银或铜， 也可以为其他符合实际需要的金属， 在本实施例中可以 不予限定。

釆用本发明实施例中所提供的介质谐振器， 由于用于调试介质谐振器的 谐振频率的去金属化缺口设于盲孔内部， 因此， 既可以实现对介质谐振器的 调试， 又可以减少在对介质谐振器调试后， 去金属化缺口在介质谐振器装配 过程中被金属材料覆盖， 所产生的对介质谐振器的谐振频率的影响， 进而提 高了性能的保持度。 此外， 由于去金属化缺口位于盲孔内部， 从该缺口泄露 的信号能量也可以有所减少。 本发明另一实施例提供了一种介质谐振器 30 , 如图 3a, 3b和 3c所示的 纵截面的示意图， 其包括实心介质谐振器本体 301 , 位于所述所述实心介质 谐振器本体 301—侧的盲孔 302 , 覆盖所述实心介质谐振器本体 301和所述 盲孔 302的表面的金属化层 303 , 位于所述盲孔 302表面的金属化层 303上 的去金属化缺口 304 , 以及用于封堵所述去金属化缺口 304且与所述去金属 化缺口 304之间有一定间隙的部分 305。 可以看到， 本发明实施例中提供的 介质谐振器 30与上一实施例中提供的介质谐振器 20之间的区别在于， 本发 明实施例中提供的介质谐振器 30还包括了所述用于封堵所述去金属化缺口 304且与所述去金属化缺口 304之间有一定间隙的部分 305 , 在后续描述中， 所述用于封堵所述去金属化缺口 304且与所述去金属化缺口 304之间有一定 间隙的部分 305在所有实施例中简称为密封部分。 因此， 下面仅对该密封部 分 305进行描述， 该介质谐振器 30所包括的实心介质谐振器本体 301、 盲孔 302、金属化层 303和去金属化缺口 304的描述可以参考上一实施例中的描述， 在此不予赘述。

所述密封部分 305可以位于所述盲孔 302内， 如图 3a所示， 所述位于所 述盲孔 302内包括与所述盲孔 302的开口面齐平的情况（如图 3b所示）， 所 述密封部分 305与所述盲孔的开口面平行， 其横截面的形状和面积与盲孔的 横截面一致，所述密封部分 305也可以与所述盲孔的开口面不平行（未图示 ）， 无论是否平行， 其横截面的形状和面积与将所述盲孔封堵住所 需的形状和面 积一致即可。 所述密封部分 305的外表面中至少与所述盲孔开口方向一致的 表面为金属化表面， 可以理解的是， 外表面中的其他部分也可以为金属化表 面， 在本实施例中可以不予限定。 所述密封部分可以通过焊接与盲孔表面相 接， 也可以通过挤压的方式与盲孔表面相接， 还可以通过其他方式。 所述密 封部分与所述盲孔表面相接密封程度越好， 被泄露的信号能量就越少。

所述密封部分 305也可以位于所述盲孔 302外， 如图 3c所示， 这种情况 下， 所述密封部分 305与所述盲孔 302开口面周边的金属化层相接， 以覆盖 住该盲孔 302。 密封部分 305的面积大于该盲孔 302的开口面的面积。 该密 封部分 305与所述盲孔开口面周边的金属化层相接的表 面为金属化表面， 该 密封部分 305的其他表面也可以为金属化表面， 在本实施例中对此可以不予 限定。 该密封部分 305与所述盲孔 302开口面周边的金属化层相接可以通过 压合、 焊接或扣合等方式， 也可以通过其他方式。 所述密封部分与所述盲孔 开口面周边的金属化层相接的密封程度越好， 被泄露的信号能量就越少。

鉴于所述密封部分 305的外表面中至少有一面被金属化， 以减少介质谐 振器中的被泄露的信号能量， 该密封部分 305也可被称为金属化密封部分。

金属化密封部分与所述去金属化缺口 304之间存在一定间隙， 以减少该 金属化密封部分对已调试好的介质谐振器的谐 振频率产生的影响， 该间隙的 宽度通常与介质谐振器介质的介电常数和谐振 频率有关， 具体可以通过仿真 或测试来确定。 在具体实施时， 通常大于 l mm。

釆用本发明实施例中所提供的介质谐振器， 由于用于调试介质谐振器的 谐振频率的去金属化缺口设于盲孔内部， 因此， 既可以实现对介质谐振器的 调试， 又可以减少在对介质谐振器调试后， 去金属化缺口在介质谐振器装配 过程中被金属材料覆盖， 所产生的对介质谐振器的谐振频率的影响， 进而提 高了性能的保持度。 此外， 由于去金属化缺口位于盲孔内部且被金属化密 封 部分封住， 从该缺口泄露的信号能量可以进一步有所减少 。 本发明实施例还提供一种介质滤波器， 所述介质滤波器由上述实施例中 的介质谐振器构成。

进一步的， 本发明实施例， 还提供一种基站， 所述基站的谐振器和滤波 器中至少一种， 釆用上述实施例中的介质谐振器构成。

进一步的， 本发明实施例还提供一种通信系统， 包括上述实施例中所提 供的基站。 本发明实施例还提供了一种介质谐振器的制造 方法， 如图 4a所示， 其包 括：

S401 , 在形成介质谐振器的实心介质上形成盲孔。

所述盲孔的深度的具体值， 可以根据谐振器介质的介电常数和谐振器的 谐振频率通过仿真或测试来确定， 以减少从金属化缺口泄露的信号能量， 以 及减小装配过程中盲孔被金属材料覆盖会对谐 振器的谐振频率产生的影响为 目的。 通常而言， 该值大于 lmm。 所述盲孔的横截面或开口面可以为圓形， 也可以为方形， 也可以为其他形状， 如不规则图形， 具体在本实施例中可以 不予限定。 所述盲孔可以为内陷盲孔结构， 具有开口和内底部， 其中开口与 实心介质谐振器本体齐平的面为开口面。

5402 , 将具有所述盲孔的实心介质进行整体金属化， 形成介质谐振器的 金属化层。

其中， 所述将具有所述盲孔的实心介质进行整体金属 化的方式可以为镀 或激光， 也可以为其他符合实际需要的方式， 在本实施例中可以不予限定。 金属可以为银或铜， 也可以为其他符合实际需要的金属， 在本实施例中可以 不予限定。 其中， 整体的含义的是指所有表面， 包括上述盲孔的表面。

5403 , 在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属 化层， 形成金属化 缺口。

具体实施时， 去掉部分或全部金属化层， 可以釆用打磨的方式， 或其他 方式， 如激光， 在此可以不予限定。 其中， 去掉部分金属化层称为去金属化 处理。 在缺口部分， 所述实心介质谐振器本体可见， 也就是说， 缺口部分的 金属化层均被去金属化，使得实心介质谐振器 的实心部分不被金属层覆盖了。 举例而言， 若金属化层的厚度为 0.1mm, 缺口的深度不小于 0.1mm。 较优选 的， 在所述盲孔的表面的金属化层上去掉至少一处 金属化层， 形成至少一个 去金属化缺口。 具体个数可以依据实际需要设置， 在本实施例中可以不予限 定。 可以在所述盲孔的内底部的表面的金属化层上 去掉部分金属化层， 形成 金属化缺口。 所述去金属化缺口的形状， 可以为圓形， 也可以为方形， 也可 以为其他形状， 如不规则图形， 具体在本实施例中可以不予限定。

所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分 金属化层具体为通过控制 所去掉的金属化层的面积调整所述介质谐振器 的谐振频率。 也就是说， 通过 控制去金属化缺口的面积的大小， 可以达到调整介质谐振器的谐振频率的目 的。 具体的所述去金属化缺口的面积与所述介质谐 振器的谐振频率之间的关 系， 可以通过仿真或测试来具体确定， 在本实施例中不予详述。 考其他实施例中对于介质谐振器的描述。 该介质谐振器， 由于用于调试介质 谐振器的谐振频率的去金属化缺口设于盲孔结 构中， 而该盲孔接口的开口又 由金属化封口部分予以封起， 因此， 既可以实现对介质谐振器的调试， 又可 以减少在对介质谐振器调试后， 去金属化缺口在介质谐振器装配过程中被金 属材料覆盖， 所产生的对介质谐振器的谐振频率的影响， 进而提高了性能的 保持度。 此外， 由于去金属化缺口位于盲孔内部， 从该缺口泄露的信号能量 可以有所减少。 本发明另一实施例还提供了一种介质谐振器的 制造方法， 如图 4b所示， 其包括上一实施例中如图 4a所示的介质谐振器的制造方法中的 S401、 S402 和 S403 , 更进一步包括：

S404 , 在所述盲孔内设置一用于封堵所述去金属化缺 口且与所述去金属 化缺口之间有一定间隙的部分。

其中， 所述用于封堵所述去金属化缺口且与所述去金 属化缺口之间有一 定间隙的部分在本实施例中简称为密封部分。

所述在所述盲孔内设置包括在所述盲孔的开口 面齐平处设置的情况。 所述密封部分可以与所述盲孔的开口面平行， 其横截面的形状和面积与 盲孔的横截面一致， 所述密封部分也可以与所述盲孔的开口面不平 行， 无论 是否平行， 其横截面的形状和面积与将所述盲孔封堵住所 需的形状和面积一 致即可。 所述密封部分的外表面中至少与所述盲孔开口 方向一致的表面为金 属化表面， 可以理解的是， 外表面中的其他部分也可以为金属化表面， 在本 实施例中可以不予限定。鉴于所述密封部分的 外表面中至少有一面被金属化， 以减少介质谐振器中的被泄露的信号能量， 该密封部分也可被称为金属化密 封部分。

所述设置可以是所述密封部分通过焊接与盲孔 表面相接， 也可以是通过 挤压的方式与盲孔表面相接， 还可以通过其他方式。 所述密封部分与所述盲 孔表面相接密封程度越好， 被泄露的信号能量就越少。 金属化密封部分与去金属化缺口之间存在一定 间隙， 以减少该金属化密 封部分对已调试好的介质谐振器的谐振频率产 生的影响， 该间隙的宽度通常 与介质谐振器的介电常数和谐振频率有关，具 体可以通过仿真或测试来确定。 在具体实施时， 通常大于 lmm。

本发明另一实施例还提供了一种介质谐振器的 制造方法， 如图 4c所示， 其包括上一实施例中如图 4a所示的介质谐振器的制造方法中的 S401、 S402 和 S403 , 更进一步包括：

S404' ,在所述盲孔开口面周边的金属化层上设置一� �于封堵所述去金属 化缺口的部分。

该用于封堵所述去金属化缺口的部分可以简称 为金属化密封部分。 该金 属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金属化 层相接的表面为金属化表面， 该密封部分的其他表面也可以为金属化表面， 在本实施例中对此可以不予限 定。 该金属化密封部分的面积大于该盲孔的开口面 的面积。 所述设置包括将 该金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金 属化层相接。 具体可以通过压 合、 焊接或扣合等方式， 也可以通过其他方式实现所述设置。 所述金属化密 封部分与所述盲孔开口面周边的金属化层相接 的密封程度越好， 被泄露的信 号能量就越少。

釆用本发明实施例中所提供的介质谐振器制造 方法制造出的介质谐振 器， 可以参考其他实施例中对于介质谐振器的描述 。 该介质谐振器， 由于用 于调试所述介质谐振器的谐振频率的去金属化 缺口设于盲孔内部， 因此， 既 可以实现对介质谐振器的调试， 又可以避免在对介质谐振器调试后， 去金属 化缺口在介质谐振器装配过程中被金属材料覆 盖， 导致介质谐振器的谐振频 率发生改变， 进而提高了性能的保持度。 此外， 由于去金属化缺口位于盲孔 内部且被金属化密封部分封住， 从该缺口泄露的信号能量可以进一步有所减 少。 本发明实施例还提供一种介质滤波器的制造方 法， 所述介质滤波器由上 述实施例中提供的介质谐振器的制造方法制造 出的介质谐振器构成， 因此， 该介质滤波器的制造方法包括上述实施例中所 提供的介质谐振器的制造方法 中的步骤， 具体可参考上述实施例， 在此不予赘述。 本领域普通技术人员可以理解： 实现上述方法实施例的全部或部分步骤 可以通过程序指令相关的硬件来完成， 前述程序可以存储于一计算机可读取 存储介质中， 该程序在执行时， 执行包括上述方法实施例的步骤； 而前述的 存储介质包括： ROM, RAM,磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的� �质。

本领域普通技术人员可以理解： 本发明实施例中的装置或模块的名称可 以随技术演进或应用场景的不同而改变，但这 并不影响本发明实施例的实现， 也应落在本发明的范围内； 本发明实施例中的装置或模块是依据功能进行 的 划分， 在物理上可以进行合并或分割。

以上实施例仅用以示例性的说明本发明的技术 方案， 而非对其限制； 尽 管参照前述实施例对本发明及本发明带来的有 益效果进行了详细的说明， 本 领域的普通技术人员应当理解： 其依然可以对前述各实施例所记载的技术方 案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等 同替换； 而这些修改或者替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本发明权利要 求的范围。 以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限 于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露 的技术范围内， 可轻易 想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护 范围应以所述权利要求的保护范围为准。