本発明の実施形態を、図面を参照して説� ��する。図面において、同様の構成要素には� ��じ参照番号が付されている。

 図1は、通常のカラー表示装置用のプラズマ ・チューブまたはガス放電管11R、11Gおよび11B のアレイのユニット300の概略的な部分的構造 を例示している。図1において、プラズマ・� �ューブ・アレイ(PTA)のユニット300は、互いに 平行に配置された透明な細長いカラー・プラ ズマ・チューブ11R、11Gおよび11Bのアレイ、透 明な前面側の支持シートまたは薄い基板から なる前面側支持基板31、透明なまたは不透明� ��背面側の支持シートまたは薄い基板からな� ��背面側支持基板32、複数の表示電極対また� �主電極対2、および複数の信号電極またはア� ��レス電極3を含んでいる。図1において、Xは� ��示電極2のうちの維持電極またはX電極を示� �、Yは表示電極2のうちの走査電極またはY電� �を示している。R、GおよびBは蛍光体の発光� �である赤、緑および青を示している。支持� �板31および32は、例えば可撓性のPETフィルム� ��ガラス等で作られている。
 細長いプラズマ・チューブ11R、11Gおよび11B� ��細管20は、例えばホウケイ酸ガラス、パイ� �ックス(登録商標)、ソーダガラス、石英ガラ スまたはゼロデュアのような透明な絶縁体で 作製され、典型的には、管径が2mm以下であり 、例えば、管の断面の幅約1mmおよび高さは幅 よりも少し小さい扁平型であり、長さが300mm� ��上であり、管壁の厚さ約0.1mmの寸法を有す� �。
 プラズマ・チューブ11R、11Gおよび11Bは、そ� ��内部の背面側に赤、緑、青(R、G、B)の蛍光� �層4がそれぞれ形成され、その内部に放電ガ� ��が導入されて、両端が封止されている。プ� ��ズマ・チューブ11R、11Gおよび11Bの内面にはM gOからなる電子放出膜5が形成されている。蛍 光体層R、G、Bは、典型的には、約10μm~約50μm� ��範囲の厚さを有する。蛍光体層R、G、Bは、� ��降法などの当該分野で公知の方法にて形成� ��る。
 電子放出膜5は、放電ガスの荷電粒子との衝 突により電子を発生する。蛍光体層4は、表� �電極対2に電圧を印加することにより励起さ� ��た管内に封入された放電ガスが脱励起する� ��とによって発生する真空紫外光によって励� ��され、可視光を発生する。

 図2Aは、透明な複数の表示電極対2が形成さ� ��た前面側支持基板31を示している。図2Bは、 複数の信号電極3が形成された背面側支持基� �32を示している。
 信号電極3は、背面側支持基板32の前面すな� ��ち内面上に形成され、プラズマ・チューブ1 1R、11Gおよび11Bの長手方向に沿って設けられ� ��いる。隣接する信号電極3間のピッチは、プ ラズマ・チューブ11R、11Gおよび11Bの各々の幅 とほぼ同じであり、例えば1mmである。複数の 表示電極対2は、周知の形態で前面側支持基� �31の背面すなわち内面上に形成され、信号電 極3と直角に交差する方向に配置されている� �表示電極2の幅は例えば0.75mmであり、各1対の 表示電極2の端縁間の距離は例えば0.4mmである 。表示電極対2と隣の表示電極対2の間には、� ��放電領域となる距離または非放電ギャップ� ��確保され、その距離は例えば1.1mmである。
 信号電極3と表示電極対2は、PTAユニット300� �組み立て時にプラズマ・チューブ11R、11Gお� �び11Bの下側の外周面部分と上側の外周面部� �にそれぞれ密着するように接触させる。そ� �密着性を良くするために、それぞれの電極� �プラズマ・チューブ面との間に接着剤を介� �させて接着してもよい。
 このPTAユニット300を正面から平面的にみた� ��合、信号電極3と表示電極対2との交差部が� �位発光領域となる。表示は、表示電極対2の� ��ずれか1本を走査電極Yとして用い、その走� �電極Yと信号電極3との交差部で選択放電を発 生させて発光領域を選択し、その放電により 当該領域の管内面に形成された壁電荷を利用 して、表示電極対2で表示放電を発生させ、� �光体層を発光させることによって行う。選� �放電は、垂直方向に対向する走査Y電極と信� ��電極3との間のプラズマ・チューブ11R、11Gお よび11B内で発生される対向放電である。表示 放電は、平面上に平行に配置された1対の表� �電極間のプラズマ・チューブ11R、11Gおよび11 B内で発生される面放電である。
 表示電極対2と信号電極3は、電圧を印加す� �ことによって管内部の放電ガスに放電を発� �させることが可能である。図1では、プラズ� ��・チューブ11R、11Gおよび11Bの電極構造は、1 つの発光部位に3つの電極が配置された構成� �あり、表示電極対2によって表示放電が発生� ��れる構造であるが、これに限定されるもの� ��はなく、表示電極2と信号電極3の間で表示� �電が発生される構造であってもよい。即ち� �表示電極対2を1本とし、この表示電極2を走� �電極として用いて信号電極3との間に選択放� ��と表示放電(対向放電)を発生させる形式の� �極構造であってもよい。

 図3は、PTAユニット300のプラズマ・チューブ ・アレイ11の管の長手方向に垂直な断面の構� ��を示している。PTAユニット300において、プ� ��ズマ・チューブ11R、11Gおよび11Bは、その内� ��に蛍光体層4R、4Gおよび4Bが形成されており� ��例えば、断面幅1.0mm、断面高さ0.7mm、管壁の 厚さ0.1mm、および長さ1m~3mの細管からなる。� �実施例として、赤の蛍光体4Rはイットリア系 ((Y.Ga)BO ₃ :Eu)の材料を含み、緑の蛍光体4Gはジンクシリ ケート系(Zn ₂ SiO ₄ :Mn)の材料を含み、青の蛍光体4BはBAM系(BaMgAl ₁₀ O ₁₇ :Eu)の材料を含む。
 図3において、プラズマ・チューブ11R、11Gお よび11Bの底面には、粘着剤層34を介して背面� ��支持基板32が接着されている。プラズマ・� �ューブ11R、11Gおよび11Bの底面に、および背� �側支持基板32の上面に信号電極3R、3Gおよび3B が配置されている。また、信号電極3R、3Gお� �び3Bは、プラズマ・チューブ11R、11Gおよび11B の底面に直接形成することもある。

 図4は、本発明の実施形態による、表示装 置10のX電極ドライバ装置500、Y電極ドライバ� �置700およびアドレス電極ドライバ回路46の電 気的接続を示している。表示装置10において� ��プラズマ・チューブ・アレイ11のn対の表示� ��極2(X1,Y1)、...、(Xj,Yj)、...(Xn,Yn)は、前面側支 持基板31の複数に分割された右側端部53から� �レキシブル・ケーブル52を介してX電極ドラ� �バ装置500のX電極用の維持電圧パルス回路50� �接続され、前面側支持基板31の複数に分割さ れた左側端部71からY電極ドライバ装置700の走 査パルス回路70に接続される。Y電極ドライバ 装置700のY電極用の維持電圧パルス回路60は、 フレキシブル・ケーブルを介して走査パルス 回路(SCN)70に接続される。プラズマ・チュー� �・アレイ11のm本の信号電極3A1、...、Ai、...Am� ��、複数に分割された下側端部からアドレス� ��ドライバ回路46に接続される。X電極ドライ� ��装置500はさらにリセット回路51を含んでい� �。Y電極ドライバ装置700はさらにリセット回� ��61を含んでいる。ドライバ制御回路42が、X� �極ドライバ装置500、Y電極ドライバ装置700、� ��よびアドレス・ドライバ回路46に接続され� �。

 次に、一般的なプラズマ・チューブ・アレ� ��型のAC型ガス放電表示装置の駆動法の一例� �ついて説明する。1つのピクチャ(映像)は典� �的には1フレーム期間で構成されており、イ� ��タレース型走査では1フレームが2つのフィ� �ルドで構成され、プログレッシブ型走査で� �1フレームが1つのフィールドで構成されてい る。また、通常のテレビジョン方式による動 画表示のためには1秒間に30または60フレーム� ��表示が必要である。そこでこの種のガス放� ��表示装置10による表示では、2値の発光制御� ��よって階調を持ったカラー再現を行うため� ��、典型的にはそのような1フィールドFをq個� ��サブフィールドSFの集合に置き換える。し� �しば、これらサブフィールドSFに順に2 ⁰ ,2 ¹ ,2 ² ,...2 ^q-1 等の異なる重みを付けて各サブフィールドSF� ��表示放電の回数を設定する。サブフィール� ��単位の発光/非発光の組合せでR,GおよびBの� �色毎にN(=1+2 ¹ +2 ² +...+2 ^q-1  )段階の輝度設定を行うことができる。この� �うなフィールド構成に合わせてフィールド� �送周期であるフィールド期間Tfをq個のサブ� �ィールド期間Tsfに分割し、各サブフィール� �SFに1つのサブフィールド期間Tsfを割り当て� �。さらに、サブフィールド期間Tsfを、初期� �のためのリセット期間TR、アドレッシングの ためのアドレス期間TA、および維持放電によ� ��発光のための表示期間TSに分ける。典型的� �は、リセット期間TRおよびアドレス期間TAの� ��さが重みに係わらず一定であるのに対し、� ��示期間TSにおけるパルス数は重みが大きい� �ど多く、表示期間TSの長さは重みが大きいほ ど長い。この場合、サブフィールド期間Tsfの 長さも、該当するサブフィールドSFの重みが� ��きいほど長い。

 図5は、一例としての6個のサブフィール� �を含む1フィールドの構成を示している。第1 のサブフィールドSF1は、大規模リセットを行 うリセット期間71Rと、アドレス期間71Aと、サ ステイン期間71Sとを含んでいる。第2乃至第6� ��サブフィールドSF2~SF6は、小規模リセットを 行うリセット期間72R~76Rと、アドレス期間72A~7 6Aと、サステイン期間72S~76Sとをそれぞれ含ん でいる。

 図6は、通常の表示装置における、X電極ド� �イバ装置500、Y電極ドライバ装置700およびア� ��レス・ドライバ回路42の出力駆動電圧波形� �概略的な駆動シーケンスを例示している。� �お、図示の波形は一例であり、振幅、極性� �よびタイミングを様々に変更することがで� �る。
 リセット期間TR、アドレス期間TAおよびサス テイン期間TSの順序は、q個のサブフィールド SFにおいて同じであり、駆動シーケンスはサ� ��フィールドSF毎に繰り返される。各サブフ� �ールドSFのリセット期間TRにおいては、全て� ��表示電極Xに対して負極性のパルスPrx1と正� �性のパルスPrx2とを順に印加し、全ての表示� ��極Yに対して正極性のパルスPry1と負極性の� �ルスPry2とを順に印加する。パルスPrx1,Pry1お� ��びPry2は微小放電が生じる変化率で振幅が漸 増するランプ波形または鈍波パルスである。 最初に印加されるパルスPrx1およびPry1は、前� ��ブフィールドSFにおける発光/非発光に係わ� ��ず全ての放電セルにいったん同一極性の適� ��の壁電荷を生じさせるために印加される。� ��き続き適度の壁電荷が存在する放電セルに� ��ルスPrx2およびPry2を印加することにより、� �の壁電荷を維持パルスでは再放電しないレ� �ル(消去状態)まで減少させるように調整する 。セルに加わる駆動電圧は、表示電極Xおよ� �Yに印加されるパルスの振幅の差を表す合成� ��圧である。
 アドレス期間TAにおいては、発光させる放� �セルのみに放電維持に必要な壁電荷を形成� �る。全ての表示電極Xおよび全ての表示電極Y を所定電位にバイアスした状態で、行選択期 間(1行分のスキャン時間)毎に選択行に対応し た表示電極Yに負極性のスキャン・パルス-Vy� �印加する。この行選択と同時にアドレス放� �を生じさせるべき選択セルに対応したアド� �ス電極Aのみにアドレス・パルスVaを印加す� �。つまり、選択行jのm列分のサブフィールド データDsfに基づいてアドレス電極A ₁ ~A _m の電位を走査ライン毎に2値制御する。これ� �よって、選択セルでは表示電極Yとアドレス� ��極Aとの間で放電管内にアドレス放電が生じ る。そのアドレス放電によって書き込まれた 表示データが放電管のセル内壁に壁電荷の形 で記憶され、その後のサステイン・パルスの 印加により表示電極X-Y間の面放電が生じる。
 サステイン期間TSにおいては、最初に先の� �ドレス放電で生じた壁電荷と加算されて維� �放電を発生する極性(図の例では正極性)のサ ステイン・パルスPsを印加する。その後、表� ��電極Xと表示電極Yとに対して交互にサステ� �ン・パルスPsを印加する。サステイン・パル スPsの振幅は維持電圧Vsである。サステイン� �パルスPsの印加によって、所定の壁電荷が残 存する放電セルにおいて面放電が生じる。サ ステイン・パルスPsの印加回数は、上述した� ��うにサブフィールドSFの重みに対応する。� �お、サステイン期間TS全体にわたって不要な 対向放電を防止するために、アドレス電極A� �サステイン・パルスPsと同極性の電圧Vasにバ イアスしてもよい。

 図7は、サステイン期間における維持パルス 周波数すなわち単位時間当たりの維持パルス の数に対する輝度の関係を示している。図7� �示されているように、輝度は、維持パルス� �波数が80kHzへと近く高くなるに従って飽和す る特性を有する。これは、蛍光体の励起飽和 現象による。
 上述の特開2004-138935号公報では、輝度飽和� �補正するために、80kHz付近の或る維持パルス の周波数(例えば60Hz)に対応する元の画像デー タに対して維持パルスの周波数を幾分か高い 値(例えば65Hz)となるように元の画像データを 補正すれば、実際の発光輝度は理想値となる 。
 しかし、発明者たちは、プラズマ・チュー� ��・アレイにおいて、それとは異なる次のよ� ��な現象を観測した。即ち、1つのサブフィー ルドにおいて、少ない維持パルス放電数でも 輝度が大幅に低下することがあり、また、維 持パルス放電数が増大すると大きく輝度が低 下する傾向にあるが或るパルス数を超えると それ以後は僅かしか低下しなくなり、さらに 、輝度がいったん低下すると輝度の回復が遅 く、次のサブフィールド、さらにその後のサ ブフィールドにまで悪影響を与える。この現 象は、特にプラズマ・チューブにおいて顕著 に表れると思われる。
 従って、単に画像データを個々に補正する� ��けでは、充分に輝度低下の補償が行えない� ��とがある。
 発明者たちは、前フィールドおよび現在の� ��ィールド内の複数のサブフィールドにおけ� ��最初の幾つかのサブフィールドの発光/非発 光のパターンが後のサブフィールドの輝度に 影響を与えることを発見した。
 図7に示したような方法で或るピクセルの輝 度の低下を補正するとその或るピクセルの画 像データに対応するサブフィールドの発光/� �発光のパターンが変化し、従って意図した� �りの輝度が得られないことがある。また、� �像データの輝度階調が高い値については、� �分に補正できない領域がある。
 発明者たちは、或るピクセルについて、前� ��ィールドおよび現在のフィールド内の複数� ��サブフィールドにおける複数のサブフィー� ��ドの発光/非発光のパターンに応じて、輝度 の低下分または不足分を隣接ピクセルに分散 して加算することによって、その輝度の低下 を充分に補償することができる、と認識した 。
 モノクロ表示においては、1つのピクセルは 、プラズマ・チューブ・アレイの1つの発光� �ルからなる。一方、カラー表示においては� �1つのピクセルは、典型的には3つで1組の発� �セルR、G、Bからなり、従って、各単一色成� �の複数のセルからなる単一色成分のフィー� �ドについて複数のサブフィールドの発光/非� ��光のパターンが考慮される。従って、カラ� ��表示においては、1つのピクセル中の各色成 分セルにおける発光強度の低下分は、隣接す るピクセル中の同色成分のセルに加算する。

 図8は、1つのフィールドFにおける全てのサ� ��フィールドSF1~SF6が発光する場合の各サブフ ィールドのサステイン期間TSにおける実際の� ��定された発光強度の例を示している。図8に おいて、各サブフィールドSF1~SF6における平� �発光パルス強度L1~L6が示されている。
 発光パルス数の多いサブフィールドSF4~SF6は 、後続のサブフィールドへの影響が大きく、 サブフィールドSF5およびSF6では発光強度が大 幅に低下している。最初のサブフィールドSF1 は、前フィールドにおける最後のサブフィー ルドSF6の影響を受けるが、前のフィールドFn- 1と現在のフィールドFnの間に短い休止期間が あるので、サブフィールドSF6と比べて発光強 度がより大きく回復する。サブフィールドSF1 は発光パルス数が少ないので、後続のサブフ ィールドSF2は発光強度が大幅に回復する。

 図9は、複数のサブフィールドSF1~SF6の組み� �わせからなる表示階調0~63に対する発光強度� ��低下を示している。この場合、前フィール� ��の全てのサブフィールドSF1~SF6が非発光であ る場合、現在のフィールドF内の各階調に対� �するサブフィールドSFが発光し、1つ以上の� �ブフィールドSFの発光/非発光が後続のサブ� �ィールドの発光強度に影響を与える。各サ� �フィールドSF1~SF6は、表示階調1、2、4、8、16� ��よび32に対応するフィールドFにおける単一� ��ブフィールドSFの発光について、例えばサ� �フィールドSF1~SF4のパルス数を幾分か減らし� ��ブフィールドSF5およびSF6のパルス数を幾分� ��増やすことによって、維持パルス数を調整� ��、それによって発光強度が補正されている� ��のとする。
 階調3は、サブフィールドSF1およびSF2の発光 に対応し、サブフィールドSF2の発光強度が幾 分か低下する。階調5は、サブフィールドSF1� �よびSF3の発光に対応し、サブフィールドSF3� �発光強度が幾分か低下する。階調6は、サブ� ��ィールドSF2およびSF3の発光に対応し、発光� ��度が階調5より大きく低下する。階調7はサ� �フィールドSF1、SF2およびSF3の発光に対応し� �サブフィールドSF2およびSF3の発光強度が低� �するので、発光強度がさらにより大きく低� �する。図9において、例えば、階調6の目標発 光強度は、階調7の実際の発光強度に近く、� �調7で置換できるかもしれないが、階調7の目 標発光強度に近い実際の発光強度を有する別 の階調は存在しない。
 従って、通常の方法による維持パルスの加� ��調整だけでは、様々な異なるサブフィール� ��の組み合わせによって表される階調の発光� ��度の低下を充分に補償することはできない� ��従って、通常の方法では、例えば、或る位� ��における高輝度から別の離れた位置におけ� ��低輝度への輝度傾斜を有するグラデーショ� ��画像を高い画像品質で表示することができ� ��い。

 図10は、本発明の実施形態による、複数の� �ブフィールドSF1~SF6の組み合わせからなる表� ��階調0~63に対する発光強度の低下とその補正 値を示している。この場合、前フィールドの 全てのサブフィールドSF1~SF6が非発光である� �合、現在のフィールドF内の各階調に対応す� ��サブフィールドSFが発光し、1つ以上のサブ� ��ィールドSFの発光/非発光が後続のサブフィ� ��ルドの発光強度に影響を与える。各サブフ� ��ールドSF1~SF6は、表示階調1、2、4、8、16およ び32に対応するフィールドFにおける単一サブ フィールドSFの発光について、例えばサブフ� ��ールドSF1~SF4のパルス数を幾分か減らしサブ フィールドSF5およびSF6のパルス数を幾分か増 やすことによって、維持パルス数を調整し、 それによって発光強度が補正されているもの とする。
 階調3は、サブフィールドSF1およびSF2の発光 に対応し、発光強度が幾分か低下し、階調3� �ピクセルは+0.33レベルだけ隣接ピクセルにお いて補償する。階調5は、サブフィールドSFお よびSF3の発光に対応し、発光強度が幾分か低 下し、階調5のピクセルは+0.2レベルだけ隣接� ��クセルにおいて補償する。階調6は、サブフ ィールドSF2およびSF3の発光に対応し、発光強 度が大きく低下し、階調6のピクセルは+0.5レ� ��ルだけ隣接ピクセルにおいて補償する。階� ��7はサブフィールドSF1、SF2およびSF3の発光に 対応し、発光強度が低下し、階調7のピクセ� �は+1レベルだけ隣接ピクセルにおいて補償す る。階調9~63のピクセルについても同様の形� �で補償する。
 そのために、実施形態では、着目ピクセル� ��ついて、現在のフィールドと前フィールド� ��おける最後のサブフィールドの画像データ� ��ら、テーブルに基づいて前のフィールドお� ��び現在のフィールドにおける複数のサブフ� ��ールドの発光/非発光のパターンを決定する 。その決定されたサブフィールドのパターン に基づいて、実測データに基づく発光強度の 低下の誤差を決定し、その発光強度の誤差を 現在のフィールドにおいて空間的に隣接ピク セルに分散させおよび時間的に後続のフィー ルドにおける着目ピクセルに拡散させて補正 する。
 階調データが3原色RGBに関する階調データで ある場合は、誤差の補正はそれぞれの色成分 毎に行う。

 図11は、本発明の実施形態による、図4のプ� ��ズマ・チューブ・アレイ・ユニット300を有� ��る表示装置10用の発光強度補正回路400の概� �的な構成を示している。
 発光強度補正回路400は、階調データからな� ��ディジタル画像信号αを受け取り補正済み� �ィジタル画像信号を供給する補正処理回路41 0、サブフィールドのパターンに対する補正� �を決定する補正値決定回路430、その補正値� �対する隣接ピクセルにおける補正パターン� �テーブルを格納する記憶装置440、および補� �済みディジタル画像信号のデータを保持す� �補正画像データ・メモリ450を具えている。� �正処理回路410からの補正済み画像信号の出� �は、図4のドライバ制御回路42の入力と、補� �画像データ・メモリ450とに結合される。補� �画像データ・メモリ450は、少なくとも1フィ� ��ルド分の補正済み画像データを保持する。� ��光強度補正回路400はドライバ制御回路42の� �部としてドライバ制御回路42に組み込まれて いてもよい。
 補正処理回路410は、nフィールド分の画像デ ータ・メモリ412を含んでいる。画像データ・ メモリ412は、2つ以上のフィールド・メモリ(n ≧2)を含んでいることが好ましい。
 補正値決定回路430は、前フィールドおよび� ��在フィールドにおけるピクセルの階調値お� ��びそれに対応する複数のサブフィールドの� ��光/非発光のパターンを表すテーブル432、お よび実測データに基づいて作成されたサブフ ィールドの発光/非発光のパターンおよびそ� �に対応する補正値を表すテーブル434を含ん� �いる。記憶装置440は、決定された各補正値� �対して可能な少なくとも1つの補正パターン� ��格納している。その補正パターンは、現在� ��ィールドおよび後続フィールドにおける複� ��の隣接ピクセルおよび着目ピクセルにおけ� ��分散補正値の配分比を示している。1つの補 正値に対して少なくとも1つの補正パターン� �中から1つの補正パターンが、乱数によって� ��ンダムにまたは周期的に順に選択されても� ��い。
 補正処理回路410は、画像信号源からディジ� ��ル画像信号α(階調データ)を受け取って対応 するフィールドの画像データ・メモリ412に格 納し、着目または現在のピクセルを含む複数 ピクセルの階調データのシーケンスを補正値 決定回路430に供給する。補正値決定回路430は 、補正処理回路410からそのピクセル階調デー タのシーケンスを受け取り、補正画像データ ・メモリ450から前フィールドの対応ピクセル の補正済みの階調データを受け取り、発光パ ターン・テーブル432を参照して現在のフィー ルドにおける着目ピクセルおよび前フィール ドにおけるそれに対応する同じピクセルの画 像データに対する複数のサブフィールドの発 光/非発光パターンを決定し、補正値テーブ� �432を参照して着目ピクセルに対するその決� �されたサブフィールドの発光/非発光パター� ��に対応する補正値を決定し、記憶装置440に� ��ける補正パターンのテーブルに従ってその� ��定された補正値に対応する補正パターンを� ��めてその求めた補正パターンを補正処理回� ��410に供給する。

 図12Aおよび12Bは、前のフィールドFn-1、現 在のフィールドFnおよび後続のフィールドFn+1 における発光強度誤差と補正値の関係を示し ている。補正処理回路410は、現在のフィール ドFnにおける着目ピクセルについて、前のフ� ��ールドFn-1から誤差拡散され割り当てられた 可能性ある補正値と、同じフィールドFnにお� ��る前の隣接ピクセルから誤差拡散され割り� ��てられた可能性ある補正値とに従って、フ� ��ールドFnにおける着目ピクセルの階調デー� �を補正して、補正されたフィールドFnにおけ る補正済みの着目ピクセルの階調データを決 定する。次いで、現在のフィールドFnにおけ� ��着目ピクセルについて、前の補正フィール� ��Fn-1の最後のサブフィールドSF6と、現在のフ ィールドFnのサブフィールドSF1~SF6とからなる 複数のサブフィールドの発光/非発光のパタ� �ンから、発光強度の誤差に基づいて補正値� �決定し、その補正値を後続の隣接ピクセル� �よび次のフィールドの同じまたは対応ピク� �ルへ誤差拡散して割り当てるように所定の� �能性ある補正値のパターンを決定し、その� �定された補正値のパターンに従って、同じ� �ィールドFnのその隣接ピクセルおよび次のフ ィールドFn+1の同じピクセルへそれぞれの補� �値を加算する。

 図13は、補正処理回路410の演算部の構成の� �を示している。補正処理回路410は、それぞ� �のピクセルのデータを保持するレジスタR0~R4 と、ピクセルのデータに補正値を加算する加 算器ADD1~ADD4と、ライン・メモリLMと、を含ん� ��いる。レジスタR0~R4は、行j列iの着目ピクセ ルのデータDji、行j列i+1の隣接ピクセルのデ� �タDj(i+1)、行j+1列i-1の隣接ピクセルのデータD (j+1)(i-1)、行(j+1)列iの隣接ピクセルのデータD( j+1)i、および行(j+1)列(i+1)の隣接ピクセルのデ ータD(j+1)(i+1)をそれぞれ保持する。ライン・� ��モリLMは、行jの列i+2以上のデータDjを保持� �る。加算器ADD1~ADD4は、それぞれの入力に結� �されたレジスタR1~R4に、記憶装置440から供給 された補正パターンの補正係数データK1~K4を� ��算して、その加算値をレジスタR0~R3に供給� �る。
 補正処理回路410は、さらに、加算器ADD5と、 レジスタR5、R11とを具えていてもよい。レジ� ��タR5、R11は、次のフィールドFn+1における着� ��ピクセルに対応する同じ行j列iのピクセル� �データDji、および現在のフィールドFnにおけ る行j列iのピクセルの補正係数データD’j(i+1) を保持する。この場合、加算器ADD1は、入力� �結合された隣接ピクセルのデータDj(i+1)に、� ��正係数データK1と、レジスタR11に保持され� �いて前フィールドFn-1において加算された同� ��行j列(i+1)の補正係数データD’j(i+1)とを加算 する。加算器ADD1は、次のフィールドFn+1にお� ��る着目ピクセルと同じ行j列iの補正係数デ� �タDji(初期値=0)に、記憶装置440から取得した� ��正パターンの補正係数データK5を加算する� �レジスタR5中の補正係数データDjiは、補正値 決定回路430中のnフィールド・メモリFMに格納 され、次のフィールドFn+1におけるピクセル� �データDjiの補正において、nフィールド・メ� ��リFMから読み出されてレジスタR11に保持さ� �、加算器ADD1によって同じピクセルのデータD jiに加算される。nフィールド・メモリFMは、� ��正処理回路410中の画像データ・メモリ412に� ��まれていてもよい。
 図11および13の構成全体およびそれぞれの構 成要素の回路の機能は、プログラムに従って 動作する1つ以上のプロセッサの処理によっ� �も同様に実現することができる。この場合� �図11および13はそのような補正処理のための� ��ロー図として見ることができる。

 図14Aは、現在のフィールドFnにおける着� �ピクセルDjiと、参照される前フィールドFn-1� ��対応ピクセルDjiの最後のサブフィールドSF6� ��、分散補正値c1~c4を配分する現在のフィー� �ドFnにおける複数の隣接ピクセルDj(i+1)、D(j+1 )(j-1)~D(j+1)(i+1)の配置を示している。着目ピク セルDjiについて、参照される前フィールドFn- 1の最後のサブフィールドSF6および現在のフ� �ールドFnのサブフィールドSF1~SF6の発光/非発� ��パターンに基づいて、その目標発光強度と� ��際の発光強度の間の誤差cの補正パターンを 表す現在のフィールドFnにおける隣接ピクセ� ��Dj(i+1)、D(j+1)(j-1)~D(j+1)(i+1)における分散補正� ��c1~c4が決定される。補正パターンは、次の� �ィールドFnにおける着目ピクセルと同じ位置 のピクセルDjiに配分される補正値C0を含んで� ��てもよい。

 図14B~14Cは、特定の階調に対する誤差cに� �応する補正値cの分散のパターンの例を示し� ��いる。図14Bにおいて、補正値c=1について、� ��接ピクセルDj(i+1)に分散補正値+1だけ配分さ� ��る。図14Cにおいて、補正値c=2について、隣� ��ピクセルD(j-1)(i+1)、D(j+1)(i+1)にそれぞれ分散 補正値+1だけ配分される。図14Dにおいて、補� ��値c=4について、隣接ピクセルDj(i+1)およびD(j -1)(i+1)~D(j+1)(i+1)にそれぞれ分散補正値+1だけ� �分される。

 図15は、現在のフィールドFnにおける着目 ピクセルDjiと、参照される前フィールドFn-1� �対応ピクセルDjiの最後のサブフィールドSF6� �、分散補正値c1~c11を配分する現在のフィー� �ドFnにおける拡大された隣接ピクセルDj(i+1)~D (j+2)(i+2)の別の配置を示している。着目ピク� �ルDjiについて、参照される前フィールドFn-1� ��最後のサブフィールドSF6および現在のフィ� ��ルドFnにおけるサブフィールドSF1~SF6の発光/ 非発光パターンに基づいて、その目標発光強 度と実際の発光強度の間の誤差cの補正パタ� �ンを表す現在のフィールドFnにおける隣接ピ クセルDj(i+1)~D(j+2)(i+2)における分散補正値c1~c1 1が決定される。補正パターンは、次のフィ� �ルドFnにおける着目ピクセルと同じ位置のピ クセルDjiに配分される補正値C0を含んでいて� ��よい。

 図16は、着目ピクセルDjiについて、現在� �フィールドFnにおけるサブフィールドSF1~SF6� �、前フィールドFn-1の最後のサブフィールドS F6とからなる複数フィールドの発光/非発光の パターンと、それに対応する補正値cとの関� �を表すテーブルを示している。図16において 、着目ピクセルDjiについて、例えば、前フィ ールドFn-1の最後のサブフィールドSF6が非発� �状態であり(OFF)、かつ現在のフィールドFnに� ��けるサブフィールドSF1~SF6の全てが発光状態 である(ON)パターンの場合、補正値cはc=5であ� ��。着目ピクセルDjiについて、例えば、前フ� ��ールドFn-1の最後のサブフィールドSF6が発光 であり(ON)、かつ現在のフィールドFnにおける サブフィールドSF1~SF6が発光である(ON)パター� ��の場合、補正値cはc=7である。

 図17は、着目ピクセルの補正値cと、その� ��正値cを配分する複数の隣接ピクセルに対す る分散補正比のパターンを表すテーブルの例 を示している。図17において、例えば、補正� ��cが0.1と1の間の値である場合は、分散補正� �c1~c4の比を(1:0:0:0)、(0:1:0:0)、(0:0:1:0)または(0: 0:0:1)のいずれかに設定し、選択された1つの� �クセルにのみ補正値cを加算する。例えば、� ��正値c=1~2の場合は、分散補正値c1~c4の比を(1: 0:1:0)または(0:1:0:1)のいずれかに設定し、選択 された2つのピクセルにのみ分割補正値c/2を� �算する。例えば、補正値c=10の場合は、分散� ��正値c1~c11の比を(2:2:2:2:1:0:0:0:1:0:0)に設定し� �選択された4つの隣接ピクセルに分割補正値c /5を加算し、選択された2つの遠い隣接ピクセ ルに分割補正値c/10を加算する。

 上述の実施形態によれば、表示装置10に� �いて着目ピクセルのピクセル・データに対� �するサブフィールドの発光/非発光パターン� ��応じて隣接ピクセルにおいて発光強度を補� ��することによって、プラズマ・チューブ・� ��レイ・ユニット300の表示輝度の低下を抑制� ��ることができる。

 以上説明した実施形態は典型例として挙� ��たに過ぎず、その各実施形態の構成要素を� ��み合わせること、その変形およびバリエー� ��ョンは当業者にとって明らかであり、当業� ��であれば本発明の原理および請求の範囲に� ��載した発明の範囲を逸脱することなく、実� ��形態の種々の変形を行えることは明らかで� ��る。