エレクトロクロミック表示素子とは、第1 電極又は第2電極に相当する、表示電極と対� �電極との間に、エレクトロクロミック(以下� ��ECと略称する。)特性を示す発色層及び電解� ��層を形成したものである。そして、電極に� ��電圧・逆電圧をかけることによって、発色/ 消色を繰り返す反射型の表示素子である。ま ず、表示電極が形成される第1基板の構成に� �いて図1A及び図1Bを用いて説明する。図1Aは� �表示電極が形成される第1基板の構成を示す� ��略上面図である。図1Bは、図1AのIB-IB概略断� ��図である。

 図1Bに示すように、第1基板10の基材1上に� ��、基材1とは垂直方向に、隔壁2が形成され� �いる。すなわち、第1基板10には、一辺が開� �した矩形状の断面形状を有する複数の凹部(� ��口部)3が形成されている。なお、この凹部3� ��、EC表示素子の画素に対応して形成される� �第1基板10は、隔壁上面領域4、隔壁側面領域5 、基材上面領域6、基材裏面7という各部を有� ��る。すなわち、凹部3の底面が基材上面領域 6であり、凹部の側面が隔壁側面領域5である� ��また、図1Aに示すように、隔壁2は格子状に� ��成される。すなわち、隔壁2に取り囲まれた 凹部3は、矩形状の上面形状を有し、マトリ� �ス状に形成される。従って、第1基板10の凹� �3に対応する画素は、マトリクス状に配置さ� ��る。

 ここで、基材1と隔壁2とが一体的に形成� �れてもよい。すなわち、隔壁上面領域4、隔� ��側面領域5、基材上面領域6、及び基材裏面7� ��各部が同一材料であり、且つ接合部分のな� ��一体型であってもよい。もちろん、基材1上 に異種材料の隔壁2を設けてあってもよい。� �材1と隔壁2とを一体的に形成する手法として は、特に限定されないが、公知手法が適用さ れ得る。例えば、熱可塑性樹脂を用いたホッ トエンボス、押出成形、射出成形、またはガ ラス成形などの手法が挙げられる。基材1上� �異種材料の隔壁2を設ける手法としては、特� ��限定されないが、公知手法が適用され得る� ��例えば、ガラスまたは樹脂基板上に光硬化� ��樹脂または熱硬化性樹脂を用いてフォトリ� ��グラフィー、加熱硬化、光ナノインプリン� ��などの手法で隔壁2を形成することができる 。または、マイクロコンタクトプリントと呼 ばれる手法で隔壁2を形成することもできる� �さらには、隔壁2と基材1の間に接着層を設け てこれらを接着させてもよい。

 図1A及び図1Bでは、凹部3の断面形状を一� �が開口した矩形状とし、凹部3の上面形状を� ��形状としたがこれに限られない。ここで、� ��2A及び図2Bに、第1基板10の他の構成を示す。 図2Aは第1基板10の他の構成を示す概略上面図� ��図2Bは第1基板10の他の構成を示す概略断面� �である。

 図2Aに示すように、隔壁2に取り囲まれた基� ��上面領域6の上面形状、すなわち凹部3の上� �形状としては、三角形、四角形、六角形、� �どの多角形、円、楕円などの曲線形状など� �挙げられる。第1基板10上において、凹部3内� ��基材上面領域6には、後述する第1発色層が� �成され、EC表示素子の発色部分、すなわち画 素として機能する。このため、EC表示素子と� ��ての易製造性、画像視認性などのバランス� ��考慮すると、基材上面領域6の各面積が10 ² ~5×10 ⁵ μm ² であり、且つ基材上面領域6の距離は、各基� �上面領域6のエッジからエッジまで15~450μmで� ��ることが望ましい。また、基材上面領域6の 隔壁2に対する割合は、0.05~100であることが望 ましい。

 図2Bに示すように、隔壁2によって形成さ� ��る凹部3の断面形状としては、一辺が開口し た矩形、台形や、半円形、半楕円形などの形 状が挙げられる。この隔壁2によって形成さ� �る空間内、すなわち凹部3内に、後述するπ� �子系共役モノマーと電解質を含む物質が充� �される。このため、液充填性、EC表示素子全 体としての薄膜性、強度などのバランスを考 慮すると、隔壁2の高さが3~100μmであることが 望ましい。

 第1基板10の基材1の構成材料としては、ガ ラス、石英などであってもよいし、ポリスチ レン(PS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)な� �のポリアクリレート、スチレン-メチルメタ� ��リレート共重合体(MS)などのスチレンーアク リレート共重合体、ポリカーボネート(PC)、� �リノルボルネンなどのシクロオレフィンポ� �マー(COP)、シクロオレフィンコポリマー(COC)� ��ポリ乳酸、ポリエチレンテレフタレート(PET )、ポリエチレンナフタレート(PEN)など、可撓 性を有する透明樹脂であるのが好ましい。

 また、反射型表示素子として入射光を最� ��限に利用するためには、第1基板裏面7には� �射防止構造(モス・アイ構造)と呼ばれる光の 反射を抑制する構造体の層が設けられている ことが望ましい。反射防止構造の形状として は、反射率を抑制する効果が期待される公知 の形状であれば特に制限されないが、たとえ ば、円錐、多角錐などが挙げられる。

 これら円錐、多角錐などの底面のエッジ� ��らエッジまでの最長部の距離は100~300nmのサ� ��ズが望ましく、高さはその0.5倍~7倍である� �とが望ましい。ここで、反射防止構造の構� �体と第1基板10とが一体的に形成されてもよ� �。すなわち、反射防止構造の構造体は第1基� ��10と同一材料であり、且つ接合部分のない� �体型であってもよい。もちろん、予め別の� �板上に反射防止構造を作製し、第1基板10裏� �上に接着剤などで貼り合わせてもよい。反� �防止構造の構造体と第1基板10とが一体的に� �製する手法としては、特に限定されないが� �公知手法が適用され得る。例えば、熱可塑� �樹脂を用いたホットエンボス、押出成形、� �出成形、またはガラス成形などの手法が挙� �られる。予め別の基板上に反射防止構造を� �製する手法としては、特に限定されないが� �公知手法が適用され得る。たとえば、ガラ� �または樹脂基板上に光硬化性樹脂、または� �硬化性樹脂を用いてフォトリソグラフィー� �加熱硬化、光ナノインプリントなどの手法� �マイクロコンタクトプリントと呼ばれる手� �などが挙げられる。そして、作製された反� �防止構造を第1基板10裏面上に接着材などで� �り合わせる。ここで、上記の手法において� �、反射率を抑制するために、第1基板10の構� �材料が有する屈折率、反射防止構造が作製� �れる別の基板の屈折率、反射防止構造の構� �材料が有する屈折率、接着層の屈折率はで� �るだけ近しいことが望ましい。好ましくは� �4者の屈折率差が0.01~0.3程度の範囲内に収ま� �ことが望まれる。

 上記の第1基板10上には、表示電極が形成� ��れる。次に、表示電極の構成について図3A~� ��3Dを用いて説明する。図3Aは、表示電極が形 成された第1基板10の構成を示す概略上面図で ある。図3Bは、図3AのIIIB-IIIB概略横断面図で� �る。図3Cは、図3AのIIIC-IIIC概略縦断面図であ� ��。図3Dは、表示電極が形成された第1基板10� �構成を示す概略斜視図である。なお、本発� �にかかるEC表示素子の構成を、能動型駆動(� �クティブマトリクス)のEC表示素子に適用し� �もよいが、以下に示す説明及び参照する図� �では、受動型駆動(パッシブマトリクス)のEC� ��示素子として説明する。

 第1基板10上に、第1導電層11が形成される� ��また、第1導電層11は、表示電極として機能� ��るため、少なくとも基材上面領域6を覆うよ うに形成される。また、ここでは、基材上面 領域6のみならず、隔壁側面領域5も覆うよう� ��、すなわち凹部3全体を覆うように形成され る。また、図3Aに示すように、第1導電層11は� ��複数の基材上面領域6に亘って、直線状に複 数形成される。また、複数の第1導電層11は、 それぞれが平行になるように形成される。こ のように、第1導電層11は、表示電極が形成さ れた凹部3と、表示電極が形成され、当該凹� �3と隣接する凹部3のうち、多くとも2つの凹� �3とを接続するように形成される。

 換言すると、1つの凹部3に着目した場合� �隣接する凹部3のうち、多くとも2つの凹部3� �接続するように、第1導電層11が形成される� �図3Bに示されるように、例えば左から2番目� �凹部3に着目した場合、左右に隣接する2つの 凹部3を接続するように第1導電層11が形成さ� �る。すなわち、横断面においては、第1基板1 0を覆うように、すなわち隔壁上面領域4、隔� ��側面領域5、基材上面領域6上に第1導電層11� �形成される。一方、図3Cに示されるように、 上下に隣接する2つの凹部3は、第1導電層11に� ��って接続されない。具体的には、縦断面に� ��いては、第1導電層11は、隔壁上面領域4には 形成されず、分離して形成される。このよう に、第1導電層11は、多くとも2つの隣接する� �材上面領域6を連結するように形成される。� ��た、第1導電層11は、反射型表示素子におけ� ��入射光が透過する部分であるため、全光線� ��過率が70%以上であることが望ましい。

 そして、第1導電層11上に、第1導電層11と� ��様、直線状に第2導電層13が複数形成される� ��すなわち、第1導電層11と同様、第2導電層13� ��、多くとも2つの隣接する基材上面領域6を� �結するように形成される。また、第2導電層1 3は、第1導電層11より、幅が狭く形成される� �すなわち、第1導電層11と異なり、基材上面� �域6の一部に、第2導電層13は形成される。第2 導電層13は、表示電極ではなく、例えば走査� ��圧を供給する電気的配線として機能するた� ��、少なくとも、表示電極が形成された基材� ��面領域6を連結するように形成されていれば よい。すなわち、第2導電層13は、隣接する基 材上面領域6上の表示電極同士を所定の方向� �電気的に接続するために隔壁2上に形成され� ��いる。なお、所定の方向とは、直線状、曲� ��状、ジグザグ状など、様々な方向とするこ� ��ができる。好ましくは、図3Aに示されるよ� �に、直線状の方向に表示電極が接続されて� �るのがよい。上記のような構成により、第2� ��電層13に供給された走査電圧が表示電極(第1 導電層11)に供給される。そして、EC表示素子� ��受動型駆動させて、後述する各画素を独立� ��に機能させることができる。

 このように、電気的配線としての第2導電 層13は、表示電極としての第1導電層11と接触� ��ている。このため、第1導電層11としては、� ��電性がそれほど高くない材料を用いること� ��可能である。すなわち、光透過性を重視し� ��導電性材料を用いることができる。一方、� ��2導電層13は、第1導電層11と異なり、少なく� ��も基材上面領域6を連結するように形成され ていればよい。このため、第2導電層13として は、光透過性がそれほど高くない材料を用い ることも可能である。すなわち、導電性を重 視した導電性材料を用いることができる。こ のように、表示電極と電気的配線とを別途形 成することにより、高い光透過性と高い導電 性とを兼ね備える材料でなくても用いること ができる。

 そして、隔壁上面領域4において、第2導� �層13又は隔壁2上に、絶縁層14が形成される。 これは、第1基板10上の第2導電層13と、後述す る第2基板上の導電性材料、具体的には第3導� ��層や白色層とが接触することを抑制するた� ��である。つまり、EC素子回路として電極同� �が接触し、ショートすることを防ぐ目的で� �けるものである。表示電極、電気的配線等� �、以上のように構成される。

 また、表示電極の構成は、上記の構成に� ��られない。ここで、表示電極の他の構成に� ��いて図4A~図4Dを用いて説明する。図4Aは、表 示電極が形成された第1基板10の他の構成を示 す概略上面図である。図4Bは、図4AのIVB-IVB概� ��横断面図である。図4Cは、図4AのIVC-IVC概略� �断面図である。図4Dは、表示電極が形成され た第1基板10の他の構成を示す概略斜視図であ る。

 図4B及び図4Cに示されるように、第1基板10 上に、第2導電層13は形成されず、第1導電層11 及び絶縁層14のみが形成された構成とする。� ��なわち、第1基板10上には、図3A~図3Dに示さ� �た場合と同様、第1導電層11が形成される。� �お、ここでは、各凹部3における4つの隔壁側 面領域5のうち、対向する2つの隔壁側面領域5 には、第1導電層11が形成されない。図4A~図4D� ��おいては、第1導電層が表示電極及び電気的 配線として機能する。すなわち、表示電極及 び電気的配線が一体的に形成される。そして 、隔壁上面領域4において、第1導電層11又は� �壁2上に、絶縁層14が形成される。これは、� �記と同様、EC素子回路として電極同士が接触 し、ショートすることを防ぐ目的で設けるも のである。このように、隔壁2を有する第1基� ��10上に、表示電極及び電気的配線が形成さ� �、EC表示素子として機能すればどのような構 成としてもよい。

 第1導電層11を構成する材料としては、全� ��線透過率を70%以下に低下させなければ表示� ��子としての視認性を損なうことがないため� ��特に限定されないが、金属及び金属酸化物� ��導電性炭化物、導電性高分子(導電性ポリマ ー)、並びにこれらの組み合わせ及び合金な� �からなる材料が挙げられる。例えば、金属� �び金属酸化物の例として、リチウム、ベリ� �ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロ� �チウム、バリウム、ホウ素、アルミニウム� �ガリウム、インジウム、銀、金、銅、ニッ� �ル、パラジウム、白金、クロム、モリブデ� �、タングステン、マンガン、コバルト、及� �これらの酸化物、並びにそれらの組み合わ� �または合金が挙げられる。特に好適には、� �ンジウム-錫酸化物(ITO)、アンチモンドープ� �酸化物(ATO)、アンチモンドープ亜鉛酸化物(AZ O)、酸化亜鉛(ZnO)、銀などが挙げられる。ま� �、第2導電層13を構成する材料として、第1導� ��層11と同様の材料を用いることができる。

 例えば、導電性炭化物の例として、シング� ��ウォールカーボンナノチューブ(SWCNT)、ダブ ルウォールカーボンナノチューブ(DWCNT)、あ� �いはマルチウォールカーボンナノチューブ(M WCNT)、カーボンナノシート(グラフェンシート )などが挙げられる。
 例えば、導電性高分子の例として、ポリ(エ チレン-3,4-ジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリ� �ニリン誘導体、ポリピロール誘導体などが� �げられる。

 絶縁層14を構成する材料としては、電極間� �バリアとして機能し得る任意の適切な材料� �らなる。絶縁層14は、電気バリアを提供し、 そして上記の導電層間を電気的にショートす ることを防ぎ得る。従って、絶縁層14は、実� ��的にピンホールを含まず、そして約10 ⁸ ωcm以上、好ましくは約10 ¹² ωcm以上の電気抵抗を有する高抵抗率材料か� �作製されることが望ましい。適切な高抵抗� �材料としては、窒化ケイ素、窒化ホウ素、� �化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミ� �ウム、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン� �およびパリレン(parylen)が含まれるが、これ� �に限定されない。

 ここで、絶縁層14が黒色であることが好� �しい。これにより、マトリクス状に配列さ� �た凹部3、すなわち画素以外の部分の光を遮� ��ための膜(ブラックマトリクス)として機能� �せることができる。そして、コントラスト� �向上させることができる。黒色化させるに� �、カラーレジストと呼ばれる感光性樹脂を� �いてもよいし、カーボンブラックなどの炭� �物を、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可� �性エラストマーなどに導電化しない程度に� �入してもよい。

 上記の第1基板10には対向電極が形成され� ��第2基板20が対向配置される。ここで、対向� ��極が形成された第2基板20の構成について図5 A~図5Fを用いて説明する。図5A~図5Fは、対向電 極が形成された第2基板20の構成を示す概略断 面図である。

 図5Aに示すように、第2基板20には、第3導� ��層21が分離して複数形成される。第2基板20� �しては、第1基板10と同様のものを用いるこ� �ができる。複数の第3導電層21は、それぞれ� �平行になるように形成される。この第3導電� ��21が対向電極として機能する。また、電極� �形成された第1基板10と第2基板20とを対向配� �した際に、第3導電層21は第1基板10上の第1導� ��層11や第2導電層13と交差するように形成さ� �る。また、凹部3に画素が配置されるため、� ��れらは第1基板10の凹部3で交差するようにす る。すなわち、凹部3において、表示電極と� �向電極とが対向配置される。本実施の形態� �おいては、第3導電層21と第1導電層11、及び� �3導電層21と第2導電層13とが垂直になるよう� �形成される。そして、第3導電層21に表示電� �が供給されることにより、EC表示素子を受動 型駆動させることができる。

 また、図5B~図5Fに示されるように、少な� �とも対向電極として機能する導電性材料が� �記のように形成されていれば、第2基板20側� �構成として種々の構成を採用できる。図5Bで は、第3導電層21の代わりに、導電性を有する 白色層22を形成する。図5Cでは、第2基板20側� �ら、第3導電層21、白色層22が順次形成された 積層構造とする。図5Dでは、第2基板20側から� ��第3導電層21、第2発色層23、白色層22が順次� �成された積層構造とする。図5Eでは、第2基� �20側から、第3導電層21、第2発色層23が順次形 成された積層構造とする。図5Fでは、第2基板 20側から、白色層22、第2発色層23が順次形成� �れた積層構造とする。このように、例えば� �第2基板20-第3導電層21、第2基板20-第3導電層21 -白色層22、第2基板20-第3導電層21-第2発色層23� ��第2基板20-第3導電層21-第2発色層23-白色層22� �第2基板20-白色層22、第2基板20-白色層22-第2発 色層23の6通りが考えられる。また、以上の組 み合わせの場合、第2基板20に形成される導電 性材料、具体的には第3導電層21又は白色層22� ��対向電極として機能する。

 なお、白色層22は、第2基板20-第3導電層21� ��第2基板20-第3導電層21-第2発色層23などの場� �においては、第2基板20裏面に白色層22を設け てもよい。このような白色層22を設けること� ��よって、後述する第1基板10上の第1発色層を 透過して来た光が第2基板20上や裏面の白色層 22によって反射され、再度第1発色層を透過し て観察者に視認される。これにより、EC表示� ��子の表示特性が向上する。

 第2発色層23を設ける場合、表示電極と対� ��電極との間において、後述する電解質層を� ��して、第1発色層と第2発色層23とが対向配置 される構成となる。これにより、例えば第1� �色層で酸化反応が起こった場合、第2発色層2 3でその対反応である還元反応が起こる。す� �わち、EC表示素子全体として、電子の授受が 成立するため、EC表示素子の寿命、応答速度� ��どを高めることができる。また、第2発色層 23自体もエレクトロクロミックにより色変化� ��起こす。このため、第1発色層を透過して来 た光が第2発色層23を透過もしくは反射すると 、色調を更に変化させてしまうことになるた め、注意が必要である。このことを防ぐため には、第2発色層23の上に白色層22を積層させ� ��ことで、白色層22で第2発色層23の色変化を� �すことができる。

 第3導電層21を構成する材料としては、特� ��限定されないが、金属及び金属酸化物、導� ��性炭化物、導電性高分子(導電性ポリマー)� �並びにこれらの組み合わせ及び合金などか� �なる材料が挙げられる。たとえば、金属及� �金属酸化物の例として、リチウム、ベリリ� �ム、マグネシウム、カルシウム、ストロン� �ウム、バリウム、ホウ素、アルミニウム、� �リウム、インジウム、銀、金、銅、ニッケ� �、パラジウム、白金、クロム、モリブデン� �タングステン、マンガン、コバルト、及び� �れらの酸化物、並びにそれらの組み合わせ� �たは合金が挙げられる。特に好適には、イ� �ジウム-錫酸化物(ITO)、アンチモンドープ錫� �化物(ATO)、アンチモンドープ亜鉛酸化物(AZO)� ��酸化亜鉛(ZnO)、銀などが挙げられる。

 たとえば、導電性炭化物の例として、シン� ��ルウォールカーボンナノチューブ(SWCNT)、ダ ブルウォールカーボンナノチューブ(DWCNT)、� �るいはマルチウォールカーボンナノチュー� �(MWCNT)、カーボンナノシート(グラフェンシー ト)、などが挙げられる。
 たとえば、導電性高分子の例として、ポリ( エチレン-3,4-ジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポ� �アニリン誘導体、ポリピロール誘導体など� �挙げられる。

 第2発色層23を構成する材料としては、無機� ��、有機系、有機-無機複合体系であって、酸 化または還元により変色するエレクトロクロ ミックを呈する材料であれば任意の材料を使 用することができる。例えば無機系としては 、IrO _x 、NiO _x 、WO ₃ 、MoO ₃ 、TiO ₂ 、RuO _x 、Ag、AgCl、ZrO _x 、CeO _x などが挙げられる。

 また、例えば有機系としては、ビオロー� ��ン誘導体、テレフタル酸誘導体などの低分� ��有機化合物;アニリン;主鎖にホウ素を導入� �きる構造を有するπ電子系共役モノマー;ピ� �ンに代表される芳香環の一部の炭素が酸素� �置換されたπ電子系共役モノマー;2,3-ジアル� ��ルフェニル、2,5-ジアルキルフェニル、2,3,5, 6-テトラアルキルフェニル、2,3-アルコキシフ ェニル、2,5-アルコキシフェニル、2,3,5,6-テト ラアルコキシフェニル、2-(N,N,-ジアルキルア� ��ノ)フェニル、2,5-ジ(N,N,-ジアルキルアミノ)� ��ェニル、2,3-ジ(N,N,-ジアルキルアミノ)フェ� �ル、p-フェニレンオキシド、p-フェニレンス� ��フィド、p-フェニレンアミノ、p-フェニレン ビニレン、フルオレンなどのベンゼン誘導体 ;ナフタレン、アントラセン、テトラセン、� �ンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ナフ� �レンビニレン、ペリナフタレン、アミノピ� �ン、フェナントレンなどのアセン誘導体;N-� �ルキルカルバゾールなどのカルバゾール誘� �体;ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、� ��ラジン、キノリン、プリンなどのピリジン� ��導体;3-アルキルフランなどのフラン誘導体; N-アルキルピロール、エチレン-3,4-ジオキシ� �ロール、プロピレン-3,4-ジオキシピロールな どのピロール誘導体;チオフェンビニレン、� �ルキルチオフェン、エチレン-3,4-ジオキシチ オフェン、プロピレン-3,4-ジオキシチオフェ� ��、チエノチオフェン、チエノフラン、チエ� ��ピラジン、イソチアナフテンなどのチオフ� ��ン誘導体;及びアセチレン、オキサジアゾー ル、チアジル、セレノフェン、テルロフェン 、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール 、ピラゾール、イソキサゾール、イソチアゾ ール、ベンゾトリアゾール、ピラン、ベンゾ チアジアゾール、ベンゾオキサジアゾールな どのπ電子系共役化合物、からなる群から選� ��れる少なくとも1つの化合物で構成される電 子系共役高分子などが挙げられる。

 例えば、有機-無機複合体系としては、ア ルミニウム、チタン、インジウム、カドミウ ム、マンガン、鉄、銅、銀、スズ、アンチモ ン、鉛、ナトリウム、ルテニウム、カルシウ ム、ニッケルなどの金属を含む配位子と、そ の配位子と水素結合、イオン結合、静電気的 引力、原子間力などの結合によって結合する 部位を少なくとも一つ有する有機化合物との 複合体が挙げられる。有機-無機複合体系に� �いて更に詳細に例示すれば、プルシアンブ� �ー誘導体、フェロセン誘導体などが挙げら� �る。

 白色層22を構成する材料としては、特に� �定されないが、公知の物質が適用され得る� �例えば、酸化チタン、炭酸カルシウム、銀� �発泡樹脂、プルシアンブルー誘導体、ITO、AT O、AZO、ZnO、絶縁性炭化物、異屈折率樹脂の� �積層体などが挙げられる。白色層22は導電性 物質で構成されていてもよいし、イオン伝導 性物質で構成されていてもよい。また、白色 層22は絶縁性材料で形成されてもよい。

 そして、上記の第1基板10と、第2基板20と� ��電極を内側にして対向配置させることによ� ��、EC表示素子となる。次に、EC表示素子の全 体構成について図6、図7を用いて説明する。� ��6は、第1基板10と第2基板20とが対向配置され る状態を示す概略上面図である。図7は、EC表 示素子の構成を示す概略横断面図である。こ こでは、図3A~図3Dに示した第1基板10を用い、� ��5Aに示される第2基板20を用いる。もちろん� �これに限らず、上記のような種々の構成を� �する第1基板10及び第2基板20を組み合わせて� �よい。

 図6に示されるように、第1基板10と第2基� �20とは、第1導電層11及び第2導電層13と、第3� �電層21とが交差する部分が画素となるように 対向配置される。ここでは、第1導電層11及び 第2導電層13と、第3導電層21とは直交する。す なわち、第1基板10の基材上面領域6上に、第2� ��板20の第3導電層21が配置される。これによ� �、受動型駆動が可能となる。また、図7に示� ��れるように、第1基板10上に形成された絶縁� ��14と、対向電極等が形成された第2基板20と� �接触している。そして、第1基板10の基材上� �領域6において、表示電極と対向電極との間� ��は第1発色層30及び電解質層31が形成される� �具体的には、基材上面領域6において、第1導 電層11及び第2導電層13上に、これらと接して� ��第1発色層30が形成される。すなわち、第1発 色層30は、画素ごとに形成される。なお、画� ��ごとに、例えば減法混色に用いられるシア� ��(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)の発色が可能� ��色素を第1発色層30に適用してそれぞれに塗� ��分け、並置混合法によりフルカラー表示を� ��うことができる。

 第1発色層30は、第1導電層11及び第2導電層 13に接して形成される。また、図4A~図4Dに示� �れる第1基板10を用いた場合、第1発色層30は� �第1導電層11に接して形成される。このよう� �、第1発色層30は、少なくとも第1導電層11又� �第2導電層13と接している必要がある。第1発� ��層30は、基材上面領域6の略全面に形成され� ��。ここでは、第1発色層30は、π電子系共役� �ノマー由来のπ電子系共役高分子膜を有する 。そして、第1基板10と第2基板20との間には、 電解質層31が充填されている。すなわち、凹� ��3において、第1基板10の第1発色層30と、第2� �板20の第3導電層21との間に電解質層31が充填� ��れている。このように、電解質層31は、少� �くとも第1発色層30と第3導電層21に接してい� �必要がある。これは、図5B~図5Fに示される第 2基板20を用いた場合も同様に、第2基板20上に 形成された第3導電層21、白色層22、又は第2発 色層23は、電解質層31に接している必要があ� �。

 また、EC表示素子は、上記の構成に限ら� �、例えば図8に示される構成とすることも可� ��である。図8は、EC表示素子の他の構成を示� ��概略横断面図である。

 図8に示されるEC表示素子は、図7に示され るEC表示素子とは異なり、第2基板20と絶縁層1 4とが接していない。そして、第2基板20と絶� �層14との間には、電解質層31が充填される。� ��れ以外の構成は、図7に示されるEC表示素子� ��同様なので説明を省略する。このように、� ��2基板20は絶縁層14と接していてもよいし、� �部分、電解質層31と接していてもよい。

 また、上記のEC表示素子において、第1発� ��層30と表示電極との間、及び第2発色層23と� �向電極との間のうち、少なくともいずれか� �方にコーティング材料を挿入してもよい。� �なわち、第1発色層30と第1導電層11との間、� �2発色層23と白色層22との間、及び第2発色層23 と第3導電層21との間のうち、少なくとも1つ� �コーティング材料を挿入してもよい。また� �コーティング材料としては、半導体多孔質� �を用いることが望ましい。これは、コーテ� �ング材料を半導体層とすることにより、開� �路を構成した際に、第1基板10上の導電層と� �2基板20上の導電層間の電子の移動を遮断す� �ためである。これにより、第1発色層30及び� �2発色層23のうち、少なくともいずれか一方� �酸化還元状態を保持することができる。ま� �、第2発色層23を設けない場合、つまり第1発� ��層30の対反応が起こらない場合においても� �多孔質層とすることによって、表面積が大� �くなり、電気容量を大きく取れる。そして� �電気二重層を形成することができ、開回路� �態においても、第1発色層30の酸化/還元状態� ��保持することができる。

 第1発色層30には、π電子系共役モノマー� �来のπ電子系共役高分子膜が含まれる。π電� ��系共役モノマーは、電気化学重合によって� ��膜可能な化合物であれば特に限定されない� ��、アニリン;主鎖にホウ素を導入できる構造 を有するπ電子系共役モノマー;ピランに代表 される芳香環の一部の炭素が酸素に置換され たπ電子系共役モノマー;2,3-ジアルキルフェ� �ル、2,5-ジアルキルフェニル、2,3,5,6-テトラ� �ルキルフェニル、2,3-アルコキシフェニル、2 ,5-アルコキシフェニル、2,3,5,6-テトラアルコ� ��シフェニル、2-(N,N,-ジアルキルアミノ)フェ� ��ル、2,5-ジ(N,N,-ジアルキルアミノ)フェニル� �2,3-ジ(N,N,-ジアルキルアミノ)フェニル、p-フ� ��ニレンオキシド、p-フェニレンスルフィド� �p-フェニレンアミノ、p-フェニレンビニレン� ��フルオレンなどのベンゼン誘導体;ナフタレ ン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン 、ヘキサセン、ヘプタセン、ナフチレンビニ レン、ペリナフタレン、アミノピレン、フェ ナントレンなどのアセン誘導体;N-アルキルカ ルバゾールなどのカルバゾール誘導体;ピリ� �ジン、ピリダジン、トリアジン、ピラジン� �キノリン、プリンなどのピリジン誘導体;3-� �ルキルフランなどのフラン誘導体;N-アルキ� �ピロール、エチレン-3,4-ジオキシピロール、 プロピレン-3,4-ジオキシピロールなどのピロ� ��ル誘導体;チオフェンビニレン、アルキルチ オフェン、エチレン-3,4-ジオキシチオフェン� ��プロピレン-3,4-ジオキシチオフェン、チエ� �チオフェン、チエノフラン、チエノピラジ� �、イソチアナフテンなどのチオフェン誘導� �;及びアセチレン、オキサジアゾール、チア� ��ル、セレノフェン、テルロフェン、イミダ� ��ール、オキサゾール、チアゾール、ピラゾ� ��ル、イソキサゾール、イソチアゾール、ベ� ��ゾトリアゾール、ピラン、ベンゾチアジア� ��ール、ベンゾオキサジアゾールなどのπ電� �系共役化合物、からなる群から選ばれる少� �くとも1つの化合物を含んでいるものが例示� ��きる。また、第1発色層30のみならず、第2発 色層23も上記の材料を用いて電気化学重合さ� ��ることも可能である。さらには、第1発色層 30を第2発色層23と同様の材料から構成するこ� ��も可能である。

 また、発色層30及び電解質層31は、後述す るように、π電子系共役モノマーと電解質と� ��含むモノマー含有電解質層から形成される� ��π電子系共役モノマーの濃度は、モノマー� �有電解質に対して、0.001~1.0[モル/l]の濃度で� ��ればよく、好ましくは0.01~0.5[モル/l]の濃度� ��ある。π電子系共役モノマーの濃度が0.001[� �ル/l]以下であれば、電気化学重合により製� �しても発色層として使用するに不十分な膜� �であったり、製膜性に乏しかったりするた� �である。一方、π電子系共役モノマーの濃度 が1.0[モル/l]以上であれば、電気化学重合に� �り製膜されなかった未反応モノマーが多く� �りすぎ、紫外線照射、もしくは加熱処理に� �って失活させる工程が必須になる。また、� �の失活工程においても残モノマーが出てし� �った場合は、その後、順電圧・逆電圧をか� �て発色・消色を繰り返す度に、意図しない� �板側にも製膜されてしまうため好ましくな� �。

 電解質層31としては、どのような形態の電� �質であっても構わない。例えば溶液状のも� �ならばイオン伝導度が大きいために応答速� �、駆動電圧・電流を小さくすることが出来� �。また、ゲル状及び固体状のものならば漏� �することがない信頼性の高い素子を提供す� �ことが出来る。溶液状の電解質としては、� �セトニトリル、ブチロラクトン、炭酸プロ� �レン、テトラヒドロフランなどの有機溶媒� �、支持電解質として、LiClO ₄ 、LiAsF ₆ 、LiPF ₆ 、LiBF ₄ などのリチウム塩;(C ₄ H ₉ ) ₄ N ⁺ BF ₄ ^- 、(C ₄ H ₉ ) ₄ N ⁺ PF ₆ ^- 、NH ₄ BF ₄ ^- 、NH ₄ PF ₆ ^- などのアンモニウム塩;p-トルエンスルホン酸 ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナ トリウムなどのスルホン酸塩、などを溶解さ せたものを用いることが一般的である。

 電解質中に支持電解質を含む場合、モノ� ��ー含有電解質に対して、0.1~5.0[モル/l]の支� �電解質濃度であればよく、好ましくはπ電子 系共役モノマーの濃度の約5~10倍である。支� �電解質濃度が0.1[モル/l]以下であれば、イオ� ��伝導が不十分であり、π電子系共役モノマ� �の電気化学重合を実行できない可能性があ� �。さらには、その後、順電圧・逆電圧をか� �て発色・消色を繰り返す際に、応答速度が� �い、発色ムラが生じるなどの問題を起こす� �能性が高いため好ましくない。一方、支持� �解質濃度が5.0[モル/l]以上であれば、支持電� ��質が飽和状態になり易く、析出してしまう� ��能性が高く好ましくない。

 また、電解質層として、効率向上や安全� ��向上を目的に常温溶融塩(イオン液体)を用� �てもよい。イオン液体としては、以下に示� �アニオン及びカチオンの任意の組み合わせ� �ものを用いることが出来る。例えば、アニ� �ンとして、テトラフルオロボーレート、ヘ� �サフルオロフォスフェート、トリフルオロ� �チルスルフォニルイミド、ペンタフルオロ� �チルスルフォニルイミドなどを有する化合� �が挙げられる。例えば、カチオンとして、� �チルメチルイミダゾリウムやメチルブチル� �ミダゾリウムなどのイミダゾリウム系カチ� �ン、ブチルメチルピロリジニウムやブチル� �リジニウムなどのピロリジニウム系カチオ� �、ブチルトリメチルアンモニウムやジエチ� �メトキシエチルメチルアンモニウムなどの� �ンモニウム系カチオンなどを有する化合物� �挙げられる。イオン液体を用いることで、� �速応答性、良好なメモリー性を実現するこ� �が出来る。

 また、固体状の電解質としては、Ta ₂ O ₅ 、MgF ₂ などの固体電解質が用いられる。また、高分 子固体電解質としては、ポリスチレンスルホ ン酸、ナフィオン(登録商標)などのようにイ� ��ン伝導を担う置換基を導入した高分子固体� ��解質を用いてもよいし、マトリクス(母材)� �分子材料中に支持電解質を分散させたもの� �用いてもよい。マトリクス高分子としては� �骨格ユニットがそれぞれ-(C-C-O) _n -、-(C-C-N) _n -、-(C-C-S) _n -で表されるポリエチレンオキサイド、ポリ� �チレンイミン、ポリエチレンスルフィドが� �げられる。これらを主鎖構造として、枝分� �れがあってもよい。また、ポリメチルメタ� �リレート、ポリフッ化ビニリデンクロライ� �、ポリカーボネートなども好ましい。固体� �電解質を形成する際には、前記マトリクス� �分子に所要の可塑剤を加えてもよい。好ま� �い可塑剤としては、マトリクス高分子が親� �性の場合には、水、エチルアルコール、イ� �プロピルアルコールおよびこれらの混合物� �が好ましく、疎水性の場合にはプロピレン� �ーボネート、ジメチルカーボネート、エチ� �ンカーボネート、γ-ブチロラクトン、アセ� �ニトリル、スルフォラン、ジメトキシエタ� �、エチルアルコール、イソプロピルアルコ� �ル、ジメチルフォルムアルデヒド、ジメチ� �スルフォキシド、ジメチルアセトアミド、n- メチルピロリドンおよびこれらの混合物が好 ましい。また、前記マトリクス高分子中に分 散せしめる支持電解質としては、例えばLiCl� �LiBr、LiI、LiBF ₄ 、LiClO ₄ 、LiPF ₆ 、LiCF ₃ SO ₃ などのリチウム塩や、例えばKCl、KI、KBrなど� ��カリウム塩や、例えばNaCl、NaI、NaBrなどの� �トリウム塩、或いは、例えばホウフッ化テ� �ラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラエ� �ルアンモニウム、ホウフッ化テトラブチル� �ンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモ� �ウム、テトラブチルアンモニウムハライド� �どのテトラアルキルアンモニウム塩を挙げ� �ことが出来る。上述の4級アンモニウム塩(テ トラアルキルアンモニウム塩)のアルキル鎖� �は不揃いでもよい。

 次に、上記のEC表示素子の受動駆動方法� �ついて説明する。ここでは、一例として、� �7に示されたEC表示素子について説明する。� �ず、時系列的に第2導電層11及び第3導電層21� �順次選択し、第2導電層11に走査電圧、第3導� ��層21に表示電圧を印加する。これにより、� �択された第2導電層11と第3導電層21とが交差� �た画素に順電圧・逆電圧が印加される。そ� �て、電解質層31を通して第1発色層30のEC材料� ��イオンがドープ・脱ドープされ、発色/消色 が繰り返される。具体的には、電圧を印加し 、アニオンがドープされると、EC材料が酸化� ��れる。そして、逆方向に電圧を印加し、ド� ��プされたアニオンが脱ドープされると、酸� ��されたEC材料が還元される。このように、� �界印加によって可逆的な酸化還元反応が起� �り、それに伴った発色/消色が起こる。EC材� �には保持性があるため、電圧を切ったとし� �も発色/消色が変化することはない。これに� ��り、画素ごとに第1発色層30の色が変化し、� ��示を変化させることができる。すなわち、C 、M、Y、それぞれに塗り分けられた各画素を� ��立に駆動させることにより、表示を変化さ� ��ることができる。

 具体的には、外部からEC表示素子内に入� �した光が第1発色層30を通過して第2基板20側� �反射する。そして、反射した光は、再び第1� ��色層30を通過して視認側に出射する。第1発� ��層30を通過して視認側に光が出射すること� �より、第1発色層30の色が表示される。ドー� �又は脱ドープによって、例えば第1発色層30� �C、M、Yが発色した場合、これらが混色され� �表示される。そして、逆方向に電圧を印加� �ることによって、例えば第1発色層30のC、M、 Yが消色した場合、白等の背景色が表示され� �。このように、画素ごとに第1発色層30を酸� �・還元させ、マトリクス状に配置された画� �ごとに色を変化させることにより、所望の� �示を得ることができる。

 上記のようなEC表示素子では、第1発色層3 0として、π電子系共役モノマー由来のπ電子� ��共役高分子を用いる。この場合、電気化学� ��合によってπ電子系共役高分子を製膜する� �とができるため、緻密な膜を得ることがで� �る。これにより、EC表示素子の発色ムラがな く、優れたコントラスト、解像度、高発色効 率を実現することができ、表示特性が良好な EC表示素子を得ることができる。

 次に、上記のEC表示素子の製造方法につ� �て説明する。まず、第1基板10側の製造方法� �ついて図9A~図9Dを用いて説明する。図9A~図9D� ��、図3A~図3Dに示された表示電極が形成され� �第1基板10の製造方法を示した概略断面図で� �る。図9A~図9Dにおいては、左側が図3Bに示さ� ��た概略横断面図に対応し、右側が図3Cに示� �れた概略縦断面図に対応する。

 まず、隔壁2を有する第1基板10を作製する 。また、第1基板10は、隔壁2に取り囲まれる� �部3を複数有する。第1基板10は、上記のよう� ��、基材1と隔壁2とを一体的に形成してもよ� �し、基材1上に別途隔壁2を形成してもよい。 これにより、図9Aに示されるような構成とな� ��。次に、第1基板10上に、第1導電層11を形成� ��る。第1導電層11は、凹部3を覆うように、直 線状に複数形成される。すなわち、第1導電� �11は、基材上面領域6と、多くとも2つの隣接� ��る基材上面領域6を連結するように形成され る。

 また、第1導電層11を積層させる手法とし� ��は特に限定されないが、公知手法が適用さ� ��得る。例えば、金属及び金属酸化物、導電� ��炭化物、導電性高分子、などを含む溶媒を� ��ンクとして、ベーパーデポジション、スピ� ��コート、スリットコート、ナイフコート、� ��ップコート、ダイコート、ディップコート� ��スプレーコート、スクリーン印刷、インク� ��ェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷� ��などの湿式コーティングや、蒸着、スパッ� ��、乾式コーティングなどの手法が挙げられ� ��。なお、ここでは、スクリーン印刷などの� ��法によって形成する。このため、隔壁側面� ��域5にも、第1導電層11が形成される。以上の 工程により、図9Bに示される構成となる。

 次に、第1導電層11上に第2導電層13を形成� ��る。第2導電層13は、第1導電層11が形成され� ��複数の基材上面領域6に亘って、直線状に複 数形成される。すなわち、第2導電層13は、多 くとも2つの隣接する基材上面領域6を連結す� ��ように形成される。換言すると、隣接する� ��材上面領域6の表示電極は、電気的配線によ って、所定の方向に電気的に接続されている 。また、第2導電層13を構成する材料、積層す る手法としては、第1導電層11と同様、特に限 定されず、公知の手法を用いることができる 。以上の工程により、図9Cに示す構成となる� ��

 そして、隔壁上面領域4において、第2導� �層13又は隔壁2上に、絶縁層14を形成する。絶 縁層14は、第1基板10上の第2導電層13と、第2基 板20上の導電性材料、例えば第3導電層21や白� ��層22とが接触することを防ぐ目的で設ける� �つまり、EC素子回路として電極同士が接触し ショートすることを防ぐ目的で設けるもので ある。絶縁層14を構成する材料、積層する手� ��としては、特に限定されず、公知の手法を� ��いることができる。

 また、絶縁層14を速やかに形成させるた� �には、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可� �性エラストマーの少なくとも1つまたはそれ� ��含む溶液を用いて、ベーパーデポジション� ��スピンコート、スリットコート、ナイフコ� ��ト、リップコート、ダイコート、ディップ� ��ート、スプレーコート、スクリーン印刷、� ��ンクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビ� ��印刷、などの湿式コーティングにより絶縁� ��14を形成することが好ましい。光硬化性樹� �を含む場合には、湿式コーティング工程の� �に、紫外線照射をして硬化させる工程が必� �となる。熱硬化性樹脂を含む場合には、湿� �コーティング工程の後に、加熱処理をして� �化させる工程が必要となる。また、熱可塑� �エラストマーを含む場合には、湿式コーテ� �ング工程の後に、乾燥させる工程が必要と� �る。以上の工程により、絶縁層14が形成され 、図9Dに示される構成となる。

 次に、上記の第1基板10側の他の製造方法� ��ついて図10A~図10Cを用いて説明する。図10A~� �10Cは、図4A~図4Dに示された表示電極が形成さ れた第1基板10の製造方法を示した概略断面図 である。図10A~図10Cにおいては、左側が図4Bに 示された概略横断面図に対応し、右側が図4C� ��示された概略縦断面図に対応する。なお、� ��下に示す第1基板10側の製造方法では、上記� ��共通の製造方法については簡略に説明する� ��

 まず、上記と同様、図10Aに示されるよう� ��、隔壁2を有する第1基板10を作製する。次に 、第1基板10上に、第1導電層11を形成する。第 1導電層11は、基材上面領域6を覆うように、� �線状に複数形成される。すなわち、第1導電� ��11は、多くとも2つの隣接する基材上面領域6 を連結するように形成される。なお、ここで は、インクジェットなどオンデマンドな高度 印刷によって第1導電層11を形成する。このた め、凹部3を覆うように形成せず、少なくと� �基材上面領域6を覆うように第1導電層11を形� ��することができる。もちろん、上記のよう� ��、その他の手法を用いて形成してもよい。� ��上の工程により、図10Bに示される構成とな� ��。

 そして、隔壁上面領域4において、第1導� �層11又は隔壁2上に、絶縁層14を形成する。こ れにより、図10Cに示されるように、表示電極 等が形成された第1基板10が形成される。

 次に、上記の第2基板20側の製造方法につ� ��て説明する。もちろん、図5A~図5Fに示され� �ように、種々の構成を適用することができ� �。そして、第2基板20-第3導電層21、第2基板20- 第3導電層21-白色層22、第2基板20-第3導電層21-� ��2発色層23、第2基板20-第3導電層21-第2発色層2 3-白色層22、第2基板20-白色層22、又は第2基板2 0-白色層22-第2発色層23のように順次形成する� ��これにより、対向電極等が形成された第2基 板20が製造される。

 第3導電層21を積層させる手法としては特� ��限定されないが、公知手法が適用され得る� ��たとえば、金属及び金属酸化物、導電性炭� ��物、導電性高分子、などを含む溶媒をイン� ��として、ベーパーデポジション、スピンコ� ��ト、スリットコート、ナイフコート、リッ� ��コート、ダイコート、ディップコート、ス� ��レーコート、スクリーン印刷、インクジェ� ��ト印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、な� ��の湿式コーティングや、蒸着、スパッタ、� ��式コーティングなどの手法が挙げられる。

 白色層22を積層させる手法としては特に� �定されないが、公知手法が適用され得る。� �とえば、ベーパーデポジション、スピンコ� �ト、スリットコート、ナイフコート、リッ� �コート、ダイコート、ディップコート、ス� �レーコート、スクリーン印刷、インクジェ� �ト印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、な� �の湿式コーティングや、蒸着、スパッタ、� �式コーティング、などの手法が挙げられる� �

 第2発色層23を積層させる手法としては特� ��限定されないが、公知手法が適用され得る� ��たとえば、無機系、有機系、有機-無機複合 体系であって、酸化または還元により変色す るエレクトロクロミックを呈する任意の材料 を含む溶媒をインクとして、ベーパーデポジ ション、スピンコート、スリットコート、ナ イフコート、リップコート、ダイコート、デ ィップコート、スプレーコート、スクリーン 印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、 グラビア印刷、などの湿式コーティングや、 蒸着、スパッタ、乾式コーティングなどする ことにより第2発色層23を形成することができ る。また、第2発色層23の材料として、π電子� ��共役高分子を用いる場合、電気化学重合、� ��ングミュア-ブロジェット法(LB法)などの手� �により第2発色層23を形成することができる� �

 そして、上記のように製造された第1基板 10の表示電極と、第2基板20の対向電極とをモ� ��マー含有電解質層を介在させて対向配置さ� ��る。すなわち、表示電極と対向電極との間� ��モノマー含有電解質層を充填させる。また� ��隔壁2内、すなわち凹部3内にモノマー含有� �解質層を形成させる手法としては、スリッ� �コート、ナイフコート、リップコート、ダ� �コート、ディップコート、スクリーン印刷� �インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラ� �ア印刷などの湿式コーティングなどの手法� �挙げられる。モノマー含有電解質層は、第1� ��色層30及び電解質層31を形成する。モノマー 含有電解質層は、第1発色層30を形成させるた めに、少なくとも1種のπ電子系共役モノマー と電解質を含む。

 次に、表示電極と対向電極との間に、第1 発色層30及び電解質層31を形成する。ここで� �、表示電極と対向電極に電圧を印加し、π電 子系共役モノマーを電気化学重合(電解重合)� ��せることにより、表示電極に選択的にπ電� �系共役高分子膜を製膜する。例えば、図7に� ��されるEC表示素子を製造する場合、表示電� �上、すなわち第1導電層11及び第2導電層13の� �にπ電子系共役高分子膜を製膜し、第1発色� �30及び電解質層31を形成する。この際、用い� ��π電子系共役モノマーの種類や製膜したい� �極を加味した上で、表示電極、対向電極に� �電圧・逆電圧のいずれを印加するか決定す� �ばよい。具体的には、モノマー含有電解質� �を挟持する表示電極及び対向電極に電圧を� �加する。これにより、モノマー含有電解質� �のπ電子系共役モノマーと表示電極との間で 電子の授受が行われ、重合反応が開始する。 そして、表示電極上に、π電子系共役高分子� ��析出し、π電子系共役高分子膜を含む第1発� ��層30が形成される。そして、π電子系共役高 分子が析出し、残存するモノマー含有電解質 層が電解質層31となる。なお、第1発色層30及� ��電解質層31を形成した後に、必要に応じて� �未反応π電子系共役モノマーを紫外線照射、 もしくは加熱処理によって失活させてもよい 。これにより、順電圧・逆電圧をかけて発色 /消色を繰り返す際に、対向電極にπ電子系共 役高分子が析出されることを抑制することが できる。

 また、電圧を印加する時間は、用いる導� ��層の導電性、π電子系共役モノマーの種類� �電解質の種類などに応じて変わるので一概� �は言えないが、印加電圧とともに電流値、� �流密度などを測定しておき、電流値が一定� �なってから十分時間経過させる程度とする� �もしくは、電気化学重合により製膜が進む� �着色が観察される場合、電圧を印加する時� �は、分光光度計によって色変化を測定して� �き、吸光度が一定値になってから十分時間� �過させる程度とする。これによって、重合� �応終了とみなすことが出来る。以上の工程� �より、第1発色層30及び電解質層31が形成され 、EC表示素子が製造される。

 上記のEC表示素子の製造方法によれば、� �壁2を有する第1基板10上に表示電極、電気的� ��線等を形成する。このため、従来のように� ��予め導電層が形成された基板を用意する工� ��、導電層をエッチングする工程、フォトリ� ��グラフィーなどの手法により隔壁を設ける� ��程といった煩雑な工程を経る必要なくEC表� �素子を作成できる。このため、生産性に優� �、簡便にEC表示素子を製造することができる 。

 さらに、EC表示素子を組み立てた後に、π 電子系共役モノマーを電気化学的に重合させ るため、π電子系共役高分子膜が製膜された� ��板を別途用意する必要がない。これにより� ��EC表示素子の生産性がさらに向上する。ま� �、高価なπ電子系共役モノマーの使用量を必 要最低限に抑制できるため、低コスト化を実 現することができる。更には、電気化学重合 によって緻密な膜が形成されるため、発色ム ラがなく、優れたコントラスト、解像度、高 発色効率が実現される。

 なお、上記の製造方法においては、電気� ��学重合により、表示電極にπ電子系共役高� �子膜を含む第1発色層30を形成したがこれに� �らない。例えば、表示電極と対向電極とを� �向配置させる前に、上記の第2発色層23と同� �の方法を用いて、表示電極上に第1発色層30� �形成する。そして、電気化学重合により、� �示電極と対向電極との間に、第2発色層23及� �電解質層31を形成してもよい。また、電気化 学重合により、第1発色層30と第2発色層23を同 時に形成してもよい。このように、表示電極 及び対向電極のうち、少なくともいずれか一 方に選択的にπ電子系共役モノマー由来のπ� �子系共役高分子膜を含む発色層を形成して� �よい。また、第1発色層30と第2発色層23を同� �に形成する場合、モノマー含有電解質層は� �π電子系共役モノマーを2種類含んでいても� �い。また、それらの組み合わせとしては、� �えば、酸化重合するタイプのp型と還元重合� ��るタイプのn型の組み合わせであったり、重 合電位の異なる2種類のp型またはn型であった りすればよい。