本発明の高周波部品は、導体パターンを� ��成した複数の誘電体層を積層してなる積層� ��板に高周波信号処理回路を設けたものであ� ��。高周波信号処理回路は、高周波信号の信� ��経路を切り替えるスイッチ回路、高周波信� ��を増幅する半導体素子を備えた増幅回路等� ��ある。スイッチ回路としてはGa-Asスイッチ� �のFET(電界効果型トランジスタ)スイッチが好 ましく、供給電源及び/又は制御電源を合計2� ��以上有するのが好ましい。増幅回路は送信� ��号を増幅する高周波増幅器回路、受信信号� ��増幅する低雑音増幅器回路等であり、供給� ��源及び/又は制御電源を合計2つ以上有する� �が好ましい。高周波増幅器回路は、出力電� �をモニターする検波回路を有しても良い。� �波回路の出力信号は直流電圧であるので、� �源ラインと同様に扱うことができる。以下� �周波増幅回路及び低雑音増幅回路を両方有� �る例を説明するが、勿論限定的ではない。

 本発明の一実施形態による高周波部品は� ��図3に示す回路を構成する導体パターンを形 成した20層の誘電体層からなる積層基板を具� ��する。図1は、上記積層基板のうち下側の3� �に形成された電極パターン、及び1つの主面( 裏面)の外縁に沿って高密度に配列された端� �群(高周波信号の入力端子及び出力端子、並� ��に高周波信号処理回路の電源端子を含む)の 配置を示す。裏面の端子は積層方向上から見 たときの配置である。

 図3に示す高周波信号処理回路は一送信一 受信型のデュアルバンド無線LANフロントエン ドモジュールであって、アンテナに接続され るアンテナ端子Ant1と、アンテナ端子Ant1に接� ��し、高周波信号の入力端子(送信端子)Tx1-1,Tx 2-1と出力端子(受信端子)Rx1-1,Rx2-1との接続を� �り替える第一のスイッチ回路SPDT1と、高周波 信号の入力端子Tx1-1に入力された送信信号を� ��幅する第一の高周波増幅器回路PA1と入力端� ��Tx2-1に入力された送信信号を増幅する第二� �高周波増幅器回路PA2と、アンテナ端子Ant1か� ��入力された受信信号を増幅して出力端子Rx1- 1又はRx2-1に出力する第一の低雑音増幅器回路 LNA1とを具備する。第一のスイッチ回路SPDT1に 第一の分波回路Dip1が接続している。第一の� �波回路は低周波側フィルタ及び高周波側フ� �ルタからなり、低周波側フィルタには順に� �第一のローパスフィルタLPF1、第一の検波回� ��DET1、第一の高周波増幅器回路PA1、第一のバ ンドパスフィルタBPF1、第一の平衡-不平衡変� ��回路BAL1及び入力端子Tx1-1が接続しており、� ��周波側フィルタには順に、第二のローパス� ��ィルタLPF2、第二の検波回路DET2、第二の高� �波増幅器回路PA2、第二のバンドパスフィル� �BPF2、第二の平衡-不平衡変換回路BAL2及び入� �端子Tx2-1が接続している。第一のスイッチ回 路SPDT1に、第一の低雑音増幅器回路LNA1及び第 一のバイパススイッチ回路BypSW1からなる並列 回路を介して、第二の分波回路Dip2が接続し� �いる。第二の分波回路は低周波側フィルタ� �び高周波側フィルタからなり、低周波側フ� �ルタには順に、第3のバンドパスフィルタBPF3 及び出力端子Rx1-1が接続しており、高周波側� ��ィルタには順に、第4のバンドパスフィルタ BPF4及び出力端子Rx2-1が接続している。

図1に示すように、高周波信号の入力端子� �び出力端子(アンテナ端子とともにRFと表記� �る)、及び高周波信号処理回路の電源端子Vtx1 、Vrx1、Vcc、Vab、Vgb、Vpd、VccL、VbL1、Vby1を含� �端子群が積層基板の裏面に形成されている� �NCはダミー端子である。なお検波回路DET1、DE T2の検波出力端子Vpdは直流信号ラインに係る� ��め、便宜上電源端子に含めている。電源端� ��Vtx1,Vrx1は、第一のスイッチ回路SPDT1を制御� �る端子である。例えばVtx1に3 V、Vrx1に0 Vを� ��加すると、第一のスイッチ回路SPDT1は第一� �アンテナ端子Ant1と高周波信号の入力端子Tx1- 1,Tx2-1とを接続するように制御される。またVt x1に0 V、Vrx1に3 Vを印加すると、第一のスイ� ��チ回路SPDT1は第一のアンテナ端子Ant1と高周� ��信号の出力端子Rx1-1,Rx2-1とを接続するよう� �制御される。

 電源端子Vccは、第一の高周波増幅器回路P A1と第二の高周波増幅器回路PA2の共通の電源� ��子である。一つの電源端子を複数の増幅回� ��に共用することにより、端子数が低減し、� ��周波部品の小型化が図られる。電源端子Vgb� ��、第一の高周波増幅器回路PA1のON/OFFを制御� ��る電源端子である。例えば電源端子Vccに3.3� �Vの電圧を印加した状態でVgbに2.8 Vの電圧を� ��加すると、第一の高周波増幅器回路PA1はON� �態となり、入力された高周波信号を増幅す� �。電源端子Vabは、第二の高周波増幅器回路PA 2のON/OFFを制御する電源端子である。例えば� �源端子Vccに3.3 Vの電圧を印加した状態でVab� �2.8 Vの電圧を印加すると、第二の高周波増� �器回路PA2はON状態となり、入力された高周波 信号を増幅する。

 電源端子VccLは、第一の低雑音増幅器回路 LNA1の供給電源端子である。電源端子VbL1は、� ��一の低雑音増幅器回路LNA1のON/OFFを制御する 電源端子と、第一のバイパススイッチ回路Byp SW1を制御する電源端子に共通の端子である。 スイッチ回路とそれに接続する低雑音増幅器 回路に共通の電源端子を有するため、端子数 が低減し、高周波部品の小型化が図られる。 また電源端子Vby1も第一のバイパススイッチ� �路BypSW1を制御する端子である。例えば、VbL1� ��3 Vを印加し、Vby1に0 Vを印加すると、第一� ��バイパススイッチ回路BypSW1は、第一の低雑� ��増幅回路LNA1の入力側と第一のスイッチ回路 SPDT1を接続し、第一の低雑音増幅器回路LNA1の 出力側と第二の分波回路Dip2を接続するよう� �制御される。この時、VccLに3 Vの電圧が印加 されている状態であれば、第一の低雑音増幅 器回路LNA1はON状態となり、入力された高周波 信号を増幅する。またVbL1に0 Vを印加し、Vby1 に3 Vを印加すると、第一のバイパススイッ� �回路BypSW1は、第一の低雑音増幅回路LNA1を通� ��せずに第一のスイッチ回路SPDT1と第二の分� �回路Dip2を接続するように制御される。この� ��、VccLに3 Vの電圧が印加されている状態で� �、第一の低雑音増幅器回路LNA1に接続したVbL1 に0 Vが印加されているので、第一の低雑音� �幅回路LNA1はOFF状態である。

 一つの誘電体層DL1には、増幅回路電源端� ��Vabに一端が接続した電源ラインlvabと、スイ ッチ回路の電源端子Vrx1に一端が接続した電� �ラインlvrx1と、スイッチ回路の電源端子Vtx1� �一端が接続した電源ラインlvtx1が形成されて いる。電源ラインlvrx1及びlvtx1は、第二のグ� �ンド電極GND2に関して電源ライン層と反対側� ��層DL3に設けられた第一のライン部(DL3でlvrx1� ��びlvtx1と表示)と、電源ライン層に形成され� ��ビア電極を介して第一のライン部の両端に� ��続された二本の第二のライン部とを有する� ��同様に、検波出力端子Vpdに一端が接続した� ��流信号ラインlvpdも第二のグランド電極GND2� �関して電源ライン層と反対側の層DL3に設け� �れた第一のライン部と、電源ライン層に形� �され、ビア電極を介して第一のライン部の� �端に接続された二本の第二のライン部とを� �する。接続された第一のライン部と第二の� �イン部は一本の電源ラインを構成する。従� �て、誘電体層DL1上の電源ライン層は3本の電� ��ラインを有する。なお、検波出力端子Vpdに� ��端が接続した直流信号ラインlvpdも便宜上電 源ラインに含めると、誘電体層DL1上の電源ラ イン層は4本の電源ラインを有することにな� �。

 電源ラインlvtx1は、積層方向から見て、� �一のライン部で電源ライン層の電源ラインlv tx1及びlvpdと交差している。また電源ラインlv pdは、積層方向から見て、第一のライン部で� ��源ライン層の電源ラインlvabと交差している 。電源ラインが交差する部分だけ第二のグラ ンド電極に関して電源ライン層と反対側に設 け、その両側の部分は電源ライン層に設ける ことにより、接地容量電極等の他の電極との 干渉を抑制できる。かかる構成は電源ライン 同士を交差させる必要がある場合に好適であ る。この場合、第一のライン部に関して、第 二のグランド電極と反対側に第一のライン部 と重なるように第三のグランド電極を設ける のが好ましい。例えば、DL3に隣接する層DL4(� �示せず)に第二のグランド電極と同様な広い� ��ランド電極を設ければよい。図1のようにグ ランド電極に挟まれた層DL3に高周波処理回路 の接地容量の電極パターンを設ければ、高周 波部品の小型化が可能である。

 裏面には上記電源ラインの少なくとも一� ��と積層方向に重なる第一のグランド電極GND1 が配置されており、上の誘電体層DL2には上記 電源ラインの少なくとも一部と積層方向に重 なる第二のグランド電極GND2が配置されてい� �。この例では、第一及び第二のグランド電� �GND1,GND2は実質的に電源ライン層全体を覆っ� �いる。第一のスイッチ回路SPDT1、第一及び第 二の高周波増幅器回路PA1,PA2、低雑音増幅器� �路LNA1等の高周波信号処理回路は、第二のグ� ��ンド電極GND2に関して電源ライン層と反対側 の誘電体層DL3より上に配置されている。高周 波信号ラインはビア電極を介して第二のグラ ンド電極GND2より上の導体パターンと接続し� �いる。従って、ビア電極に関係する電極(ビ� ��電極の形成に付随して設けられる周囲の電� ��等)を除き、高周波信号ラインは電源ライン 層には設けられていない。電源端子の一部は そのままビア電極を介して高周波信号処理回 路と接続している。このように電源ライン層 を高周波信号ラインを形成した他の層を介さ ずに一対のグランド電極で挟むことにより、 電源ラインの配置の自由度が高くなるだけで なく、電源ラインと信号ラインとの干渉を抑 制することができ、もって高周波部品の小型 化に寄与する。

 上述のように、電源ライン層には高周波� ��号処理回路の供給電源ライン及び制御電源� ��インと、検波出力端子の直流信号ラインと� ��形成されている。電源端子Vrx1、Vtx1、Vab、Vp dに一端が接続した電源ラインlvrx1、lvtx1、lvab 、lvpdは、電源ライン層で屈曲しながら電源� �子から遠ざかり、他端は上記電源端子から� �隔したビア電極を介して上層の高周波信号� �理回路と接続する。その結果、電源ライン� �他端の間隔は、電源端子と信号の入出力端� �との間隔より大きくできる。なお必要に応� �て、第二のグランド電極GND2より上の高周波� ��号処理回路まで電源ラインを延長しても良� ��。

 電源ライン層内で自在に配置できる電源� ��インによりチョークコイルを形成すると、� ��周波信号処理回路の前段で電源ラインから� ��周波ノイズを除去することができる。ビア� ��極は、第二のグランド電極GND2の切り欠き部 及び空隙部に形成する。第二のグランド電極 GND2の切り欠き部及び空隙部と積層方向に重� �る誘電体層DL1の部分には、外部との干渉を� �ぐ観点から、第一のグランド電極GND1が形成� ��れているのが好ましい。

 電源端子と信号端子との干渉を防止する� ��め、端子RF及び電源端子は、グランド端子G� ��ダミー端子NC等の他の端子を介して配置さ� �ている。また裏面には端子群の内側に大面� �の矩形の第一のグランド電極GND1が形成され� ��いる。第一のグランド電極GND1と端子群との 間隔は端子間隔とほぼ同じである。第一のグ ランド電極GND1は積層基板中に形成しても良� �が、端子群を設けた裏面に設けると高周波� �品の低背化が実現できる。また一部の電源� �子Vab、Vpd、Vtx1、Vrx1は第二のグランド電極GND 2と積層方向に重なるので、これらの電源端� �と第二のグランド電極GND2より上の高周波信� ��処理回路との干渉が抑えられる。

 信号端子及び信号ラインとの干渉を抑制� ��るには電源端子をまとめて配置するのが好� ��しいので、一部の電源端子Vtx1、Vrx1は隣接� �ている。また電源端子群は矩形の裏面の対� �辺(図1では上下の辺)に配置されている。こ� �により、入力端子、出力端子及びアンテナ� �子等の高周波信号端子を他の対向辺(図1では 左右の辺)にまとめて配置することができ、� �源端子群と高周波信号端子との干渉が抑制� �れる。従来の高周波部品では電源端子群を� �とめて配置すると、表層に実装する素子の� �線と高周波信号の配線とが入り組んだ構造� �なり、電源ラインと高周波信号ラインとの� �イソレーションを犠牲にするか、高周波部� �の大きさを犠牲にするしかなかった。これ� �対して、電源ライン層がグランド電極に挟� �れた構造を用いることにより、電源端子を� �とめて配置しつつ、電源ラインと高周波信� �ラインとのアイソレーションを十分に確保� �ることができる。

 隣接する電源端子の間隔より電源ライン� ��他端の間隔を大きくすることができる。ま� ��電源ラインの一端と他端とが異なる辺に近� ��する構造も可能であり、大規模な電源ライ� ��の引き回しが可能になる。その結果、電源� ��インと高周波信号ラインとのアイソレーシ� ��ン及び高周波部品の小型化を両立すること� ��きる。

 図1に示すように、電源ライン層を二本の 対角線で四つの三角形状の領域に分割すると 、電源ラインlvpdは四つの領域に跨がり、電� �ラインlvab及びlvrx1は三つの領域に跨がり、� �源ラインlvtx1は二つの領域に跨がる。スイッ チ回路及び増幅回路は実装面全体に配置され ることが多いため、電源端子からスイッチ回 路及び増幅回路の接続端子が大きく離れてい ることがある。この場合、高周波信号ライン を形成した誘電体層に電源ラインを構成する と、高周波信号ラインと電源ラインとの干渉 が起こり、それを避けようとすると高周波部 品が大型化してしまう。これに対して、図1� �示すように、電源ライン層を対角線で四分� �してなる三角形状領域の二つ以上に跨がる� �うに電源ラインが大きく引き回わされる場� �、裏面の一辺に配置された電源端子に接続� �れた電源ラインは他辺付近まで延びること� �でき、もって電源端子を一辺にまとめて配� �しても、電源ラインの配置の自由度は著し� �高い。その結果、高周波部品を大型化する� �となく高周波信号ラインと電源ラインとの� �渉を防止することができる。少なくとも一� �の電源ラインが四分割された三角形状領域� �三つ以上の領域に跨がって延びる構成はよ� �好ましい。

 誘電体層DL1上では、電源端子Vabに一端が� ��続した増幅回路の電源ラインlvabと、電源端 子Vtx1に一端が接続したスイッチ回路の電源� �インlvtx1との間に、ビア電極(小さい丸で示� �)が配置されている。ビア電極は第一及び第� ��のグランド電極GND1,GND2に接続しており、増� ��回路の電源ラインとスイッチ回路の電源ラ� ��ンとの間の干渉を抑制する。

 図2に示す本発明の他の実施形態による高 周波部品は、図4に示す高周波回路を構成す� �導体パターンを形成した24枚の誘電体層から なる積層基板を具備する。図2は下側の3層に� ��成された電極パターン及び裏面に形成され� ��端子を示す。裏面の端子は、積層方向上か� ��見たときの配置である。

 図4に示す高周波回路は、図3に示す高周� �回路に受信経路として副高周波回路(以下「� ��二の副高周波回路」という)を付加した一送 信二受信型のデュアルバンド無線LANフロント エンドモジュールである。第二の副高周波回 路以外の部分(以下「第一の副高周波回路」� �いう)の構成は図3に示すものと同じであるの で、説明を省略する。第二の副高周波回路は 、第一の副高周波回路の第一のアンテナとは 別の第二のアンテナに接続する第二のアンテ ナ端子Ant2と、第二のアンテナ端子Ant2から入� ��された受信信号を増幅して出力端子Rx1-2又� �Rx2-2に出力する第二の低雑音増幅器回路LNA2� �を備える。アンテナ端子Ant2には第二のスイ� ��チ回路SPDT2が接続し、第二の低雑音増幅器� �路LNA2と第二のバイパススイッチ回路BypSW2と� ��並列回路を介して第3の分波回路Dip3が接続� �ている。第3の分波回路は低周波側フィルタ� ��高周波側フィルタからなり、低周波側フィ� ��タには順に第5のバンドパスフィルタBPF5及� �出力端子Rx1-2が接続し、高周波側フィルタに は順に第6のバンドパスフィルタBPF6及び出力� ��子Rx2-2が接続している。第二のスイッチ回� �SPDT2の別の端子に入出力端子TxRxが接続して� �る。

 図2に示すように、高周波信号の入力端子 及び出力端子(アンテナ端子とともにRFと表記 する)、及び高周波信号処理回路の電源端子Vt x1、Vrx1、Vcc、Vab、Vgb、Vpd、VccL、VbL1、Vby1、Vtx 2、Vrx2、VbL2、Vby2を含む端子群が積層基板の� �面に形成されている。電源端子Vtx1、Vrx1、Vcc 、Vab、Vgb、Vpd、VbL1、Vby1は図3に示すものと同 じであるので、説明を省略する。電源端子Vtx 2及びVrx2は第二のスイッチ回路SPDT2を制御す� �電源端子である。例えばVtx2に3 Vを印加し、 Vrx2に0 Vを印加すると、第二のスイッチ回路S PDT2は、第二のアンテナ端子Ant2と高周波信号� ��入出力端子TxRxとの間を接続するように制御 される。またVtx2に0 Vを印加し、Vrx2に3 Vを� �加すると、第二のスイッチ回路SPDT2は、第二 のアンテナ端子Ant2と高周波信号の出力端子Rx 1-2及びRx2-2との間を接続するように制御され� ��。

 電源端子VccLは、第一の低雑音増幅器回路 LNA1と第二の低雑音増幅器回路LNA2に共通の供� ��電源端子である。電源端子VbL2は、第二の低 雑音増幅器回路LNA2のON/OFFを制御する電源端� �と第二のバイパススイッチ回路BypSW2を制御� �る電源端子に共通の端子である。電源端子Vb y2も第二のバイパススイッチ回路BypSW2を制御� ��る電源端子である。例えばVbL2に3 Vを印加� �、Vby2に0 Vを印加すると、第二のバイパスス イッチ回路BypSW2は、第二の低雑音増幅回路LNA 2の入力側と第二のスイッチ回路SPDT2を接続し 、第二の低雑音増幅器回路LNA2の出力側と第3� ��分波回路Dip3を接続するように制御される。 この時、VccLに3 Vの電圧が印加されている状� ��であれば、第二の低雑音増幅器回路LNA2はON� ��態となり、入力された高周波信号を増幅す� ��。またVbL2に0Vを印加し、Vby2に3 Vを印加す� �と、第二のバイパススイッチ回路BypSW2は、� �二の低雑音増幅回路LNA2を通過せずに第二の� ��イッチ回路SPDT2と第3の分波回路Dip3を接続す るように制御される。この時、VccLに3 Vの電� ��が印加されていても、第二の低雑音増幅器� ��路LNA2の制御電圧端子に接続されるVbL2に0 V� ��印加されるので、第二の低雑音増幅回路LNA2 はOFF状態である。電源端子をスイッチ回路と 低雑音増幅器回路に共用することにより、端 子数が低減し、スイッチ回路と低雑音増幅器 回路の制御が簡単となる。

 電源端子Vrx1、Vtx1、Vrx2、Vtx2、Vcc、Vab、Vcc L、Vpd、Vby1、VbL1及びVby2に一端が接続した電� �ラインlvrx1、lvtx1、lvrx2、lvtx2、lvcc、lvab、lvcc L、lvpd1、lvby1、lvbL1及びlvby2は、一つの誘電体 層DL1に形成されて電源ライン層をなしている 。積層基板の裏面には積層方向に電源ライン の少なくとも一部と重なる第一のグランド電 極GND1が配置され、誘電体層DL1より上の誘電� �層DL2(積層方向裏面と反対側)には積層方向に 電源ラインの少なくとも一部と重なる第二の グランド電極GND2が配置されている。スイッ� �回路SPDT1,SPDT2、高周波増幅器回路PA1,PA2、低� �音増幅器回路LNA1,LNA2等の高周波信号処理回� �は、誘電体層DL3より上の層(第二のグランド� ��極GND2を挟んで電源ライン層と反対側)に配� �されている。

 第一及び第二の低雑音増幅器回路LNA1,LNA2� ��、電源端子VccLに接続した電源ラインlvccLを� ��用しているので、電源ライン数の低減によ� ��高周波部品の小型化と、干渉抑制に寄与し� ��いる。第一の低雑音増幅器回路LNA1と第一の バイパススイッチ回路BypSW1は、電源端子VbL1� �接続した電源ラインlvbL1を共用している。共 用された電源ラインは電源ライン層又は第二 のグランド電極より上の層で分岐しても良い 。図2及び4に示す実施形態では、低雑音増幅� ��回路と電源端子を共用するスイッチ回路が� ��イパススイッチ回路であるが、アンテナ端� ��Ant1に接続して送受信を切り替えるスイッチ 回路SPDT1と低雑音増幅器回路LNA1が電源端子を 共用しても良い。同様にアンテナ端子Ant2に� �続して送受信を切り替えるスイッチ回路SPDT2 と低雑音増幅器回路LNA2が電源端子を共用し� �も良い。

 電源端子Vrx1等に一端が接続した電源ライ ンlvrx1等は、電源ライン層で屈曲しながら電� ��端子から遠ざかり、他端は上記電源端子か� ��離隔したビア電極を介して上層の高周波信� ��処理回路と接続する。図1に示す実施形態と 同様に、増幅回路の電源端子とスイッチ回路 の電源端子の一部VccL、Vrx1、Vtx1、Vrx2、Vtx2、V cc及びVabは隣接している。また電源端子群は� ��形の裏面の対向辺(図2では上下の辺)に配置� ��れている。これにより、入力端子、出力端� ��及びアンテナ端子等の高周波信号端子を他� ��対向辺(図2では左右の辺)にまとめて配置す� ��ことができ、電源端子群と高周波信号端子� ��の干渉が抑制される。

 誘電体層DL1上では、異なるスイッチ回路� ��電源ラインlvtx1,lvrx2の間等に、ビア電極(小� ��い丸で示す)が配置されている。ビア電極は 第一及び第二のグランド電極GND1,GND2に接続し ており、増幅回路の電源ラインとスイッチ回 路の電源ラインとの間の干渉を抑制する。電 源ライン及び電源端子の配置の効果は図1に� �す実施形態と同じである。

 図2及び4に示す実施形態では、高周波増� �器回路、低雑音増幅器回路及びスイッチ回� �に接続する11種(11本)の電源ラインが電源ラ� �ン層を構成する。一部の電源ラインは裏面� �一辺の長さの半分以上も延在する。電源ラ� �ン層により、多数の電源ラインの配線の自� �度を確保している。図1の場合と同様に、複� ��の電源ラインは、電源ライン層を対角線で� ��分割してなる三角形状領域の二つ以上に跨� ��る。具体的には、電源ラインlvrx1は三つの� �角形状領域に跨がり、電源ラインlvtx1、lvrx2� ��lvtx2、lvccL及びlvpd1は二つの三角形状領域に� ��がる。

 図5は本発明のさらに他の実施形態による 高周波部品を示す。この高周波部品は、図1� �び図3に示す実施形態と同じ高周波回路を有� ��る一送信一受信型のデュアルバンド無線LAN� ��ロントエンドモジュールである。図5は下側 の3層に形成された電極パターン及び裏面に� �成された端子を示す。裏面の端子は、積層� �向上から見たときの配置である。

 電源端子Vrx1、Vtx1、Vcc、Vab、Vgb、VccL及びV bL1、並びに検波出力端子Vpdに一端が接続した 電源ラインlvrx1、lvtx1、lvcc、lvab、lvgb、lvccL及 びlvbL1、並びに直流信号ラインlvpdは、一つの 誘電体層DL1に形成されて電源ライン層をなし ている。図1の場合と同様に、複数の電源ラ� �ンは、電源ライン層を対角線で四分割して� �る三角形状領域の二つ以上に跨がる。具体� �には、電源ラインlvbL1は三つの領域に跨がり 、電源ラインlvab、lvgb及びlvtx1は二つの領域� �跨がる。

 図5に示す実施形態は、電源ライン層に高 周波信号の入力端子又は出力端子に接続した 信号ライン1btx、1brx及び1arxが形成されている 点で、第一の実施形態と異なる。これらの信 号ラインは積層方向に第一のグランド電極GND 1とは重ならない領域に形成されている。こ� �構成では、電源ラインの他端が集中する領� �(第一のグランド電極GND1と重なる)から信号� �インが離れているので、信号ラインと電源� �インとの干渉を防ぐことができる。しかし� �信号ラインと電源ラインとの干渉を確実に� �ぐには、電源ライン層に電源ラインのみ形� �する方が有利である。

 本発明の高周波部品は、積層基板(セラミ ック積層基板を用いた部品)により構成され� �。例えば1000℃以下の低温で焼結可能なセラ� ��ック誘電体材料LTCC(Low-Temperature-Co-Fired Cerami cs)からなる厚さ10~200μmの各グリーンシートに 、低抵抗率のAg,Cu等の導電ペーストを印刷し� ��、上記高周波回路を構成する電極パターン� ��形成し、それらを一体的に積層し、焼結す� ��ことにより製造することができる。セラミ� ��ク誘電体材料としては、例えば(a) Al、Si及� ��Srを主成分とし、Ti、Bi、Cu、Mn、Na、K等を副 成分とする組成、(b) Al、Si及びSrを主成分と� ��、Ca、Pb、Na、K等を副成分とする組成、(c) A l、Mg、Si及びGdを含む組成、又は(d) Al、Si、Zr 及びMgを含む組成を有するのが好ましい。セ� ��ミック誘電体の誘電率は5~15程度が好ましい 。セラミック誘電体材料の他に、樹脂又は樹 脂/セラミック誘電体粉末の複合材を用いて� �良い。HTCC(高温同時焼成セラミック)技術に� �り、アルミナを主体とするセラミック誘電� �材料からなる基板に、タングステン、モリ� �デン等の高温焼結可能な金属パターンを形� �し、一体的に焼結することができる。

 セラミック積層基板でフロントエンドモ� ��ュール等の高周波部品を構成する場合、各� ��にインダクタンス素子、容量素子、電源ラ� ��ン及びグランド電極用の電極パターン、並� ��にビア電極を形成する。主に分波回路、バ� ��ドパスフィルタ回路、ローパスフィルタ回� ��、平衡-不平衡変換回路をセラミック積層基 板の内部に構成する。またセラミック積層基 板の上面に、単極双投型スイッチ(SPDTスイッ� ��又はダイオードスイッチ)、高周波増幅器回 路PA、低雑音増幅器回路LNA用の半導体素子、� ��ップコンデンサ、チップ抵抗、チップイン� ��クタ等を搭載し、ワイヤボンド、LGA、BGA等� ��セラミック積層基板内の電極パターンに接� ��する。

 Agの電極パターンを形成した複数のセラ� �ックスグリーンシートを積層一体化し、約90 0℃で焼成して積層基板を作製し、その積層� �板の上にスイッチ回路用半導体素子、高周� �増幅器回路用半導体素子、低雑音増幅器用� �導体素子、チップコンデンサ、チップ抵抗� �びチップインダクタを搭載し、図1に示す実� ��形態の高周波部品(7 mm×7 mm×1.4 mmの寸法を 有する)を得た。この高周波部品は、電源ラ� �ン層を設けずに電源ラインを配線した高周� �部品に比べて、25%小型化された。また電源� �インとRF回路の干渉が少なくなり、フロント エンドモジュールの特性が向上した。

 本発明の高周波部品は、多くの信号ライ� ��及び電源ラインを必要するMIMO(Mu1ti-Input, Mu1 ti-Output)型の無線通信装置に好適である。MIMO� ��は一送信二受信型のようなSIMO(Sing1e-Input, Mu 1ti-Output)型を含む。上記高周波部品は通信装� ��の小型化及び低コスト化に寄与する。また� ��記高周波部品は、無線通信機能を備えた携� ��機器、パーソナルコンピュータ等に広く用� ��ることができる。