以下、本発明の実施の形態を、図面を参� ��しながら説明する。なお、以下の実施の形� ��は一例であり、本発明は以下の実施の形態� ��限定されない。また、以下の実施の形態に� ��いて、同一の要素に同一の符号を付して、� ��複する説明を省略する場合がある。

 (実施の形態1)
 実施の形態1として、本発明の情報記録媒体 (以下、「記録媒体」または「媒体」と呼ぶ� �とがある)の一例を説明する。実施の形態1の 情報記録媒体11の部分断面図を図1に示す。情 報記録媒体11は、光記録媒体であり、情報は� ��ーザビーム31を対物レンズ32で集光し照射す ることによって、記録再生される。

 情報記録媒体11は、基板21上に、情報層40� ��よび透明層23がこの順に設けられた構成を� �する。透明層23は、基板21よりも薄い厚さを� ��する。図示した形態において、レーザビー� ��は、透明層23の側から入射する。

 レーザビーム31の波長λが短いほど、対物 レンズ32によって小さなスポット径に集光で� ��る。しかし、波長λが短すぎると、透明層23 などによるレーザビーム31の光吸収が大きく� ��る。そのため、レーザビームの波長λは350nm ~450nmの範囲内であることが好ましい。

 図1に示すように、情報層40においては、� ��板21に近い側から、反射層402、第1の誘電体� ��404、記録層406及び第2の誘電体層408がこの順 に設けられている。また必要に応じて、図2� �示すように、反射層402と第1の誘電体層404と� ��間に反射層側界面層403を、第1の誘電体層404 と記録層406の間に第1の界面層405を、第2の誘� ��体層408と記録層406の間に第2の界面層407を設 けてもよい。

 この情報記録媒体11への情報の記録は、� �明層23側からレーザビーム31を対物レンズ32� �集光し、情報層40の記録層406に照射して行う 。この情報記録媒体11に記録された情報も、� ��様にレーザビームを照射して行う

 基板21は円盤形状を有し、情報層40と透明 層23を保持するために用いられ、それらの層� ��形成するときの支持体として機能する。基� ��21の情報層40と接する表面には、レーザビー ム31を導くための案内溝が形成されていても� ��い。基板21の情報層40と接しない表面は、平 滑であることが好ましい。基板21は、ポリカ� ��ボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート� ��脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系� ��脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合� ��せたもの等を材料として用いて、形成する� ��とができる。特に、ポリカーボネート樹脂� ��、転写性および量産性に優れ、低コストで� ��ることから、基板21の材料として好ましい� �

 次に、情報層40を構成する各層について説� �する。
 記録層406の材料は、レーザビーム31の照射� �よって結晶相と非晶質相との間で相変化を� �じる材料である。本発明においては、記録� �406の材料として、SbとSとを含む材料を用い� �。記録層406がSbのみで構成されると、非晶質 相が不安定になり信号の信頼性が低下してし まう。SbにSを加えることにより非晶質相を安 定化できる。また、SbにSを加えることにより 、記録層406の透過率を高くすることができる 。

 具体的には、記録層406の厚さが7nmの場合の� ��晶化温度をTx(室温において非晶質相の相変� ��材料406を50℃/minで緩やかに昇温させたとき� ��、相変化材料が結晶相に相変化する温度)と すると、記録層406がSbのみから成るときにはT x=100℃であるのに対し、記録層406がSb ₈₀ S ₂₀ (添え字は、原子%で表される組成比)から成る ときにはTx=200℃となり、Sbのみから成る記録� ��に比べ非晶質相が安定する。

 また、SbとSとの組み合わせにおいて、Sbが50 原子%未満になると、結晶化速度が低すぎて� �書き換え型光記録媒体として実用可能な消� �性能が得られない。そのため、記録層406に� �いて、SbとSは、下記の式(1):
Sb _x S _100-x   (原子%)  (1)
(添え字xは、原子%で示される組成比を表し、 50≦x≦98を満たす)
で表される材料として含まれることが好まし い。xが98を超えると、SbにSを添加することに よる効果が得られない。xは、より好ましく� �、60≦x≦80を満たす。この式は、Sb原子の数� ��S原子の数を合わせて100原子%としたときの� �成比を示すものである。よって、記録層406� �、SbおよびS以外の元素を含んでよい。

 記録層は、好ましくは、Sb原子とS原子と� ��ら実質的に成る。ここで、「実質的に」と� ��う用語は、不可避的に少量の他の元素(例え ば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれ る元素等)が含まれることを考慮して使用し� �いる。より具体的には、記録層を構成する� �原子のうち、SbおよびS以外の原子の割合が10 原子%未満であるときには、その記録層は、Sb とSとから実質的に成るといえる。SbおよびS� �外の原子の割合は、より好ましくは、1原子% 未満である。

 記録層406の材料として、SbとSと、Ge、Sn、 Bi、InおよびMnから選ばれる少なくとも一つの 元素(M)とを含むものを用いることができる。 これは、先に示したSbとSとを含む材料に、前 記のMで表される元素を加えることにより、� �晶化速度の調節および非晶質相の安定性の� �節が可能となることによる。例えば、Snまた はBiを、SbとSとから成る材料に添加すると、� ��料の結晶化速度が高くなる。また、In、Geお よびMnはそれぞれ、SbとSとから成る材料に添� ��すると、材料の非晶質相を安定化できる。

 Mの種類に応じて、その好ましい添加量は異 なる。ここでは、上記五つの元素を、Ge、In� �よびSnがM1という群に属し、BiおよびMnがM2と� ��う群に属するように、分けることが好まし� ��。記録層406は、M1を含む場合には、記録層40 6は、下記の式(2):
(Sb _z S _1-z ) _100-y M1 _y   (原子%)  (2)
(添え字zは、Sb原子の数とS原子の数を合わせ� ��1としたときの各原子の割合を表し、0.5≦z� �0.98を満たし、添え字yは、原子%で示される� �成比を表し、0<y≦30を満たす)
で表される材料を含むことが好ましい。

 上記式(2)において、M1はGe、InおよびSnか� �選ばれる少なくとも一つの元素である。M1と して、二つの元素(例えば、GeおよびSn、また� ��InおよびSn)が含まれてよく、三つの元素が� �まれてよい。zおよびyは、0.5≦z≦0.98かつ2≦ y≦20を満たすことがより好ましく、0.6≦z≦0. 8かつ5≦y≦20を満たすことがさらにより好ま� ��い。

 記録層406が上記式(2)の材料を含む場合、� ��録層は、より好ましくは、Sb原子とS原子とM 1原子とから実質的に成る。ここで、「実質� �に」という用語は、不可避的に少量の他の� �素(例えば、スパッタリング中の雰囲気ガス� ��含まれる元素等)が含まれることを考慮して 使用している。より具体的には、記録層を構 成する全原子のうち、Sb、SおよびM1以外の原� ��の割合が10原子%未満であるときには、その� ��録層は、SbとSとM1とから実質的に成るとい� �る。Sb、SおよびM1以外の原子の割合は、より 好ましくは、1原子%未満である。

 記録層406がM2を含む場合、記録層406は、下� �の式(3):
(Sb _a S _1-a ) _100-b M2 _b   (原子%)  (3)
(添え字aは、Sb原子の数とS原子の数を合わせ� ��1としたときの各原子の割合を表し、0.5≦a� �0.98を満たし、添え字bは、原子%で示される� �成比を表し、0<b≦20を満たす)
で表される材料を含むことが好ましい。上記 式において、M2はBiおよびMnから選ばれる少な くとも一つの元素である。M2として、Biおよ� �Mnの両方が含まれてよい。bは、より好まし� �は、2≦b≦10を満たす。

 記録層406が上記式(3)の材料を含む場合、� ��録層は、好ましくは、Sb原子とS原子とM2原� �とから実質的に成る。ここで、「実質的に� �という用語は、不可避的に少量の他の元素(� ��えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含� ��れる元素等)が含まれることを考慮して使用 している。より具体的には、記録層を構成す る全原子のうち、Sb、SおよびM2以外の原子の� ��合が10原子%未満であるときには、その記録� ��は、SbとSとM2とから実質的に成るといえる� �Sb、SおよびM2以外の原子の割合は、より好ま しくは、1原子%未満である。

 あるいは、記録層406は、M1およびM2の両方を 含み、下記の式(4):
(Sb _c S _1-c ) _100-d-e M1 _d M2 _e   (原子%)  (4)
(添え字cは、Sb原子の数とS原子の数を合わせ� ��1としたときの各原子の割合を表し、0.5≦c� �0.98を満たし、添え字dおよびeは、原子%で示� ��れる組成比を表し、0<d<30、0<e≦20、0& lt;d+e≦30を満たす)
で表される材料を含んでよい。

 記録層406が上記式(4)の材料を含む場合、� ��録層は、好ましくは、Sb原子とS原子とM1原� �とM2原子とから実質的に成る。ここで、「実 質的に」という用語は、不可避的に少量の他 の元素(例えば、スパッタリング中の雰囲気� �スに含まれる元素等)が含まれることを考慮� ��て使用している。より具体的には、記録層� ��構成する全原子のうち、Sb、S、M1およびM2以 外の原子の割合が10原子%未満であるときには 、その記録層は、SbとSとM1とM2とから実質的� �成るといえる。Sb、S、M1およびM2以外の原子� ��割合は、より好ましくは、1原子%未満であ� �。

 記録層406は、非晶質相がレーザビーム照� ��時に容易に結晶相に変化できることが好ま� ��く、かつレーザビーム非照射時には結晶相� ��変化しないことが好ましい。記録層406の厚� ��が小さすぎると、十分な反射率及び反射率� ��化が得られなくなる。また、記録層406の厚� ��が大きすぎると、熱容量が大きくなるため� ��録感度が低下する。そのため、記録層406の� ��さは5nm~15nmの範囲内であることが好ましく� �8nm~12nmの範囲内であることがより好ましい。

 反射層402は、記録層406に吸収される光量� ��増やすという光学的な機能と、記録層406で� ��じた熱を拡散させるという熱的な機能とを� ��する。反射層402の材料として、Ag、Au、Cu、� ��よびAlから選ばれる少なくとも1つの元素を� ��むものを用いることができる。例えば、Ag-C u、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Au、AlNi、AlCr、Au-Crま� ��はAg-In等の合金を、反射層402の材料として� �いることができる。特にAg合金は熱伝導率が 大きいため、反射層402の材料として好ましい 。反射層402の厚さが大きいほど、熱拡散機能 はより強化される。しかし、反射層402の厚さ が大きすぎると、熱が過度に拡散されて、記 録層406の記録感度が低下する。そのため、反 射層402の厚さは、30nm~200nmの範囲内であるこ� �が好ましく、70nm~140nmの範囲内であることが� ��り好ましい。

 第1の誘電体層404は、記録層406と反射層402と の間にあり、記録層406から反射層402への熱拡 散を調節する熱的な機能、ならびに反射率お よび吸収率などを調節する光学的な機能を有 する。第1の誘電体層404の材料としては、例� �ば、ZrO ₂ 、HfO ₂ 、ZnO、SiO ₂ 、SnO ₂ 、Cr ₂ O ₃ 、TiO ₂ 、In ₂ O ₃ 、Ga ₂ O ₃ 、Y ₂ O ₃ 、CeO ₂ 、およびDyO ₂ 等の酸化物、ZnS、およびCdS等の硫化物、なら びにSiCなどの炭化物から選択される1種類の� �合物、またはこれらの化合物から選択され� �2種類以上の化合物の混合物、例えばZrO ₂ -SiO ₂ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Cr ₂ O ₃ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Ga ₂ O ₃ 、HfO ₂ -SiO ₂ -Cr ₂ O ₃ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -In ₂ O ₃ 、ZnS-SiO ₂ 、およびSnO ₂ -SiCを用いることができる。特にZnS-SiO ₂ は第1の誘電体層の材料として優れている。Zn S-SiO ₂ は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性 および耐湿性が良好であることによる。

 第1の誘電体層404の厚さが大きすぎると、 反射層402の冷却効果が弱くなり、記録層406か らの熱拡散が小さくなるため、記録層が非晶 質化しにくくなる。また、第1の誘電体層404� �厚さが小さすぎると、反射層402の冷却効果� �強くなり、記録層406からの熱拡散が大きく� �って、感度が低下する。そのため、第1の誘� ��体層404の厚さは、2nm~40nmの範囲内であるこ� �が好ましく、8nm~30nmの範囲内であることがよ り好ましい。

 反射層側界面層403は、反射層402が、第1の誘 電体層404の材料によって腐食または破壊され るのを防ぐように作用する。具体的には反射 層402がAgを含み、かつ、第1の誘電体層404がS� �含む(例えばZnS-SiO ₂ を含む)とき、反射層側界面層403は、AgとSの� �応に起因する反射層402の腐食を防ぐ。

 反射層側界面層403の材料としては、Ag以外� �金属、例えばAl、またはAl合金を用いること� ��できる。また、反射層側界面層403の材料と� ��ては、Sを含まない誘電体材料を用いること ができる。そのような材料は、例えば、ZrO ₂ 、HfO ₂ 、ZnO、SiO ₂ 、SnO ₂ 、Cr ₂ O ₃ 、TiO ₂ 、In ₂ O ₃ 、Ga ₂ O ₃ 、Y ₂ O ₃ 、CeO ₂ 、およびDyO ₂ 等の酸化物、ならびにSiCなどの炭化物から選 択される1種類の化合物、またはこれらの化� �物から選ばれる2種類以上の化合物の混合物� ��例えばZrO ₂ -SiO ₂ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Cr ₂ O ₂ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Ga ₂ O ₂ 、HfO ₂ -SiO ₂ -Cr ₂ O ₃ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -In ₂ O ₃ 、およびSnO ₂ -SiCである。または、Cなどを用いて反射層側� ��面層403を形成してよい。

 反射層側界面層403の厚さは大きすぎると� ��第1の誘電体層404の熱的及び光学的な働きが 妨げられ、また、小さすぎると、反射層402の 腐食および破壊が十分に防止されないことが ある。そのため、反射層側界面層403の厚さは 1nm~100nmの範囲内であることが好ましく、5nm~40 nmの範囲内であることがより好ましい。

 第1の界面層405は、繰り返しの記録によって 、第1の誘電体層404と記録層406との間で生じ� �物質移動を防止する機能を有する。第1の界� ��層405は、記録の際に溶融しない程度の高い� ��点を有し、記録層406との密着性が良い材料� ��形成することが好ましい。第1の界面層405の 材料は、例えば、ZrO ₂ 、HfO ₂ 、ZnO、SiO ₂ 、SnO ₂ 、Cr ₂ O ₃ 、TiO ₂ 、In ₂ O ₃ 、Ga ₂ O ₃ 、Y ₂ O ₃ 、CeO ₂ 、およびDyO ₂ 等の酸化物、ZnSおよびCdS等の硫化物、ならび にSiCなどの炭化物から選ばれる1種類の化合� �またはこれらの化合物から選ばれる2種類以� ��の化合物の混合物、例えば、ZrO ₂ -SiO ₂ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Cr ₂ O ₃ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -Ga ₂ O ₃ 、HfO ₂ -SiO ₃ -Cr ₂ O ₃ 、ZrO ₂ -SiO ₂ -In ₂ O ₃ 、ZnS-SiO ₂ 、SnO ₂ -SiCを用いることができる。またはCなどであ� ��。特にGa ₂ O ₃ 、ZnOおよびIn ₂ O ₃ などが第1の界面層405の材料として好ましい� �これらは、記録層406との密着性が良いこと� �よる。

 第1の界面層405の厚さが小さすぎると、界 面層としての効果が発揮されなくなり、大き すぎると、第1の誘電体層404の熱的および光� �的な働きが妨げられる。そのため、第1の界� ��層405の厚さは、0.3nm~15nmの範囲内であること が好ましく、1nm~8nmの範囲内であることがよ� �好ましい。

 第2の誘電体層408は、記録層406よりもレーザ ビーム入射側により近い位置に存在する。第 2の誘電体層408は、記録層406の腐食および変� �などを防止する機能と、反射率および吸収� �などを調整する光学的な機能とを有する。� �た、第2の誘電体層408の材料の例は、第1の誘 電体層404の材料として挙げた例と同様である 。特に、ZnS-SiO ₂ は第2の誘電体層の材料として優れている。Zn S-SiO ₂ は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性 および耐湿性が良好であることによる。

 第2の誘電体層408の厚さが大きすぎると、 記録層406の腐食および変形などを防止する機 能が低下する。また、第2の誘電体層408の厚� �は、マトリクス法に基づく計算により、記� �層406が結晶相である場合と非晶質相である� �合の反射光量の変化が大きくなる条件を満� �するように、厳密に決定することができる� �第2の誘電体層408の厚さは、20nm~80nmの範囲内� ��あることが好ましい。

 第2の界面層407は、第1の界面層405と同様� �、繰り返し記録によって第2の誘電体層408と� ��録層406との間で生じる物質移動を防止する� ��能を有する。従って、第2の界面層407は、第 1の界面層405と同様の性能を有するように、� �1の界面層405の材料として例示した材料で形� ��されることが好ましい。

 第2の界面層407の厚さは、第1の界面層405� �同様に、0.3nm~15nmの範囲内であることが好ま� ��く、1nm~8nmの範囲内であることがより好まし い。

 上記、反射層402、第1の誘電体層404、記録 層406及び第2の誘電体層408を設け、さらに必� �に応じて反射層側界面層403、第1の界面層405� ��び第2の界面層407を設けることによって情報 層40は構成される。

 透明層23は、情報層40のレーザビーム31入� ��側にあり、情報層40を保護する。透明層23は 、レーザビーム31に対して小さい光吸収を有� ��ることが好ましい。透明層23は、ポリカー� �ネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹� �、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹� �、紫外線硬化性樹脂(例えば、アクリル系樹� ��およびエポキシ系樹脂)、遅効性熱硬化性樹 脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わ せたもの等を用いて、形成することができる 。また、これらの材料よりなるシートを、透 明層23として用いてもよい。

 透明層23の厚さが小さすぎると、情報層40 を保護する機能が発揮されない。また、透明 層23の厚さが大きすぎると、情報記録媒体11� �おいて、レーザビーム31入射側から情報層40� ��での距離が対物レンズ32の焦点距離よりも� �くなって、レーザビーム31の焦点を記録層406 に合わせることができなくなる。NAが0.85であ る場合には、透明層の厚さは5μm~150μmの範囲� ��であることが好ましく、40μm~110μmの範囲内� ��あることがより好ましい。

 情報記録媒体11は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板21(厚さは例えば1.1mm)上に情報層4 0を形成する。情報層40は多層膜から成り、各 層(膜)は、順次スパッタリングすることによ� ��て形成できる。なお、基板21を構成する材� �によっては、基板21は高い吸湿性を示すこと があるので、必要に応じて、スパッタリング をする前に水分を除去する基板アニール工程 を実施してもよい。

 各層は、各層を構成する材料のスパッタ� ��ングターゲットを、Arガス、KrガスまたはXe� ��スなどの希ガス雰囲気中、または希ガスと� ��応ガス(酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる 少なくとも一つのガス)との混合ガス雰囲気� �でスパッタリングすることによって形成で� �る。スパッタリング方法としてはDC(直流)ス� ��ッタリング法とRF(高周波)スパッタリング法 とを必要に応じて使い分ける。通常、DCスパ� ��タリングは、高い成膜レートで実施できる� ��め、好ましく用いられる。しかし、誘電体� ��料など導電性の低い材料は、DCスパッタリ� �グ法によってスパッタリングできないこと� �あり、その場合は、RFスパッタリング法が用 いられる。導電性の高い誘電体材料、および スパッタリングターゲット作製時に工夫して 導電性を高めた誘電体材料等は、DCスパッタ� ��ング法またはパルスDCスパッタリング法に� �ってスパッタリングできる。

 スパッタリングによって形成される各層� ��組成は、もとのスパッタリングターゲット� ��組成と完全には一致しないことがある。例� ��ば、酸化物の場合、スパッタリングによっ� ��酸素欠損がおこりやすい。その場合、反応� ��スとして酸素ガスを用いることで酸素欠損� ��補うことができる。スパッタリングターゲ� ��トの組成は、スパッタリングによって形成� ��れた膜が所望の組成となるように決定され� ��。スパッタリングターゲットの組成と、ス� ��ッタリングによって形成された膜の組成は� ��一致してもよい。

 ここで、本発明の情報記録媒体の製造に� ��いられるスパッタリング装置(成膜装置)の� �例を説明する。図16は、スパッタリング装置 を用いて成膜する様子を模式的に示している 。図16に示すように、このスパッタリング装� ��では、真空容器667に、排気口668を介して真� ��ポンプ(図示せず)が接続され、真空容器667� �で、高真空が保たれる。ガス供給口669から� �、一定流量のガスが供給される。基板671(こ� ��での基板とは、その表面に膜を堆積させる� ��材である)は陽極670に載置されている。真空 容器667を接地することにより、真空容器667及 び基板671が陽極に保たれている。

 スパッタリングターゲット672は、陰極673� ��接続されており、スイッチ(図示せず)を介� �て電源674に接続されている。図示した形態� �おいて、陰極673は水冷される。陽極670と陰� �673との間に所定の電圧を加えることにより� �スパッタリングターゲット672から粒子が放� �され、基板671上に薄膜を形成する。この装� �は、情報層を形成する各層を形成するため� �用いることができ、また、後述する他の形� �の媒体を製造するためにも用いることがで� �る。

 図示した形態において、情報層40の形成� �、具体的には、基板21上に反射層402を形成す ることから開始する。反射層402は、反射層402 を構成する金属又は合金からなるスパッタリ ングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガ スと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、DCス� ��ッタリングすることにより、形成できる。

 続いて、必要に応じて反射層402上に、反� ��層側界面層403を形成する。反射層側界面層4 03は、反射層側界面層403を構成する材料から� ��るスパッタリングターゲットを、希ガス雰� ��気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰� ��気中でスパッタリングすることにより、形� ��する。反射層側界面層403の材料が、金属な� ��導電性の高い材料である場合は、DCスパッ� �リング法を用い、酸化物など導電性の低い� �料である場合は、RFスパッタリング法を用い るとよい。

 続いて、反射層側界面層403上、または、� ��射層402上に、第1の誘電体層404を形成する。 第1の誘電体層404は、第1の誘電体層404を構成� ��る材料からなるスパッタリングターゲット� ��、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスと� ��混合ガス雰囲気中で、RFスパッタリング法� �よりスパッタリングすることによって形成� �る。場合により、第1の誘電体層404は、DCス� �ッタリング法により形成してよい。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層404 上に、第1の界面層405を形成する。第1の界面� ��405は、第1の界面層405を構成する材料からな るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲 気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲 気中で、RFスパッタリングすることによって� ��成する。場合により、第1の界面層405は、DC� ��パッタリング法により形成してよい。

 続いて、第1の界面層405上、または、第1の� �電体層404の上に記録層406を形成する。記録� �406は、例えば、SbとSとを含むスパッタリン� �ターゲットを希ガス雰囲気中でスパッタリ� �グすることによって形成してよい。具体的� �は、記録層406が上記式(1)で表される材料を� �む組成となるように、組成を調整したスパ� �タリングターゲットをDCスパッタリングする ことによって、記録層406は形成できる。その ようなスパッタリングターゲットは、例えば 、SbとSとを含み、下記の式(11):
Sb _X S _100-X   (原子%)  (11)
(添え字Xは、原子%で示される組成比を表し、 50≦X≦98を満たす)
で表される材料を含む、スパッタリングター ゲットである。

 また、記録層406を形成するのに用いるス� ��ッタリングターゲットとしては、上記のス� ��ッタリングターゲットに、さらにSn、Bi、In� ��Ge及びMnから選ばれる少なくとも1つの元素� �添加したスパッタリングターゲットを用い� �もよい。具体的には、記録層406が上記式(2)� �(3)または(4)で表される材料を含む組成とな� �ように、組成を調整したスパッタリングタ� �ゲットを、DCスパッタリングすることによっ て、記録層406は形成できる。そのようなスパ ッタリングターゲットは、例えば、下記式(12 )~(14)で表される材料を含む。

 (Sb _Z S _1-Z ) _100-Y M1 _Y   (原子%)  (12)
(M1はGe、InおよびSnから選ばれる少なくとも一 つの元素であり、添え字Zは、Sb原子の数とS� �子の数を合わせて1としたときの各原子の割� ��を表し、0.5≦Z≦0.98を満たし、添え字Yは、� ��子%で示される組成比を表し、0<Y≦30を満� ��す)

 (Sb _A S _1-A ) _100-B M2 _B   (原子%)  (13)
(M2はBiおよびMnから選ばれる少なくとも一つ� �元素であり、添え字Aは、Sb原子の数とS原子� ��数を合わせて1としたときの各原子の割合を 表し、0.5≦A≦0.98を満たし、添え字Bは、原子 %で示される組成比を表し、0<B≦20を満たす )

 (Sb _C S _1-C ) _100-D-E M1 _D M2 _E   (原子%)  (14)
(M1はGe、InおよびSnから選ばれる少なくとも一 つの元素であり、M2はBiおよびMnから選ばれる 少なくとも一つの元素であり、添え字Cは、Sb 原子の数とS原子の数を合わせて1としたとき� ��各原子の割合を表し、0.5≦C≦0.98を満たし� �添え字DおよびEは、原子%で示される組成比� �表し、0<D<30、0<E≦20、0<D+E≦30を満� �す)

 あるいは、記録層406は、Sb、S、M(但し、M� ��Sn、Bi、In、Ge及びMnのうち少なくとも1つの� �素)、Sb-S、Sb-M、S-M及びSb-S-Mで表されるスパ� �タリングターゲットから選ばれる少なくと� �2個以上のスパッタリングターゲットを同時� ��スパッタリングすることによって形成する� ��ともできる。その場合には、使用するスパ� ��タリングターゲットの数、ならびに電源の� ��力に応じて、得られる記録層の組成が決定� ��れることになるので、それらを適宜選択し� ��、形成された膜が所望の組成となるように� ��パッタリングする。このように2種以上のス パッタリングターゲットを使用することは、 混合物のスパッタリングターゲットを形成す るのが困難な場合に有用である。

 続いて、必要に応じて、記録層406上に、� ��2の界面層407を形成する。第2の界面層407は� �第2の界面層407を構成する材料から成るスパ� ��タリングターゲットを、希ガス雰囲気中又� ��希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で� ��RFスパッタリングすることによって形成す� �。場合により、第2の界面層407は、DCスパッ� �リングにより形成してよい。

 続いて、第2の界面層407上、または、記録 層406上に第2の誘電体408を形成する。第2の誘� ��体層408は、第2の誘電体層408を構成する材料 から成るスパッタリングターゲットを、希ガ ス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガ ス雰囲気中で、RFスパッタリングすることに� ��って形成する。場合により、第2の誘電体層 407は、DCスパッタリングにより形成してよい� ��

 このようにして、基板21上に情報層40を形 成し、その後、情報層40上に透明層23を形成� �る。透明層23は、第2情報層41上に紫外線硬化 性樹脂(例えば、アクリル系樹脂およびエポ� �シ系樹脂)または遅効性熱硬化性樹脂を、ス� ��ンコート法により塗布した後、この樹脂を� ��化させることによって形成できる。また、� ��明層23は、ポリカーボネート樹脂、ポリメ� �ルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹� �、ノルボルネン系樹脂、またはガラス等か� �成る、円盤状の板またはシートを用いて形� �してよい。この場合、透明層23は、情報層40� ��に、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化� ��樹脂を塗布し、塗布した樹脂に板またはシ� ��トを密着させた後、硬化性樹脂を硬化させ� ��ことによって形成できる。別法として、板� ��たはシートに粘着性の樹脂を予め均一に塗� ��し、それから板またはシートを第2の誘電体 層408に密着させることもできる。

 情報記録媒体11の記録層406は、通常、成� �したままの状態(アズデポ(as-depo)の状態)では 非晶質状態である。よって、必要に応じてレ ーザビームを照射する等して、記録層406を結 晶化する初期化工程を行ってもよい。

 以上のようにして、情報記録媒体11は製� �される。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法などを用いる ことも可能である。

 (実施の形態2)
 実施の形態2として、本発明の情報記録媒体 の別の例を説明する。実施の形態2の情報記� �媒体12の部分断面図を図3に示す。情報記録� �体12は、多層光記録媒体であり、情報は、レ ーザビーム31を対物レンズ32で集光し照射す� �ことによって、記録再生される。

 情報記録媒体12においては、基板21上に、 第1情報層41、第2情報層42・・・第N-1情報層48� ��第N情報層49までのN個の情報層(NはN≧2の整� �)、及び透明層23がこの順に設けられている(� ��下、レーザ入射側とは反対側から数えてK番 目(1≦K≦N)の情報層を第K情報層と呼ぶ)。情� �層と情報層との間には、分離層22、・・・、 28、29が設けられている。

 情報記録媒体12では、第N情報層49よりも� �板21側にある情報層に到達するレーザビーム およびその反射光は、その情報層よりレーザ ビーム31入射側に近い情報層を透過すること� ��より、減衰する。そのため、第1情報層41、� ��2情報層42、・・・及び第N―1情報層48は、高 い記録感度と高い反射率を有する必要があり 、第2情報層42・・・第N-1情報層48及び第N情報 層49は、高い透過率を有する必要がある。

 基板21及び透明層23の材料、形状および機 能は、実施の形態1で説明したとおりである� �ら、ここではその詳細な説明を省略する。

 分離層22、・・・、28、29は、情報記録媒� ��12の第1情報層41、第2情報層42・・・第N情報� ��49のそれぞれのフォーカス位置を区別する� �めに設ける層である。分離層22、・・・、28� ��29の厚さは、対物レンズ32の開口数NAとレー� ��ビーム31の波長λにより決定される焦点深度 以上であることが望ましい。一方、分離層22� ��・・・、28、29により分離されたすべての情 報層は、対物レンズ32により集光可能な範囲� ��収まる必要がある。この要求を満たすには� ��分離層22、・・・、28、29等はある程度薄く� ��る必要がある。仮に、λが405nm、NAが0.85であ る場合には、分離層22、・・・、28、29の厚さ は、5μm~50μmの範囲内であることが好ましい� �

 分離層22、・・・、28、29は、レーザビー� ��31に対して小さい光吸収を有することが好� �しい。分離層22、・・・、28、29のレーザビ� �ム31照射側には、レーザビーム31を導くため� ��案内溝が形成されていてもよい。分離層22� �・・・、28、29の材料は、ポリカーボネート� ��脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリ� ��レフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外� ��硬化性樹脂、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス� ��あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等� ��あってよい。

 なお、本発明を、図3に示す媒体のように 、多層構造の媒体として提供する場合、N個� �情報層のうち少なくとも1つの第K情報層(Kは1 ≦K≦Nの整数)が相変化を生じ得る記録層を含 むものであればよい。例えば、第N情報層49の みが、先に実施の形態1の記録層406に関連し� �説明した、SbとSとを含み、上記式(1)~(4)のい� ��れかで表される材料を含む記録層(以下の説 明を含む本明細書において、そのような記録 層を「SbとSとを含む記録層」と呼ぶことがあ る)を含む書き換え型の情報層であってよい� �その場合、第1情報層41から第N-1情報層48まで のN-1個の情報層が、再生専用の情報層、ある いは1回のみ書込み可能な追記型の情報層と� �てもよい。

 あるいは、第N情報層から第2情報層まで� �N-1個の情報層のうち、少なくとも一つの情� �層が、SbとSを含む記録層を含む、書き換え� �の情報層であってよい。SbとSを含み、上記� �(1)~(4)で示される材料は、高い透過性を有す� ��ので、第1情報層以外の情報層(即ち、その� �報層を通過した光が別の情報層の記録再生� �用いられる情報層)の記録層を構成するのに� ��している。あるいはまた、すべての情報層� ��、SbとSとを含む記録層を有してよい。SbとS� ��を含む記録層を媒体において1つだけ設ける 場合、SbとSとを含む記録層は、第N情報層に� �まれることが好ましい。第N情報層は、最も� ��い透過率を要するからである。

 以下、第N情報層49の構成を説明する。
 図3に示すように、第N情報層49においては、 基板21に近い側から透過率調整層491、反射層4 92、第1の誘電体層494、記録層496及び第2の誘� �体層498がこの順に設けられている。また、� �要に応じて、反射層492と第1の誘電体層494と� ��間に反射層側界面層を、第1の誘電体層494と 記録層496との間に第1の界面層を、第2の誘電� ��層498と記録層496との間に第2の界面層を設け てもよい。図3において、反射層側界面層は� �層491と492との間に、493で表される層として� �すことができ、第1の界面層は、層492と494と� ��間に、495で表される層として示すことがで� ��、第2の界面層は、層496と498との間に、497で 表される層として示すことができる。

 記録層496の材料として、実施の形態1の記録 層406の材料と同様の材料を用いることができ る。SbとSを含む材料は透明性が高いため、記 録層496の材料として特に適している。また、 他の情報層がSbとSとを含む記録層を有する場 合には、記録層496の材料として、(Ge-Sn)Te、GeT e-Sb ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-Sb ₂ Te ₃ 、GeTe-Bi ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-Bi ₂ Te ₃ 、GeTe-(Sb-Bi) ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-(Sb―Bi) ₂ Te ₃ 、GeTe-(Bi―In) ₂ Te ₃ 、(Ge―Sn)Te-(Bi―In) ₂ Te ₃ 、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga� �び(Sb-Te)-Gaのいずれかを含む材料を用いるこ� ��もできる。記録層496の厚さは、第N情報層49� ��透過率を高くするために、10nm以下であるこ とが好ましく、2nm~8nmの範囲内であることが� �り好ましい。

 反射層492は、実施の形態1の反射層402と同 様な機能を有する。すなわち、記録層496に吸 収される光量を増やすという光学的な機能と 、記録層496で生じた熱を拡散させるという熱 的な機能とを有する。そのため、反射層492の 材料の例は、実施の形態1で説明した反射層40 2の材料の例と同様である。特にAg合金は熱伝 導率が大きいため、反射層492の材料として好 ましい。

 反射層492の厚さは、第N情報層49の透過率� ��高くするために、20nm以下であることが好ま しく、3nm~14nmの範囲内であることがより好ま� ��い。反射層492の厚さがこの範囲内にあると� ��反射層492の光学的及び熱的な機能が十分に� ��揮される。

 第1の誘電体層494は、実施の形態1の第1の� ��電体層404と同様な機能を有する。すなわち� ��記録層496から反射層492への熱拡散を調節す� ��熱的な機能と、反射率および吸収率等を調� ��する光学的な機能とを有する。したがって� ��第1の誘電体層494の材料の例は、実施の形態 1の第1の誘電体層404の材料の例と同様である� ��

 第1の誘電体層494の厚さは、光学的及び熱 的な機能が十分に発揮されるように、1nm~40nm� ��範囲内であることが好ましく、4nm~30nmの範� �内であることがより好ましい。

 第2の誘電体層498は、実施の形態1の第2の� ��電体層408と同様な機能を有する。すなわち� ��記録層496の腐食および変形等を防止する機� ��と、反射率および吸収率等を調整する光学� ��な機能とを有する。そのため、第2の誘電体 層498の材料の例は、実施の形態1で説明した� �2の誘電体層408の材料の例と同様である。第2 の誘電体層498の厚さは、マトリクス法に基づ く計算により、記録層496が結晶相である場合 と非晶質相である場合の反射光量の変化が大 きくなる条件を満足するように厳密に決定す ることができる。

 透過率調整層491は誘電体からなり、第N情 報層49の透過率を調節する機能を有する。こ� ��透過率調整層491によって、記録層496が結晶� ��である場合の第N情報層49の透過率Tc(%)と、� �録層496が非晶質相である場合の第N情報層49� �透過率Ta(%)とを共に高くすることができる。

 透過率調整層491は、TiO ₂ 、ZrO ₂ 、HfO ₂ 、ZnO、Nb ₂ O ₅ 、Ta ₂ O ₅ 、Al ₂ O ₃ 、SiO ₂ 、Cr ₂ O ₃ 、CeO ₂ 、Ga ₂ O ₃ 、およびBi ₂ O ₃ 等の酸化物、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ge-N、Cr-N、およ� ��Al-N等の窒化物、ならびにZnSなどの硫化物か ら選択される1種類の化合物、またはこれら� �化合物から選択される2種類以上の化合物の� ��合物で形成されてよい。透過率調整層491の� ��折率n _t と消衰係数k _t は、透過率TcおよびTaを高めるために、n _t ≧2.4、かつ、kt≦0.1であることが好ましい。� ��の条件を満たす材料として、TiO ₂ またはTiO ₂ を含む材料を用いることが好ましい。これら の材料は屈折率が大きく(n _t =2.6~2.8)、消衰係数が小さい(k _t =0.0~0.1)ため、これらの材料を用いて形成した 透過率調整層491は、第N情報層49の透過率を効 果的に高めることによる。

 透過率調整層491の厚さが、略λ/8n _t (ただし、λはレーザビーム31の波長λ、n _t は透過率調整層491の材料の屈折率)であると� �に、透過率TcおよびTaがより効果的に高めら� ��る。仮に、λ=405nm、n _t =2.6とした場合には、透過率調整層491の厚さ� �、反射率など他の特性も考慮して、5nm~36nmの 範囲内であることが好ましい。

 反射層側界面層、第1の界面層及び第2の� �面層は、それぞれ実施の形態1の反射層側界� ��層403、第1の界面層405及び第2の界面層407と� �様の機能を有する。よって、これらの層の� �料の例は、それぞれ実施の形態1で説明した� ��反射層側界面層403、第1の界面層405及び第2� �界面層407の材料の例と同様である。

 情報記録媒体12は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板21上に第1情報層41から第N-1情報� �48までのN-1個の情報層を、分離層22、・・・� ��28等を介して順次積層する。各情報層は、� �層膜から成り、情報層を構成する各層(膜)は 、順次スパッタリングすることによって形成 できる。また、分離層22、・・・、28等は、� �外線硬化性樹脂(例えば、アクリル系樹脂お� ��びエポキシ系樹脂)または遅効性熱硬化性樹 脂を情報層上に塗布し、次に全体を回転させ て樹脂を均一に延ばし(スピンコート)、その� ��、この樹脂を硬化させることによって形成� ��きる。分離層22、・・・、28等がレーザビー ム31の案内溝を備える場合、案内溝は、溝が� ��成された基板(型)を硬化前の樹脂に密着さ� �、その状態で樹脂を硬化させた後、基板(型) を剥がすことによって案内溝を形成できる。

 このようにして、基板21上にN-1個の情報� �を、分離層22、・・・、28等を介して積層し� ��のち、第N-1情報層上に、分離層29を形成す� �。

 続いて、分離層29上に第N情報層49を形成す� �。
 具体的には、まず分離層29上に透過率調整� �491を形成する。透過率調整層491は、透過率� �整層491を構成する材料から成るスパッタリ� �グターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガ� �と反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、RFスパ ッタリング法またはDCスパッタリング法によ� ��スパッタリングすることによって形成でき� ��。

 続いて、透過率調整層491上に、反射層492� ��形成する。反射層492は、実施の形態1の反射 層402を形成する方法と同様の方法で形成でき る。

 続いて、必要に応じて反射層492上に、反� ��層側界面層を形成する。反射層側界面層は� ��実施の形態1の反射層側界面層403を形成する 方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、反射層側界面層上、または、反� ��層492上に、第1の誘電体層494を形成する。第 1の誘電体層494は、実施の形態1の第1の誘電体 層404を形成する方法と同様の方法で形成でき る。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層494 上に、第1の界面層を形成する。第1の界面層� ��、実施の形態1の第1の界面層405の形成方法� �同様の方法で形成できる。

 続いて、第1の界面層上、または、第1の� �電体層494の上に記録層496を形成する。記録� �496は、SbおよびSを含む場合には、実施の形� �1の記録層406の形成方法と同様の方法で形成� ��きる。記録層406が他の材料で形成される場� ��には、その材料に応じてスパッタリングタ� ��ゲットを選択して、スパッタリング法によ� ��形成してよい。

 続いて、必要に応じて、記録層496上に、� ��2の界面層を形成する。第2の界面層は、実� �の形態1の第2の界面層407の形成方法と同様の 方法で形成できる。

 続いて、第2の界面層上、または、記録層 496上に第2の誘電体498を形成する。第2の誘電� ��層498は、実施の形態1の第2の誘電体層408の� �成方法と同様の方法で形成できる。

 このようにして、分離層29上に第N情報層4 9を形成し、その後、第N情報層49上に透明層23 を形成する。透明層23は、実施の形態1で説明 した方法で形成できる。

 情報記録媒体12の各記録層は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態であるため� �必要に応じてレーザビームを照射する等し� �、記録層を結晶化する初期化工程を行って� �よい。

 以上のようにして、情報記録媒体12を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

(実施の形態3)
 実施の形態3として、実施の形態2の本発明� �多層記録媒体において、Nが2である、すなわ ち2個の情報層によって構成された記録媒体� �一例を説明する。実施の形態3の情報記録媒� ��13の部分断面図を図4に示す。情報記録媒体1 3は、二層光記録媒体であって、情報は、レ� �ザビーム31を対物レンズ32で集光し照射する� ��とによって、記録再生される。

 情報記録媒体13においては、基板21上に、 第1情報層41、分離層22、第2情報層42及び透明� ��23がこの順に設けられている。

 基板21、分離層22及び透明層23それぞれの� ��料、形状および機能は、実施の形態1及び2� �説明したとおりである。

 第2情報層42は、実施の形態2で説明した第 N情報層49と同様の役割を果たす(実施の形態3� ��はN=2であるため)。そのため、第2情報層42を 構成する各層は、実施の形態2で説明した第N� ��報層49を構成する各層の材料で形成するこ� �ができる。また、第2情報層42を構成する各� �の形状及び機能は、実施の形態2で説明した� ��N情報層49を構成する各層の形状及び機能と� ��様である。

 以下、第1情報層41の構成について説明する� ��
 図4に示すように、第1情報層41においては、 基板21に近い側から反射層412、第1の誘電体層 414、記録層416及び第2の誘電体層418がこの順� �設けられている。また、必要に応じて、反� �層412と第1の誘電体層414との間に反射層側界� ��層を、第1の誘電体層414と記録層416との間に 第1の界面層を、第2の誘電体層418と記録層416� ��の間に第2の界面層を設けてもよい。図4に� �いて、反射層側界面層は、層412と414との間� �、413で表される層として示すことができ、� �1の界面層は、層414と416との間に、415で表さ� ��る層として示すことができ、第2の界面層は 、層416と418との間に、417で表される層として 示すことができる。

 記録層416の材料として、実施の形態1の記録 層406の材料と同様の材料を用いることができ る。また、第2の情報層42がSbとSとを含む記録 層を有する場合には、記録層416の材料は、(Ge -Sn)Te、GeTe-Sb ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-Sb ₂ Te ₃ 、GeTe-Bi ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-Bi ₂ Te ₃ 、GeTe-(Sb-Bi) ₂ Te ₃ 、(Ge-Sn)Te-(Sb―Bi) ₂ Te ₃ 、GeTe-(Bi―In) ₂ Te ₃ 、(Ge―Sn)Te-(Bi―In) ₂ Te ₃ 、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga� �たは(Sb-Te)-Gaであってよい。

 反射層412、第1の誘電体層414及び第2の誘� �体層418は、それぞれ実施の形態1の反射層402� ��第1の誘電体層404及び第2の誘電体層408と同� �の機能を有し、同様の材料で形成すること� �できる。

 また、反射層側界面層、第1の界面層及び 第2の界面層は、それぞれ実施の形態1の反射� ��側界面層403、第1の界面層405及び第2の界面� �407と同様の機能を有し、同様の材料で形成� �ることができる。

 情報記録媒体13は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板21(厚さは例えば1.1mm)上に第1情報 層41を形成する。
 具体的には、まず、基板21上に、反射層412� �形成する。反射層412は、実施の形態1の反射� ��402の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて反射層412上に、反� ��層側界面層を形成する。反射層側界面層は� ��実施の形態1の反射層側界面層403の形成方法 と同様の方法で形成できる。

 続いて、反射層側界面層上、または、反� ��層412上に、第1の誘電体層414を形成する。第 1の誘電体層414は、実施の形態1の第1の誘電体 層404の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層414 上に、第1の界面層を形成する。第1の界面層� ��、実施の形態1の第1の界面層405と同様の方� �で形成できる。

 続いて、第1の界面層上、または、第1の� �電体層414の上に、記録層416を形成する。記� �層416は、SbおよびSを含む場合には、実施の� �態1の記録層406の形成方法と同様の方法で形� ��できる。記録層416が他の材料で形成される� ��合には、その材料に応じてスパッタリング� ��ーゲットを選択して、スパッタリング法に� ��り形成してよい。

 続いて、必要に応じて、記録層416上に、� ��2の界面層を形成する。第2の界面層は、実� �の形態1の第2の界面層407の形成方法と同様の 方法で形成できる。

 続いて、第2の界面層上、または、記録層 416上に第2の誘電体418を、形成する。第2の誘� ��体層418は、実施の形態1の第2の誘電体層408� �形成方法と同様の方法で形成できる。

 このようにして、基板21上に第1情報層41� �形成し、その後、第1情報層41上に分離層22を 形成する。分離層22は、実施の形態2で説明し た方法で形成できる。

 なお、第2の誘電体層418を形成した後、ま たは分離層22を形成した後、必要に応じてレ� ��ザビームを照射する等して、記録層416を結� ��化する初期化工程を行ってもよい。

 続いて、分離層22上に第2情報層42を形成す� �。
 具体的には、まず分離層22上に透過率調整� �421を形成する。透過率調整層421は、実施の� �態2の透過率調整層491の形成方法と同様の方� ��で形成できる。

 続いて、透過率調整層421上に、反射層422� ��形成する。反射層422は、実施の形態2の反射 層492の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて反射層422上に、反� ��層側界面層を形成する。反射層側界面層は� ��実施の形態2の反射層側界面層の形成方法と 同様の方法で形成できる。

 続いて、反射層側界面層上、または、反� ��層422上に、第1の誘電体層424を形成する。第 1の誘電体層424は、実施の形態2の第1の誘電体 層494の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層424 上に、第1の界面層を形成する。第1の界面層� ��、実施の形態2の第1の界面層の形成方法と� �様の方法で形成できる。

 続いて、第1の界面層上、または、第1の� �電体層424の上に記録層426を形成する。記録� �426は、実施の形態2の記録層496の形成方法と� ��様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、記録層426上に、� ��2の界面層を形成する。第2の界面層は、実� �の形態2の第2の界面層の形成方法と同様の方 法で形成できる。

 続いて、第2の界面層上、または、記録層 426上に第2の誘電体428を形成する。第2の誘電� ��層428は、実施の形態2の第2の誘電体層498の� �成方法と同様の方法で形成できる。

 このようにして、分離層22上に第2情報層4 2を形成し、その後、第2情報層42上に透明層23 を形成する。透明層23は、実施の形態1で説明 した方法で形成できる。

 情報記録媒体13の各記録層は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態であるため� �必要に応じてレーザビームを照射する等し� �、記録層を結晶化する初期化工程を行って� �よい。あるいは、既に、記録層416が初期化� �れている場合には、第2情報層42を形成した� �に、記録層426のみを初期化してよい。

 以上のようにして、情報記録媒体13を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

 Nが2であり、波長405nm付近の青紫色域のレ ーザ光が記録再生に使用され、1情報層あた� �の容量が約25GBであれば、約50GBの容量を有す る情報記録媒体を得ることができる。あるい は、記録密度を高めて1情報層あたりの容量� �約33GBにすれば、約66GBの容量を有する情報記 録媒体を得ることができる。

(実施の形態4)
 実施の形態4として、実施の形態2の本発明� �多層情報記録媒体において、N=4、すなわち4� ��の情報層によって構成された情報記録媒体� ��一例を説明する。実施の形態4の情報記録媒 体14の部分断面図を図5に示す。情報記録媒体 14は、4層光記録媒体であり、情報は、レーザ ビーム31を対物レンズ32で集光し照射するこ� �によって、記録再生される。

 情報記録媒体14においては、基板21上に、 第1情報層41、分離層22、第2情報層42、分離層2 8、第3情報層43、分離層29、第4情報層44及び透 明層23がこの順に設けられている。

 情報記録媒体12では、第4情報層44よりも� �板21側にある情報層に到達するレーザビーム およびその反射光は、その情報層よりレーザ ビーム31入射側にある情報層を透過すること� ��より減衰してしまう。そのため、第1情報層 41、第2情報層42及び第3情報層43は、高い記録� ��度と高い反射率を有し、かつ、第2情報層42� ��第3情報層43及び第4情報層44は高い透過率を� ��する必要がある。

 基板21、分離層22、28、29及び透明層23は実 施の形態1及び2で説明した材料と同様の材料� ��形成することができる。また、それらの形� ��及び機能は、実施の形態1および2で説明し� �とおりである。

 第1情報層41を構成する各層の材料、形状� ��よび機能は、実施の形態3で説明したとおり であるから、その詳細な説明は省略する。

 第4情報層44は実施の形態2で説明した第N� �報層49と同様の役割を果たす(実施の形態4で� ��N=4であるため)。そのため、第4情報層44を構 成する各層は、実施の形態2で説明した第N情� ��層49を構成する各層の材料で形成すること� �できる。また、第4情報層44を構成する各層� �形状及び機能は、実施の形態2で説明した第N 情報層49を構成する各層の形状及び機能と同� ��である。

 以下、第2情報層42及び第3情報層43の構成に� ��いて説明する。
 第2情報層42においては、基板21に近い側か� �透過率調整層421、反射層422、第1の誘電体層4 24、記録層426及び第2の誘電体層428がこの順に 設けられている。また、必要に応じて、反射 層422と第1の誘電体層424との間に反射層側界� �層を、第1の誘電体層424と記録層426との間に� ��1の界面層を、第2の誘電体層428と記録層426� �の間に第2の界面層を設けてもよい。図5にお いて、反射層側界面層は、層422と424との間に 、423で表される層として示すことができ、第 1の界面層は、層424と426との間に、425で表さ� �る層として示すことができ、第2の界面層は� ��層426と428との間に、427で表される層として� ��すことができる。

 記録層426、反射層422、第1の誘電体層424、 第2の誘電体層428及び透過率調整層421は、そ� �ぞれ実施の形態2の記録層496、反射層492、第1 の誘電体層494、第2の誘電体層498及び透過率� �整層491と同様の機能を有し、同様の材料で� �成することができる。

 また、反射層側界面層、第1の界面層及び 第2の界面層は、それぞれ実施の形態2の反射� ��側界面層、第1の界面層及び第2の界面層と� �様の機能を有し、同様の材料で形成するこ� �ができる。

 第3情報層43においては、基板21に近い側� �ら、透過率調整層431、反射層432、第1の誘電� ��層434、記録層436及び第2の誘電体層438がこの 順に設けられている。また、必要に応じて、 反射層432と第1の誘電体層434との間に反射層� �界面層を、第1の誘電体層434と記録層436との� ��に第1の界面層を、第2の誘電体層438と記録� �436との間に第2の界面層を設けてもよい。図5 において、反射層側界面層は、層432と424との 間に、433で表される層として示すことができ 、第1の界面層は、層434と436との間に、435で� �される層として示すことができ、第2の界面� ��は、層436と438との間に、437で表される層と� ��て示すことができる。

 記録層436、反射層432、第1の誘電体層434、 第2の誘電体層438及び透過率調整層431は、そ� �ぞれ実施の形態2の記録層496、反射層492、第1 の誘電体層494、第2の誘電体層498及び透過率� �整層491と同様の機能を有し、同様の材料で� �成することができる。

 また、反射層側界面層433、第1の界面層及 び第2の界面層は、それぞれ実施の形態2の反� ��層側界面層、第1の界面層及び第2の界面層� �同様の機能を有し、同様の材料で形成する� �とができる。

 この形態の媒体においては、第2情報層42� ��ら第4情報層44までの3つの情報層のうち、い ずれか1つの情報層に含まれる記録層が、Sbお よびSを含み、上記式(1)~(4)のいずれかで示さ� ��る材料を含むことが好ましい。その理由は� ��施の形態2に関連して説明したとおりである 。

 情報記録媒体14は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板21(厚さは例えば1.1mm)上に第1情報 層41を形成する。
 具体的には、基板21上に、反射層412、第1の� ��電体層414、記録層416及び第2の誘電体層418を この順序で形成する。このとき、必要に応じ て反射層412と第1の誘電体層414との間に反射� �側界面層を、第1の誘電体層414と記録層416と� ��間に第1の界面層を、第2の誘電体層418と記� �層416との間に第2の界面層を形成してもよい� ��これらの各層は、実施の形態3で説明した方 法で形成できる。

 このようにして、基板21上に第1情報層41� �形成し、その後、第1情報層41上に分離層22を 形成する。分離層22は、実施の形態2で説明し た方法で形成できる。

 第2の誘電体層418を形成した後、または分 離層22を形成した後、必要に応じてレーザビ� ��ムを照射する等して、記録層416を結晶化す� ��初期化工程を行ってもよい。

 続いて、分離層22上に第2情報層42を形成す� �。
 具体的には、まず、分離層22上に透過率調� �層421を形成する。透過率調整層421は、実施� �形態2の透過率調整層491の形成方法と同様の� ��法で形成できる。

 続いて、透過率調整層421上に、反射層422� ��形成する。反射層422は、実施の形態2の反射 層492の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて反射層422上に、反� ��層側界面層を形成する。反射層側界面層は� ��実施の形態2の反射層側界面層と同様の方法 で形成できる。

 続いて、反射層側界面層上、または、反� ��層422上に、第1の誘電体層424を形成する。第 1の誘電体層424は、実施の形態2の第1の誘電体 層494の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層424 上に、第1の界面層を形成する。第1の界面層� ��、実施の形態2の第1の界面層の形成方法と� �様の方法で形成できる。

 続いて、第1の界面層上、または、第1の� �電体層424の上に、記録層426を形成する。記� �層426は、実施の形態2の記録層496の形成方法� ��同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、記録層426上に、� ��2の界面層を形成する。第2の界面層は、実� �の形態2の第2の界面層の形成方法と同様の方 法で形成できる。

 続いて、第2の界面層上、または、記録層 426上に、第2の誘電体428を形成する。第2の誘� ��体層428は、実施の形態2の第2の誘電体層498� �形成方法と同様の方法で形成できる。

 このようにして、分離層22上に第2情報層4 2を形成し、その後、第2情報層42上に分離層28 を形成する。分離層28は、実施の形態2で説明 した方法で形成できる。

 なお、第2の誘電体層428を形成した後、ま たは分離層28を形成した後、必要に応じてレ� ��ザビームを照射する等して、記録層426を結� ��化する初期化工程を行ってもよい。

 続いて、分離層28上に第3情報層43を形成す� �。
 具体的には、まず分離層28上に透過率調整� �431を形成する。透過率調整層431は、実施の� �態2の透過率調整層491の形成方法と同様の方� ��で形成できる。

 続いて、透過率調整層431上に、反射層432� ��形成する。反射層432は、実施の形態2の反射 層492の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて反射層432上に、反� ��層側界面層を形成する。反射層側界面層は� ��実施の形態2の反射層側界面層の形成方法と 同様の方法で形成できる。

 続いて、反射層側界面層上、または、反� ��層432上に、第1の誘電体層434を形成する。第 1の誘電体層434は、実施の形態2の第1の誘電体 層494の形成方法と同様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、第1の誘電体層434 上に、第1の界面層を形成する。第1の界面層� ��、実施の形態2の第1の界面層の形成方法と� �様の方法で形成できる。

 続いて、第1の界面層上、または、第1の� �電体層434の上に記録層436を形成する。記録� �436は、実施の形態2の記録層496の形成方法と� ��様の方法で形成できる。

 続いて、必要に応じて、記録層436上に、� ��2の界面層を形成する。第2の界面層は、実� �の形態2の第2の界面層の形成方法と同様の方 法で形成できる。

 続いて、第2の界面層上、または、記録層 436上に第2の誘電体438を形成する。第2の誘電� ��層438は、実施の形態2の第2の誘電体層498と� �様の方法で形成できる。

 このようにして、分離層28上に第3情報層4 3を形成し、その後、第3情報層43上に分離層29 を形成する。分離層29は、実施の形態2で説明 した方法で形成できる。

 なお、第2の誘電体層438を形成した後、ま たは分離層29を形成した後、必要に応じてレ� ��ザビームを照射する等して、記録層436を結� ��化する初期化工程をおこなっても良い。

 続いて、分離層29上に第4情報層44を形成す� �。
 具体的には、分離層29上に、透過率調整層44 1、反射層442、第1の誘電体層444、記録層446及� ��第2の誘電体層448をこの順序で形成する。こ のとき、必要に応じて反射層442と第1の誘電� �層444との間に反射層側界面層を、第1の誘電� ��層444と記録層446との間に第1の界面層を、第 2の誘電体層448と記録層446との間に第2の界面� ��を形成してもよい。これらの各層は、実施� ��形態2で説明した方法で形成できる。

 このようにして、分離層29上に第4情報層4 4を形成し、その後、第4情報層44上に透明層23 を形成する。透明層23は、実施の形態1で説明 した方法で形成できる。

 なお、情報記録媒体14の各記録層は、通� �、形成したままの状態では非晶質状態であ� �ため、必要に応じてレーザビームを照射す� �等して、記録層を結晶化する初期化工程を� �こなっても良い。あるいは、既に、記録層41 6、426、および436が初期化されている場合に� �、第4情報層44を形成した後に、記録層446の� �を初期化してよい。

 以上のようにして、情報記録媒体14を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

 Nが4であり、波長405nm付近の青紫色域のレ ーザ光が記録再生に使用され、1情報層あた� �の容量が約25GBであれば、約100GBの容量を有� �る情報記録媒体を得ることができる。ある� �は、記録密度を高めて1情報層あたりの容量� ��約33GBにすれば、約133GBの容量を有する情報� ��録媒体を得ることができる。

 実施の形態3および4として、N=2および4の� ��体を説明した。Nは3であってもよい。N=3の� �体は、図4に示される層のうち、基板21、第1� ��報層42、分離層22、第2情報層42、分離層28、� ��3情報層43および透明層23から構成される。N= 3の媒体においては、第2情報層および第3情報 層のうち、いずれか一方または両方に含まれ る記録層が、前記SbおよびSを含み、式(1)~(4)� �いずれかで示される材料を含むことが好ま� �い。また、レーザビーム入射側に最も近い� �3情報層に含まれる記録層のみが、前記Sbお� �びSを含み、式(1)~(4)のいずれかで示される材 料を含む記録層である場合にも、本発明の効 果を十分に得ることができる。

 Nが3であり、波長405nm付近の青紫色域のレ ーザ光が記録再生に使用され、1情報層あた� �の容量が約25GBであれば、約75GBの容量を有す る情報記録媒体を得ることができる。あるい は、記録密度を高めて1情報層あたりの容量� �約33GBにすれば、約100GBの容量を有する情報� �録媒体を得ることができる。

 (実施の形態5)
 実施の形態5として、本発明の情報記録媒体 の別の例を説明する。実施の形態5の情報記� �媒体15の部分断面図を図6に示す。情報記録� �体15は、光記録媒体であり、情報は、レーザ ビーム31を対物レンズ32で集光し照射するこ� �によって、記録再生できる。

 情報記録媒体15は、基板24上に積層した情 報層40とダミー基板26が、接着層27を介して密 着している構成である。

 基板24及びダミー基板26は透明で円盤形状 を有している。基板24の情報層40と接する表� �には、レーザビーム31を導くための案内溝が 形成されていてもよい。基板24の情報層40と� �しない表面、及びダミー基板の接着層27と接 しない表面は、平滑であることが好ましい。 基板24及びダミー基板26は、ポリカーボネー� �樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポ� �オレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガ� �ス、あるいはこれらを適宜組み合わせたも� �等を材料として用いて、形成することがで� �る。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写� �および量産性に優れ、低コストであること� �ら、基板24及びダミー基板26の材料として好� ��しい。

 接着層27は、レーザビーム31に対して小さ い光吸収を有することが好ましい。接着層27� ��、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタ� ��リレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノル� ��ルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂(例えば、 アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂)、遅� �性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれら� �適宜組み合わせたもの等を材料として、形� �することができる。

 情報層40を構成する各層の材料、形状お� �び機能は、実施の形態1で説明したとおりで� ��るから、その詳細な説明は省略する。その� ��、実施の形態1で用いた符号と同じ符号を付 した要素については、その説明を省略する。

 情報記録媒体15は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板24(厚さが例えば0.6mm)上に、情報� ��40を形成する。具体的には、基板24上に、第 2の誘電体層408、記録層406、第1の誘電体層404� ��び反射層402をこの順序で形成する。このと� ��、必要に応じて、第2の誘電体層408と記録層 406との間に第2の界面層を、第1の誘電体層404� ��記録層406との間に第1の界面層を、第1の誘� �体層404と反射層402との間に反射層側界面層� �形成してもよい。図5において、第2の界面層 は、層408と406との間に、407で表される層とし て示すことができ、第1の界面層は、層406と40 4との間に、405で表される層として示すこと� �でき、反射層側界面層は、層402と404との間� �、403で表される層として示すことができる� �これらの各層は、実施の形態1で説明した方� ��で形成できる。

 次に、情報層40が積層された基板24とダミ ー基板26(厚さが例えば0.6mm)とを、接着層27を� ��いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わ� ��は、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化� ��樹脂を、ダミー基板26上にスピンコート法� �より塗布し、情報層40が積層された基板24を� ��ミー基板26上に密着させ、その後樹脂を硬� �させる方法で、実施してよい。別法として� �ダミー基板26上に粘着性の樹脂を予め均一に 塗布し、ダミー基板26を情報層40が積層され� �基板24に密着させることもできる。

 情報記録媒体15の記録層406は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態である。よ� �て、必要に応じてレーザビームを照射する� �して、記録層406を結晶化する初期化工程を� �ってもよい。

 以上のようにして、情報記録媒体15を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

 (実施の形態6)
 実施の形態6として、本発明の情報記録媒体 の別の例を説明する。実施の形態6の情報記� �媒体16の部分断面図を図7に示す。情報記録� �体16は、多層光記録媒体であり、情報は、レ ーザビーム31を対物レンズ32で集光し照射す� �ことによって、記録再生される。

 情報記録媒体16は、基板24上に、順次積層 された、第N情報層49、第N-1情報層48・・・第2 情報層42までのN-1個の情報層(NはN≧2の整数)� �、基板25上に積層された第1情報層41とが、接 着層27を介して密着している構成である。情� ��層と情報層との間には、分離層29、28・・・ 等が介在している。

 基板25は、透明で、円盤形状を有してい� �。基板25の第1情報層41と接する表面には、レ ーザビーム31を導くための案内溝が形成され� ��いてもよい。基板25の第1情報層41と接しな� �表面は、平滑であることが好ましい。基板25 は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタ クリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノル ボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを 適宜組み合わせたもの等を材料として用いて 、形成することができる。特に、ポリカーボ ネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、 低コストであることから、基板25の材料とし� ��好ましい。

 その他、実施の形態2及び5で用いた符号� �同じ符号を付した要素については、その説� �を省略する。

 情報記録媒体16は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板24(厚さが例えば0.6mm)上に、第N情 報層49を形成する。具体的には、基板24上に� �第2の誘電体層498、記録層496、第1の誘電体層 494、反射層492及び透過率調整層491をこの順序 で形成する。このとき、必要に応じて、第2� �誘電体層498と記録層496との間に第2の界面層� ��、第1の誘電体層494と記録層496との間に第1� �界面層を、第1の誘電体層494と反射層492の間� ��反射層側界面層を形成してもよい。これら� ��各層は、実施の形態2で説明した方法で形成 できる。その後、第N-1情報層48から第2情報層 42を、分離層29、28・・・等を介して順次積層 する。

 別に、基板25(厚さが例えば0.6mm)上に、第1 情報層41を形成する。情報層は、一般に多層� ��からなり、情報層41を構成する各層(膜)は、 実施の形態2と同様、成膜装置内で、各層を� �成するのに適したスパッタリングターゲッ� �を、順次スパッタリングすることによって� �成できる。

 最後に、情報層が積層された基板24及び� �板25を、接着層27を用いて貼り合わせる。具� ��的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂� ��たは遅効性熱硬化性樹脂を、基板25上に積� �された第1情報層41にスピンコート法により� �布して、第2情報層42が積層された基板24を第 1情報層41上に密着させ、その後樹脂を硬化さ せる方法で実施してよい。別法として、第1� �報層41上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し 、第1情報層41を第2情報層42が積層された基板 24に密着させることもできる。

 情報記録媒体16の各記録層は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態であるから� �必要に応じてレーザビームを照射する等し� �、記録層を結晶化する初期化工程を行って� �よい。

 以上のようにして、情報記録媒体16を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

 (実施の形態7)
 実施の形態7として、実施の形態6の本発明� �多層情報記録媒体において、Nが2である、す なわち2個の情報層によって構成された情報� �録媒体の一例を説明する。実施の形態7の情� ��記録媒体17の部分断面図を図8に示す。情報� ��録媒体17は、2層光記録媒体であって、情報� ��、レーザビーム31を対物レンズ32で集光し照 射することによって、記録再生される。

 情報記録媒体17は、基板24上に積層した第 2情報層42と、基板25上に積層した第1情報層41� ��が、接着層27を介して密着している構成で� �る。

 第1情報層41及び第2情報層42を構成する各� ��の材料、形状および機能は、実施の形態3で 説明したとおりであるから、ここではその詳 細な説明を省略する。その他、実施の形態3� �5及び6で用いた符号と同じ符号を付した要素 については、その説明を省略する。

 情報記録媒体17は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板24(厚さが例えば0.6mm)上に、第2情 報層42を形成する。具体的には、基板24上に� �第2の誘電体層428、記録層426、第1の誘電体層 424、反射層422及び透過率調整層421をこの順序 で形成する。このとき、必要に応じて、第2� �誘電体層428と記録層426との間に第2の界面層� ��、第1の誘電体層424と記録層426との間に第1� �界面層を、第1の誘電体層424と反射層422との� ��に反射層側界面層を形成してもよい。これ� ��の各層は、実施の形態3で説明した方法で形 成できる。

 透過率調整層421を形成した後、必要に応� ��てレーザビームを照射する等して、記録層4 26を結晶化する初期化工程を行ってもよい。

 別に、基板25(厚さが例えば0.6mm)上に、第1 情報層41を形成する。具体的には、基板25上� �、反射層412、第1の誘電体層414、記録層416及� ��第2の誘電体層418をこの順序で形成する。こ のとき、必要に応じて反射層412と第1の誘電� �層414との間に反射層側界面層を、第1の誘電� ��層414と記録層416との間に第1の界面層を、第 2の誘電体層418と記録層416との間に第2の界面� ��を形成してもよい。これらの各層は、実施� ��形態3で説明した方法で形成できる。

 第2の誘電体層418を形成した後、必要に応 じてレーザビームを照射する等して、記録層 416を結晶化する初期化工程を行ってもよい。

 最後に、情報層が積層された基板24及び� �板25を、接着層27を用いて貼り合わせる。具� ��的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂( 例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹 脂)または遅効性熱硬化性樹脂を、基板25上に 積層された第1情報層41にスピンコート法によ り塗布して、第2情報層42が積層された基板24� ��第1情報層41上に密着させ、その後樹脂を硬� ��させる方法で実施してよい。別法として、� ��1情報層41上に粘着性の樹脂を予め均一に塗� ��し、第1情報層41を第2情報層42が積層された� ��板24に密着させることもできる。

 情報記録媒体17の各記録層は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態であるので� �必要に応じてレーザビームを照射する等し� �、記録層を結晶化する初期化工程を行って� �よい。予め、記録層416および426が初期化さ� �ている場合には、貼り合わせの後に初期化� �程を実施する必要はない。

 以上のようにして、情報記録媒体17を製� �できる。なお、本実施の形態においては、� �報層を構成する各層の形成方法としてスパ� �タリング法を用いた。形成方法は、これに� �定されず、真空蒸着法、イオンプレーティ� �グ法、MBE法などを用いることも可能である� �

 Nが2である媒体は、先に実施の形態7に関� ��して説明したとおり、例えば、約50GBの容量 を有することができ、あるいは約66GBの容量� �有することができる。

 (実施の形態8)
 実施の形態8として、実施の形態6の本発明� �多層情報記録媒体において、Nが4である、す なわち4個の情報層によって構成された情報� �録媒体の一例を説明する。実施の形態8の情� ��記録媒体18の部分断面図を図9に示す。情報� ��録媒体18は、レーザビーム31を対物レンズ32� ��集光し照射することによって、情報の記録� ��生が可能な4層光記録媒体である。

 情報記録媒体18は、基板24上に積層した第 4情報層44、第3情報層43及び第2情報層42と、基 板25上に積層した第1情報層41とが、接着層27� �介して密着している構成である。第4情報層4 4と第3情報層43との間には、分離層29が設けら れ、第3情報層43と第2情報層との間には、分� �層28が設けられている。

 第1情報層41、第2情報層42、第3情報層43及� ��第4情報層44を構成する各層の材料、形状お� ��び機能は、実施の形態4で説明したとおりで あるから、ここではその詳細な説明を省略す る。その他、実施の形態4、5、6及び7で用い� �符号と同じ符号を付した要素については、� �の説明を省略する。

 情報記録媒体18は、以下に説明する方法に� �って製造できる。
 まず、基板24(厚さが例えば0.6mm)上に、第4情 報層44を形成する。具体的には、基板24上に� �第2の誘電体層448、記録層446、第1の誘電体層 444、反射層442及び透過率調整層441をこの順序 で形成する。このとき、必要に応じて、第2� �誘電体層448と記録層446との間に第2の界面層� ��、第1の誘電体層444と記録層446との間に第1� �界面層を、第1の誘電体層444と反射層442の間� ��反射層側界面層を形成してもよい。これら� ��各層は、実施の形態4に関連してで説明した 方法により形成できる。

 続いて、透過率調整層441上に、実施の形� ��4に関連して説明した方法により分離層29を� ��成する。

 透過率調整層441を形成した後、または分� ��層29を形成した後、必要に応じてレーザビ� �ムを照射する等して、記録層446を結晶化す� �初期化工程を行ってもよい。

 続いて、分離層29上に第3情報層43を形成� �る。具体的には、分離層29上に、第2の誘電� �層438、記録層436、第1の誘電体層434、反射層4 32及び透過率調整層431をこの順序で形成する� ��このとき、必要に応じて、第2の誘電体層438 と記録層436との間に第2の界面層を、第1の誘� ��体層434と記録層436との間に第1の界面層を、 第1の誘電体層434と反射層432の間に反射層側� �面層を形成してもよい。これらの各層は、� �施の形態4に関連して説明した方法により形� ��できる。

 続いて、透過率調整層431上に、実施の形� ��4に関連して説明した方法により、分離層28� ��形成する。

 透過率調整層431を形成した後、または分� ��層28を形成した後、必要に応じてレーザビ� �ムを照射する等して、記録層436を結晶化す� �初期化工程を行ってもよい。

 続いて、分離層28上に第2情報層42を形成� �る。具体的には、基板24上に、第2の誘電体� �428、記録層426、第1の誘電体層424、反射層422� ��び透過率調整層421をこの順序で形成する。� ��のとき、必要に応じて、第2の誘電体層428と 記録層426との間に第2の界面層を、第1の誘電� ��層424と記録層426との間に第1の界面層を、第 1の誘電体層424と反射層422の間に反射層側界� �層を形成してもよい。これらの各層は、実� �の形態4に関連して説明した方法により形成� ��きる。

 透過率調整層421を形成した後、必要に応� ��てレーザビームを照射する等して、記録層4 26を結晶化する初期化工程を行ってもよい。

 別に、基板25(厚さが例えば0.6mm)上に、第1 情報層41を形成する。具体的には、基板25上� �、反射層412、第1の誘電体層414、記録層416及� ��第2の誘電体層418をこの順序で形成する。こ のとき、必要に応じて反射層412と第1の誘電� �層414との間に反射層側界面層を、第1の誘電� ��層414と記録層416との間に第1の界面層を、第 2の誘電体層418と記録層416との間に第2の界面� ��を形成してもよい。これらの各層は、実施� ��形態4に関連して説明した方法により形成で きる。

 第2の誘電体層418を形成した後、必要に応 じてレーザビームを照射する等して、記録層 416を結晶化する初期化工程を行ってもよい。

 最後に、情報層が積層された基板24及び� �板25を、接着層27を用いて貼り合わせる。具� ��的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂( 例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹 脂)または遅効性熱硬化性樹脂を、基板25上に 積層された第1情報層41にスピンコート法によ り塗布して、第2情報層42が積層された基板24� ��第1情報層41上に密着させ、その後樹脂を硬� ��させる方法で実施してよい。別法として、� ��1情報層41上に粘着性の樹脂を予め均一に塗� ��し、第1情報層41を第2情報層42が積層された� ��板24に密着させることもできる。

 情報記録媒体18の各記録層は、通常、成� �したままの状態では非晶質状態であるため� �必要に応じてレーザビームを照射する等し� �結晶化する初期化工程を行ってもよい。予� �、記録層416、426、436および446が初期化され� �いる場合には、貼り合わせの後に初期化工� �を実施する必要はない。

 以上のようにして、情報記録媒体18を製� �できる。本実施の形態においては、情報層� �構成する各層の形成方法としてスパッタリ� �グ法を用いた。形成方法は、これに限定さ� �ず、真空蒸着法、イオンプレーティング法� �MBE法などを用いることも可能である。

 また、本実施の形態においては第2情報層 42と第1情報層41の間に接着層27を用いて、基� �24及び基板25を貼り合わせた。接着層の位置� ��すなわち貼り合わせる位置はこれに限定さ� ��ない。

 例えば、基板24上に、分離層29を介して第 4情報層44及び第3情報層43を積層し、基板25上� ��分離層(その位置は図9の接着層27の位置であ る)を介して第1情報層41及び第2情報層42を積� �し、その後、第3情報層43と第2情報層42との� �に接着層(その位置は図9の分離層28の位置で� ��る)を用いて、基板24及び基板25を貼り合わ� �てもよい。

 Nが4である媒体は、先に実施の形態8に関� ��して説明したとおり、例えば、約100GBの容� �を有することができ、あるいは約133GBの容量 を有することができる。

 2つの基板を有し、情報層を複数有する実 施の形態7および8として、N=2および4の媒体を 説明した。Nは3であってもよい。N=3の媒体に� ��いては、第2情報層および第3情報層のうち� �いずれか一方または両方に含まれる記録層� �、前記SbおよびSnを含み、式(1)~(4)のいずれか で示される材料を含むことが好ましい。また 、レーザビーム入射側に最も近い第3情報層� �含まれる記録層のみを、前記SbおよびSnを含� ��、式(1)~(4)のいずれかで示される材料を含む 記録層としても、本発明の効果を十分に得る ことができる。

 Nが3である媒体は、先に説明したとおり� �例えば、約75GBの容量を有することができ、� ��るいは約100GBの容量を有することができる� �

 (実施の形態9)
 実施の形態9では、実施の形態1から8で説明� ��た情報記録媒体に情報を記録し、および/ま たは媒体に記録した情報を再生する方法の一 例について説明する。
 図10に、本発明の情報記録媒体の記録再生� �用いられる記録再生装置の構成の一例の概� �図を示す。レーザダイオード501から出射さ� �るレーザビーム502は、ハーフミラー503及び� �物レンズ504を通過して、その焦点が情報記� �媒体506上に合わせられる。情報記録媒体506� �、モーター505によって回転させられている� �情報の再生は、情報記録媒体506からの反射� �をフォトディテクター507に入射させ、信号� �検出することにより行われる。

 情報信号の記録を行う際には、レーザビ� ��ム502の強度を複数のパワーレベル間で変調� ��る。レーザ強度を変調する手段としては、� ��導体レーザの駆動電流を変調しておこなう� ��流変調手段を用いることができる。記録マ� ��クを形成する部分には、ピークパワーPpの� �一矩形パルスのレーザビームを照射しても� �い。あるいは、特に長いマークを形成する� �合は、記録層が過剰に加熱されることを防� �し、マーク幅を均一にする目的で、図11に示 すようにピークパワーPp及びボトムパワーPb(� ��し、Pp>Pb)との間で変調された、複数のパ� ��ス列からなる記録パルス列を用いてもよい� ��また、最後尾のパルスの後に、レーザのパ� ��ーを冷却パワーPc(Pc<Pb)にする冷却区間を� ��けてもよい。マークを形成しない部分に対� ��ては、バイアスパワーPe(但し、Pp>Pe)のレ� ��ザビームを照射する。

 対物レンズ504の開口数NAは、レーザビー� �502のスポット径を0.4μm~0.7μmの範囲内に調整� ��るため、0.5~1.1の範囲内であることが好まし く、0.6~0.9の範囲内であることがより好まし� �。レーザビーム502の波長は、350nm~450nmの範囲 内であることが好ましい。情報を記録する際 の情報記録媒体506の線速度は、再結晶化が起 こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる ように、4m/s~50m/sの範囲内であることが好ま� �く、9m/s~40m/sの範囲内であることがより好ま� ��い。情報記録媒体502の種類等に応じて、こ� ��で例示していない波長、対物レンズの開口� ��、および線速度を使用してよいことはいう� ��でもない。例えば、レーザビーム502の波長� ��、650~670nmであってもよい。

 このような記録再生装置を用いて、情報� ��録媒体506の性能を次のようにして評価でき� ��。

 記録性能は、レーザビーム502を0~Pp(mW)の� �でパワー変調し、(1-7)変調方式でマーク長0.1 49μm(2T)から0.596μm(8T)までのランダム信号を記 録し、記録マークの前端間、及び後端間のジ ッター(マーク位置の誤差)をタイムインター� ��ルアナライザーで測定することによって評� ��できる。なお、ジッター値が小さいほど、� ��録性能がよい。Pp、Pb、Pc及びPeは、前端間� �及び後端間のジッターの平均値が最小とな� �よう決定される。決定されたPpは、記録感度 である。

 また、信号強度は、レーザビーム502を0~Pp (mW)の間でパワー変調し、マーク長0.149μm(2T)� �0.671μm(9T)の信号を同じトラックに連続10回交 互記録し、最後に2T信号を上書きした場合の2 T信号の周波数での信号振幅(carrier level)と雑� ��振幅(noise level)の比(CNR(Carrier to Noise Ratio)) をスペクトラムアナライザーで測定すること によって評価できる。CNRが大きいほど信号強 度が高い。

 また、消去性能は、レーザビーム502を0~Pp (mW)の間でパワー変調し、2T信号と9T信号を同� ��トラックに連続10回交互記録し、11回目に2T� ��号を上書きした場合の2T信号の信号振幅と� �さらにその後9T信号を上書きした場合の2T信� ��の信号振幅の差を、2T信号の消去率として� �ペクトラムアナライザーで測定することに� �り評価できる。消去率が大きいほど、消去� �能が良い。

 (実施の形態10)
 実施の形態10として、本発明の情報記録媒� �の別の例を説明する。実施の形態10の情報記 録媒体61の一構成例を図12に示す。情報記録� �体61は、電気的エネルギー(特に電流)の印加� ��よって、情報が記録再生される電気的情報� ��録媒体である。

 基板62として、ポリカーボネート等の樹脂� �板、ガラス基板、Al ₂ O ₃ 等のセラミック基板、Si等の半導体基板、お� ��びCu等の金属基板を用いることができる。� �こでは、基板としてSi基板を用いた形態を説 明する。電気的情報記録媒体61は、基板62上� �下部電極63、第1誘電体層64、第1記録層65、第 2記録層66、第2誘電体層67、及び上部電極68を� ��に積層した構造である。下部電極63及び上� �電極68は、第1記録層65及び第2記録層66に、電 流を印加するために形成する。第1誘電体層64 は第1記録層65に印加する電気エネルギー量を 調整し、第2誘電体層67は第2記録層66に印加す る電気エネルギー量を調整するために設けら れる。第1誘電体層64および第2誘電体層67の材 料の例は、実施の形態1の第1の誘電体層404の� ��料の例と同様である。

 第1記録層65及び第2記録層66は、電流の印� ��により発生するジュール熱によって、結晶� ��と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こ� ��材料から成る。よって、この媒体において� ��、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化� ��る現象を情報の記録に利用する。第1記録層 65及び第2記録層66の少なくとも一方は、SbとS� ��を含み、上記式(1)~(4)のいずれかで示される 材料を含む。そのような材料は、実施の形態 1に関連して説明したとおりである。いずれ� �一方の記録層が、SbとSを含む記録層でない� �合、実施の形態2に関連して例示した材料を� ��いてよい。第1記録層65及び第2記録層66はそ� ��ぞれ、実施の形態1の記録層406または実施の 形態2の記録層496の形成方法と同様の方法で� �成される。

 下部電極63及び上部電極68は、Ti、W、Al、Au� �Ag、Cu、Pt等の単体金属材料で形成してよい� �あるいは下部電極63及び上部電極68は、前記� ��素から選ばれる1つまたは複数の元素を主成 分とし、耐湿性の向上あるいは熱伝導率の調 整等のために適宜1つまたは複数の他の元素� �添加した合金材料を用いて形成することが� �きる。下部電極63及び上部電極68は、Arガス� �囲気中、またはArガスと反応ガス(O ₂ ガスまたはN ₂ ガスから選ばれる少なくとも1種のガス)との� ��合ガス雰囲気中で、材料となる金属母材ま� ��は合金母材をスパッタリングすることによ� ��て形成できる。各層の形成方法は、真空蒸� ��法、イオンプレーティング法、CVD法、また� ��MBE法等であってよい。

 電気的情報記録媒体61に、印加部69を介し て電気的情報記録再生装置74を電気的に接続� ��る。この電気的情報記録再生装置74におい� �、下部電極63と上部電極68の間には、第1記録 層65及び第2記録層66に電流パルスを印加する� ��めに、パルス電源73が、スイッチ71を介して 接続される。また、第1記録層65、及び第2記� �層66の相変化による抵抗値の変化を検出する ために、下部電極63と上部電極67の間にスイ� �チ72を介して抵抗測定器70が接続される。

 非晶質相(高抵抗状態)にある第1記録層65� �たは第2記録層66を、結晶相(低抵抗状態)に変 化させるためには、スイッチ71を閉じて(スイ ッチ72は開く)電極間に電流パルスを印加する 。印加は、電流パルスが印加される部分の温 度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点 より低い温度にて、結晶化時間の間、保持さ れるように行う。結晶相から再度非晶質相に 戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い 電流パルスをより短い時間で印加し、記録層 を融点より高い温度にして溶融した後、急激 に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置 74のパルス電源73は、図15の記録/消去パルス� �形を出力できるような電源である。

 ここで、第1記録層65が非晶質相の場合の抵� ��値をr _a1 、第1記録層65が結晶相の場合の抵抗値をr _c1 、第2記録層66が非晶質相の場合の抵抗値をr _a2 、第2記録層66が結晶相の場合の抵抗値をr _c2 とする。r _c1 ≦r _c2 <r _a1 <r _a2 、もしくはr _c1 ≦r _c2 <r _a2 <r _a1 、もしくはr _c2 ≦r _c1 <r _a1 <r _a2 、もしくはr _c2 ≦r _c1 <r _a2 <r _a1 であることによって、第1記録層65と第2記録� �66の抵抗値の和を、r _a1 +r _a2 、r _a1 +r _a2 、r _a2 +r _c1 、及びr _c1 +r _c2 の4つの異なる値に設定できる。従って、電� �間の抵抗値を抵抗測定器70で測定することに より、4つの異なる状態、すなわち2値の情報� ��一度に検出することができる。

 この電気的情報記録媒体61をマトリクス� �に多数配置することによって、図14に示すよ うな大容量の電気的情報記録媒体81を構成す� ��ことができる。各メモリセル77には、微小� �域に電気的情報記録媒体61と同様の構成が形 成されている。各々のメモリセル77への情報� ��記録再生は、ワード線75、及びビット線76を それぞれ一つ指定することによって行う。

 図13は電気的情報記録媒体81を用いた、情 報記録システムの一構成例を示したものであ る。記憶装置79は、電気的情報記録媒体81と� �アドレス指定回路78によって構成される。ア ドレス指定回路78により、電気的情報記録媒� ��81のワード線75、及びビット線76がそれぞれ� ��定され、各々のメモリセル77への情報の記� �再生を行うことができる。また、記憶装置79 を、少なくともパルス電源73と抵抗測定器70� �ら構成される外部回路80に電気的に接続する ことにより、電気的情報記録媒体81への情報� ��記録再生を行うことができる。