Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Die vorliegende Erfindung betrifft ein Laserbauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements gemäß Patentanspruch 9.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deut- sehen Patentanmeldung DE 10 2013 223 115.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.

Laserbauelemente mit halbleiterbasierten Laserchips sind aus dem Stand der Technik bekannt. Dabei ist es üblich, den La- serchip auf einem Träger anzuordnen, der zur elektrischen Kontaktierung des Laserchips und zur Ableitung von Abwärme aus dem Laserchip dient. Bei bekannten Laserchips ist ein aktiver Bereich des Laserchips näher an einer Oberseite als an einer Unterseite des Laserchips angeordnet. Üblicherweise wird der Laserchip derart auf dem Träger angeordnet, dass die Unterseite des Laserchips dem Träger zugewandt ist. Eine An ^¬ ordnung des Laserchips mit dem Träger zugewandter Oberseite würde eine verbesserte Ableitung von Abwärme aus dem Laser ^¬ chip ermöglichen. Allerdings besteht bei dieser Anordnung die Gefahr einer Abschattung einer Laserfacette des Laserchips im aktiven Bereich oder einer Kontamination der Laserfacette im aktiven Bereich mit Lot.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Laserbauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein Laserbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht da ^¬ rin, ein Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merk- malen des Anspruchs 9 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Ein Laserbauelement umfasst einen Laserchip mit einer Emissi ^¬ onsfacette und einen Träger mit einer Oberseite und einer senkrecht zur Oberseite orientierten Stirnseite. Der Laser ^¬ chip ist an der Oberseite des Trägers angeordnet. Der Träger weist in einem Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite eine Aussparung auf, die sich über die gesamte Breite der Stirnseite erstreckt. Dabei steht die Emissionsfa ^¬ cette des Laserchips zumindest teilweise über die Aussparung über. Vorteilhafterweise ergibt sich bei diesem Laserbauele- ment durch die Aussparung im Übergangsbereich zwischen der

Oberseite und der Stirnseite des Trägers im Bereich der Emis ^¬ sionsfacette des Laserchips ein Abstand zwischen dem Laser ^¬ chip und der Oberseite des Trägers. Dadurch wird vorteilhaf ^¬ terweise eine Abschattung eines an der Emissionsfacette des Laserchips emittierten Laserstrahls verhindert. Der sich durch die Aussparung im Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite des Trägers ergebende Abstand zwi ^¬ schen dem Laserchip und dem Träger im Bereich der Emissionsfacette des Laserchips verhindert außerdem eine Kontamination der Emissionsfacette des Laserchips mit Lot oder anderem Ver ^¬ bindungsmaterial .

In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist die Ausspa ^¬ rung als Fase ausgebildet. Vorteilhafterweise lässt sich die Aussparung dadurch besonders einfach anlegen.

In einer anderen Ausführungsform des Laserbauelements ist die Aussparung als Stufe ausgebildet. Vorteilhafterweise lässt sich die Aussparung auch in dieser Variante einfach herstel- len.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist die Aus ^¬ sparung in Richtung senkrecht zur Stirnseite eine Tiefe zwi ^¬ schen 10 ym und 100 ym auf. Eine derartige Tiefe hat sich als ausreichend erwiesen, um eine Abschattung und eine Kontamina ^¬ tion der Emissionsfacette des Laserchips des Laserbauelements zu verhindern. Die Aussparung weist eine Metallisierung auf. Vorteilhafterweise kann die Aussparung im Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite des Trägers durch die Metalli ^¬ sierung von Lot benetzt werden, wodurch ein Vordringen von Lot zur Emissionsfacette des Laserchips des Laserbauelements verhindert werden kann. Die Metallisierung der Aussparung des Trägers des Laserbauelements leitet zur Verbindung des Laser ^¬ chips mit dem Träger verwendetes Lot damit von der zu schüt ^¬ zenden Emissionsfacette des Laserchips fort.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der Trä ^¬ ger ein keramisches Material auf. Vorteilhafterweise kann der Träger des Laserbauelements in diesem Fall elektrisch isolie ^¬ rend und thermisch gut leitend ausgebildet sein.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements steht die Emis ^¬ sionsfacette des Laserchips nicht über die Stirnseite des Trägers über. Vorteilhafterweise ist die Emissionsfacette dadurch vor einer mechanischen Beschädigung geschützt. Die nicht über die Stirnseite des Trägers überstehende Anordnung der Emissionsfacette des Laserchips wird vorteilhafterweise dadurch ermöglicht, dass die Emissionsfacette des Laserchips bereits durch die am Träger vorgesehene Aussparung vor einer Kontamination und einer Abschattung geschützt ist. Dadurch ist ein Überstand der Emissionsfacette des Laserchips über die Stirnseite des Trägers bei diesem Laserbauelement nicht erforderlich .

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der La- serchip eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberlie ^¬ gende Unterseite auf. Ein aktiver Bereich des Laserchips ist dabei näher an der Oberseite angeordnet als an der Unter ^¬ seite. Die Oberseite des Laserchips ist der Oberseite des Trägers zugewandt. Vorteilhafterweise ermöglicht diese Anord- nung des Laserchips auf dem Träger des Laserbauelements eine wirkungsvolle Abfuhr von im Betrieb des Laserbauelements im Laserchip anfallender Abwärme. Im aktiven Bereich des Laser- chips erzeugte Abwärme muss dabei lediglich den geringen Ab ^¬ stand zwischen dem aktiven Bereich des Laserchips und der Oberseite des Laserchips überwinden. In einer Ausführungsform des Laserbauelements grenzt ein p- dotierter Bereich des Laserchips an die Oberseite des Laser ^¬ chips an. Vorteilhafterweise kann der Laserchip dadurch durch Aufwachsen auf einem n-dotierten Substrat hergestellt werden. Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements umfasst einen Schritt zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite und einer senkrecht zur Oberseite orientierten Stirn ^¬ seite, wobei der Träger in einem Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite eine Aussparung aufweist, die sich über die gesamte Breite der Stirnseite erstreckt, und einen Schritt zum Anordnen eines Laserchips an der Oberseite des Trägers derart, dass eine Emissionsfacette des La ^¬ serchips zumindest teilweise über die Aussparung übersteht. Vorteilhafterweise besteht bei diesem Verfahren nur eine ge- ringe Gefahr, dass die Emissionsfacette des Laserchips wäh ^¬ rend des Anordnens des Laserchips an der Oberseite des Trä ^¬ gers durch Lot verunreinigt wird. Dies wird dadurch erreicht, dass sich durch die im Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite des Trägers vorgesehene Aussparung ein Abstand zwischen dem Laserchip und der Oberseite des Trä ^¬ gers im Bereich der Emissionsfacette ergibt. Durch diesen Ab ^¬ stand reduziert sich vorteilhafterweise außerdem die Gefahr einer Abschattung eines durch den Laserchip emittierten Laserstrahls durch den Träger.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereit ^¬ stellen des Trägers Schritte zum Bereitstellen einer Trägerplatte mit einer Oberfläche, zum Anlegen eines Grabens an der Oberfläche, und zum Zerteilen der Trägerplatte entlang einer Ebene, die senkrecht zur Oberfläche orientiert ist und durch den Grund des Grabens verläuft, um mindestens zwei Träger zu erhalten. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache und kostengünstige Herstellung des Trägers. Dies ergibt sich insbesondere daraus, dass das Verfahren eine pa ^¬ rallele Herstellung einer Mehrzahl von Trägern in gemeinsamen Arbeitsschritten ermöglicht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Graben mit einem V-förmigen Querschnitt angelegt. Das Verfahren ermög ^¬ licht dadurch die Herstellung eines Trägers mit einer als Fase ausgebildeten Aussparung in einem Übergangsbereich zwischen einer Oberseite und einer Stirnseite des Trägers.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Zerteilen der Trägerplatte ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen der Metallisierung in dem Graben. Vorteilhafterweise lässt sich die Metallisierung dadurch auf einfache und kos- tengünstige Weise an einer Mehrzahl von Trägern gleichzeitig vorsehen. Die Metallisierung kann vorteilhafterweise gleichzeitig mit einer Metallisierung an der Oberfläche der Trägerplatte angelegt werden. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Figur 1 eine perspektivische Ansicht eines Trägers; Figur 2 eine Aufsicht auf ein erstes Laserbauelement mit dem Träger und einem Laserchip;

Figur 3 eine geschnittene Seitenansicht des ersten Laser ^¬ bauelements;

Figur 4 eine geschnittene Seitenansicht einer Trägerplatte zur Herstellung des Trägers; und Figur 5 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Trä ^¬ gers .

Figur 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Trägers 100 eines ersten Laserbauelements 10. Der Trä ^¬ ger 100 kann auch als Submount bezeichnet werden. Der Träger 100 ist dazu vorgesehen, einen in Figur 1 nicht dargestellten Laserchip des ersten Laserbauelements 10 zu tragen, elektrische Kontakte zur elektrischen Kontaktierung des Laserchips bereitzustellen und als Wärmesenke zur Abfuhr von in dem Laserchip produzierter Abwärme zu dienen.

Der Träger 100 ist als im Wesentlichen quaderförmiges Plätt ^¬ chen ausgebildet und kann beispielsweise ein keramisches Ma- terial aufweisen. Der Träger 100 weist eine Stirnseite 110 und eine zur Stirnseite 110 im Wesentlichen senkrecht orien ^¬ tierte Oberseite 120 auf. In zur Stirnseite 110 und zur Ober ^¬ seite 120 parallele Richtung weist der Träger 100 eine Breite 111 auf.

Ein Übergangsbereich 130 zwischen der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 des Trägers 100 ist nicht als rechtwinklige Kante ausgebildet, wie dies bei einer vollständigen Quader ^¬ form des Trägers 100 der Fall wäre. Stattdessen weist der Träger 100 im Übergangsbereich 130 zwischen der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 eine Aussparung 140 auf. Die Aus ^¬ sparung 140 erstreckt sich über die gesamte Breite 111 des Trägers 100. Die Aussparung 140 ist als Fase ausgebildet. So ^¬ mit ist der Übergang zwischen der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 des Trägers 100 abgeschrägt. Statt einer recht ^¬ winkligen Kante sind zwei stumpfwinklige Kanten mit einem da ^¬ zwischen angeordneten abgeschrägten Bereich vorhanden. Der abgeschrägte Bereich kann beispielsweise gegenüber der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 jeweils einen Winkel von etwa 45° aufweisen. Der abgeschrägte Bereich der Aussparung 140 kann aber auch steiler oder flacher angeordnet sein. In zur Stirnseite 110 des Trägers 100 senkrechte und zur Oberseite 120 des Trägers 100 parallele Richtung weist die Aussparung 140 eine Tiefe 141 auf. Die Tiefe 141 liegt bevorzugt zwi ^¬ schen 10 ym und 100 ym.

An der Oberseite 120 des Trägers 100 ist eine erste Metalli- sierung 150 angeordnet. Die erste Metallisierung 150 bedeckt die Oberseite 120 des Trägers 100 bevorzugt vollständig. Zu ^¬ sätzlich ist in einem Laserchip-Aufnahmebereich 161 der Oberseite 120 des Trägers 100 und in einem Schutzchip-Aufnahmebe ^¬ reich 162 der Oberseite 120 des Trägers 100 eine zweite Me- tallisierung 160 angeordnet. Die zweite Metallisierung 160 ist im Laserchip-Aufnahmebereich 161 und im Schutzchip-Auf- nahmebereich 162 bevorzugt über der ersten Metallisierung 150 angeordnet. Die erste Metallisierung 150 kann im Laserchip- Aufnahmebereich 161 und dem Schutzchip-Aufnahmebereich 162 jedoch auch Aussparungen aufweisen, in denen die zweite Metallisierung 160 angeordnet ist. Die zweite Metallisierung 160 weist ein Metall auf, das sich für eine Herstellung von Lötverbindungen eignet. Die zweite Metallisierung 160 kann ein anderes Metall aufweisen als die erste Metallisierung 150.

Der Laserchip-Aufnahmebereich 161 ist zur Aufnahme eines Laserchips vorgesehen. Der Schutzchip-Aufnahmebereich 162 ist zur Aufnahme eines Schutzchips, beispielsweise einer Schutz- diode, vorgesehen, die zum Schutz des Laserchips des ersten Laserbauelements 10 vor einer Beschädigung durch elektrosta ^¬ tische Entladungen dient. Der Schutzchip-Aufnahmebereich 162 und der Schutzchip können allerdings auch entfallen. Der Laserchip-Aufnahmebereich 161 und der Schutzchip-Aufnahmebe- reich 162 grenzen bevorzugt beide unmittelbar an die Aussparung 140 im Übergangsbereich 130 zwischen der Oberseite 120 und der Stirnseite 110 des Trägers 100 an.

An der Aussparung 140 im Übergangsbereich 130 zwischen der Oberseite 120 und der Stirnseite 110 des Trägers 100 ist eine dritte Metallisierung 170 angeordnet. Die dritte Metallisie ^¬ rung 170 bedeckt die abgeschrägte Fläche der Aussparung 140 im Übergangsbereich 130. Die dritte Metallisierung 170 kann sich über die gesamte Breite 111 der Aussparung 140 erstre ^¬ cken. Die dritte Metallisierung 170 kann jedoch auch lediglich in den an den Laserchip-Aufnahmebereich 161 und den Schutzchip-Aufnahmebereich 162 angrenzenden Teilen der Aus- sparung 140 angeordnet sein. Die dritte Metallisierung 170 weist bevorzugt dasselbe Material auf wie die zweite Metalli ^¬ sierung 160.

Figur 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf das erste Laser- bauelement 10. Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene

Seitenansicht des ersten Laserbauelements 10. In den Darstel ^¬ lungen der Figuren 2 und 3 ist ein Laserchip 200 des ersten Laserbauelements 10 gezeigt. Der Laserchip 200 ist als halbleiterbasierte Laserdiode aus ^¬ gebildet und weist eine Oberseite 220, eine der Oberseite 220 gegenüberliegende Unterseite 230 und eine senkrecht zur Ober ^¬ seite 220 und Unterseite 230 orientierte Emissionsfacette 210 auf. Die Emissionsfacette 210 kann auch als Laserfacette be- zeichnet werden.

Der Laserchip 200 weist einen p-dotierten Bereich 240 und einen n-dotierten Bereich 260 auf. Im in Figuren 2 und 3 gezeigten Beispiel grenzt der p-dotierte Bereich 240 an die Oberseite 220 des Laserchips 200 an. Der n-dotierte Bereich 260 grenzt an die Unterseite 230 des Laserchips 200 an. Es ist aber auch möglich, den p-dotierten Bereich 240 an die Unterseite 230 und den n-dotierten Bereich 260 an die Oberseite 220 des Laserchips 200 angrenzend auszubilden.

Zwischen dem p-dotierten Bereich 240 und dem n-dotierten Bereich 260 ist ein aktiver Bereich 250 des Laserchips 200 an ^¬ geordnet. Der aktive Bereich 250 ist ein laseraktiver Bereich des Laserchips 200. Der aktive Bereich 250 ist näher an der Oberseite 220 als an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet . Der Laserchip 200 ist dazu ausgebildet, an der Emissionsfa ^¬ cette 210 an einer an den aktiven Bereich 250 angrenzenden Position einen Laserstrahl in zur Emissionsfacette 210 im Wesentlichen senkrechte Richtung zu emittieren. Der Emissions- bereich an der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 ist damit näher an der Oberseite 220 als an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet. Der an der Emissionsfacette 210 durch den Laserchip 200 emittierte Laserstrahl wird mit einer charakteristischen Strahldivergenz abgestrahlt.

Der Laserchip 200 weist eine erste elektrische Kontaktfläche und eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, die dazu vor ^¬ gesehen sind, eine elektrische Spannung an den Laserchip 200 anzulegen. Die erste elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann beispielsweise an der Oberseite 220 des Laserchips

200 angeordnet sein. Die zweite elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann beispielsweise an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet sein. Der Laserchip 200 ist im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 auf der zweiten Metallisierung 160 angeordnet. Dabei ist die Oberseite 220 des Laserchips 200 der Oberseite 120 des Trägers 100 zugewandt. Es wäre al ^¬ lerdings auch möglich, den Laserchip 200 derart an der Ober- seite 120 des Trägers 100 anzuordnen, dass die Unterseite 230 des Laserchips 200 der Oberseite 120 des Trägers 100 zuge ^¬ wandt ist.

Der Laserchip 200 ist mittels eines elektrisch leitenden Ver- bindungsmaterials mit der zweiten Metallisierung 160 im La ^¬ serchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 verbunden. Dadurch besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Metallisierung 160 im Laserchip- Aufnahmebereich 161 des Trägers 100 und der an der Oberseite 220 des Laserchips 200 angeordneten ersten elektrischen Kontaktfläche des Laserchips 200. Das Verbindungsmaterial kann beispielsweise ein Lot, ein elektrisch leitender Klebstoff o- der eine Sinterpaste sein. Die an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann bei ^¬ spielsweise über in Figuren 2 und 3 nicht dargestellte Bond- drähte mit einer weiteren Metallisierung verbunden werden.

Die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 ist im Wesentli ^¬ chen parallel zur Stirnseite 110 des Trägers 100 orientiert. Der Laserchip 200 steht im Übergangsbereich 130 über die Aus- sparung 140 über. Somit wird durch die Aussparung 140 in einem an die Emissionsfacette 210 angrenzenden Teil der Ober ^¬ seite 220 des Laserchips 200 eine Lücke zwischen der Ober ^¬ seite 220 und dem Träger 100 gebildet. Die Emissionsfacette 210 steht bevorzugt nicht über die Stirnseite 110 des Trägers 100 über, sondern liegt in einer gemeinsamen Ebene mit der

Stirnseite 110 des Trägers 100 oder ist gegenüber der Stirn ^¬ seite 110 des Trägers 100 zurückversetzt. Der Überstand des Laserchips 200 über die Aussparung 140 im Übergangsbereich 130 ist in Richtung senkrecht zur Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 und zur Stirnseite 110 des Trägers 100 bevor ^¬ zugt also höchstens so groß wie die Tiefe 141 der Aussparung 140.

Durch den Überstand des an die Emissionsfacette 210 des La- serchips 200 angrenzenden Teils des Laserchips 200 über die Aussparung 140 im Übergangsbereich 130 wird verhindert, dass ein an der Emissionsfacette 210 nahe der Oberseite 220 des Laserchips 200 emittierter Laserstrahl durch den Träger 100 abgeschattet wird. Der Überstand des Laserchips 200 über die Aussparung 140 des Trägers 100 verhindert eine solche Ab ^¬ schattung trotz der Divergenz des an der Emissionsfacette 210 emittierten Laserstrahls, trotz der Nähe des aktiven Bereichs 250 zur Oberseite 220 des Laserchips 200 und somit zur Ober ^¬ seite 120 des Trägers 100 und auch im Fall einer gegenüber der Stirnseite 110 des Trägers 100 zurückversetzten Anordnung der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200. Durch den Überstand des an die Emissionsfacette 210 angren ^¬ zenden Teils des Laserchips 200 über die Aussparung 140 im Übergangsbereich 130 des Trägers 100 wird eine Kontamination der Emissionsfacette 210 mit dem zur Befestigung des Laser- chips 200 an der Oberseite 120 des Trägers 100 verwendeten Verbindungsmaterial verhindert. Zwischen der Oberseite 220 des Laserchips 200 und der zweiten Metallisierung 160 im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 angeordnetes Verbindungsmaterial kann die dritte Metalli- sierung 170 an der Aussparung 140 benetzen und wird dadurch von der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 fortgeleitet. Dadurch wird verhindert, dass überschüssiges Verbindungsmate ^¬ rial vor die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 gelangt und dort einen Kurzschluss verursacht oder den durch den La- serchip 200 emittierten Laserstrahl abschattet.

Dadurch, dass die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 nicht über die Stirnseite 110 des Trägers 100 hinausragt, ist der Laserchip 200 vor einer Beschädigung durch äußere mecha- nische Einwirkungen geschützt. Der Träger 100 schützt den La ^¬ serchip 200 vor einer versehentlichen Beschädigung während einer Handhabung des ersten Laserbauelements 10, beispiels ^¬ weise während einer Montage des ersten Laserbauelements 10. Zur Herstellung des ersten Laserbauelements 10 wird zunächst der Träger 100 mit der im Übergangsbereich 130 zwischen der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 ausgebildeten Aussparung 140 bereitgestellt. Anschließend wird der Laserchip 200 in der beschriebenen Weise im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 angeordnet.

Figur 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht zur Illustration einer Möglichkeit zur Herstellung des Trägers 100 mit der im Übergangsbereich 130 ausgebildeten Aus- sparung 140. Figur 4 zeigt einen Schnitt durch eine Trägerplatte 300. Die Trägerplatte 300 weist dasselbe Material auf wie der Träger 100. Die Trägerplatte 300 ist als im Wesentli ^¬ chen flache Platte mit einer Oberfläche 320 ausgebildet. Die Trägerplatte 300 ist zur Herstellung von mindestens zwei Trä ^¬ gern 100 vorgesehen.

In einem ersten Bearbeitungsschritt wird an der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 ein Graben 330 angelegt. Der Graben 330 wird im Wesentlichen geradlinig angelegt und weist einen senkrecht zur Erstreckungsrichtung des Grabens 330 orientierten Querschnitt 332 auf, der etwa dreieckig beziehungsweise V-förmig ausgebildet ist. In zur Oberfläche 320 der Träger- platte 300 parallele und zur Längserstreckungsrichtung des Grabens 330 senkrechte Richtung weist der Graben 330 eine Grabenbreite 331 auf. Die Grabenbreite 331 wird etwa doppelt so groß gewählt wie die gewünschte Tiefe 141 der Aussparung 140 an dem Träger 100.

Anschließend werden an der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 die erste Metallisierung 150, die zweite Metallisierung 160 und die dritte Metallisierung 170 angelegt. In der

Schnittdarstellung der Figur 4 sind lediglich die zweite Me- tallisierung 160 und die dritte Metallisierung 170 erkennbar. Die zweite Metallisierung 160 erstreckt sich in Abschnitten der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 außerhalb des Grabens 330. Die dritte Metallisierung 170 ist im Bereich des Grabens 330 an der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 angeordnet. Falls für die zweite Metallisierung 160 und die dritte Metal ^¬ lisierung 170 dasselbe Material verwendet wird, so lassen sich die zweite Metallisierung 160 und die dritte Metallisie ^¬ rung 170 in besonders einfacher Weise in einem gemeinsamen Arbeitsschritt anlegen.

In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt wird die Trägerplatte 300 an einer Trennebene 310 zerteilt, um mindestens zwei Träger 100 zu erhalten. Die Trennebene 310 ist senkrecht zur Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 orientiert und er- streckt sich parallel zur Längserstreckungsrichtung des Grabens 330 durch den Grund des Grabens 330. Das Zerteilen der Trägerplatte 300 an der Trennebene 310 kann beispielsweise durch Sägen erfolgen. Bei den durch Zerteilen der Trägerplatte 300 an der Trennebene 310 gebildeten mindestens zwei Trägern 100 bildet je ^¬ weils eine Hälfte des Grabens 330 die Aussparung 140. Die Stirnseiten 110 der mindestens zwei Träger 100 werden an der Trennebene 310 gebildet. Die Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 bildet die Oberseiten 120 der mindestens zwei Träger 100.

Die Trägerplatte 300 kann zusätzlich zur Teilung an der

Trennebene 310 an weiteren zur Längserstreckungsrichtung des Grabens 330 senkrechten Ebenen zerteilt werden, um eine grö ^¬ ßere Zahl von Trägern 100 aus der Trägerplatte 300 zu bilden. Damit ermöglicht das beschriebene Verfahren vorteilhafter ^¬ weise eine kostengünstige parallele Herstellung einer Viel- zahl von Trägern 100 in einem gemeinsamen Arbeitsgang.

Figur 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Trägers 1000 eines zweiten Laserbauelements 20. Das zweite Laserbauelement 20 und sein Träger 1000 weisen große Übereinstimmungen mit dem ersten Laserbauelement 10 und des ^¬ sen Träger 100 auf. Übereinstimmende Komponenten sind in Fi ^¬ gur 5 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 bis 4 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert be ^¬ schrieben .

Der Träger 1000 des zweiten Laserbauelements 20 weist im Un ^¬ terschied zu dem Träger 100 des ersten Laserbauelements 10 im Übergangsbereich 130 zwischen der Stirnseite 110 und der Oberseite 120 anstelle der Aussparung 140 eine Aussparung 1140 auf. Die Aussparung 1140 des Trägers 1000 ist nicht als Fase sondern als Stufe ausgebildet. Die Aussparung 1140 des Trägers 1000 erstreckt sich wie die Aussparung 140 des Trä ^¬ gers 100 über die gesamte Breite 111 des Trägers 1000. Die Aussparung 1140 kann als rechtwinklige Stufe mit zwei

Flächen ausgebildet sein. Eine zur Oberseite 120 des Trägers 1000 parallele Fläche der als rechtwinklige Stufe ausgebilde- ten Aussparung 1140 ist gegenüber der Oberseite 120 nach unten versetzt und weist die Tiefe 141 auf. Eine zur Stirnseite 110 des Trägers 1000 parallele Fläche der als rechtwinklige Stufe ausgebildeten Aussparung 1140 ist gegenüber der Stirn- seite 110 um die Tiefe 141 zurückversetzt.

Auch die Aussparung 1140 des Trägers 1000 weist eine dritte Metallisierung 170 auf. Die dritte Metallisierung 170 erstreckt sich bevorzugt über beide Flächen der als Stufe aus- gebildeten Aussparung 1140, zumindest jedoch über die an die Oberseite 120 des Trägers angrenzende Fläche.

Auch bei dem zweiten Laserbauelement 20 wird der Laserchip 200 über die Aussparung 1140 überstehend im Laserchip-Aufnah- mebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 1000 angeord ^¬ net. Diese Anordnung bietet beim zweiten Laserbauelement 20 dieselben Vorteile wie beim ersten Laserbauelement 10.

Der Träger 1000 des zweiten Laserbauelements 20 kann auf zur Herstellung des Trägers 100 des ersten Laserbauelements 10 analoge Weise hergestellt werden. Dabei wird der Graben 330 an der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 allerdings mit ei ^¬ nem Querschnitt 332 angelegt, der nicht dreieckig beziehungs ^¬ weise V-förmig, sondern rechteckig ausgebildet ist.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge- leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . . _c

15

Bezugs zeichenliste

10 erstes Laserbauelement

20 zweites Laserbauelement

100 Träger

110 Stirnseite

111 Breite

120 Oberseite

130 Übergangsbereich

140 Aussparung

141 Tiefe

150 erste Metallisierung

160 zweite Metallisierung 161 Laserchip-Aufnahmebereich

162 Schutzchip-Aufnahmebereich

170 dritte Metallisierung

200 Laserchip

210 Emissionsfacette

220 Oberseite

230 Unterseite

240 p-dotierter Bereich

250 aktiver Bereich

260 n-dotierter Bereich

300 Trägerplatte

310 Trennebene

320 Oberfläche

330 Graben

331 Grabenbreite

332 Querschnitt

1000 Träger

1140 Aussparung