Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Die vorliegende Erfindung betrifft ein Laserbauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements gemäß Patentanspruch 9.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deut- sehen Patentanmeldung DE 10 2013 223 110.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.

Laserbauelemente mit halbleiterbasierten Laserchips sind aus dem Stand der Technik bekannt. Dabei ist es üblich, den La- serchip auf einem Träger anzuordnen, der zur elektrischen Kontaktierung des Laserchips und zur Ableitung von Abwärme aus dem Laserchip dient. Bei bekannten Laserchips ist ein aktiver Bereich des Laserchips näher an einer Oberseite als an einer Unterseite des Laserchips angeordnet. Üblicherweise wird der Laserchip derart auf dem Träger angeordnet, dass die Unterseite des Laserchips dem Träger zugewandt ist. Eine An ^¬ ordnung des Laserchips mit dem Träger zugewandter Oberseite würde eine verbesserte Ableitung von Abwärme aus dem Laser ^¬ chip ermöglichen. Allerdings besteht bei dieser Anordnung die Gefahr einer Abschattung einer Laserfacette des Laserchips im aktiven Bereich oder einer Kontamination der Laserfacette im aktiven Bereich mit Lot.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Laserbauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein Laserbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht da ^¬ rin, ein Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merk- malen des Anspruchs 9 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Ein Laserbauelement umfasst einen Laserchip mit einer Emissi ^¬ onsfacette und einen Träger mit einer Oberseite, einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite und einer sich von der Oberseite zur Unterseite erstreckenden Stirnseite. Der Laserchip ist dabei an der Oberseite des Trägers angeordnet. Die Stirnseite des Trägers weist eine Aussparung auf, die sich von der Oberseite des Trägers zur Unterseite des Trägers erstreckt. Die Emissionsfacette des Laserchips steht zumin ^¬ dest teilweise über die Aussparung über. Vorteilhafterweise ergibt sich bei diesem Laserbauelement durch die Aussparung an der Stirnseite des Trägers in der unmittelbaren Umgebung der Emissionsfacette des Laserchips ein Abstand zwischen dem Laserchip und dem Träger. Dadurch wird vorteilhafterweise eine Abschattung eines an der Emissionsfacette des Laserchips emittierten Laserstrahls verhindert. Der sich durch die Aus ^¬ sparung ergebende Abstand zwischen dem Laserchip und dem Träger in der Umgebung der Emissionsfacette des Laserchips ver ^¬ hindert außerdem eine Kontamination der Emissionsfacette des Laserchips mit Lot oder anderem Verbindungsmaterial.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist die Aus ^¬ sparung in eine zur Oberseite und zur Stirnseite parallele Richtung eine Breite auf, die mindestens so groß ist wie eine Breite des Laserchips. Vorteilhafterweise ist der Laserchip in diesem Fall über seine gesamte Breite im Bereich der Emis ^¬ sionsfacette von dem Träger beabstandet, sodass die Emissi ^¬ onsfacette des Laserchips über ihre gesamte Breite vor einer Kontamination geschützt ist. In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist die Aus ^¬ sparung in Richtung senkrecht zur Stirnseite eine Tiefe zwi ^¬ schen 10 ym und 100 ym auf. Eine derartige Tiefe hat sich als ausreichend erwiesen, um eine Abschattung und eine Kontamina ^¬ tion der Emissionsfacette des Laserchips des Laserbauelements zu verhindern.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist die Aus ^¬ sparung in einem zur Oberseite des Trägers parallelen Schnitt eine Rechteckform auf. Vorteilhafterweise lässt sich die Aus ^¬ sparung dadurch auf einfache Weise herstellen.

Die Aussparung weist eine Metallisierung auf. Vorteilhafter- weise kann die Aussparung an der Stirnseite des Trägers des Laserbauelements durch die Metallisierung von Lot benetzt werden, wodurch ein Vordringen von Lot zur Emissionsfacette des Laserchips des Laserbauelements verhindert werden kann. Die Metallisierung der Aussparung des Trägers des Laserbau- elements leitet zur Verbindung des Laserchips mit dem Träger verwendetes Lot damit von der zu schützenden Emissionsfacette des Laserchips fort.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der Trä- ger ein keramisches Material auf. Vorteilhafterweise kann der Träger des Laserbauelements in diesem Fall elektrisch isolie ^¬ rend und thermisch gut leitend ausgebildet sein.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements steht die Emis- sionsfacette des Laserchips nicht über die Stirnseite des Trägers über. Vorteilhafterweise ist die Emissionsfacette dadurch vor einer mechanischen Beschädigung geschützt. Die nicht über die Stirnseite des Trägers überstehende Anordnung der Emissionsfacette des Laserchips wird vorteilhafterweise dadurch ermöglicht, dass die Emissionsfacette des Laserchips bereits durch die am Träger vorgesehene Aussparung vor einer Kontamination und einer Abschattung geschützt ist. Dadurch ist ein Überstand der Emissionsfacette des Laserchips über die Stirnseite des Trägers bei diesem Laserbauelement nicht erforderlich.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der La ^¬ serchip eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberlie ^¬ gende Unterseite auf. Ein aktiver Bereich des Laserchips ist dabei näher an der Oberseite angeordnet als an der Unter ^¬ seite. Die Oberseite des Laserchips ist der Oberseite des Trägers zugewandt. Vorteilhafterweise ermöglicht diese Anord ^¬ nung des Laserchips auf dem Träger des Laserbauelements eine „

wirkungsvolle Abfuhr von im Betrieb des Laserbauelements im Laserchip anfallender Abwärme. Im aktiven Bereich des Laserchips erzeugte Abwärme muss dabei lediglich den geringen Ab ^¬ stand zwischen dem aktiven Bereich des Laserchips und der Oberseite des Laserchips überwinden.

In einer Ausführungsform des Laserbauelements grenzt ein p- dotierter Bereich des Laserchips an die Oberseite des Laser ^¬ chips an. Vorteilhafterweise kann der Laserchip dadurch durch Aufwachsen auf einem n-dotierten Substrat hergestellt werden.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite und einer sich von der Oberseite zur Unterseite erstreckenden Stirnseite, wobei die Stirnseite des Trägers eine Aussparung auf ^¬ weist, die sich von der Oberseite des Trägers zur Unterseite des Trägers erstreckt, und zum Anordnen eines Laserchips an der Oberseite des Trägers derart, dass eine Emissionsfacette des Laserchips zumindest teilweise über die Aussparung über ^¬ steht. Vorteilhafterweise besteht bei diesem Verfahren nur eine geringe Gefahr, dass die Emissionsfacette des Laserchips während des Anordnens des Laserchips an der Oberseite des Trägers durch Lot verunreinigt wird. Dies wird dadurch er ^¬ reicht, dass sich durch die an der Stirnseite des Trägers vorgesehene Aussparung im Bereich der Emissionsfacette ein Abstand zwischen dem Laserchip und dem Träger ergibt. Durch diesen Abstand reduziert sich vorteilhafterweise außerdem die Gefahr einer Abschattung eines durch den Laserchip emittierten Laserstrahls durch den Träger.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereit ^¬ stellen des Trägers Schritte zum Bereitstellen einer Trägerplatte mit einer Oberfläche und einer der Oberfläche gegen- überliegenden Rückseite, zum Anlegen einer Durchgangsöffnung zwischen der Oberfläche und der Rückseite, und zum Zerteilen der Trägerplatte entlang einer Ebene, die senkrecht zur Ober- fläche orientiert ist und durch die Durchgangsöffnung verläuft, um mindestens zwei Träger zu erhalten. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache und kosten ^¬ günstige Herstellung des Trägers. Dies ergibt sich insbeson- dere daraus, dass das Verfahren eine parallele Herstellung einer Mehrzahl von Trägern in gemeinsamen Arbeitsschritten ermöglicht .

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Zertei- len der Trägerplatte ein weiterer Schritt durchgeführt zum

Anordnen der Metallisierung an einer Innenwandung der Durchgangsöffnung. Vorteilhafterweise lässt sich die Metallisie ^¬ rung dadurch auf einfache und kostengünstige Weise an einer Mehrzahl von Trägern gleichzeitig vorsehen. Die Metallisie- rung kann vorteilhafterweise gleichzeitig mit einer Metalli ^¬ sierung an der Oberfläche der Trägerplatte angelegt werden.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Trägers;

Fig. 2 eine Aufsicht auf ein Laserbauelement mit dem Träger und einem Laserchip;

Fig. 3 eine geschnittene Seitenansicht des Laserbauelements; und

Fig. 4 eine Aufsicht auf eine Trägerplatte zur Herstellung des Trägers.

Fig. 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Trägers 100 eines Laserbauelements 10. Der Träger 100 kann auch als Submount bezeichnet werden. Der Träger 100 ist dazu vorgesehen, einen in Fig. 1 nicht dargestellten Laserchip des Laserbauelements 10 zu tragen, elektrische Kontakte zur elektrischen Kontaktierung des Laserchips bereitzustellen und als Wärmesenke zur Abfuhr von in dem Laserchip produzierte Abwärme zu dienen.

Der Träger 100 ist als im Wesentlichen quaderförmiges Plätt ^¬ chen ausgebildet und kann beispielsweise ein keramisches Ma- terial aufweisen. Der Träger 100 weist eine Stirnseite 110, eine zur Stirnseite 110 im Wesentlichen senkrecht orientierte Oberseite 120 und eine der Oberseite 120 gegenüberliegende Unterseite 130 auf. An der Stirnseite 110 des Trägers 100 ist eine Aussparung 140 ausgebildet, die sich von der Oberseite 120 des Trägers 100 bis zur Unterseite 130 des Trägers 100 erstreckt. Die Ausspa ^¬ rung 140 bildet eine Vertiefung in der Stirnseite 110. In zur Stirnseite 110 und zur Oberseite 120 des Trägers 100 paral- lele Richtung weist die Aussparung 140 eine Breite 142 auf. In zur Stirnseite 110 des Trägers 100 senkrechte Richtung weist die Aussparung 140 eine Tiefe 141 auf. Die Tiefe 141 liegt bevorzugt zwischen 10 ym und 100 ym. In einem zur Oberseite 120 und zur Unterseite 130 des Trägers 100 parallelen Schnitt weist die Aussparung 140 bevorzugt eine Rechteckform auf. Die Aussparung 140 könnte in einem zur Oberseite 120 des Trägers 100 parallelen Schnitt aber auch eine Trapezform, eine Parallelogrammform oder eine andere Form aufweisen. An der Oberseite 120 des Trägers 100 ist eine erste Metalli ^¬ sierung 150 angeordnet. Die erste Metallisierung 150 bedeckt die Oberseite 120 des Trägers 100 bevorzugt vollständig. Zu ^¬ sätzlich ist in einem Laserchip-Aufnahmebereich 161 der Oberseite 120 des Trägers 100 und in einem Schutzchip-Aufnahmebe- reich 162 der Oberseite 120 des Trägers 100 eine zweite Me ^¬ tallisierung 160 angeordnet. Die zweite Metallisierung 160 ist im Laserchip-Aufnahmebereich 161 und im Schutzchip-Auf- nahmebereich 162 bevorzugt über der ersten Metallisierung 150 angeordnet. Die erste Metallisierung 150 kann im Laserchip- Aufnahmebereich 161 und im Schutzchip-Aufnahmebereich 162 jedoch auch Aussparungen aufweisen, in denen die zweite Metallisierung 160 angeordnet ist. Die zweite Metallisierung 160 weist ein Metall auf, das sich für eine Herstellung von Löt ^¬ verbindungen eignet. Die zweite Metallisierung 160 kann ein anderes Metall aufweisen als die erste Metallisierung 150.

Der Laserchip-Aufnahmebereich 161 ist zur Aufnahme eines La- serchips vorgesehen. Der Schutzchip-Aufnahmebereich 162 ist zur Aufnahme eines Schutzchips, beispielsweise einer Schutz ^¬ diode, vorgesehen, die zum Schutz des Laserchips des Laserbauelements 10 vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dient. Der Schutzchip-Aufnahmebereich 162 und der Schutzchip können allerdings auch entfallen. Der Laserchip- Aufnahmebereich 161 grenzt bevorzugt unmittelbar an die

Stirnseite 110 des Trägers 100 und die Aussparung 140 in der Stirnseite 110 an. Im Bereich der Aussparung 140 an der Stirnseite 110 des Trägers 100 ist eine dritte Metallisierung 170 angeordnet. Die dritte Metallisierung 170 erstreckt sich bevorzugt im Bereich der Aussparung 140 von der Oberseite 120 des Trägers 100 bis zur Unterseite 130. Die dritte Metallisierung 170 weist be- vorzugt dasselbe Material auf wie die zweite Metallisierung 160. Die dritte Metallisierung 170 und der Laserchip-Aufnahmebereich 161 der zweiten Metallisierung 160 sind bevorzugt zusammenhängend ausgebildet. Fig. 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf das Laserbauele ^¬ ment 10. Fig. 3 zeigt eine schematische geschnittene Seiten ^¬ ansicht des Laserbauelements 10. In den Darstellungen der Fi ^¬ guren 2 und 3 ist ein Laserchip 200 des Laserbauelements 10 gezeigt. Ein auf dem Schutzchip-Aufnahmebereich 162 des Trä- gers 100 des Laserbauelements 10 angeordneter Schutzchip ist in den Figuren 2 und 3 nicht dargestellt. Der Laserchip 200 ist als halbleiterbasierte Laserdiode aus ^¬ gebildet und weist eine Oberseite 220, eine der Oberseite 220 gegenüberliegende Unterseite 230 und eine senkrecht zur Ober ^¬ seite 220 und Unterseite 230 orientierte Emissionsfacette 210 auf. Die Emissionsfacette 210 kann auch als Laserfacette be ^¬ zeichnet werden.

Der Laserchip 200 weist einen p-dotierten Bereich 240 und einen n-dotierten Bereich 260 auf. Im in Figuren 2 und 3 ge- zeigten Beispiel grenzt der p-dotierte Bereich 240 an die

Oberseite 220 des Laserchips 200 an. Der n-dotierte Bereich 260 grenzt an die Unterseite 230 des Laserchips 200 an. Es ist aber auch möglich, den p-dotierten Bereich 240 an die Unterseite 230 und den n-dotierten Bereich 260 an die Oberseite 220 des Laserchips 200 angrenzend auszubilden.

Zwischen dem p-dotierten Bereich 240 und dem n-dotierten Bereich 260 ist ein aktiver Bereich 250 des Laserchips 200 an ^¬ geordnet. Der aktive Bereich 250 ist ein laseraktiver Bereich des Laserchips 200. Der aktive Bereich 250 ist näher an der Oberseite 220 als an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet .

Der Laserchip 200 ist dazu ausgebildet, an der Emissionsfa- cette 210 an einer an den aktiven Bereich 250 angrenzenden

Position einen Laserstrahl in zur Emissionsfacette 210 im Wesentlichen senkrechte Richtung zu emittieren. Der Emissionsbereich an der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 ist damit näher an der Oberseite 220 als an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet. Der an der Emissionsfacette 210 durch den Laserchip 200 emittierte Laserstrahl wird mit einer charakteristischen Strahldivergenz abgestrahlt.

Der Laserchip 200 weist eine erste elektrische Kontaktfläche und eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, die dazu vor ^¬ gesehen sind, eine elektrische Spannung an den Laserchip 200 anzulegen. Die erste elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann beispielsweise an der Oberseite 220 des Laserchips 200 angeordnet sein. Die zweite elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann beispielsweise an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnet sein. Der Laserchip 200 ist im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 auf der zweiten Metallisierung 160 angeordnet. Dabei ist die Oberseite 220 des Laserchips 200 der Oberseite 120 des Trägers 100 zugewandt. Es wäre al ^¬ lerdings auch möglich, den Laserchip 200 derart an der Ober- seite 120 des Trägers 100 anzuordnen, dass die Unterseite 230 des Laserchips 200 der Oberseite 120 des Trägers 100 zuge ^¬ wandt ist.

Der Laserchip 200 ist mittels eines elektrisch leitenden Ver- bindungsmaterials mit der zweiten Metallisierung 160 im La ^¬ serchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 verbunden. Dadurch besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Metallisierung 160 im Laserchip- Aufnahmebereich 161 des Trägers 100 und der an der Oberseite 220 des Laserchips 200 angeordneten ersten elektrischen Kontaktfläche des Laserchips 200. Das Verbindungsmaterial kann beispielsweise ein Lot, ein elektrisch leitender Klebstoff o- der eine Sinterpaste sein. Die an der Unterseite 230 des Laserchips 200 angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche des Laserchips 200 kann bei ^¬ spielsweise über in Figuren 2 und 3 nicht dargestellte Bond ^¬ drähte mit einer weiteren Metallisierung verbunden werden. Die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 ist im Wesentli ^¬ chen parallel zur Stirnseite 110 des Trägers 100 orientiert. Der Laserchip 200 steht dabei über die Aussparung 140 über. Der Laserchip 200 weist in eine zur Emissionsfacette 210 und zur Oberseite 220 parallele Richtung eine Breite 211 auf. Die Breite 211 des Laserchips 200 ist geringer als die Breite 142 der Aussparung 140 des Trägers 100. Dadurch steht der Laserchip 200 über seine gesamte Breite 211 über die Aussparung 140 an der Stirnseite 110 des Trägers 100 über. Durch die ₁

Aussparung 140 an der Stirnseite 110 des Trägers 100 wird in einem an die Emissionsfacette 210 angrenzenden Teil der Oberseite 220 des Laserchips 200 eine Lücke zwischen der Ober ^¬ seite 220 und dem Träger 100 gebildet.

Bevorzugt steht die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 nicht über die außerhalb der Aussparung 140 angeordneten Teile der Stirnseite 110 des Trägers 100 über, sondern liegt in einer gemeinsamen Ebene mit der Stirnseite 110 des Trägers 100 oder ist gegenüber der Stirnseite 110 des Trägers 100 zu ^¬ rückversetzt. Der Überstand des Laserchips 200 über die Aus ^¬ sparung 140 des Trägers 100 ist in Richtung senkrecht zur Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 und zur Stirnseite 110 des Trägers 100 bevorzugt also höchstens so groß wie die Tiefe 141 der Aussparung 140.

Durch den Überstand des an die Emissionsfacette 210 des La ^¬ serchips 200 angrenzenden Teils des Laserchips 200 über die Aussparung 140 wird verhindert, dass ein an der Emissionsfa ^¬ cette 210 nahe der Oberseite 220 des Laserchips 200 emittier ^¬ ter Laserstrahl durch den Träger 100 abgeschattet wird. Der Überstand des Laserchips 200 über die Aussparung 140 des Trä ^¬ gers 100 verhindert eine solche Abschattung trotz der Diver ^¬ genz des an der Emissionsfacette 210 emittierten Laserstrahls, trotz der Nähe des aktiven Bereichs 250 zur Ober ^¬ seite 220 des Laserchips 200 und somit zur Oberseite 120 des Trägers 100 und auch im Fall einer gegenüber der neben der Aussparung 140 angeordneten Abschnitte der Stirnseite 110 des Trägers 100 zurückversetzten Anordnung der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200.

Durch den Überstand des an die Emissionsfacette 210 angren ^¬ zenden Falls des Laserchips 200 über die Aussparung 140 des Trägers 100 wird eine Kontamination der Emissionsfacette 210 mit dem zur Befestigung des Laserchips 200 an der Oberseite 120 des Trägers 100 verwendeten Verbindungsmaterial verhin ^¬ dert. Zwischen der Oberseite 220 des Laserchips 200 und der zweiten Metallisierung 160 im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 angeordnetes Verbin ^¬ dungsmaterial kann die dritte Metallisierung 170 an der Aus ^¬ sparung 140 benetzen und wird dadurch von der Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 fortgeleitet. Dadurch wird ver- hindert, dass überschüssiges Verbindungsmaterial vor die

Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 gelangt und dort ei ^¬ nen Kurzschluss verursacht oder den durch den Laserchip 200 emittierten Laserstrahl abschattet. Dadurch, dass die Emissionsfacette 210 des Laserchips 200 nicht über die Stirnseite 110 des Trägers 100 hinausragt, ist der Laserchip 200 vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen geschützt. Der Träger 100 schützt den La ^¬ serchip 200 vor einer versehentlichen Beschädigung während einer Handhabung des Laserbauelements 10, beispielsweise wäh ^¬ rend einer Montage des Laserbauelements 10.

Zur Herstellung des Laserbauelements 10 wird zunächst der Träger 100 mit der sich an der Stirnseite 110 von der Ober- seite 120 zur Unterseite 130 erstreckenden Aussparung 140 be ^¬ reitgestellt. Anschließend wird der Laserchip 200 in der be ^¬ schriebenen Weise im Laserchip-Aufnahmebereich 161 an der Oberseite 120 des Trägers 100 angeordnet. Fig. 4 zeigt eine schematische Aufsicht auf eine Trägerplatte 300 zur Illustration einer Möglichkeit zur Herstellung des Trägers 100 mit der sich an der Stirnseite 110 von der Ober ^¬ seite 120 zur Unterseite 130 erstreckenden Aussparung 140. Die Trägerplatte 300 weist dasselbe Material auf wie der Trä- ger 100. Die Trägerplatte 300 ist als im Wesentlichen flache Platte mit einer Oberfläche 320 ausgebildet. Die Trägerplatte 300 ist zur Herstellung von mindestens zwei Trägern 100 vorgesehen . In einem ersten Bearbeitungsschritt wird eine sich von der

Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 bis zu einer der Oberflä ^¬ che 320 gegenüberliegenden Rückseite der Trägerplatte 300 durch die Trägerplatte 300 erstreckende Durchgangsöffnung 330 angelegt. Die Durchgangsöffnung 330 kann beispielsweise mit einem rechteckigen Querschnitt angelegt werden.

Anschließend werden an der Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 die erste Metallisierung 150 und die zweite Metallisie ^¬ rung 160 angelegt. An einer Innenwandung 340 der Durchgangs ^¬ öffnung 330 wird die dritte Metallisierung 170 angelegt. Die zweite Metallisierung 160 wird dabei in einem an die Durchgangsöffnung 330 angrenzenden Abschnitt der Oberfläche 320 angelegt. Falls für die zweite Metallisierung 160 und die dritte Metallisierung 170 dasselbe Material verwendet wird, so lassen sich die zweite Metallisierung 160 und die dritte Metallisierung 170 in einem gemeinsamen Arbeitsschritt anlegen .

In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt wird die Trägerplatte 300 an einer Trennebene 310 zerteilt, um mindestens zwei Träger 100 zu erhalten. Die Trennebene 310 ist senkrecht zur Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 orientiert und er- streckt sich durch die Durchgangsöffnung 330. Falls die

Durchgangsöffnung 330 einen rechteckigen Querschnitt aufweist, so ist die Trennebene 310 bevorzugt parallel zu zwei gegenüberliegenden Seiten der Durchgangsöffnung 330 orientiert. Das Zerteilen der Trägerplatte 300 an der Trennebene 310 kann beispielsweise durch Sägen erfolgen.

Bei den durch Zerteilen der Trägerplatte 300 an der Trennebene 310 gebildeten mindestens zwei Trägern 100 bildet je ^¬ weils eine Hälfte der Durchgangsöffnung 330 die Aussparung 140. Die Stirnseiten 110 der mindestens zwei Träger 100 wer ^¬ den an der Trennebene 310 gebildet. Die Oberfläche 320 der Trägerplatte 300 bildet die Oberseiten 120 der mindestens zwei Träger 100. Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

Bezugs zeichenliste

10 Laserbauelement 100 Träger

110 Stirnseite

120 Oberseite

130 Unterseite

140 Aussparung

141 Tiefe

142 Breite

150 erste Metallisierung

160 zweite Metallisierung

161 Laserchip-Aufnahmebereich 162 Schutzchip-Aufnahmebereich

170 dritte Metallisierung

200 Laserchip

210 Emissionsfacette

211 Breite

220 Oberseite

230 Unterseite

240 p-dotierter Bereich

250 aktiver Bereich

260 n-dotierter Bereich

300 Trägerplatte

310 Trennebene

320 Oberfläche

330 Durchgangsöffnung

340 Innenwandung