〔実施の形態1〕
 本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置 100について、図1~図6に基づいて説明すれば以 下のとおりである。

 図1は、本実施形態に係る液晶表示装置100 の断面図であり、液晶表示装置100の要部構成 を模式的に示している。

 図1に示したように、液晶表示装置100は、 概略的に言えば、TFT基板110(第1の基板、液晶� ��示装置用基板)と、該TFT基板110に対向する対 向基板120(第2の基板)と、TFT基板110と対向基板 120との間に挟持された液晶層130とを含んで構 成されたOCBモードの液晶表示装置である。

 TFT基板110と液晶層130の界面、および、対� ��基板120と液晶層130との界面には、水平配向� ��(不図示)が形成されており、液晶層130を構� �する液晶分子がスプレイ配向に維持される� �うになっている。TFT基板110の液晶層130側の� �に形成された画素電極116と、対向基板120の� �晶層130側の面に形成された対向電極(不図示) との間の電位差が与えられると、液晶層130を 構成する液晶分子がベンド配向に転移する。

 TFT基板110は、ガラス基板111と、補助容量� ��極(Cs電極)として機能する共通電極112であっ て、ガラス基板111上に形成された共通電極112 (第1の電極)と、絶縁層113を介して共通電極112 の液晶層130側の面に対向するように形成され た、開口部114aを有するドレイン電極114(第2の 電極)と、ドレイン電極114の開口部114aを取り� ��むように絶縁層113上に形成された絶縁層115� ��を備えている。上述した画素電極116は、こ� ��絶縁層115上に形成されている。

 ドレイン電極114には開口部114aが設けられ ており、共通電極112とドレイン電極114との間 に生じた電界は、開口部114aから液晶層130に� �き出す。換言すれば、液晶層130における等� �位線が湾曲し、開口部114a近傍の電界が基板� ��平行方向の成分を有するようなる。開口部1 14aから液晶層130に湧き出した電界により、開 口部114a周辺の液晶分子がベンド配向に転移� �、転移核が形成される。この転移核がスプ� �イ-ベンド転移を促進する。すなわち、液晶� ��130において、ベンド配向に転移した液晶分� ��が占める領域が、転移核から画素領域全体� ��広がっていく。

 図2は、液晶表示装置100のTFT基板110の上面 図であり、TFT基板110の要部構成を模式的に示 している。以下、図2を参照して、TFT基板110� �ついて、もう少し具体的に説明する。なお� �図1に示した断面図は、図2に示した平面図の A-A´断面に対応している。

 TFT基板110は、上述したガラス基板111(不図 示)、共通電極112、絶縁層113(不図示)、絶縁層 115(不図示)、および、画素電極116の他に、図2 に示したように、ゲートバスライン117、デー タバスライン118、および、TFT(Thin Film Transist or:薄膜トランジスタ)119を備えている。

 ゲートバスライン117とデータバスライン1 18とは、ガラス基板上111上に互いに直交する� ��うに形成されている。TFT119は、ゲートバス� ��イン117とデータバスライン118との交点ごと� ��設けられ、ゲート電極がゲートバスライン1 17と、また、ソース電極がデータバスライン1 18と接続されている。

 共通電極112は、ゲートバスライン117と同� ��層に(図1参照)、ゲートバスライン117と平行� ��、かつ、画素電極116の中心部を横断するよ� ��に形成されている。なお、ゲートバスライ� ��117、データバスライン118、および、共通電� ��112は、各々駆動回路に接続されており、任� ��の電位を外部から独立して与えることがで� ��る。

 ドレイン電極114は、ゲートバスライン117� ��データバスライン118とにより区画された画� ��領域の隅に設けられたTFT119から当該画素領� ��の中心部にまで延伸されている。すなわち� ��ドレイン電極114の矩形状の先端部114bが、共 通電極112と対向するよう構成されている。ド レイン電極114の先端部114bと共通電極112との� �に生じる補助容量によって、画素電位の安� �化が図られている。また、TFT119と先端部114b� ��を繋ぐドレイン電極114の延伸部114cは、開口 率を低下させないよう、細線状に形成されて いる。

 電界を液晶層130に湧き出させるための開� ��部114aは、金属により形成されたドレイン電 極114の先端部114bに設けられている。ITOなど� �透明な非金属材料により形成された画素電� �116は、パターンのつぶれが生じやすく5μm以� ��の微細構造の形成に適さないのに対し、金� ��により形成されたドレイン電極114には、5μm 程度の微細構造を容易に形成することができ る。このため、開口部114aを構成するスリッ� �幅を5μm程度に形成することができ、スリッ� ��幅が10μm程度の従来構成と比べ、核形成領� �のサイズ(幅)を半分程度に抑えることができ る。このため、例えば、15インチのXGAにおい� ��は、開口率を5%程度改善することができる� �

 なお、図2に示したドレイン電極114の開口 部114aは、矩形スリットを略S字状に組み合わ� ��て構成されており、スリット幅を小さく維� ��しつつ、十分なスリット面積を確保するよ� ��に考慮されている。ただし、開口部114aは、 共通電極112との間に生じた電界を液晶層130に 湧き出させることができるものなら何でもよ く、例えば、形成がより容易な単一の矩形ス リットであってもよい。

 画素電極116には、図2に示したように、ド レイン電極114の開口部114aに覆い被さる領域� �矩形状の開口部116aが設けられている。また� ��画素電極116の開口部116aを取り囲む縁は、絶 縁層115の側壁に沿ってドレイン電極114の先端 部114bに達している(図1参照)。この構成によ� �、ドレイン電極114の開口部114aから湧き出し� ��電界を、画素電極116により遮蔽されること� ��く、液晶層130に到達させることが可能にな� ��。

 なお、液晶表示装置100において、液晶層1 30に電界を湧き出させるための開口部はドレ� ��ン電極114に設けられているが、開口部が形� ��されるのはドレイン電極114に限定されるわ� ��ではない。例えば、トップゲート型TFTのよ� ��に、共通電極とドレイン電極との配置が逆� ��なる場合には、液晶層側に配置された共通� ��極に開口部を設け、ドレイン電極には開口� ��を設けない構成としてもよい。

 (変形例1)
 なお、液晶表示装置100において、ドレイン� ��極114の開口部114aは、画素電極116により被覆 されていない領域内に設けられているが(図2� ��照)、液晶表示装置100は、これに限定される ものではない。すなわち、ドレイン電極114の 開口部114aは、画素電極116により被覆された� �域にまで拡張されていてもよい。この場合� �画素電極116の開口部116aも、これに応じて拡� ��されていることが好ましい。

 図3は、ドレイン電極114の開口部114aが画� �電極116により被覆された領域にまで拡張さ� �た、液晶表示装置100のTFT基板110の平面図で� �る。図3に示したように、ドレイン電極114の� ��端部114bには、開口部114aと連続したスリッ� �114dが設けられており、画素電極116には、開� ��部116aと連続したスリット116bが設けられて� �る。

 ドレイン電極114のスリット114dと画素電極 116のスリット116bとは、図3に示したように、� ��同一のスリット幅を有し、互いに重なり合� ��ように形成されている。このため、ドレイ� ��電極114のスリット114dから湧き出した電界は 、画素電極116のスリット116b介して液晶層130� �到達する。これにより、ドレイン電極114の� �口部114aから湧き出した電界に加え、画素電� ��116のスリット116bから湧き出した電界によっ ても転移核を形成することができる。このた め、より大きい転移核を形成し、スプレイ-� �ンド転移をより確実にすることができる。

 (変形例2)
 液晶表示装置100において、画素電極116は、� ��ータバスライン118に覆い被さることがない� ��うに形成されている。これは、画素電極116� ��データバスライン118との間に生じる静電容� ��の影響による、クロストークなどの表示不� ��を防止するためである。

 しかしながら、画素電極116とデータバス� ��イン118とが十分隔てられているのであれば� ��両者間に生じる静電容量は小さくなるので� ��画素電極116をデータバスライン118に覆い被� ��るように拡幅し、開口率を改善することが� ��きる。このためには、画素電極116とデータ� ��スライン118との間に生じる静電容量が十分� ��さくなるよう、画素電極116の下層に形成さ� ��た絶縁層(平坦化層)115の厚みを大きくすれ� �よい。

 図4は、画素電極116をデータバスライン118 に覆い被さるように拡幅した、液晶表示装置 100のTFT基板110の平面図である。また、図5は� �画素電極116とデータバスライン118との間に� �じる静電容量が表示品質に影響しないよう� �絶縁層115の厚みを十分大きくした液晶表示� �置100の断面図である。

 絶縁層の厚みを大きくした場合、転移核� ��形成するための開口部を従来のように当該� ��縁層上の画素電極に設けると、液晶層内に� ��移核を形成するために十分な電界の歪みを� ��ることができない。しかしながら、液晶表� ��装置100においては、図5に示したように、ド レイン電極114に設けられた開口部114aが、画� �電極116に被覆されることなく液晶層130に直� �的に露出する構成を採用しているので、液� �層130内に転移核を形成するために十分な電� �の歪みを得ることができる。

 (変形例3)
 図4および図5に示した、絶縁層115の厚みを� �きくした液晶表示装置100においても、ドレ� �ン電極114の開口部114aを画素電極116により被� ��された領域にまで拡張した構成を採用して� ��よい。

 図6は、絶縁層115の厚みを十分大きくする とともに、ドレイン電極114の開口部114aが画� �電極116により被覆された領域にまで拡張さ� �た、液晶表示装置100のTFT基板110を示す平面� �である。図6に示したように、ドレイン電極1 14の先端部114bには、開口部114aと連続したス� �ット114dが設けられており、画素電極116には� ��開口部116aと連続したスリット116bが設けら� �ている。ここでも、ドレイン電極114のスリ� �ト114dと画素電極116のスリット116bとは、略同 一のスリット幅を有し、互いに重なり合うよ うに形成されており、ドレイン電極114のスリ ット114dから湧き出した電界が、画素電極116� �スリット116b介して液晶層130に到達可能にな� ��ている。

 〔実施の形態2〕
 まず、本実施形態に係る液晶表示装置によ� ��て解決しようとする問題点を、図7~8に基づ� ��て説明する。

 図7は、平坦化層上に画素電極が形成され た液晶表示装置に本発明を適用して得られる 液晶表示装置200の構成を示す断面図である。 図8は、図7に示した液晶表示装置200のTFT基板� ��構成を示す平面図である。なお、図7に示し た断面図は、図8に示したA-A´断面に対応して いる。

 液晶表示装置200は、図7に示したように、 概略的に言えば、TFT基板210と、該TFT基板210に 対向する対向基板220と、TFT基板210と対向基板 220との間に挟持された液晶層230とからなる。 TFT基板210は、ガラス基板211と、ガラス基板211 上に形成された共通電極212と、絶縁層213を介 して共通電極212の液晶層230側に対向するよう に形成されたドレイン電極であって、開口部 214aを有するドレイン電極214と、ドレイン電� �214の開口部214aを取り囲むように絶縁層213上� ��形成された平坦化層215とを備えている。

 平坦化層215には、ドレイン電極214の開口� ��214aを液晶層230に対して露出させるために、 開口部215aが設けられている。画素電極216は� �平坦化層215の開口部215aの傾斜した側壁に沿� ��てドレイン電極214に達するように構成され� ��いる。

 図7および図8に示した構成では、ドレイ� �電極214の開口部から湧き出した電界により� �平坦化層215の開口部215a内に転移核が形成さ� ��る。このため、液晶層230を構成する液晶分� ��を確実にスプレイ-ベンド転移させることが 可能であるが、同時に以下のような問題を生 じ得る。

 OCBモードの黒表示は、液晶層のリタデー� ��ョンを光学補償フィルムのリタデーション� ��打ち消すことによって実現される。ここで� ��開口部215aは通常領域bとはセル厚が異なり� �更に開口部215aの境界は斜面を有するので通� ��領域bとは液晶分子の配向が異なる。つまり 、開口部215aにおいては、通常領域bの液晶層� ��リタデーションとは異なり、光学補償フィ� ��ムにより液晶層のリタデーションを打ち消� ��ことができず、光が漏れてしまう。

 以下、上記の問題を解決するべく工夫さ� ��た、本実施形態に係る液晶表示装置300につ� ��て、図9~15に基づいて説明する。

 図9は、本実施形態に係る液晶表示装置300 の断面図であり、液晶表示装置300の要部構成 を模式的に示している。

 図9に示したように、液晶表示装置300は、 概略的に言えば、TFT基板310(第1の基板、液晶� ��示装置用基板)と、該TFT基板310に対向する対 向基板320(第2の基板)と、TFT基板310と対向基板 320との間に挟持された液晶層330とを含んで構 成されたOCBモードの液晶表示装置である。

 TFT基板310と液晶層330の界面、および、対� ��基板320と液晶層330との界面には、水平配向� ��(不図示)が形成されており、液晶層330を構� �する液晶分子がスプレイ配向に維持される� �うになっている。TFT基板310の液晶層330側の� �に形成された画素電極316と、対向基板320の� �晶層330側に形成された対向電極(不図示)との 間の電位差が与えられると、液晶層330を構成 する液晶分子がベンド配向に転移する。

 TFT基板310は、ガラス基板311と、補助容量� ��極(Cs電極)として機能する共通電極であって 、ガラス基板311上に形成された共通電極312(� �1の電極)と、絶縁層313を介して共通電極312の 液晶層330側に対向するように形成されたドレ イン電極であって、開口部314aを有するドレ� �ン電極314(第2の電極)と、ドレイン電極314の� �口部314aを取り囲むように絶縁層313上に形成� ��れた平坦化層315とを備えている。上述した� ��素電極316は、この平坦化層315上に形成され� ��いる。

 ドレイン電極314には、共通電極312とドレ� ��ン電極314との間に生じた電界を湧き出させ� ��ための開口部314aが設けられている。また、 平坦化層315にも、ドレイン電極314の開口部314 aを液晶層330に対して露出させるための開口� �31530aが設けられており、画素電極316は、平� �化層315の開口部315aの傾斜した側壁に沿って� ��レイン電極314に達するように構成されてい� ��。このため、共通電極312とドレイン電極314� ��の間に生じた電界は、開口部314aから液晶層 330に湧き出す。これにより、平坦化層315の開 口部315a内にベンド配向に転移した液晶分子� �らなる転移核が形成される。

 図10は、液晶表示装置300のTFT基板310の上� �図であり、TFT基板310の要部構成を模式的に� �している。なお、図9に示した断面図は、図1 0に示した平面図のA-A´断面に対応している。

 TFT基板310は、上述したガラス基板311(不図 示)、共通電極312、絶縁層313(不図示)、平坦化 層315(不図示)、および、画素電極316の他に、� ��10に示したように、ゲートバスライン317、� �ータバスライン318、および、TFT(薄膜トラン� ��スタ)319(不図示)を備えている。

 ゲートバスライン317とデータバスライン3 18とは、ガラス基板上311上に互いに直交する� ��うに形成されている。TFT319は、ゲートバス� ��イン317とデータバスライン318との交点ごと� ��設けられ、ゲート電極がゲートバスライン3 17と、また、ソース電極がデータバスライン3 18と接続されている。

 共通電極312は、ゲートバスライン117と同� ��層に(図9参照)、ゲートバスライン317と平行� ��、かつ、画素電極316の中心部を横断するよ� ��に形成されている。なお、ゲートバスライ� ��317、データバスライン318、および、共通電� ��312は、各々駆動回路に接続されており、任� ��の電位を外部から独立して与えることがで� ��る。

 ドレイン電極314は、ゲートバスライン317� ��データバスライン318とにより区画された画� ��領域の隅に設けられたTFT319から当該画素領� ��の中心部にまで延伸されており、矩形状の� ��端部314bが、共通電極312と対向するよう構成 されている。また、TFT319と先端部314bとを繋� �ドレイン電極314の延伸部314cは、細線状に形� ��されている。

 図9および図10に示した液晶表示装置300に� ��いて注目すべきは、ドレイン電極314の先端� ��314bが、平坦化層315の開口部315aを覆い隠す� �うに拡幅されている点である。このため、TF T基板310の下から照射されるバックライトを� �源とする光が平坦化層315の開口部315aに入射� ��ることがなく、黒表示時において、液晶層� ��通常領域部とは異なるリタデーションを有� ��光学補償フィルムによりリタデーションを� ��ち消せないことにより開口部315aより光漏れ が生じることを防止することが出来る。すな わち、黒輝度が上がってコントラストが低下 するという問題は生じない。

 なお、図9に示したように、平坦化層315の 開口部315aがすり鉢状に形成され、その断面� �液晶層330側に近づくに従って徐々に大きく� �っているような場合、ドレイン電極314の先� �部314bは、開口部315aの最大断面、すなわち、 開口部315aの液晶層330に最も近い断面よりも� �きく形成されていることが好ましい。これ� �より、平坦化層315の開口部315aに入射するバ� ��クライトを完全に遮り、光漏れをより確実� ��防止することができる。

 (変形例1)
 なお、液晶表示装置300において、ドレイン� ��極314の開口部314aは、画素電極316により被覆 されていない領域内に設けられているが(図10 参照)、液晶表示装置300は、これに限定され� �ものではない。すなわち、ドレイン電極314� �開口部314aは、画素電極316により被覆された� ��域にまで拡張されていてもよい。この場合� ��画素電極316の開口部316aも、これに応じて拡 張されていることが好ましい。

 図11は、ドレイン電極314の開口部314aが画� ��電極316により被覆された領域にまで拡張さ� ��た、液晶表示装置300のTFT基板310の平面図で� ��る。また、図12は、図11に示した液晶表示装 置300のB-B´断面を示す断面図である。

 図11に示したように、ドレイン電極314の� �端部314bには、開口部314aと連続したスリット 314dが設けられており、画素電極316には、開� �部316aと連続したスリット316bが設けられてい る。ドレイン電極314のスリット314dと画素電� �316のスリット316bとは、図11~12に示したよう� �、略同一のスリット幅を有し、互いに重な� �合うように形成されている。このため、ド� �イン電極314のスリット314dから湧き出した電� ��は、画素電極316のスリット316b介して液晶層 330に到達する。これにより、開口部314aから� �き出した電界に加え、画素電極316のスリッ� �316bから湧き出した電界によっても転移核を� ��成することができる。このため、より大き� ��転移核を形成し、スプレイ-ベンド転移をよ り確実にすることができる。

 (変形例2)
 液晶表示装置300において、平坦化層315の開� ��部315aを、ドレイン電極314により遮光するよ うにしているが(図9参照)、液晶表示装置300は これに限定されるものではない。

 すなわち、共通電極312を平坦化層315の開� ��部315aを覆い隠すように拡幅し、平坦化層315 の開口部315aに入射するバックライトを共通� �極312によって遮るようにしてもよい。

 図13は、共通電極312が平坦化層315の開口� �315aを覆い隠すように拡幅された、液晶表示� ��置300のTFT基板310の平面図である。また、図1 4は、図13に示した液晶表示装置300のA-A´断面� ��示す断面図である。

 図13に示したように、共通電極312の中間� �分312aが、平坦化層315の開口部315aの最大断面 よりも大きく拡幅されており、共通電極312の 中間部分312aによって、平坦化層315の開口部31 5aに入射するバックライトを遮っている。な� ��、開口率をできるたけ高くするために、共� ��電極312は、中間部分312aのみを太くするよう に形成されているが、共通電極312全体を太く しても所期の目的を達成することができる。

 (変形例3)
 平坦化層315の開口部315aに入射するバックラ イトを遮るために、ドレイン電極314の先端部 314bを拡幅する構成(図9~10参照)と、共通電極31 2の中間部分312aを拡幅する構成(図12~13参照)と について説明したが、液晶表示装置300はこれ に限定されるものではない。すなわち、ドレ イン電極314の先端部314bと、共通電極312の中� �部分312aとの両方を、平坦化層315の開口部315a を覆い隠すように拡幅してもよい。

 図15は、ドレイン電極314の先端部314bと共� ��電極312の中間部分312aとの両方が平坦化層315 の開口部315aを覆い隠すように拡幅された、� �晶表示装置300のTFT基板310の平面図である。� �た、図16は、図15に示した液晶表示装置300のA -A´断面を示す断面図である。

 画素の静電容量が小さい場合は、液晶の� ��抗が低いときなどに電圧を保持することが� ��きず、所定の表示ができなかったり、部分� ��に輝度が異なったりといった表示品位の低� ��が発生することがある。しかしながら、図1 5~16に示した液晶表示装置300においては、互� �に対向するドレイン電極314の先端部314bと共� ��電極312の中間部分312aとの面積が大きく形成 されているため、両電極間の生じる補助容量 が大きくなり、上記のような表示品質の低下 を防止することができる。

 (付記事項)
 本発明は上述した各実施形態に限定される� ��のではなく、請求項に示した範囲で種々の� ��更が可能であり、異なる実施形態にそれぞ� ��開示された技術的手段を適宜組み合わせて� ��られる実施形態についても本発明の技術的� ��囲に含まれる。

 例えば、本発明に係る液晶表示装置は、� ��互に対向して配置された第1及び第2の基板� �、前記第1及び第2の基板間には、電圧非印加 時にスプレイ配向しており、表示時にはベン ド配向させる必要がある液晶が封入されてお り、前記第1の基板に形成されたゲートバス� �インと、前記ゲートバスラインと概垂直方� �に配置されるデータバスラインと、前記ゲ� �トバスライン及び前記データバスラインに� �続されたTFTと、前記ゲートバスライン及び� �記データバスラインにより区画される画素� �域内に形成された透明画素電極と、前記ゲ� �トバスラインに概平行に配置される共通電� �と、を有する液晶表示装置において、前記TF Tのドレイン電極が前記中間電極上に延長さ� �、その重なった部分において当該ドレイン� �極がスリットを有する、ように構成されて� �てもよい。

 本発明に係る液晶表示装置において、前� ��画素電極とドレイン電極は、前記中間電極� ��ドレイン電極が重なった部分で接続されて� ��る、ように構成されていてもよい。

 本発明に係る液晶表示装置において、前� ��画素電極の前記中間電極と重なった部分に� ��前記ドレイン電極のスリットと連続するス� ��ットを有する、ように構成されていてもよ� ��。

 本発明に係る液晶表示装置において、前� ��画素電極とデータバスラインとが重なるよ� ��に構成されていてもよい。

 また、例えば、本発明に係る液晶表示装� ��は、相互に対向して配置された第1及び第2� �基板と、前記第1及び第2の基板間には、電圧 非印加時にスプレイ配向しており、表示時に はベンド配向させる必要がある液晶が封入さ れており、前記第1の基板に形成されたゲー� �バスラインと、前記ゲートバスラインと概� �直方向に配置されるデータバスラインと、� �記ゲートバスライン及び前記データバスラ� �ンに接続されたTFTと、前記ゲートバスライ� �及び前記データバスラインにより区画され� �画素領域内に形成された透明画素電極と、� �記ゲートバスラインに概平行に配置される� �通電極と、前記データバスラインと画素電� �の間に配置される平坦化層とを有する液晶� �示装置において、前記TFTのドレイン電極が� �記中間電極上に延長され、前記平坦化層に� �けられた穴の占める領域は延伸されたドレ� �ン電極の占める領域内である、ように構成� �れていてもよい。

 本発明に係る液晶表示装置において、前� ��TFTのドレイン電極が前記中間電極上に延長� ��れ、その重なった部分において当該ドレイ� ��電極がスリットを有し、前記画素電極は前� ��ドレイン電極のスリットと連続するスリッ� ��を有する、ように構成されていてもよい。

 また、例えば、本発明に係る液晶表示装� ��は、相互に対向して配置された第1及び第2� �基板と、前記第1及び第2の基板間には、電圧 非印加時にスプレイ配向しており、表示時に はベンド配向させる必要がある液晶が封入さ れており、前記第1の基板に形成されたゲー� �バスラインと、前記ゲートバスラインと概� �直方向に配置されるデータバスラインと、� �記ゲートバスライン及び前記データバスラ� �ンに接続されたTFTと、前記ゲートバスライ� �及び前記データバスラインにより区画され� �画素領域内に形成された透明画素電極と、� �記ゲートバスラインに概平行に配置される� �通電極と、前記データバスラインと画素電� �の間に配置される平坦化層とを有する液晶� �示装置において、前記平坦化層に設けられ� �穴の占める領域は延伸された共通電極の占� �る領域内であるように構成されていてもよ� �。

 本発明に係る液晶表示装置において、前� ��平坦化層に設けられた穴周辺の共通電極及� ��前記ドレイン電極の外郭が概一致するよう� ��構成されていてもよい。

 本発明によれば、以上のように、液晶層� ��電界を湧き出させるための開口部が金属に� ��り形成された第2の電極に設けられる。した がって、液晶層に電界を湧き出させるための 開口部を容易に微細化することができる。そ の結果、上記液晶層に湧き出す電界の強度が 従来より強く、スプレイ-ベンド転移が従来� �り確実に制御可能な液晶表示装置を容易に� �現することができる。また、バックライト� �ら遮光する必要がある核形成領域が小さく� �高開口率化が可能な液晶表示装置を容易に� �現することができる。

 発明の詳細な説明の項においてなされた� ��体的な実施形態または実施例は、あくまで� ��、本発明の技術内容を明らかにするもので� ��って、そのような具体例にのみ限定して狭� ��に解釈されるべきものではなく、本発明の� ��神と次に記載する請求の範囲内で、いろい� ��と変更して実施することができるものであ� ��。