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Title:
LIQUID CRYSTAL MEDIUM
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2000/037586
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a liquid crystal medium based on a mixture of polar compounds having positive dielectric anisotropy and characterized in that it contains one or more compounds of general formula (I), wherein R, (II), Y, Z and n have the meaning cited in Claim 1.

Inventors:
HECKMEIER MICHAEL (DE)
SCHULER BRIGITTE (DE)
TARUMI KAZUAKI (DE)
KIRSCH PEER (DE)
REIFFENRATH VOLKER (DE)
Application Number:
PCT/EP1999/009919
Publication Date:
June 29, 2000
Filing Date:
December 14, 1999
Export Citation:
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Assignee:
MERCK PATENT GMBH (DE)
HECKMEIER MICHAEL (DE)
SCHULER BRIGITTE (DE)
TARUMI KAZUAKI (DE)
KIRSCH PEER (DE)
REIFFENRATH VOLKER (DE)
International Classes:
G02F1/13; C09K19/12; C09K19/30; C09K19/34; C09K19/42; (IPC1-7): C09K19/30; C09K19/34; C09K19/42
Domestic Patent References:
WO1991019772A11991-12-26
WO1992006148A11992-04-16
WO1992002597A11992-02-20
WO1990012073A11990-10-18
Foreign References:
DE4123389A11993-01-21
DE19707154A11997-09-11
DE4023107A11992-01-23
DE4308028A11994-09-15
Attorney, Agent or Firm:
MERCK PATENT GMBH (Frankfurter Strasse 250 Darmstadt, DE)
MERCK PATENT GMBH (Frankfurter Strasse 250 Darmstadt, DE)
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Claims:
Patentansprüche
1. Flüssigkristallines Medium auf der Basis eines Gemisches von pola ren Verbindungen mit positiver dielektrischer Anisotropie, dadurch gekennzeichnet, daß es eine oder mehrere Verbindungen der allgemeinen Formel I enthält, worin R H, einen unsubstituierten, einen einfach durch CN oder CF3 oder einen mindestens einfach durch Halogen substituierten Alkyloder Alkenylrest mit 1 bis 15 CAtomen, wobei in diesen Resten auch eine oder mehrere CH2Gruppen jeweils unabhängig voneinander durchO,S, OCO CO,COO, oderOCOOso ersetzt sein können, daß OAtome nicht direkt miteinander verknüpft sind, trans1,4Cyclohexylenring, worin auch ein oder zwei CH2 Gruppen durchOund/oderSersetzt sein können, oder einen Cyclohexenylenring, Y halogeniertes Alkyl, halogeniertes Alkenyl, halogeniertes Alkoxy oder halogeniertes Alkenyloxy mit bis zu 6 CAtomen, <BR> <BR> ZCH20,OCH2,CH2CH2,CH=CH,CF2O,OCF2, C2F4oder eine Einfachbindung, und n 1 oder 2 bedeuten.
2. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätz lich eine oder mehrere Verbindungen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den allgemeinen Formeln II bis VIII enthält : worin die einzelnen Reste die folgenden Bedeutungen haben : Ro : nAlkyl, Oxaalkyl, Fluoralkyl oder Alkenyl mit jeweils bis zu 7 CAtomen, Xo : F, Cl, halogeniertes Alkyl, Alkenyl oder Alkoxy mit 1 bis 6 CAtomen, Z :C4H8,CF2O,OCF2,C2F4,CH2O,OCH2 oderCOO, y1, Y2, Y und Y4 jeweils unabhängig voneinander H oder F, r : 0 oder 1.
3. Medium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil an Verbindungen der Formeln I bis VIII zusammen im Gesamt gemisch mindestens 50 Gew.% beträgt.
4. Medium nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil an Verbindungen der Formel I im Gesamtgemisch 5 bis 50 Gew.% beträgt.
5. Medium nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil an Verbindungen der Formeln II bis VIII im Gesamtgemisch 20 bis 80 Gew.% beträgt.
6. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich ein oder mehrere Verbindungen der Formel enthält, worin R°, X° und y2 die in Anspruch 2 angegebene Bedeutung haben.
7. Medium nach Anspruch 2 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß X° F oder OCF3 und y2 H oder F bedeuten.
8. Medium nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung der Formel I Y OCF3 oder CF3 bedeutet.
9. Medium nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Formel I ausgewählt ist aus der Gruppe der Verbindungen la bis In: worin R die in Anspruch 1 angegebene Bedeutung hat.
10. Verwendung des flüssigkristallinen Mediums nach Anspruch 1 für elektrooptische Zwecke.
11. Elektrooptische Flüssigkristallanzeige enthaltend ein flüssigkristal lines Medium nach Anspruch 1.
Description:
Flüssigkristallines Medium Die vorliegende Erfindung betrifft ein flussigkristallines Medium, sowie dessen Verwendung für elektrooptische Zwecke und dieses Medium enthaltende Anzeigen.

Flüssige Kristalle werden vor allem als Dielektrika in Anzeigevorrichtungen verwendet, da die optischen Eigenschaften solcher Substanzen durch eine angelegte Spannung beeinflußt werden können. Elektrooptische Vorrich- tungen auf der Basis von Flüssigkristallen sind dem Fachmann bestens bekannt und können auf verschiedenen Effekten beruhen. Derartige Vor- richtungen sind beispielsweise Zellen mit dynamischer Streuung, DAP- Zellen (Deformation aufgerichteter Phasen), Gast/Wirt-Zellen, TN-Zellen mit verdrillt nematischer ("twisted nematic") Struktur, STN-Zellen ("super- twisted nematic"), SBE-Zelien ("superbirefringence effect") und OMI-Zellen ("optical mode interference"). Die gebräuchlichsten Anzeigevorrichtungen beruhen auf dem Schadt-Helfrich-Effekt und besitzen eine verdrillt nema- tische Struktur.

Die Flüssigkristallmaterialien müssen eine gute chemische und thermische Stabilität und eine gute Stabilität gegenüber elektrischen Feldern und elektromagnetischer Strahlung besitzen. Ferner sollten die Flüssigkristall- materiaiien niedere Viskosität aufweisen und in den Zellen kurze An- sprechzeiten, tiefe Schwellenspannungen und einen hohen Kontrast er- geben.

Weiterhin sollten sie bei üblichen Betriebstemperaturen, d. h. in einem möglichst breiten Bereich unterhalb und oberhalb Raumtemperatur eine geeignete Mesophase besitzen, beispielsweise für die oben genannten Zellen eine nematische oder cholesterische Mesophase. Da Flüssig- kristalle in der Regel als Mischungen mehrerer Komponenten zur Anwen- dung gelangen, ist es wichtig, daß die Komponenten untereinander gut mischbar sind. Weitere Eigenschaften, wie die elektrische Leitfähigkeit, die dielektrische Anisotropie und die optische Anisotropie, müssen je nach

Zellentyp und Anwendungsgebiet unterschiedlichen Anforderungen genü- gen. Beispielsweise sollten Materialien für Zellen mit verdrillt nematischer Struktur eine positive dielektrische Anisotropie und eine geringe elek- trische Leitfähigkeit aufweisen.

Beispielsweise sind für Matrix-Flüssigkristallanzeigen mit integrierten nicht- linearen Elementen zur Schaltung einzelner Bildpunkte (MFK-Anzeigen) Medien mit großer positiver dielektrischer Anisotropie, breiten nematischen Phasen, relativ niedriger Doppelbrechung, sehr hohem spezifischen Widerstand, guter UV-und Temperaturstabilität und geringem Dampfdruck erwünscht.

Derartige Matrix-Flüssigkristallanzeigen sind bekannt. Als nichtlineare Elemente zur individuellen Schaltung der einzelnen Bildpunkte können beispielsweise aktive Elemente (d. h. Transistoren) verwendet werden.

Man spricht dann von einer"aktiven Matrix", wobei man zwei Typen unterscheiden kann : 1. MOS (Metal Oxide Semiconductor) oder andere Dioden auf Silizium- Wafer als Substrat.

2. Dünnfilm-Transistoren (TFT) auf einer Glasplatte als Substrat.

Die Verwendung von einkristallinem Silizium als Substratmaterial be- schränkt die Displaygröße, da auch die modulartige Zusammensetzung verschiedener Teildisplays an den Stößen zu Problemen führt.

Bei dem aussichtsreicheren Typ 2, welcher bevorzugt ist, wird als elektro- optischer Effekt üblicherweise der TN-Effekt verwendet. Man unterscheidet zwei Technologien : TFT's aus Verbindungshalbleitern wie z. B. CdSe oder TFT's auf der Basis von polykristallinem oder amorphem Silizium. An letzterer Technologie wird weltweit mit großer Intensität gearbeitet.

Die TFT-Matrix ist auf der Innenseite der einen Glasplatte der Anzeige aufgebracht, während die andere Glasplatte auf der Innenseite die trans- parente Gegenelektrode trägt. Im Vergleich zu der Größe der Bildpunkt- Elektrode ist der TFT sehr klein und stört das Biid praktisch nicht. Diese Technologie kann auch für voll farbtaugliche Bilddarstellungen erweitert werden, wobei ein Mosaik von roten, grünen und blauen Filtern derart angeordnet ist, daß je ein Filterelement einem schaltbaren Bildelement gegenüber liegt.

Die TFT-Anzeigen arbeiten üblicherweise als TN-Zellen mit gekreuzten Polarisatoren in Transmission und sind von hinten beleuchtet.

Der Begriff MFK-Anzeigen umfaßt hier jedes Matrix-Display mit integrierten nichtlinearen Elementen, d. h. neben der aktiven Matrix auch Anzeigen mit passiven Elementen wie Varistoren oder Dioden (MIM = Metall-Isolator- Metall).

Derartige MFK-Anzeigen eignen sich insbesondere für TV-Anwendungen (z. B. Taschenfernseher) oder für hochinformative Displays für Rechner- anwendungen (Laptop) und im Automobil-oder Flugzeugbau. Neben Problemen hinsichtlich der Winkelabhängigkeit des Kontrastes und der Schaltzeiten resultieren bei MFK-Anzeigen Schwierigkeiten bedingt durch nicht ausreichend hohen spezifischen Widerstand der Flüssigkristall- mischungen [TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc.

Eurodisplay 84, Sept. 1984 : A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings, p. 141 ff, Paris ; STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, Sept. 1984 : Design of Thin Film Transistors for Matrix Adressing of Tele- vision Liquid Crystal Displays, p. 145 ff, Paris]. Mit abnehmendem Wider- stand verschlechtert sich der Kontrast einer MFK-Anzeige und es kann das Problem der"after image elimination"auftreten. Da der spezifische Widerstand der Flüssigkristallmischung durch Wechselwirkung mit den inneren Oberflächen der Anzeige im aligemeinen über die Lebenszeit einer MFK-Anzeige abnimmt, ist ein hoher (Anfangs)-Widerstand sehr

wichtig, um akzeptable Standzeiten zu erhalten. Insbesondere bei low-volt- Mischungen war es bisher nicht möglich, sehr hohe spezifische Widerstände zu realisieren. Weiterhin ist es wichtig, daß der spezifische Widerstand eine möglichst geringe Zunahme bei steigender Temperatur sowie nach Temperatur-und/oder UV-Belastung zeigt. Besonders nach- teilig sind auch die Tieftemperatureigenschaften der Mischungen aus dem Stand der Technik. Gefordert wird, daß auch bei tiefen Temperaturen keine Kristallisation und/oder smektische Phasen auftreten und die Tem- peraturabhängigkeit der Viskosität möglichst gering ist. Die MFK-Anzeigen aus dem Stand der Technik genügen somit nicht den heutigen Anforde- rungen.

Neben Flüssigkristallanzeigen, die eine Hintergrundbeleuchtung verwen- den, also transmissiv und gegebenenfalls transflektiv betrieben werden, sind besonders auch reflektive Flüssigkristallanzeigen interessant. Diese reflektiven Flüssigkristallanzeigen benutzen das Umgebungslicht zur Informationsdarstellung. Somit verbrauchen sie wesentlich weniger Energie als hintergrundbeleuchtete Flüssigkristallanzeigen mit entspre- chender Größe und Auflösung. Da der TN-Effekt durch einen sehr guten Kontrast gekennzeichnet ist, sind derartige reflektive Anzeigen auch bei hellen Umgebungsverhältnissen noch gut abzulesen. Dies ist bereits von einfachen reflektiven TN-Anzeigen, wie sie in z. B. Armbanduhren und Taschenrechnern verwendet werden, bekannt. Jedoch ist das Prinzip auch auf hochwertige, höher auflösende Aktiv-Matrix angesteuerte Anzeigen wie z. B. TFT-Displays anwendbar. Hier ist wie bereits bei den allgemeinen üblichen transmissiven TFT-TN-Anzeigen die Verwendung von Flüssig- kristallen mit niedriger Doppelbrechung (An) nötig, um eine geringe optische Verzögerung (d-An) zu erreichen. Diese geringe optische Verzögerung führt zu einer meist akzeptablen geringen Blickwinkel- abhängigkeit des Kontrastes (vgl. DE 30 22 818). Bei reflektiven Anzeigen ist die Verwendung von Flüssigkristallen mit kleiner Doppelbrechung noch wichtiger als bei transmissiven Anzeigen, da bei reflektiven Anzeigen die effektive Schichtdicke, die das Licht durchquert, ungefähr doppelt so groß ist wie bei transmissiven Anzeigen mit derselben Schichtdicke.

Vorteile von reflektiven Anzeigen gegenüber transmissiven Anzeigen sind neben dem geringeren Leistungsverbrauch (keine Hintergrundbeleuchtung nötig) die Platzersparnis, die zu einer sehr geringene Bautiefe führt und die Verminderung von Problemen durch Temperaturgradienten durch unterschiedliche Aufheizung durch die Hintergrundbeleuchtung.

Es besteht somit immer noch ein großer Bedarf nach MFK-Anzeigen mit sehr hohem spezifischen Widerstand bei gleichzeitig großem Arbeits- temperaturbereich, kurzen Schaltzeiten auch bei tiefen Temperaturen und niedriger Schwellenspannung, die diese Nachteile nicht oder nur in geringerem Maße zeigen.

Bei TN- (Schadt-Helfrich)-Zellen sind Medien erwünscht, die folgende Vorteile in den Zellen ermöglichen : -erweiterter nematischer Phasenbereich (insbesondere zu tiefen Temperaturen) -Schaltbarkeit bei extrem tiefen Temperaturen (out-door-use, Automobil, Avionik) -erhöhte Beständigkeit gegenüber UV-Strahlung (längere Lebens- dauer) -niedrige Schwellen- (Ansteuer-) spannung -niedrige Doppelbrechung für verbesserten Beobachtungswinkel- bereich Mit den aus dem Stand der Technik zur Verfügung stehenden Medien ist es nicht mögtich, diese Vorteile unter gleichzeitigem Erhalt der übrigen Parameter zu realisieren.

Bei höher verdrillten Zellen (STN) sind Medien erwünscht, die eine höhere Multiplexierbarkeit und/oder kl. einere Schwellenspannungen und/oder brei- tere nematische Phasenbereiche (insbesondere bei tiefen Temperaturen)

ermöglichen. Hierzu ist eine weitere Ausdehnung des zur Verfügung stehenden Parameterraumes (Klärpunkt, Übergang smektisch-nematisch bzw. Schmelzpunkt, Viskosität, dielektrische Größen, elastische Größen) dringend erwünscht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde Medien für derartige MFK-, TN- oder STN-Anzeigen, insbesondere für reflektive MFK-Anzeigen, bereit- zustellen, die die oben angegebenen Nachteile nicht oder nur in geringerem Maße, und vorzugsweise gleichzeitig sehr hohe spezifische Widerstände, niedrige Schwellenspannungen sowie niedrige Doppel- brechungen aufweisen.

Es wurde nun gefunden, daß diese Aufgabe ge ! öst werden kann, wenn man in Anzeigen erfindungsgemäße Medien verwendet.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein flüssigkristallines Medium auf der Basis eines Gemisches von polaren Verbindungen mit positiver dielektri- scher Anisotropie, dadurch gekennzeichnet, daß es eine oder mehrere Verbindungen der aligemeinen Formel I enthätt, worin R H, einen unsubstituierten, einen einfach durch CN oder CF3 oder einen mindestens einfach durch Halogen substituierten Alkyl-oder Alkenylrest mit 1 bis 15 C-Atomen, wobei in diesen Resten auch eine oder mehrere CH2-Gruppen jeweils unabhängig voneinander durch-O-,-S-,

-CO-,-CO-O-,-O-CO-oder-O-CO-O-so ersetzt sein können, daß O-Atome nicht direkt miteinander verknüpft sind, trans-1,4-Cyclohexylenring, worin auch ein oder zwei CH2-Gruppen durch-O-und/oder-S-ersetzt sein können, oder einen<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> Cyclohexenylenring, Y halogeniertes Alkyl, halogeniertes Alkenyl, halogeniertes Alkoxy oder halogeniertes Alkenyloxy mit bis zu 6 C-Atomen, Z-CH20-,-OCH2-,-CH2CH2-,-CH=CH-,-CF20-,-OCF2-, -COO-,-C2F4-oder eine Einfachbindung, und n 1 oder 2 bedeuten.

Die Verbindungen der Formel I besitzen einen breiten Anwendungs- bereich. In Abhängigkeit von der Auswahl der Substituenten können diese Verbindungen als Basismaterialien dienen, aus denen flüssigkristalline Medien zum überwiegenden Teil zusammengesetzt sind ; es können aber auch Verbindungen der Formel I flüssigkristallinen Basismaterialien aus anderen Verbindungsklassen zugesetzt werden, um beispielsweise die dielektrische und/oder optische Anisotropie eines solchen Dielektrikums zu beeinflussen und/oder um dessen Schwellenspannung und/oder dessen Viskosität zu optimieren.

Die Verbindungen der Formel @ sind in reinem Zustand farblos und bilden flüssigkristalline Mesophasen in einem für die elektrooptische Verwendung günstig gelegenen Temperaturbereich. Chemisch, thermisch und gegen Licht sind sie stabil.

In den erfindungsgemäßen Medien enthaltend Verbindungen der Formel I ist Y vorzugsweise OCF3, OCHF2, CF3, CHFCF3, CF2CHF2, CF2CI,

OCF2CI, C2H4CHF2, CF2CHFCF3, CF2CH2CF3, CHF2, OCH2CF3, OCH2CHF2, OCF2CHF2, O (CH2) 3CF3, OCH2C2F5, OCH2CF2CHF2, OCH2C3F7, OCHFCF3, OC2F5, OCF2CHFCF3, OCH=CF2, OCF=CF2, OCF=CFCF3, OCF=CF-C2F5, CH=CHF, CH=CF2, CF=CF2, CF20CF3, insbesondere OCF3 und CF3.

Insbesondere bevorzugt sind Verbindungen der Formel I, worin Ring A ein trans-1,4-Cyclohexanring oder ein Dioxanring ist.

Falls R einen Alkylrest und/oder einen Alkoxyrest bedeutet, so kann dieser geradkettig oder verzweigt sein. Vorzugsweise ist er geradkettig, hat 2,3, 4,5,6 oder 7 C-Atome und bedeutet demnach bevorzugt Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl, Ethoxy, Propoxy, Butoxy, Pentoxy, Hexoxy oder Heptoxy, ferner Methyl, Octyl, Nonyl, Decyl, Undecyl, Dodecyl, Tridecyl, Tetradecyl, Pentadecyl, Methoxy, Octoxy, Nonoxy, Decoxy, Undecoxy, Dodecoxy, Tridecoxy oder Tetradecoxy.

Oxaalkyl bedeutet vorzugsweise geradkettiges 2-Oxapropyl (= Methoxy- methyl), 2- (= Ethoxymethyl) oder 3-Oxabutyl (= 2-Methoxyethyl), 2-, 3- oder 4-Oxapentyl, 2-, 3-, 4-oder 5-Oxahexyl, 2-, 3-, 4-, 5-oder 6-Oxa- heptyl, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-oder 7-Oxaoctyl, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7-oder 8-Oxa- nonyl, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7-, 8-oder 9-Oxadecyl.

Falls R einen Alkylrest bedeutet, in dem eine CH2-Gruppe durch-CH=CH- ersetzt ist, so kann dieser geradkettig oder verzweigt sein. Vorzugsweise ist er geradkettig und hat 2 bis 10 C-Atome. Er bedeutet demnach beson- ders Vinyl, Prop-1-, oder Prop-2-enyl, But-1-, 2-oder But-3-enyl, Pent-1-, 2-, 3-oder Pent-4-enyl, Hex-1-, 2-, 3-, 4-oder Hex-5-enyl, Hept-1-, 2-, 3-, 4-, 5-oder Hept-6-enyl, Oct-1-, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-oder Oct-7-enyl, Non-1-, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7-oder Non-8-enyl, Dec-1-, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7-, 8-oder Dec- 9-enyl.

Falls R einen Alkylrest bedeutet, in dem eine CH2-Gruppe durch-O-und eine durch-CO-ersetzt ist, so sind diese bevorzugt benachbart. Somit beinhalten diese eine Acyloxygruppe-CO-O-oder eine Oxycarbonylgruppe -O-CO-. Vorzugsweise sind diese geradkettig und haben 2 bis 6 C-Atome.

Sie bedeuten demnach besonders Acetyloxy, Propionyloxy, Butyryloxy, Pentanoyloxy, Hexanoyloxy, Acetyloxymethyl, Propionyloxymethyl, <BR> <BR> <BR> Butyryloxymethyl, Pentanoyloxymethyl, 2-Acetyloxyethyl, 2-Propionyloxy- ethyl, 2-Butyryloxyethyl, 3-Acetyloxypropyl, 3-Propionyloxypropyl, 4-Acetyloxybutyl, Methoxycarbonyl, Ethoxycarbonyl, Propoxycarbonyl, Butoxycarbonyl, Pentoxycarbonyl, Methoxycarbonylmethyl, Ethoxy- carbonylmethyl, Propoxycarbonylmethyl, Butoxycarbonylmethyl, <BR> <BR> <BR> 2- (Methoxycarbonyl) ethyl, 2- (Ethoxycarbonyl) ethyl, 2- (Propoxy-<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> carbonyl) ethyl, 3- (Methoxycarbonyl) propyl, 3- (Ethoxycarbonyl) propyl,<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> 4- (Methoxycarbonyl)-butyl.

Falls R einen Alkylrest bedeutet, in dem eine CH2-Gruppe durch unsub- stituiertes oder substituiertes-CH=CH-und eine benachbarte CH2-Gruppe durch CO oder CO-O oder O-CO ersetzt ist, so kann dieser geradkettig oder verzweigt sein. Vorzugsweise ist er geradkettig und hat 4 bis 13 C-Atome. Er bedeutet demnach besonders Acryloyloxymethyl, 2-Acryl- oyloxyethyl, 3-Acryloyloxypropyl, 4-Acryloyloxybutyl, 5-Acryloyloxypentyl, 6-Acryloyloxyhexyl, 7-Acryloyloxyheptyl, 8-Acryloyloxyoctyl, 9-Acryloyl- oxynonyl, 10-Acryloyloxydecyl, Methacryloyloxymethyl, 2-Methacryloyloxy- <BR> <BR> <BR> ethyl, 3-Methacryloyloxypropyl, 4-Methacryloyloxybutyl, 5-Methacryloyl-- oxypentyl, 6-Methacryloyloxyhexyl, 7-Methacryloyloxyheptyl, 8-Methacryl- oyloxyoctyl, 9-Methacryloyloxynonyl.

Falls R einen einfach durch CN oder CF3 substituierten Alkyl-oder Alkenylrest bedeutet, so ist dieser Rest vorzugsweise geradkettig. Die Substitution durch CN oder CF3 ist in beliebiger Position.

Falls R einen mindestens einfach durch Halogen substituierten Alkyl-oder Alkenylrest bedeutet, so ist dieser Rest vorzugsweise geradkettig und Halogen ist vorzugsweise F oder Cl. Bei Mehrfachsubstitution ist Halogen vorzugsweise F. Die resultierenden Reste schließen auch perfluorierte Reste ein. Bei Einfachsubstitution kann der Fluor-oder Chlorsubstituent in beliebiger Position sein, vorzugsweise jedoch in m-Position.

Verbindungen der Formel I, die über für Polymerisationsreaktionen geeig- nete Flügelgruppen R verfügen, eignen sich zur Darstellung flüssigkristal- liner Polymerer.

Verbindungen der Formel I mit verzweigten Fiügelgruppen R können ge- legentlich wegen einer besseren Löslichkeit in den üblichen flüssigkristal- linen Basismaterialien von Bedeutung sein, insbesondere aber als chirale Dotierstoffe, wenn sie optisch aktiv sind. Smektische Verbindungen dieser Art eignen sich als Komponenten für ferroelektrische Materialien.

Verbindungen der Formel I mit SA-Phasen eignen sich beispielsweise für thermisch adressierte Displays.

Verzweigte Gruppen dieser Art enthalten in der Regel nicht mehr als eine Kettenverzweigung. Bevorzugte verzweigte Reste R sind Isopropyl, 2-Butyl (= 1-Methylpropyl), Isobutyl (= 2-Methylpropyl), 2-Methylbutyl, Isopentyl <BR> <BR> <BR> (= 3-Methylbutyl), 2-Methylpentyl, 3-Methylpentyl, 2-Ethylhexyl,<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> 2-Propylpentyl, Isopropoxy, 2-Methylpropoxy, 2-Methylbutoxy, 3-Methyl- butoxy, 2-Methylpentoxy, 1-Methyl-2-Ethylhexoyx, hexoxy, 1-Methylheptoxy.

Falls R einen Alkylrest darstellt, in dem zwei oder mehr CH2-Gruppen durch-O-und/oder-CO-O-ersetzt sind, so kann dieser geradkettig oder verzweigt sein. Vorzugsweise ist er verzweigt und hat 3 bis 12 C-Atome. Er bedeutet demnach besonders Bis-carboxy-methyl, 2,2-Bis-carboxy-ethyl, 3,3-Bis-carboxy-propyl, 4,4-Bis-carboxy-butyl, 5,5-Bis-carboxy-pentyl, 6,6-Bis-carboxy-hexyl, 7,7-Bis-carboxy-heptyl, 8,8-Bis-carboxy-octyl, 9,9-Bis-carboxy-nonyl, 10,10-Bis-carboxy-decyl, Bis- (methoxycarbonyl)- methyl, 2,2-Bis- (methoxycarbonyl)-ethyl, 3,3-Bis- (methoxycarbonyl)-propyl, 4,4-Bis- (methoxycarbonyl)-butyl, 5,5-Bis- (methoxycarbonyl)-pentyl, 6,6-Bis- (methoxycarbonyl)-hexyl, 7,7-Bis- (methoxycarbonyl)-heptyl, 8,8-Bis- (methoxycarbonyl)-octyl, Bis- (ethoxycarbonyl)-methyl, 2,2-Bis- (ethoxycarbonyl)-ethyl, 3,3-Bis- (ethoxycarbonyl)-propyl, 4,4-Bis- (ethoxy- carbonyl)-butyl, 5,5-Bis- (ethoxycarbonyl)-hexyl.

Z bedeutet vorzugsweise eine Einfachbindung,-COO-oder eine-CH2CH2- Brücke.

Die Verbindungen der Formel I werden nach an sich bekannten Methoden dargestellt, wie sie in der Literatur (z. B. in den Standardwerken wie Houben-Weyl, Methoden der Organischen Chemie, Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart) beschrieben sind, und zwar unter Reaktionsbedingungen, die für die genannten Umsetzungen bekannt und geeignet sind. Dabei kann man auch von an sich bekannten, hier nicht näher erwähnten Varianten Ge- brauch machen. Weiterhin können die Verbindungen der Formel I, wie in den Patentanmeldungen DE 40 23 107 A1 und EP 0 418 362 A1 beschrieben, hergestellt werden.

Gegenstand der Erfindung sind auch elektrooptische Anzeigen (insbeson- dere STN-oder MFK-Anzeigen mit zwei planparallelen Trägerplatten, die mit einer Umrandung eine Zelle bilden, integrierten nicht-linearen Elemen- ten zur Schaltung einzelner Bildpunkte auf den Trägerplatten und einer in der Zelle befindlichen nematischen Flüssigkristallmischung mit positiver dielektrischer Anisotropie und hohem spezifischem Widerstand), die der- artige Medien enthalten sowie die Verwendung dieser Medien für elektro- optische Zwecke.

Die erfindungsgemäßen Flüssigkristallmischungen ermöglichen eine be- deutende Erweiterung des zur Verfügung stehenden Parameterraumes.

Die erzielbaren Kombinationen aus Klärpunkt, Viskosität bei tiefer Tempe- ratur, thermischer und UV-Stabilität und optischer Anisotropie und Schwellenspannung übertreffen bei weitem bisherige Materialien aus dem Stand der Technik.

Die Forderung nach hohem Klärpunkt, nematischer Phase bei tiefer Temperatur sowie einer niedrigen Doppelbrechung (An) und gleichzeitig einer niedrigen Schwellenspannung konnte bislang nur inzureichend erfüllt werden. Flüssigkristallmischungen, wie z. B. MLC-6476 und MLC-6625 (Merck KGaA, Darmstadt, BRD) weisen zwar vergleichbare Klarpunkte

und Tieftemperaturstabilitäten auf, sie haben jedoch sowohl viel höhere An-Werte von ca. 0,075 als auch viel höhere Schwellenspannungen von ca. > 1, 7 V.

Die erfindungsgemäßen Flüssigkristallmischungen ermöglichen es unter Beibehaltung der nematischen Phase bis-20 °C und bevorzugt bis-30 °C, besonders bevorzugt bis-40 °C, Klärpunkte oberhalb 80 °C, vorzugsweise oberhalb 90 °C, besonders bevorzugt oberhalb 100 °C, gleichzeitig Doppelbrechungen von < 0,08, vorzugsweise < 0,07, insbesondere < 0,065 und eine niedrige Schwellenspannung zu erreichen, wodurch hervorragende STN-und MFK-Anzeigen, insbesondere reflektive MFK- Anzeigen, erzielt werden können. Insbesondere sind die Mischungen durch kleine Operationsspannungen gekennzeichnet. Die TN-Schwellen liegen in der Regel bei 1,9 V, vorzugsweise unterhalb 1,7 V, besonders bevorzugt < 1,5 V. Insbesondere reflektive MFK-Mischungen zeichnen sich durch TN-Schwellen von < 1,5 V aus.

Es versteht sich, daß durch geeignete Wahl der Komponenten der erfin- dungsgemäßen Mischungen auch höhere Klärpunkte (z. B. oberhalb 110 °C) bei niedrigeren dielektrischen Anisotropiewerten und somit höheren Schwellenspannungen oder niedrigere Klärpunkte bei höheren dielektrischen Anisotropiewerten (z. B. > 12) und somit niedrigeren Schwellenspannungen (z. B. < 1,5 V) unter Erhalt der anderen vorteilhaften Eigenschaften realisiert werden können. Ebenso können bei entsprechend wenig erhöhten Viskositäten Mischungen mit größerem As und somit geringeren Schwellen erhalten werden. Die erfindungsgemäßen MFK- Anzeigen arbeiten vorzugsweise im ersten Transmissionsminimum nach Gooch und Tarry [C. H. Gooch und H. A. Tarry, Electron. Lett. 10,2-4, 1974 ; C. H. Gooch und H. A. Tarry, Appl. Phys., Vol. 8,1575-1584,1975], wobei hier neben besonders günstigen elektrooptischen Eigenschaften wie z. B. hohe Steilheit der Kennlinie und geringe Winkelabhängigkeit des Kontrastes (DE-PS 30 22 818) bei gleicher Schwellenspannung wie in einer analogen Anzeige im zweiten Minimum eine kleinere dielektrische Anisotropie ausreichend ist. Hierdurch lassen sich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Mischungen im ersten Minimum deutlich höhere

spezifische Widerstände verwirklichen als bei Mischungen mit Cyanver- bindungen. Der Fachmann kann durch geeignete Wahl der einzelnen Komponenten und deren Gewichtsanteilen mit einfachen Routinemetho- den die für eine vorgegebene Schichtdicke der MFK-Anzeige erforderliche Doppelbrechung einstellen. Die Anforderungen an reflektive MFK- Anzeigen wurden z. B. im Digest of Technical Papers, SID Symposium 1998 aufgezeigt.

Die Rotationsviskosität yi bei 20 °C ist vorzugsweise < 150 mPa. s, besonders bevorzugt < 120 mPa. s. Der nematische Phasenbereich ist vorzugsweise mindestens 90°, insbesondere mindestens 100°.

Vorzugsweise erstreckt sich dieser Bereich mindestens von-20° bis +80°.

Messungen des"Capacity Holding-Ratio"auch"Voltage Holding Ratio" (HR) [S. Matsumoto et al., Liquid Crystals 5,1320 (1989) ; K. Niwa et al., Proc. SID Conference, San Francisco, June 1984, p. 304 (1984) ; G. Weber et al., Liquid Crystals 5,1381 (1989)] haben ergeben, daß erfindungsgemäße Mischungen enthaltend Verbindungen der Formel I eine ausreichende HR für MFK-Anzeigen aufweisen.

Vorzugsweise erhalten die erfindungsgemäßen Medien mehrere (vorzugsweise zwei, drei oder mehr) Verbindungen der Formel I, d. h. der Anteil dieser Verbindungen ist 5-95 %, vorzugsweise 10-60 % und besonders bevorzugt im Bereich von 8-40 %.

Die einzelnen Verbindungen der Formeln I bis XV und deren Unterformeln, die in den erfindungsgemäßen Medien verwendet werden können, sind entweder bekannt, oder sie können analog zu den bekannten Verbindun- gen hergestellt werden.

Bevorzugte Ausführungsformen sind im folgenden angegeben :

- Mischung enthaltend ein oder mehrere Verbindungen der Formeln la bis In : worin R die in Anspruch 1 angegebene Bedeutung besitzt, vorzugsweise jedoch ein geradkettiger Alkylrest ist ; Das Medium enthält gleichzeitig ein oder mehrere Verbindungen der Formel lb und der Formel le ; Das Medium enthält gleichzeitig ein oder mehrere Verbindungen der Formel Ij und der Formel Ik ; Das Medium enthä ! t zusätzlich eine oder mehrere Verbindungen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den allgemeinen Formeln II bis Vlil :

worin die einzelnen Reste die folgenden Bedeutungen haben : <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> Ro : n-Alkyl, Oxaalkyl, Fluoralkyl oder Alkenyl mit jeweils bis zu 9 C-Atomen ; X0 Cl, halogeniertes Alkyl oder Alkoxy mit 1 bis 6 C-Atomen, oder halogeniertes Alkenyl mit 2 bis 6 C- Atomen ; Z°:-C4H8-,-CF20-,-OCF2-,-C2F4-,-CH20-,-OCH2-oder- <BR> <BR> <BR> COO- ;<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> Y1,Y2, Y3und Y4 : jeweils unabhängig voneinander H oder F ; r : 0 oder 1, Die Verbindung der Formel IV ist vorzugsweise Das Medium enthält zusätzlich eine oder mehrere Verbindungen ausgewähtt aus der Gruppe bestehend aus den aligemeinen Formeln IX bis XV :

worin Ro, Xo, Yn und y2 jeweils unabhängig voneinander eine der in Anspruch 2 angegebene Bedeutung haben. Vorzugsweise bedeutet X° F, Cl, CF3, OCF3, OCHF2. R° ist vorzugsweise Alkyl, Oxaalkyl, Fluoralkyl oder Alkenyl mit jeweils bis zu 6 C-Atomen.

-Das Medium enthält zusätzlich eine oder mehrere Verbindungen der Formel worin R° und X° die oben angegebenen Bedeutungen haben, -Das Medium enthält zusatzlich ein oder mehrere Ester-Verbindungen der Formeln E1 bis E4 : F R° H H COO---O F E1 F R° H H COO-H Alkyl* E2 Alkyl H COO-H Alkyl* E3 Alkyl H H COO-O(H Alkyl* E4 worin R° die oben angegebene Bedeutung hat.

-Medium enthält zusätzlich ein oder mehrere Verbindungen der Formeln Xa bis Xd : Alkyl HAIkyl* Xa Alkyl O-Alkyl* Xb Alkyl H H Alkenyl* Xc

Alkenyl H H Alkenyl* Xd -Der Anteil an Verbindungen der Formeln I bis Vlil zusammen beträgt im Gesamtgemisch mindestens 50 Gew.-% ; -Der Anteil an Verbindungen der Formel l beträgt im Gesamtgemisch 5 bis 50 Gew.-% ; -Der Anteil an Verbindungen der Formeln II bis Vlil im Gesamtge- misch beträgt 20 bis 80 Gew.-% Y'F F XX° istvorzugsweise {F, XF, F, y2 F F F wOCF3, {$OCF3, {+OCF3, XCF3, F F F F F ---CF3,-- (O-CF3,--OCHF2,OCHF2, F F F F XOCHF2, {CI, XCI oder {+CI F F -Das Medium enthält Verbindungen der Formein il, III, IV, V, VI, VII oder VIII ; Ro ist geradkettiges Alkyl oder Alkenyl mit 2 bis 7 C-Atomen ; -Das Medium besteht im wesentlichen aus Verbindungen der Formeln I bis VIII ; -Das Medium enthält ein Gemisch aus Verbindungen der Formel l, worin Y CF3 und/oder OCF3 bedeutet ;

-Das Medium enthält weitere Verbindungen, vorzugsweise ausgewähit aus der folgenden Gruppe bestehend aus den allgemeinen Formeln XVI bis XIX : worin Ro und Xo die oben angegebene Bedeutung haben und die 1,4-Phe- nylenringe durch CN, Chlor oder Fluor substituiert sein können. Vorzugs- weise sind die 1,4-Phenylenringe ein-oder mehrfach durch Fluoratome substituiert.

-Das Gewichtsverhäitnis l : (II + III + IV + V + VI + VII + VIII) ist vor- zugsweise 1 : 10 bis 10 : 1.

-Das Medium besteht im wesentlichen aus Verbindungen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den aligemeinen Formeln I bis XV.

-Der Anteil an Verbindungen der Formeln Xa bis Xd beträgt im Ge- samtgemisch 3-45 Gew.-%, vorzugsweise 5-40 Gew.-%, insbeson- dere 5-30 Gew.-%.

-Der Anteil der Verbindungen der Formel E1 beträgt im Gesamtge- misch 10-60 Gew.-%, vorzugsweise 10-45 Gew.-%, insbesondere 15-40 Gew.-%.

-Die Verbindung der Formel II ist vorzugsweise ausgewähtt aus den Unterformeln Ila bis lld -Der Anteil der Verbindungen der Formeln E2 und/oder E3 im Ge- samtgemisch beträgt 1-30 Gew.-%, vorzugsweise 3-20 Gew.-% und insbesondere 3-15 Gew.-%.

-Der Anteil der Verbindungen der Formel E4 ist vorzugsweise < 20 Gew.-%, insbesondere 10 Gew.-%.

Es wurde gefunden, daß bereits ein relativ geringer Anteil an Verbindun- gen der Formel I im Gemisch mit üblichen Flüssigkristallmaterialien, insbe- sondere jedoch mit einer oder mehreren Verbindungen der Formel II, III, IV, V, Vl, Vll und/oder VIII zu einer beträchtlichen Erniedrigung der Schwellenspannung und zu niedrigen Werten für die Doppelbrechung führt, wobei gleichzeitig breite nematische Phasen mit tiefen

Übergangstemperaturen smektisch-nematisch beobachtet werden, wodurch die Lagerstabilität verbessert wird. Bevorzugt sind insbesondere Mischungen, die neben ein oder mehrerer Verbindungen der Formel I ein oder mehrere Verbindungen der Formel IV enthalten, insbesondere Verbindungen der Formel IVa, worin X° F oder OCF3 bedeutet.

Die Verbindungen der Formeln I bis Vt ! t sind farblos, stabil und untereinander und mit anderen Flüssigkristallmaterialien gut mischbar.

Der Ausdruck"Alkyl"bzw."Alkyl*"umfaßt geradkettige und verzweigte Alkylgruppen mit 1-7 Kohlenstoffatomen, insbesondere die geradkettigen Gruppen Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl und Heptyl. Gruppen mit 2-5 Kohlenstoffatomen sind im allgemeinen bevorzugt.

Der Ausdruck"Alkenyl"bzw."Alkenyl*"umfaßt geradkettige und verzweigte Alkenylgruppen mit 2-7 Kohlenstoffatomen, insbesondere die geradket-tigen Gruppen. Besonders Alkenylgruppen sind C2-C7-1 E- Alkenyl, C4-C7-3E-Alkenyl, C5-C7-4-Alkenyl, C6-C7-5-Alkenyl und C7-6- Alkenyl, insbesondere C2-C7-1E-Alkenyl, C4-C7-3E-Alkenyl und C5-C7-4- Alkenyl. Beispiele bevorzugter Alkenylgruppen sind Vinyl, 1 E-Propenyl, 1 E-Butenyl, 1 E-Pentenyl, 1 E-Hexenyl, 1 E-Heptenyl, 3-Butenyl, 3E-Pentenyl, 3E-Hexenyl, 3E-Heptenyl, 4-Pentenyl, 4Z-Hexenyl, 4E-Hexenyl, 4Z-Heptenyl, 5-Hexenyl, 6-Heptenyl und dergieichen.

Gruppen mit bis zu 5 Kohlenstoffatomen sind im allgemeinen bevorzugt.

Der Ausdruck"Fluoralkyl"umfaßt vorzugsweise geradkettige Gruppen mit endständigen Fluor, d. h. Fluormethyl, 2-Fluorethyl, 3-Fluorpropyl, 4-Fluor- butyl, 5-Fluorpentyl, 6-Fluorhexyl und 7-Fluorheptyl. Andere Positionen des Fluors sind jedoch nicht ausgeschlossen.

Der Ausdruck"Oxaalkyl"umfaßt vorzugsweise geradkettige Reste der Formel CnH2n+1-O- (CH2) m, worin n und m jeweils unabhängig voneinander 1 bis 6 bedeuten. Vorzugsweise ist n = 1 und m 1 bis 6.

Durch geeignete Wahl der Bedeutungen von Ro und Xo können die An- sprechzeiten, die Schwellenspannung, die Steilheit der Transmissions- kennlinien etc. in gewünschter Weise modifiziert werden. Beispielsweise führen 1 E-Alkenylreste, 3E-Alkenylreste, 2E-Alkenyloxyreste und der- gleichen in der Regel zu kürzeren Ansprechzeiten, verbesserten nemati- schen Tendenzen und einem höheren Verhältnis der elastischen Konstanten k33 (bend) und k11 (splay) im Vergleich zu Alkyl-bzw.

Alkoxyresten. 4-Alkenylreste, 3-Alkenylreste und dergleichen ergeben im allgemeinen tiefere Schwellenspannungen und kleinere Werte von k33/k im Vergleich zu Alkyl-und Alkoxyresten.

Eine-CH2CH2-Gruppe führt im allgemeinen zu höheren Werten von k33/kn im Vergleich zu einer einfachen Kovalenzbindung. Höhere Werte von k33/kn ermöglichen z. B. flachere Transmissionskenniinien in TN-Zellen mit 90° Verdrillung (zur Erzielung von Grautönen) und steilere Transmissions- kennlinien in STN-, SBE-und OMI-Zellen (höhere Multiplexierbarkeit) und umgekehrt.

Das optimale Mengenverhältnis der Verbindungen der Formeln I und 11 + III + IV + V + VI + VI l + VIII hängt weitgehend von den gewünschten Eigenschaften, von der Wahl der Komponenten der Formeln I, II, lil, IV, V, VI, VI I und/oder VIII und von der Wahl weiterer gegebenenfalls vorhan- dener Komponenten ab. Geeignete Mengenverhältnisse innerhalb des oben an-gegebenen Bereichs können von Fall zu Fall leicht ermittelt werden.

Die Gesamtmenge an Verbindungen der Formeln I bis XV in den erfin- dungsgemäßen Gemischen ist nicht kritisch. Die Gemische können daher eine oder mehrere weitere Komponenten enthalten zwecks Optimierung verschiedener Eigenschaften. Der beobachtete Effekt auf die Ansprech- zeiten und die Schwellenspannung ist jedoch in der Regel umso größer je höher die Gesamtkonzentration an Verbindungen der Formeln I bis XV ist.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform enthalten die erfin- dungsgemäßen Medien Verbindungen der Formel II bis VIII (vorzugs-

weise II, 111 und/oder IV, insbesondere IVa), worin Xo F, OCF3, OCHF2, F, OCH=CF2, OCF=CF2 oder OCF2-CF2H bedeutet. Eine günstige synergi- stische Wirkung mit den Verbindungen der Formel I führt zu besonders vorteilhaften Eigenschaften. Insbesondere Mischungen enthaltend Ver- bindungen der Formel I und der Formel IVa zeichnen sich durch ihre niedrigen Schwellenspannungen aus.

Der Aufbau der erfindungsgemäßen STN-bzw. MFK-Anzeige aus Polari- satoren, Elektrodengrundplatten und Elektroden mit Oberflächenbehand- lung entspricht der für derartige Anzeigen üblichen Bauweise. Dabei ist der Begriff der üblichen Bauweise hier weit gefaßt und umfaßt auch alle Ab- wandlungen und Modifikationen der MFK-Anzeige, insbesondere auch Matrix-Anzeigeelemente auf Basis poly-Si TFT oder MIM und ganz besonders reflektive Anzeigen.

Ein wesentlicher Unterschied der erfindungsgemäßen Anzeigen zu den bisher üblichen auf der Basis der verdrillten nematischen Zelle besteht jedoch in der Wahl der Ftüssigkristattparameter der Flüssigkristallschicht.

Die Herstellung der erfindungsgemäß verwendbaren Flüssigkristall- mischungen erfolgt in an sich üblicher Weise. In der Regel wird die ge- wünschte Menge der in geringerer Menge verwendeten Komponenten in der den Hauptbestandteil ausmachenden Komponenten gelöst, zweck- mäßig bei erhöhter Temperatur. Es ist auch möglich, Lösungen der Kom- ponenten in einem organischen Lösungsmittel, z. B. in Aceton, Chloroform oder Methanol, zu mischen und das Lösungsmittel nach Durchmischung wieder zu entfernen, beispielsweise durch Destillation. Weiterhin ist es möglich die Mischungen auf andere herkömmliche Arten, z. B. durch Ver- wendungen von Vormischungen, z. B. Homologen-Mischungen oder unter Verwendung von sogenannten"Multi-Bottle"-Systemen herzustellen.

Die Dielektrika können auch weitere, dem Fachmann bekannte und in der Literatur beschriebene Zusätze enthalten. Beispielsweise können 0-15 %, vorzugsweise 0-10 %, pleochroitische Farbstoffe und/oder chirale Dotier- stoffe zugesetzt werden. Die einzelnen zugesetzten Verbindungen werden

in Konzentrationen von 0,01 bis 6 %, bevorzugt von 0,1 bis 3 % einge- setzt. Dabei werden jedoch die Konzentrationsangaben der übrigen Be- standteile der Flüssigkristallmischungen also der flüssigkristallinen oder mesogenen Verbindungen, ohne Berücksichtigung der Konzentration dieser Zusatzstoffe angegeben.

C bedeutet eine kristalline, S eine smektische, Sc eine smektisch C, N eine nematische und I die isotrope Phase.

In der vorliegenden Anmeldung und in den folgenden Beispielen sind die Strukturen der Ftüssigkristattverbindungen durch Acronyme angegeben, wobei die Transformation in chemische Formeln gemäß folgender Tabellen A und B erfolgt. Alle Reste CnH2n+1 und CmH2m+1 sind gerad- kettige Alkylreste mit n bzw. m C-Atomen. n und m bedeuten jeweils unabhängig voneinander eine ganze Zahl, insbesondere 0,1,2,3,4,5,6, 7,8,9 oder 10. Die Codierung gemäß Tabelle B versteht sich von selbst.

In Tabelle A ist nur das Acronym für den Grundkörper angegeben. Im Einzelfall folgt getrennt vom Acronym für den Grundkörper mit einem Strich ein Code für die Substituenten Ri, R2, L und L2 : <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> Code für Ri, Ri R2 Li L2 R2, U, L2 nm CnH2n+1 CmH2m+1 H H nOm HHOCmH2m+1 nO. m OCnH2n+1 CmH2m+1 H H n CnH2N+1 CN H H nN.F HFCN nF CnH2n+1 F H H nOF OCnH2n+1 F H H nCi cnH2n+1 CI H H nF. F CnH2n+1 F H F nF. F. F cnH2n+1 F F F nCF3 CnH2n+1 CF3 H H

Code für Ri, Ri R2 Li L2<BR> <BR> R2, L1, L2 nOCF3 CnH2n+1 OCF3 H H nOCF2 CnH2n+1 OCHF2 H H nS CnH2n+1 NCS H H rVsN CrH2r+i-CH=CH-CsH2s-CN H H V-T CH2=CH CF3 H H V2-T CH2-CH-C2H4 CF3 H H 1 V-OT CH3-CH=CH OCF3 H H rEsN CrH2r+1-O-CsH29- CN H H nAm HHCOOCmH2m+1 nOCCF2. F. F CnH2n+l OCH2 CF2H F F Bevorzugte Mischungskomponenten finden sich in den Tabellen A und B.

Tabelle A :

Tabelle B :

insbesondere bevorzugt sind flüssigkristalline Mischungen, die neben ein, zwei oder drei Verbindungen der Formel I, ein, zwei, drei, vier, fünf, sechs oder mehr Verbindungen aus Tabelle B enthalten.

Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung erläutern, ohne sie zu be- grenzen. Vor-und nachstehend bedeuten Prozentangaben Gewichtspro- zent. Alle Temperaturen sind in Grad Celsius angegeben. Fp. bedeutet Schmelzpunkt, Kp. = Klärpunkt. Ferner bedeuten K = kristalliner Zustand, N = nematische Phase, S = smektische Phase und I = isotrope Phase. Die Angaben zwischen diesen Symbolen stellen die Übergangstemperaturen dar. An bedeutet optische Anisotropie (589 nm, 20 °C) und die Fließ- Viskosität v20 (mm2/sec) und die Rotationsviskosität γ1 (mPa#s) wurden jeweils bei 20 °C bestimmt.

V10 bezeichnet die Spannung für 10 % Transmission (Blickrichtung senk- recht zur Plattenoberfläche). ton bezeichnet die Einschaltzeit und toff die Ausschaltzeit bei einer Betriebsspannung entsprechend dem zweifachen Wert von V10. An bezeichnet die optische Anisotropie und no den Bre- chungsindex. As bezeichnet die dielektrische Anisotropie (As = £1l-£1, wobei #II die Dielektrizitätskonstante parallel zu den Moleküllängsachsen und s die Dielektrizitätskonstante senkrecht dazu bedeutet). Die elektro- optischen Daten wurden in einer TN-Zelle im 1. Minimum (d. h. bei einem d von 0,5) bei 20 °C gemessen, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben wird. Die optischen Daten wurden bei 20 °C gemes- sen, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben wird.

Mischungsbeispiele Beispiel 1-Low An-TFT-Mischung CCH-3CF3 8,0 % S # N < -40°C CCH-5CF3 12,0 % Klärpunkt : 72°C CC-5-V 5,0 % An [589 nm, 20 °C] : +0,0578 CCH-303 5,0 % As [1kHz, 20 °C] : +6,5 CCH-501 12,0 % yi [mPa. s, 20 °C) : 129 CCP-2F. F. F 12,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,5

CCP-3F. F. F 6,0 % V10, 0, 20 [V]: 1, 62 CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 19, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 % CCPC-34 3, 0 % Beispiel 2-Low An-TFT-Mischung ECCH-5CF3 20, 0 % CC-5-V 5, 0 % Kiärpunkt : +74°C CCH-303 5,0 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0585 CCH-50112. 0% As [1kHz, 20°C] : +6,5 CCP-2F. F. F 12,0 % γ1 [mPa. s, 20 °C] : 141 CCP-3F. F. F 6,0 % d## [µm, 20 °C] : 0,5 CCZU-2-F 6, 0 % Verdrillung : 90 °C CCZU-3-F 1,0 % V10,0,20[V] : 1,69 CCZU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 % CCPC-34 3, 0 % Beispiel 3-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> CCH-3CF39. 0% S-N <-30°C CCH-5CF3 12, 0 % Klärpunkt : 78,5°C CC-5-V 5,0 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0646 CH-333. 0% As [1kHz, 20°C] : +8,8 CCP-2F. F. F 12,0 % γ1 [mPa. s, 20 °C] : 140 CCP-3F. F. F 12,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,5 CCP-5F. F. F 5, 0 % Verdrillung : 90° CCP-20CF3. F 6,0 % V10,0,20[V] : 1,43 CCZU-2-F 6, 0 %

CCZU-3-F 20, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CCPC-34 4, 0 % Beispiel 4-Low An-TFT-Mischung ECCH-5CF3 21, 0 % CC-5-V 5, 0 % Klärpunkt : +82,0°C CH-33 3, 0 % An [589 nm, 20 °C] : +0,0654 CCP-2F. F. F 12,0 % ## [1kHz, 20 °C] : +8,5 CCP-3F. F. F 12,0 % γ1 [mPa. s, 20°C] : 165 CCP-5F. F. F 5,0 % d##n [µm, 20 °C]: 0, 5 %V10,0,20[V]:1,49CCP-20CF3.F6,0 CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 20, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CCPC-34 4, 0 % Beispiel 5-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> CCH-3CF3 10, 0 % S o N <-30 °C CCH-5CF3 14,0 % Klärpunkt : +72,0 °C CCH-302 7,0 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0560 CCH-303 5, 0 % V10, 0, 20 [V] 1,87 CCH-501 12, 0 % CCP-2F. F. F 9, 0 % CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 19, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 %<BR> CH-43 2, 0 % CCPC-33 2, 0 % CCPC-34 2, 0 %

Beispiel 6-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> %S#N>-30°CCCH-3CF38,0 CCH-5CF3 12, 0 % Klärpunkt : +70,5°C %#n[589nm,20°C]:+0,0562OS-33,0 <BR> CCH-302 4, 0 % V10, 020 [V] 1,80 %CCH-3035,0 CCH-501 12, 0 % CCP-2F. F. F 12, 0 % CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 19, 0 % CCzU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 % CCPC-33 2, 0 % CCPC-34 2, 0 % Beispiel 7-Low An-TFT-Mischung %CCH-30CF310,0 CCH-50CF3 14, 0 % Klärpunkt : +75,5°C CCH-302 7, 0 % An [589 nm, 20 °C] : +0,0572 %d##n[µm,20°C]:0,5CCH-3037,0 <BR> CCH-501 10, 0 % Vio, o, 20 [V] : 1,74 CCP-2F. F. F 9, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 19, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 %<BR> CH-43 3, 0 %<BR> CCPC-33 3, 0 %

Beispiel 8-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> DC-V2-T 15, 0 % S o N <-30 °C CCH-302 15, 0 % Klärpunkt : +69,0°C %#n[589nm,20°C]:+0,0568CH-344,0 <BR> %d##n[µm,20°C]:0,49CCH-50110,0 CCP-2F. F. F 12,0 % V10,0,20[V] : 1,53 CCZU-2-F 6, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-3-F 20, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 %<BR> CH-43 3, 0 %<BR> CCPC-33 3, 0 % Beispiel 9-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-30114,0 CCH-501 11, 0 % Klärpunkt : +80,0°C CCP-2F. F. F 10,0 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0607 CCP-3F. F. F 13,0 % d##n [µm,20 °C]: 0, 55 CCP-5F. F. F 5, 0 % V10, 0. 20 [V] 1,53<BR> CCZU-2-F 5, 0 % Verdrillung : 90°<BR> CCZU-3-F 17, 0 % CCZU-5-F 5, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 3, 0 %<BR> CH-43 3, 0 %<BR> CCPC-33 3, 0 % CCH-3CF3 8, 0 %

Beispiel 10-Reflektive TN-Mischung <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-30111,5 CCP-2F. F. F 10, 0 % Klärpunkt : +80,0°C CCP-3F. F. F 13,0 % #n [589 nm, 20 °C]: +0, 0654 CCP-5F. F. F 5,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,55 CCZU-2-F 5, 0 % V10, 0, 20 M : 1,38 CCZU-3-F 16, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-5-F 4, 0 % CCP-20CF2. F. F 5, 0 % CCP-30CF2. F. F 6, 0 % CCP-50CF2. F. F 6, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 2, 0 %<BR> CH-43 2, 5 % CCH-3CF3 7, 0 % CCH-5CF3 4, 0 % Beispiel 11-Reflektive TN-Mischung <BR> <BR> CCH-301 11, 0 % S o N <-30 °C CCP-2F. F. F 10, 0 % Klärpunkt : +76,0°C CCP-3F. F. F 13, 0 % on [589 nm, 20 °C] : +0,0649 CCP-5F. F. F 5, 0 % d An [lum, 20 °C] : 0,55 %V10,0,20[V]:1,39CCZU-2-F4,0 CCZU-3-F 15, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-5-F 4, 0 % CCP-20CF2. F. F 6, 0 % CCP-30CF2. F. F 6, 0 % CCP-50CF2. F. F 7, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-43 3, 0 % CCH-3CF3 8, 0 % CCH-5CF3 5, 0 %

Beispiel 12-Reflektive TN-Mischung<BR> <BR> CCH-301 6, 0 % S o N <-30 °C CCP-2F. F. F 10, 0 % Klärpunkt : +80,0 CCP-3F. F. F 13,0 % #n [589 nm, 20 °C]: +0, 0652 CCP-5F. F. F 5,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,55 CCZU-2-F 5, 0 % V10, 0, 20 [V] 1,43 CCZU-3-F 16, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-5-F 4, 0 % CCP-30CF3.F 6, 0 % CCP-50CF3.F 6, 0 % CCP-50CF2. F. F 5, 0 % CH-33 3, 0 %<BR> CH-35 2, 0 %<BR> CH-43 2, 0 % %CCH-3CF310,0 CCH-5CF3 7, 0 % Beispiel 13-Low An-TFT-Mischung <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-50112,0 CH-33 3, 0 % Klärpunkt : +81,5°C CH-35 3, 0 % An [589 nm, 20 °C] : +0,0604 %##[1kHz,20°C]:+8,4CH-433,0 CH-45 3, 0 % y1 [mPa. s, 20 °C]: 160 CCP-2F. F. F 9, 0 % d-An [pm, 20 OC] : 0,5 CCZU-2-F 6, 0 % V10. 0. 20 [V] 1,42 CCZU-3-F 15, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-5-F 6, 0 % CDU-2-F 9, 0 % CDU-3-F 9, 0 % CDU-5-F 3, 0 % CCH-3CF3 7, 0 % %CCH-5CF38,0 CCPC-34 4, 0 %

Beispiel 14-Low An-TFT-Mischung<BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3014,0 CCH-5019, 0% Kiärpunkt : +80,5°C CH-33 3, 0 % on [589 nm, 20 °C] : +0,0640 %##[1kHz,20°C]:+7,6CH-353,0 <BR> %γ1[mPa.s,20°C]:161CH-432,0 CCP-2F. F. F 9,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,5 CCP-3F. F. F 6, 0 % V10, 0, 20 [V] : 1,28 CCZU-2-F 6, 0 % Verdrillung : 90° CCZU-3-F 15, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CDU-2-F 10, 0 % CDU-3-F 9, 0 % CDU-5-F 7, 0 % CCH-3CF3 7, 0 % CCPC-34 4, 0 % -ReflektiveTN-MischungBeispiel15 <BR> <BR> CCH-301 12, 0 % S o N <-20 °C CH-33 3, 0 % Klärpunkt : +93,0°C CH-35 3,0 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0653 CCP-40CF3 8,0 % d##n [µm, 20 °C] : 0,5 CCP-2F. F. F 12,0 % V10,0,20[V]: 1, 55 CCP-3F. F. F 12, 0 % Verdrillung : 90° CCP-5F. F. F 6, 0 % CCZU-2-F 6, 0 % CCZU-3-F 13, 0 % CCZU-5-F 6, 0 % CZC-3-T 6, 0 % CCZC-3-T 10, 0 % CCPC-34 3, 0 %

Beispiel 16 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-3CF39,00 %Klärpunkt:+80,0°CCCh-5CF312,00 CC-5-V 7,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0648 CH-33 3,00 % d##n [20 °C, pm] : 0,50 CCP-2F. F. F 12, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 11,00 % V10,0,20[V] : 1,49 CCP-5F. F. F 6, 00 % CCP-20CF3. F 7, 00 % <BR> <BR> <BR> CCZU-2-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-3-F 16, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CCPC-34 5, 00 % Beispiel 17 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-5017,00 CH-33 3, 00 % Klärpunkt : +86, 0 °C CH-35 3,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0645 CH-43 3,00 % ## [1kHz, 20 °C] : +10,2 %d##n[20°C,µm]:0,50CCP-2F.F.F7,00 %Verdrillung[°]:90CCP-3F.F.F5,00 %V10,0,20[V]:1,36CCZU-2-F6,00 <BR> <BR> <BR> CCZU-3-F 15, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CDU-2-F 9, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CDU-3-F 9, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CDU-5-F 6, 00 % %CCH-3CF37,00 %CCH-5CF38,00 %CCPC-343,00 %CCPC-333,00

Beispiel 18 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-50112,00 %Klärpunkt:+82,5°CCH-333,00 CH-35 3, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0608 CH-43 3,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CH-453,00 CCP-2F. F. F 6,00 % V10,0,20[V] : 1,42 %CCP0-3F.F.F4,00 %CCZU-2-F6,00 CCZU-3-F 14, 00 %<BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> CDU-2-F 8, 00 %<BR> CDU-3-F 8, 00 %<BR> CDU-5-F 5, 00 % %CCH-3CF38,00 %CCH-5CF37,00 CCPC-34 4, 00 % Beispiel19 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3015,00 %Klärpunkt:+86,0°CCCH-50116,00 CCP-2F. F. F 12,00 % #n[ 589 nm, 20 °C]: +0, 0622 CCP-3F. F. F 12,00 % ## [1kHz, 20 °C] : +4,8 %d##n[20°C,µm]:0,50CCP-5F.F.F6,00 <BR> CCP-20CF3 5, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-40CF3 6,00 % V10,0,20[V] : 1,98 5CCP-20CF3.F9,00 CH-33 4, 00 %<BR> CH-35 3, 00 %<BR> CH-43 3, 00 % %CH-453,00 CCPC-34 4, 00 % %CCH-3CF36,00 %CCH-5CF36,00

Beispiel 20 <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCH-333,00 %Klärpunkt:+76,5°CCH-352,00 CCP-2F. F. F 10,00 % #n [589 nm, 20 °C]: +0,0642 CCZU-2-F 6,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCZU-3-F 16, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-5-F 6,00 % V10 [V] : 1,22 <BR> <BR> CDU-2-F 9, 00 %<BR> <BR> <BR> CDU-3-F 11, 00 %<BR> <BR> <BR> CDU-5-F 8, 00 % %CCH-3CF311,00 %CCH-5CF311,00 CCPC-33 4, 00 % CCPC-34 3,00 % Beispiel 21 <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCH-334,00 CH-35 4, 00 % Klärpunkt : +77,0 °C CH-43 2,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0628 CCP-2F. F. F 9,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdri9llung[°]:90CCZU-2-F6,00 %V10[V]:1,24CCZU-3-F16,00 <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> CDU-2-F 9, 00 % %CDU-3-F11,00 <BR> <BR> CDU-5-F 8, 00 %<BR> <BR> <BR> CCH-3CF3 11, 00 % %CCH-5CF310,00 CCPC-34 4, 00 %

Beispiel 22 <BR> <BR> %S#N<-30°CCH-334,00 CH-35 3, 00 % Klärpunkt : +82,0 °C CCP-2F. F. F 10,00 % #n [589 nm, 20 °C]: +0,0645 %##[kHz,20°C]:+11,2CCZU-2-F6,00 CCZU-3-F 16,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCZU-5-F6,00 CDU-2-F 9,00 %V10[V] : 1,27 CDU-3-F 11, 00 %<BR> CDU-5-F 8, 00 % %CCH-3CF311,00 CCH-5CF39, 00 %<BR> CCPC-33 4, 00 % %CCPC-343,00 Beispiel 23 <BR> <BR> %S#N<-30°CCH-334,00 CH-35 3, 00 % Klärpunkt : +81, 0 °C CH-43 3, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0637 CCP-2F. F. F 9,00 % d##n [20 °C, µm]: 0, 50 CCZU-2-F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 %V10[V]:1,26CCZU-3-F16,00 CCZU-5-F 6, 00 %<BR> CDU-2-F 9, 00 % CDU-3-F 11, 00% CDU-5-F 8, 00 %<BR> CCH-3CF3 11, 00 % %CCH-5CF39,00 %CCPC-332,00 %CCPC-343,00

Beispiel 24 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-5018,00 CH-33 4, 00 % Klärpunkt : +82,0 °C CH-35 4, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0620 CH-43 4,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-2F. F. F 9,00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-2-F 6,00 % V10 [V] : 1,36 CCZU-3-F 16, 00 %<BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> CDU-2-F 9, 00 % CDU-3-F 11, 00% CDU-5-F 3, 00 %<BR> CCH-3CF3 8, 00 % %CCH-5CF38,00 CCPC-34 4, 00 % Beispiel 25 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-50112,00 CH-33 4, 00 % Klärpunkt : +81, 0 °C %#n[589nm,20°C]:+0,0610CH-354,00 CH-43 4,00 % ## [kHz, 20 °C] : +8,9 CCP-2F. F. F 9,00 % γ1 [mPa#s, 20 °C] : 154 %d##n[20°C,µm]:0,50CCZU-2-F6,00 CCZU-3-F 16, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-5-F 6,00 % V10 [V] : 1,41 CDU-2-F 9, 00 %<BR> CDU-3-F 11, 00 % %CCH-3CF37,00 %CCH-5CF38,00 CCPC-34 4, 00 %

Beispiel 26 %CCH-3035,00 CCH-501 16, 00 % Klärpunkt : +90, 0 °C CCP-2F. F. F 12,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0628 CCP-3F. F. F 12,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-5F. F. F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-20CF35, 00% Vio [V] : 2,08 5CCP-40CF37,00 CCP-20CF3. F 6, 00 % %CH-334,00 %CH-353,00 %CH-433,00 %CH-453,00 <BR> <BR> <BR> CCPC-33 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CCPC-34 2, 00 % %CCH-3CF36,00 %CCH-5CF37,00 Beispiel 27 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3CF38,00 %Kläpunkt:+87.5°CCCH-5CF38,00 CCH-303 10,00 % #n[ 589 nm, 20°C] : +0,0628 CCH-501 6,00 % ## [kHz, 20 °C] : +7,3 CCP-2F. F. F 11,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-3F. F. F 10, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-5F. F. F 5,00 % V10 [V] : 1,69 <BR> <BR> <BR> CCZU-2-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-3-F 16, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CCPC-33 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CCPC-34 2, 00 % %CH-333,00 %CH-353,00 %CH-433,00

Beispiel 28 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3CF36,00 CCH-5CF38, 00% Kiärpunkt : +83, 5 °C <BR> <BR> %#n[589nm,20°C]:+0,0620CCH-30310,00 CCH-501 6,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-2F. F. F 10, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 7,00 % V10[V]: 1,58 %CCP-5F.F.F5,00 %CDU-2-F10,00 %CDU-3-F10,00 %CDU-5-F8,00 <BR> <BR> <BR> CCPC-33 3, 00 %<BR> <BR> <BR> CCPC-34 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CH-33 4, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CH-35 4, 00 % %CH-433,00 CH-45 3, 00 % Beispiel 29 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-30315,00 CH-33 3,00 % Klärpunkt : +85,0°C <BR> <BR> %#n[589nm,20°C]:+0,0616CH-353,00 <BR> <BR> <BR> <BR> %d##n[20°C,µm]:0,50CH-433,00 <BR> <BR> <BR> <BR> CH-45 3, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-2F. F. F 7,00 % V10[V]: 1, 53 CCZU-2-F 6, 00 % %CCZU-3-F17,00 %CCZU-5-F6,00 <BR> <BR> <BR> CDU-2-F 10, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CDU-3-F 9, 00 % %CCH-3CF37,00 %CCH-5CF37,00 %CCPC-344,00

Beispiel 30 %CCH-30311,00 CCH-34 5, 00 % Klärpunkt : +85, 0 °C CH-33 4, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0607 %d##n[20°C,µm]:0,50CH-354,00 %Verdrillung[°]:90CH-433,00 CH-45 3,00 % V10 [V] : 1,55 CCP-2F. F. F 4, 00 % CCZU-2-F 6, 00 % %CCZU-3-F17,00 CCZU-5-F 6, 00 %<BR> CDU-2-F 10, 00 % %CDU-3-F11,00 %CCH-3CF37,00 %CCH-5CF37,00 %CCPC-342,00 Beispiel 31 <BR> <BR> %S#N<-20°CCCH-3CF36,00 %Klärpunkt:+84,0°CCCH-5CF37,00 %#n[589nm,20°C]:+0,0671CCH-345,00 <BR> CC-5-V 2, 00 % %CCH-30311,50 CCP-2F. F. F 9, 00 % CCP-3F. F. F 5, 00 % CCP-5F. F. F 3, 00 % CDU-2-F 11, 00% %CDU-3-F11,00 CDU-5-F 10, 00 % %CCPC-332,00 %CCPC-343,00 %CH-334,00

CH-35 3, 50 %<BR> CH-43 3, 50 % %CH-453,50 Beispiel 32 %CCH-30312,00 %Klärpunkt:+86,0°CCCH-50111,00 CH-33 3,00 % #n [589 nm,l 20 °C] : +0,0610 CH-35 3,0-0 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CH-433,00 %V10[V]:1,61CH-453,00 CCZU-2-F 5, 00 %<BR> CCZU-3-F 16, 00 %<BR> CCZU-5-F 5, 00 %<BR> CDU-2-F 9, 00 % %CDU-3-F9,00 CDU-5-F 7, 00 % %CCH-3CF35,00 %CCH-5CF35,00 %CCPC-344,00 Beispiel 33 %CCH-30314,00 CCH-501 11, 00 % Klärpunkt : +86,0°C %#n[589nm,20°C]:P+0,0612CH-332,50 CH-35 2,50 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CH-433,00 CH-45 3,00 % V10[V] : 1,61 CCZU-2-F 5, 00 % %CCZU-3-F16,00 CCZU-5-F 5, 00 %

CDU-2-F9, 00 % CDU-3-F9, 00 % CDU-5-F 8, 00 %<BR> CCH-3CF3 4, 00 %<BR> CCH-5CF3 4, 00 %<BR> CCPC-34 4, 00 % Beispiel 34 %CCH-3018,00 %Klärpunkt:+84,0°CCCH-50112,00 CH-33 3, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0614 %##[kHz,20°C]:+8,3CH-353,00 <BR> %d##n[20°C,µm]:0,50CH-433,00 %Verdrillung[°]:90CH-453,00 CCP-2F. F. F 9, 00 % Vio [V] : 1, 48 CCZU-2-F 5, 00 % %CCZU-3-F16,00 CCZU-5-F 6, 00 %<BR> CDU-2-F 8, 00 % %CDU-3-F9,00 %CDU-5-F4,00 %CCH-3CF33,00 %CCH-5CF34,00 CCPC-34 4, 00 % Beispiel 35 <BR> <BR> %S#N<-30,0°CCCH-30113,00 CCH-35 6,00 % Klärpunkt : +88,5 °C CCH-3CF3 8,00 % #n [589 nm, 20°C] : +0,0616 CCP-2F. F. F 10,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-3F. F. F 14, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-5F. F. F6, 00% Vio [V] : 1,63

CCZU-2-F 5, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CCZU-3-F 13, 00 % CCZU-4-F5,00% 5CCZU-5-F5,00 <BR> <BR> <BR> CH-334, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-35 4, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-43 3, 00 % %CH-454,00 Beispiel 36 %CCH-30113,00 CCH-35 6,00 % Kläpunkt : +83,0 °C PCH-7F 2,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0617 CCH-3CF3 8,00 % d#n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-2F. F. F 10, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 14,00 % V10 [V] : 1,51 %CCP-5F.F.F6,00 %CCZU-2-F5,00 %CCZU-3-F13,00 %CCZU-4-F5,00 %CCZU-5-F5,00 %CH-334,00 %CH-353,00 <BR> <BR> <BR> CH-433, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-453, 00 % Beispiel 37 CCH-301 13,00 % Klärpunkt : +102,0°C <BR> <BR> <BR> %#n[589nm,20°C]:+0,0644CCH-356,00 %PCH-7F2,00 %CCH-3CF38,00 CCZU-2-F 5, 00 %

CCZU-3-F 13, 00 %<BR> CCZU-4-F 5, 00 % %CCZU-5-F5,00 CCZG-2-OT 10, 00 %<BR> CCZG-3-OT 14, 00 %<BR> CCZG-5-OT 6, 00 %<BR> CH-33 4, 00 %<BR> CH-353. 00 %<BR> CH-433, 00 % %CH-453,00 Beispiel 38 <BR> <BR> %S#N<-20°CCCH-30115,00 CCH-35 6, 00 % Klärpunkt : +84,5°C CCH-3CF3 8, 00% An [589 nm, 20 OC] : +0,0613 CCP-2F. F. F 10,00 % d##n [20 °C, µm]: 0,50 %Verdrillung[°]:90CCP-3F.F.F14,00 CCP-5F. F. F 6,00 % V10 [V] : 1,58 CCZU-2-F 5, 00 % %CCZU-3-F13,00 %CCZU-4-F5,00 CCZU-5-F 5, 00 % %CH-334,00 CH-35 3, 00 % %CH-433,00 CH-453, 00 % Beispiel 39 <BR> <BR> %S#N<-20°CCCH-30113,00 CCH-35 6, 00 % Klärpunkt : +87,0°C %#n[589nm,20°C]:+0,0623CCH-3CF38,00 CCP-2F. F. F 10,00 % d##n [20 °C, µm]: 0,50 CCP-3F. F. F 14, 00 % Verdrillung [°] : 90

CCP-5F. F. F6, 00% Vio [V] : 1,62 CCP-4CF3. F. F 6, 00 % CCZU-2-F 5, 00 %<BR> CCZU-3-F 7, 00 %<BR> CCZU-4-F 5, 00 %<BR> CCZU-5-F 5, 00 % %CH-334,00 %CH-354,00 %CH-433,00 %CH-454,00 Beispiel 40 CCH-301 15, 00 % Klärpunkt : +85,5 °C CCH-3CF3 8, 00% An [589 nm, 20 OC]-. +0,0612 %d##n[20°C,µm]:0,50CC-5-OMT6,00 %Verdrillung[°]:90CCP-2F.F.F10,00 CCP-3F. F. F 14,00 % V10 [V] : 1,59 CCP-5F. F. F 6, 00 % CCZU-2-F 5, 00 % %CCZU-3-F13,00 CCZU-5-F 6, 00 % %CH-335,00 %CH-354,00 %CH-434,00 %CH-454,00 Beispiel 41 CCH-301 17, 00 % Klärpunkt : +89, 5 °C CCH-35 6,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0617 %CCH-3CF38,00 CCP-2F. F. F 5, 00 % CCP-3F. F. F 5, 00 %

CCP-5F. F. F 5, 00 % CCZU-2-F 5, 00 % %CCZU-3-F13,00 %CCZU-4-F5,00 CCZU-5-F 5, 00 %<BR> CCZG-2-OT 5, 00 % %CCZG-3-OT5,00 %CCZG-5-OT5,00 CH-333, 00 % %CH-353,00 %CH-433,00 %CH-452,00 Beispiel42 CCH-301 14, 00 % Klärpunkt : +85, 5 °C %#n[589nm,20°C]:+0,0601CCH-3511,00 %CCH-3CF38,00 CCP-2F. F. F 5, 00 % %CCP-3F.F.F10,00 CCP-5F. F. F 6, 00 % %CCZU-3-F5,00 %CCZU-3-F18,00 %CCZU-4-F8,00 %CCZU-5-F5,00 %CH-333,00 %CH-353,00 %CH-432,00 %CH-452,00

Beispiel 43 CCH-301 15,00 % Klärpunkt : +86,0°C CCH-35 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0605 CCH-3CF3 8, 00% d-An [20'C, pm] : 0,50 CCP-2F. F. F 7, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 13,00 % V10 [V] : 1,70 %CCP-5F.F.F6,00 %CCZU-2-F5,00 CCZU-3-F 13, 00 % %CCZU-4-F5,00 CCZU-5-F 5, 00 % %CH-334,00 CH-35 3, 00 %<BR> CH-43 3, 00 %<BR> CH-45 3, 00 % Beispiel 44 %Klärpunkt:+86,0°CCCH-30113,00 CCH-35 6,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0615 CCH-3CF3 8, 00% d-An [20'C, pm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCP-2F.F.F13,00 CCP-3F. F. F 17,00 % V10 [V] : 1,67 %CCP-5F.F.F8,00 %CCZU-2-F5,00 %CCZU-3-F10,00 %CCZU-5-F5,00 CH-33 4, 00 % %CH-354,00 CH-43 3, 00 % %CH-454,00

Beispiel 45 CCH-301 12,00 % Klärpunkt : +84,0°C CCH-35 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0602 %d##n[20°C,µm]:0,50CCH-3CF311,00 %Verdrillung[°]:90CCP-2F.F.F9,00 CCP-3F. F. F12, 00% Vio [V] : 1,66 CCP-5F. F. F 5, 00 % CCZU-2-F 5, 00 %<BR> CCZU-3-F 13, 00 %<BR> CCZU-4-F 5, 00 %<BR> CCZU-5-F 5, 00 %<BR> CH-33 4, 00 %<BR> CH-35 3, 00 %<BR> CH-43 3, 00 %<BR> CH-45 3, 00 % Beispiel 46 CCH-301 17,00 % Klärpunkt : +73,5°C CCH-35 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0585 CCH-3CF3 11,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCP-2F.F.F9,00 CCP-3F. F. F12, 00% Vio [V] : 1,59 %CCP-5F.F.F5,00 %CCZU-2-F5,00 %CCZU-3-F13,00 CCZU-4-F 5, 00 % %CCZU-5-F5,00 %CH-333,00 %CH-353,00 %CH-432,00

Beispiel 47 <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-30114,00 CCH-34 4,00 % Klärpunkt : +78,0 °C CC-5-V 5, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0601 CCP-2F. F. F10, 00% AE [kHz, 20 °C] : 6,6 CCP-3F. F. F 12,00 % d##n [20 °C, µm]:P 0,50 CCP-5F. F. F 6,00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-2-F 5,00 % V10 [V] : 1,62 %CCZU-3-F16,00 %CCZU-5-F5,00 CCP-20CF3. F 2, 00 % %CCH-3CF310,00 <BR> <BR> <BR> CH-33 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-35 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-43 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-45 2, 00 % Beispiel48 CCH-301 12,00 % Klärpunkt : +85,0 °C CCH-35 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0602 CCH-3CF3 6,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCH-5CF35,00 CCP-2F. F. F9, 00% Vio [V] : 1, 72 CCP-3F. F. F 12, 00 % %CCP-5F.F.F5,00 %CCZU-2-F5,00 CCZU-3-F 13, 00 % %CCZU-4-F5,00 %CCZU-5-F5,00 <BR> <BR> <BR> CH-33 4, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-35 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-43 3, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> CH-45 3, 00 %

Beispiel 49 CCH-301 8,00 % Klärpunkt : +83,5 °C CCH-501 5,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0603 CCH-35 7,00 % ## [kHz, 20 °C] : +7,3 %d##n[20°C,µm]:0,50CC-5-V3,00 <BR> CCH-3CF3 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCH-5CF3 5,00% V10[V] : 1,72 %CCP-2F.F.F7,00 CCP-3F. F. F 8, 00 % CCP-4F. F. F 6, 00 % CCP-5F. F. F 5, 00 % %CCZU-2-F5,00 %CCZU-3-F8,00 %CCZU-4-F5,00 CCZU-5-F 5, 00 % %CCZG-2-OT5,00 CH-33 3, 00 %<BR> CH-35 3, 00 %<BR> CH-43 3, 00 % %CH-453,00 Beispiel 50 <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-3015,00 %Klärpunkt:+68,0°CCH-333,00 CH-35 3, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0602 CCP-2F. F. F 6, 00 % åg [kHz, 20 °C] : +10,3 %γ1[mPa#s,20°C]:161CCZU-2-F6,00 CCZ-3-F 16,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCZU-5-F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 CDU-2-F10, 00% Vio [V] : 1,22 CDU-3-F 12, 00 %<BR> CDU-5-F 8, 00 %

%CCH-3CF39,00 %CCh-5CF312,00 CCPC-34 4, 00 % Beispiel 51 %Klärpunkt:+74,0°CCH-334,00 CCP-2F. F. F 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0631 CCP-3F. F. F 2,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCZU-2-F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-3-F16, 00% Vio [V] : 1,21 <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> CDU-2-F 10, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CDU-3-F 12, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CDU-5-F 8, 00 % %CCH-3CF39,00 %CCH-5CF312,00 %CCPC-332,00 CCPC-34 3, 00 % Beispiel52 %Klärpunkt:+69,0°CCH-334,00 CCP-2F. F. F 10,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0625 CCP-3F. F. F4, 00 % d-An [20 °C, µm]: 0,50 CCZU-2-F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-3-F16, 00% Vio [V] : 1,16 <BR> <BR> CCZU-5-F 6, 00 %<BR> <BR> <BR> <BR> CDU-2-F 9, 00 % %CDU-3-F11,00 %CDU-5-F7,00 %CCH-3CF310,00 %CCH-5CF312,00 %CCPC-332,00 %CCPC-343,00

Beispiel 53 <BR> <BR> CCH-34 6, 00 % S < N <-40 °C CCH-3CF3 3, 00 % Klärpunkt : +75,0 °C CCH-5CF3 8,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0644 CCP-2F. F. F 11,00 % ## [kHz, 20 °C] : +10,1 CCP-3F. F. F 10,00 % d##n [20 °C, µm]: 0, 50 CCP-5F. F. F 6,00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-20CF3. F4, 00% Vio [V] : 1,34 CCP-40CF3 8, 00 %<BR> CDU-2-F 10, 00 %<BR> CDU-3-F 12, 00 % %CDU-5-F10,00 %CCOC-3-4,00 %CCOC-4-38,00 Beispiel 54 CCH-34 5, 00 % Klärpunkt : +80,0 °C %#n[589nm,20°C]:+0,0642CC-5-V8,00 CCH-3CF3 6,00% ## [kHz, 20 °C] : +7,8 CCH-5CF3 8,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-2F. F. F 11, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 11,00 % V10 [V] : 1,58 %CCP-5F.F.F6,00 %CCZU-2-F6,00 CCZU-3-F 14, 00 % %CCZU-5-F6,00 CCP-20CF3. F 8, 00 % CCP-40CF3 4, 00 % %CCOC-4-35,00 %CCOC-3-32,00

Beispiel 55 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-345,00 CC-5-V 8, 00 % Klärpunkt : +80, 5 °C CCH-3CF3 6,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0643 CCH-5CF3 8,00 % ## [kHz, 20 °C] : +7,8 CCP-2F. F. F 11,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-3F. F. F 11, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-5F. F. F6, 00% Vio [V] : 1,59 %CCZU-2-F5,00 CCZU-3-F 15, 00 % %CCZU-5-F5,00 CCP-20CF3. F 8, 00 % CCP-40CF3 5,00 % %CVCOC-4-35,00 CCOC-3-3 2, 00 % Beispiel 56 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-345,00 CC-5-V 6, 00 % Klärpunkt : +80, 0 °C %#n[589nm,20°C]:+0,0648CCH-3CF36,00 CCH-5CF3 6,00% As [kHz, 20 °C] : +8,0 CCP-2F. F. F 12,00 % d##n [20 °C, µm]: 0,50 CCP-3F. F. F 11,00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-5F. F. F 6,00 % V10[V] : 1,54 CCP-20CF3. F 8, 00 % %CCP-50CF3.F8,00 %CCP0-40CF36,00 CDU-2-F 6, 00 %<BR> CDU-3-F 8, 00 % %CCOC-3-34,00 %CCOC-4-38,00

Beispiel 57 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-345,00 CC-5-V 6, 00 % Klärpunkt : +80, 5 °C %##[kHz,20°C]:+7,9CCH-3CF36,00 <BR> %γ1[mPa#s,20°C]:124CCH-5CF38,00 CCP-2F. F. F 11,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-3F. F. F 12,00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-5F. F. F5, 00% Vio [V] : 1,56 %CCZU-2-F5,00 CCZU-3-F 15, 00% %CCZU-5-F4,00 CCP-20CF3.F 10, 50 % %CCP-40CF36,50 %CCCOC-4-34,00 %CCOC-3-32,00 Beispiel 58 <BR> <BR> CCH-30110, 00% S-N <-40°C %Kläpunkt:+95,5°CCCH-5019,00 CCH-35 5, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0608 CC-5-V12, 00% Vio [V] : 2,32 %d##n[20°C,µm]:0,50CC-3-V15,00 <BR> CCH-3CF3 4, 00 % Verdrillung [°] : 90 %CCH-5CF35,00 CCP-2F. F. F 6, 00 % CDU-2-F 6, 00 %<BR> CDU-3-F 8, 00 % %CCZU-3-F7,00 CCPC-33 4, 00 %<BR> CCPC-34 5, 00 %<BR> CCPC-35 4, 00 %

%CCCOC-3-33,00 %CCOC-4-35,00 CCOC-3-5 2, 00 % Beispiel 59 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-30110,0 %Kläpunkt:+95,0°CCCH-5018,00 CCH-35 5, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0607 CC-5-V 15,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CC-3-V14,00 CCH-3CF3 4,00 % V10 [V] : 2,32 CCH-5CF3 4, 00 % CCP-2F. F. F 7, 00 % CDU-2-F 7, 00 %<BR> CDU-3-F 7, 00 %<BR> CCZU-3-F 6, 00 %<BR> CCPC-33 4, 00 % %CCPC-345,00 CCPC-35 4, 00 % %CCOC-3-33,00 %CCOC-4-35,00 CCOC-3-5 2, 00 % Beispiel 60 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-30110,00 %Klärpunkt:+95,5°CCCH-50111,00 CCH-35 5,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0609 %d##n[20°C,µm]:0,50CC-5-V9,00 %Verdrillung[°]:90CCH-3CF34,00 CCH-5CF36, 00% Vio [V] : 2,27 CCP-2F. F. F 6, 00 % CDU-2-F 6, 00 %

%CDU-3-F8,00 %CCZU-3-F7,00 %CCOC-3-33,00 %CCOC-4-35,00 CCOC-3-5 2, 00 %<BR> CCGC-3-3 2, 00 % %CCGC-3-53,00 %CGCC-2-35,00 %CGCC-2-55,00 CH-43 3, 00 % Beispiel 61 CCH-35 5, 00 % Klärpunkt : +95,0°C #n[589nm,20°C]:+0,0641CC-3-V110,00 CC-5-V18, 00% Vio [V] : 2,34 CCH-3CF3 8, 00% d-An [20 OC, pm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCH-5CF310,00 %CCP-2F.F.F6,00 CDU-2-F 8, 00 %<BR> CDU-3-F 10, 00 %<BR> CGCC-2-35, 00 % %CGCC-2-54,00 CCGC-3-2 5, 00 % %CCGC-3-53,00 %CCOC-3-33,00 %CCOC-4-35,00 Beispiel62 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3019,00 CCH-501 10,00 % Klrpunkt : +96,0°C %#n[589nm,20°C]:+0,0615CCH-355,00 %V10[V]:2,25CC-5-V9,00

CCH-3CF3 3,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCH-5CF3 8, 00 % Verdrillung [°] : 90 %CCP-2F.F.F8,00 %CDU-2-F8,00 CDU-3-F 10, 00 % %CCOC-3-33,00 %CCOC-4-35,00 CCOC-3-5 2, 00 % %CCGC-3-24,00 %CCGC-3-53,00 %CGCC-2-35,00 %CGCC-2-55,00 CH-43 3, 00 % Beispiel 63 <BR> <BR> %S#N<-40°CCCH-3019,00 %Klärpunkt:+95,0°CCCH-5019,00 CCH-35 5, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0608 CC-5-V 14,00 % V10[V] : 2,26 CC-3-V1 3,00 % d##n p20 °C, µm] : 0,50 CCH-3CF3 4, 00 % Verdrillung [°] : 90 %CCH-5CF35,00 CCP-2F. F. F 5, 00 % CDU-2-F 6, 00 %<BR> CDU-3-F 7, 00 %<BR> CCZU-3-F 8, 50 %<BR> CCZU-5-F 3, 00 % %CCPC-334,00 %CCPC-344,00 %CCPC-354,00 %CCOC-3-33,00 %CCOC-4-34,50 CCOC-3-5 2, 00 %

Beispiel64 CCH-3CF3 7,00 % Klärpunkt : +83,0°C %#n[589nm,20°C]:+0,0639CCH-5CF37,00 CCH-301 8,00 % V10[V] : 1,38 CCP-2F. F. F 6,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCP-3F. F. F 6, 00 % Verdrillung [°] : 90 %CCP-4F.F.F5,00 %CCP-5F.F.F6,00 %CCZU-2-F8,00 %CCZU-3-F10,00 %CCZU-4-F9,00 %CCZU-5-F8,00 %CCZG-3-OT5,00 %CCZG-5-OT5,00 CCZG-2-OT 5, 00 %<BR> CH-33 3, 00 %<BR> CH-35 2, 00 % Beispiel 65 CCH-3CF3 4,00 % Klärpunkt : +80,5°C CCH-5CF3 4, 00% An [589 nm, 20'C] : +0,0641 %V10[V]:1,39CCH-30110,00 %d##n[20°C,µm]:0,50CCH-50110,00 CCP-2F. F. F 9,00 % Verdrillung [°] : 90 CCP-3F. F. F 6, 00 % CCZU-3-F 15, 00 % %CCZU-5-F6,00 %CDU-2-F10,00 %CDU-3-F9,00 CDU-5-F 7, 00 %<BR> CCPC-33 5, 00 %<BR> CCPC-35 5, 00 %

Beispiel 66 CCH-3CF3 4,00 % Klärpunkt : +75,0 °C CCH-5CF3 4,00 % #n [589 nm, 20 °C] : +0,0633 CCH-301 10,00 % V10 [V] : 1,34 CCH-501 10,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 %Verdrillung[°]:90CCP-2F.F.F9,00 CCP-3F. F. F 6, 00 % CCZU-3-F 15, 00 % %CCZU-5-F6,00 %CDU-2-F10,00 %CDU-3-F9,00 %CDU-5-F7,00 CPCC-2-2 5, 00 % %CPCC-2-35,00 Beispiel 67 CCH-301 4,00 % S # N <-40 °C %Klärpunkt:+88,0°CCCH-5015,50 CCP-2F. F. F 10,00 % #n [589 nm, 20°C] : +0,0650 CCP-3F. F. F 12,00 % ## [kHz, 20 °C]: +8,2 CCP-5F. F. F 5,00 % d##n [20 °C, µm] : 0,50 CCZU-2-F 4, 00 % Verdrillung [°] : 90 CCZU-3-F 17,00 % V10 [V] : 1,52 CCZU-5-F4, 00 % %CCP-20CF2.F.F3,00 CCP-30CF2. F. F 7, 00 % %CCP-50CF2.F.F7,00 CH-33 3, 50 %<BR> CH-35 3, 00 %<BR> CH-43 4, 00 %<BR> CCH-3CF3 6, 00 % %CCH-5CF35,00

Beispiel 68 <BR> <BR> %S#N<-30°CCCH-30112,00 %Klärpunkt:+80,0°CCCH-5018,00 CC-5-V 8, 00% An [589 nm, 20 °C] : +0,0606 %##[kHz,20°C]:+6,3CCP-2F.F.F10,00 %CCP-3F.F.F12,00 CCP-5F. F. F 5, 00 % CCZU-2-F 5, 00 % %CCzU-3-F17,00 CCZU-5-F 5, 00 % %CH-333,00 %CH-353,00 5CH-433,00 %CCH-3CF37,00 %CCPC-332,00