本発明の第一は、磁気記録媒体用の特定� ��潤滑剤を塗布した磁気記録媒体に関する。

 一般には、カーボン表面へ潤滑剤を塗布� ��た後、加熱処理を施すことにより、カーボ� ��表面上の官能基と潤滑剤末端基の間の結合� ��合を高めることができる。加熱処理温度が� ��いほど、両者間の結合割合の増加は促進さ� ��る。しかしながら、カーボン表面に存在す� ��官能基と潤滑剤末端基との間の結合割合を� ��めることには、限界が伴う。具体的には、� ��来技術である、分子内に水酸基などの有極� ��末端基や、環状トリホスファゼン末端基を� ��するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を� ��いた場合では、加熱温度が100℃を超えると� ��ディスク表面から潤滑剤が揮発する「加熱� ��量」と呼ばれる現象が顕著となり、温度が� ��くなるほどこの現象は大きくなる。従って� ��高温で処理した場合、ディスク表面上に存� ��する潤滑剤量は、加熱処理以前に比較し、� ��しく減少してしまう。このため、加熱処理� ��より結合割合を増加させるには、制約が伴� ��。

 一般に、カーボン表面に存在する官能基� ��潤滑剤末端基との間の結合割合は、フッ素� ��溶媒による洗浄前の潤滑層膜厚に対するフ� ��素系溶媒による洗浄後の潤滑層膜厚の割合� ��して表され、その百分率値は「ボンド率」� ��呼ばれる。

 ここで、洗浄前の潤滑層膜厚は「トータ� ��潤滑剤膜厚」、洗浄後の潤滑層膜厚は「ボ� ��ド潤滑剤膜厚」、トータル潤滑剤膜厚とボ� ��ド潤滑剤膜厚の差を「フリー潤滑剤膜厚」� ��呼ぶ。「ボンド潤滑剤膜厚」は、実際にカ� ��ボン表面と結合している潤滑剤の厚さ(量)� �表しており、汚染物の抑制には、この量を� �やす必要がある。なお、本明細書において� �「初期膜厚量」の用語を、「トータル潤滑� �膜厚」と同義に用いる。

 この「ボンド率」を向上させるためのパ� ��フルオロポリエーテル系潤滑剤として、Fomb lin Z-Tetraol(ソルベイソレクシス社製)が開発� �れ、媒体への適用が行われた(特許文献5)。Fo mblin Z-Tetraolは、浸漬法による塗布の後、加� �硬化を行うとボンド率が上昇するが、ボン� �率の上限は70%程度となる。この時、トータ� �潤滑剤膜厚は、現在、通常のハードディス� �の潤滑剤に用いられる膜厚である1.0、1.2お� �び1.4nmの場合、ボンド潤滑剤膜厚はそれぞれ 、0.7、0.84および0.98nmとなる。

 一方、近年の磁気ディスクの高密度化傾� ��に伴い、潤滑剤特性に対する要求が厳しく� ��っている。この要求に応えるには、今後、� ��ンド潤滑剤膜厚の上限を、さらに引き上げ� ��ことが必要とされる。

 加えて、近年のハードディスクドライブ� ��、これまでの屋内で使用されるパソコン用� ��から、携帯機器やカーナビゲーションシス� ��ムなど屋外環境において用いられるケース� ��増大している。特に、高温高湿環境におい� ��、磁気ヘッドスライダが浮上しにくくなる� ��象が存在し、高湿度空気に含まれる水分の� ��着現象によるものと考えられている。その� ��め、磁気ディスク表面へ凝着する水分量を� ��少させること、すなわち、ディスク表面の� ��水化が大きな課題となっている。

 この疎水化には、ボンド潤滑剤膜厚の増� ��が必要であるが、ボンド率の上限が規定さ� ��る場合、その量を増加させるには、単純に� ��トータル潤滑剤膜厚を増加させれば良いこ� ��になる。しかしながら、単純に膜厚を増加� ��せた場合、浮上スライダへの潤滑剤ピック� ��ップ現象が生じやすくなり、スライダの浮� ��不安定性を生じさせる恐れがある。

 そのため、トータル潤滑剤膜厚を増加さ� ��る手法ではなく、トータル潤滑剤膜厚を変� ��させることなく、従来手法に比較して潤滑� ��とカーボン表面との結合割合を高める手法� ��必要とされる。

 本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非� ��性基板上に設けられた磁性層、保護層およ� ��潤滑層からなり、以下に説明する潤滑剤を� ��滑層に用いることを特徴とする。

 また、本発明の磁気記録媒体は、熱アシ� ��ト磁気記録方式に用いることができる。こ� ��磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板上� ��設けられた磁性層、保護層および潤滑層か� ��なり、磁性層温度が150℃から200℃となる熱� ��シスト記録方式に使用された場合、潤滑層� ��潤滑剤揮発量が、初期膜厚量の10%未満であ� ��ものである。本発明の磁気記録媒体は、こ� ��ような熱アシスト記録方式に最適である。� ��のように、本発明では、磁性層温度が150℃� ��ら200℃となる温度下で、潤滑剤の揮発量を� ��期膜厚量の10%未満に抑えることができる潤� ��剤を潤滑層に用いることを特徴とする。磁� ��記録媒体用潤滑剤で上記条件を満たす限り� ��潤滑剤は特に限定されないが、本発明では� ��以下に説明する潤滑剤を潤滑層に用いるこ� ��が好ましい。

 本発明で用いる潤滑剤は、下記の一般式(1)� ��(2)または(3)で表される潤滑剤である。この� ��滑剤は、末端部分に置換基R ₁ 、R ₂ 、R ₃ およびR ₄ を有し、該置換基は有機基であり、その末端 部分の置換基R ₁ およびR ₂ の少なくとも一方、並びに置換基R ₃ およびR ₄ が複数の官能基を有している。この官能基は 、その最短距離は、官能基の結合している原 子を含めて3原子以上、好ましくは5原子であ� ��。また、前記潤滑剤の分子量は500~10000の間� ��あることが好ましい。

(式中、pおよびqはそれぞれ独立に、正の整数 である。)

(式中、rは正の整数である。)

(式中、sは正の整数である。)

 各置換基に含まれる複数の官能基は、ヒ� ��ロキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基� ��1級および2級アミン基、ニトロ基、二トリ� �基、イソニトリル基、イソシアナート基、� �オール基、スルホ基、リン酸基、亜リン酸� �、1級および2級ホスフィン基、複素環基から 選択されることが好ましい。また、複数の官 能基は、同一であってもよく、異なっていて もよい。

 置換基R ₁ 、R ₂ 、R ₃ およびR ₄ は、炭素数3から12の有機基であり、置換若し くは無置換の直鎖若しくは分岐脂肪族炭化水 素、または、置換若しくは無置換芳香族炭化 水素である。該有機基には複数の官能基が含 まれ、その複数の官能基間の構造は、飽和ま たは不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフ ッ素化誘導体、芳香族炭化水素若しくはその フッ素化誘導体またはこれらの組み合わせか ら選択されるものであることが好ましい。ま た、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若し くはそのフッ素化誘導体、および芳香族炭化 水素若しくはそのフッ素化誘導体は、エーテ ル性酸素または3級アミン性窒素を1以上含ん� ��いてもよく、エーテル性酸素または3級アミ ン性窒素が複数含まれる場合は、これらの組 み合わせを含んでいてもよい。

 本発明で使用される潤滑剤は、一般式(1)� ��(2)または(3)に示すような分子構造を有する� ��とにより、従来技術のZ-Tetraolと比較して、� ��端置換基内の官能基が互いに離れており、� ��能基同士の分子内相互作用が弱まっている� ��このため、保護層表面に多数存在するカル� ��キシル基やヒドロキシル基、アミン基など� ��官能基と、潤滑剤末端置換基内の官能基と� ��相互作用が相対的に強まり、保護層との結� ��性が増大する。この結果、上記潤滑剤を磁� ��記録媒体表面に塗布することで、従来に比� ��し、ボンド率を増大させることができる。� ��らに、上記潤滑剤を磁気記録媒体表面に塗� ��することで、従来に比較し、高温での潤滑� ��の揮発現象を抑制することができ、高耐熱� ��を有する磁気記録媒体を実現できる。

 次に、本発明の磁気記録媒体について説� ��する。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基� ��上に、少なくとも磁性層、保護層および潤� ��層が含まれる。一例を示せば、図1に示され るような構造を有する。すなわち、非磁性基 板100上に、磁性層102、保護層104および潤滑層 106を有する。

 非磁性基板は、磁気記録媒体に従来から� ��いられているものであれば特に限定されな� ��。例えば、図1に示したような従来から汎用 的に使用されているアルミ合金などの基板110 上に無電解メッキによりNi-Pなどの非磁性金� �層(メッキ層)120を形成したものであってよく 、あるいは、ガラス、セラミック、プラスチ ックなどの材料から構成されていてもよい。

 本発明の磁気記録媒体では、必要に応じ� ��、非磁性基板と磁性層との間に、非磁性下� ��層、軟磁性層、シード層、中間層などを設� ��てもよい。

 任意選択的に設けてもよい非磁性下地層� ��、Ta、Ti、またはCrTi合金のようなCrを含む非 磁性材料を用いて形成することができる。

 任意選択的に設けてもよい軟磁性層は、F eTaC、センダスト(FeSiAl)合金などの結晶性材料 ;FeTaC、CoFeNi、CoNiPなどの微結晶性材料;または CoZrNd、CoZrNb、CoTaZrなどのCo合金を含む非晶質� ��料を用いて形成することができる。軟磁性� ��の膜厚は、磁性層に垂直方向磁界を集中さ� ��るための層であり、記録に使用する磁気ヘ� ��ドの構造や特性によって最適値が変化する� ��、おおむね10nm以上500nm以下であることが、� ��産性との兼ね合いから望ましい。

 任意選択的に設けてもよいシード層は、� ��心立方格子構造を有する金属または合金や� ��TaあるいはTa合金を用いて形成することがで きる。面心立方格子構造を有する金属または 合金としては、Cu、Pd、Pt、Niまたはこれらの� ��ち1つ以上を含む合金;NiFe、NiFeSi、NiFeNb、NiFe B、NiFeCrなどのようなパーマロイ系材料;CoNiFe� ��CoNiFeSi、CoNiFeB、CoNiFeNb、CoNiFeCrなどのような パーマロイ系材料にCoをさらに添加した材料; Co;あるいはCoB、CoSi、CoNi、CoFeなどのCo基合金� ��用いて形成することができる。シード層は� ��磁性層の結晶構造を制御するのに充分な膜� ��を有することが望ましく、通常の場合、3nm� ��上50nm以下の膜厚を有することが望ましい。

 任意選択的に設けてもよい中間層は、Ru� �もしくはRuを主成分とする合金、またはCo、� ��しくはCoを主成分とする合金を用いて形成� �ることができる。また、これらの金属ある� �は合金は積層して用いることもできる。中� �層は、通常0.1nm以上30nm以下の膜厚を有する� �このような範囲内の膜厚とすることによっ� �、磁性層の磁気特性や電磁変換特性を劣化� �せることなしに、高密度記録に必要な特性� �磁性層に付与することが可能となる。

 前述の下地層、軟磁性層、シード層およ� ��中間層の形成は、スパッタ法(DCマグネトロ� ��スパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法な� �を含む)、真空蒸着法など当該技術において� ��られている任意の方法を用いて実施するこ� ��ができる。

 磁性層は、好適には、少なくともCoとPtを 含む合金の強磁性材料を用いて形成すること ができる。垂直磁気記録を行うためには、磁 性層の材料の磁化容易軸(六方最密充填(hcp)構 造のc軸)が、記録媒体表面(すなわち磁気記録 媒体用基板の主表面)に垂直方向に配向して� �ることが必要である。磁性層は、たとえばCo Pt、CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtTaなどの合金材料を用� ��て形成することができる。磁性層の膜厚は� ��特に限定されるものではない。しかしなが� ��、生産性および記録密度向上の観点から、� ��性層は、好ましくは30nm以下、より好ましく は15nm以下、さらに好ましくは5nmから30nm、最� ��好ましくは5nmから15nmの膜厚を有する。磁性 層の形成は、スパッタ法(DCマグネトロンスパ ッタ法、RFマグネトロンスパッタ法などを含� ��)、真空蒸着法など当該技術において知られ ている任意の方法を用いて実施することがで きる。

 別法として、非磁性酸化物または非磁性窒� ��物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散さ� ��ているグラニュラー構造を有する材料を用� ��て、磁性層を形成してもよい。用いること� ��できるグラニュラー構造を有する材料は、C oPt-SiO ₂ 、CoCrPtO、CoCrPt-TiO ₂ 、CoCrPt-SiO ₂ 、CoCrPt-Al ₂ O ₃ 、CoPt-AlN、CoCrPt-Si ₃ N ₄ などを含むが、これらに限定されるものでは ない。グラニュラー構造を有する材料を用い た場合、磁性層内で近接する磁性結晶粒間の 磁気的分離を促進し、ノイズの低減、SNRの向 上および記録分解能の向上といった磁気記録 特性の改善を図ることができる。

 保護層は、カーボン(ダイヤモンド状カー ボン(DLC)、アモルファスカーボンなど)、ある いは磁気記録媒体保護層用の材料として知ら れている種々の薄層材料を用いて形成するこ とができる。保護層は、その下にある磁性層 以下の各構成層を保護するための層である。 本発明の磁気記録媒体を、高耐熱性を有する 磁気記録媒体として使用する場合には、保護 層はダイヤモンド状カーボンであることが好 ましい。保護層は、一般的にスパッタ法(DCマ グネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパ� ��タ法などを含む)、真空蒸着法、CVD法などを 用いて形成することができる。

 潤滑層は、記録/読み出し用ヘッドが磁気 記録媒体に接触している際の潤滑を付与する ための層であり、上述の潤滑剤を使用して形 成することができる。潤滑層は、ディップコ ート法、スピンコート法などの当該技術にお いて知られている任意の塗布方法を用いて形 成することができる。