図1から図8は、本発明の第1の実施形態に� ��るパッケージドデバイスX1を表す。図1はパ� ��ケージドデバイスX1の一部省略平面図であ� �、図2はパッケージドデバイスX1の他の一部� �略平面図である。図3から図8は、各々、図1� �線III-III、線IV-IV、線V-V、線VI-VI、線VII-VII、� �よび線VIII-VIIIに沿った断面図である。

 パッケージドデバイスX1は、センシング� �バイスYと、パッケージング部材80(図1におい て省略)と、パッケージング部材90(図2におい� ��省略)とを備える。

 センシングデバイスYは、ランド部10と、� ��フレーム20と、外フレーム30と、一対の連結 部40と、一対の連結部50と、検出用電極61(図1� ��おいて省略)と、検出用電極62A,62B(図2におい て省略)と、駆動用電極71A,71B,72A,72Bとを備え� �角速度センサとして構成されたものである� �また、センシングデバイスYは、MEMS技術など のバルクマイクロマシニング技術により、い わゆるSOI(silicon on insulator)基板であるウエハ に対して加工を施すことによって製造された ものである。当該ウエハは、例えば、第1お� �び第2シリコン層ならびに当該シリコン層間� ��絶縁層よりなる積層構造を有し、各シリコ� ��層は、不純物のドープにより所定の導電性� ��付与されている。図1では、第1シリコン層� �由来して絶縁層より紙面手前方向に突き出� �部位について、斜線ハッチングを付して表� �、図2では、第2シリコン層に由来して絶縁層 より紙面手前方向に突き出る部位について、 斜線ハッチングを付して表す。

 ランド部10は、上記の第1シリコン層に由� ��する部位である。ランド部10には、図3およ� ��図5に示すように、導電プラグ11が埋め込み� ��成されている。

 内フレーム20は、例えば図3に示すように� ��第1シリコン層に由来する第1層部21と、第2� �リコン層に由来する第2層部22と、これらの� �の絶縁層23とからなる積層構造を有する。第 1層部21は、図1に示すように、部分21a,21b,21c,21 d,21e,21fを含む。部分21a~21fは、空隙を介して� �いに分離している。

 外フレーム30は、例えば図3および図4に示 すように、第1シリコン層に由来する第1層部3 1と、第2シリコン層に由来する第2層部32と、� ��れらの間の絶縁層33とからなる積層構造を� �する。第1層部31は、図1に示すように、部分3 1a,31b,31c,31d,31e,31f,31g,31hを含む。部分31a~31hは� �空隙を介して周囲と分離し、センシングデ� �イスYにおける外部接続用の端子部を構成す� ��。

 一対の連結部40は、ランド部10および内フ レーム20を連結するための部位であり、上記� ��第1シリコン層に由来する。各連結部40は、� ��本のトーションバー41からなる。図1に示す� ��うに、一方の連結部40の各トーションバー41 は、ランド部10に接続するとともに内フレー� ��20の第1層部21の部分21aに接続し、ランド部10 および部分21aを電気的に接続する。他方の連 結部40の各トーションバー41は、ランド部10に 接続するとともに内フレーム20の第1層部21の� ��分21dに接続し、ランド部10および部分21dを� �気的に接続する。このような一対の連結部40 は、ランド部10の揺動動作の軸心A1を規定す� �。内フレーム20の側からランド部10の側にか� ��て間隔が漸増する二本のトーションバー41� �含む各連結部40は、ランド部10の揺動動作に� ��ける不要な変位成分の発生を抑制するのに� ��適である。

 一対の連結部50は、内フレーム20および外 フレーム30を連結するための部位であり、上� ��の第1シリコン層に由来する。各連結部50は� ��三本のトーションバー51,52,53からなる。図1� ��示すように、一方の連結部50におけるトー� �ョンバー51は、内フレーム20の第1層部21の部� ��21aに接続するとともに外フレーム30の第1層� ��31の部分31aに接続して部分21a,31aを電気的に� ��続し、トーションバー52は、内フレーム20の 第1層部21の部分21bに接続するとともに外フレ ーム30の第1層部31の部分31bに接続して部分21b, 31bを電気的に接続し、トーションバー53は、� ��フレーム20の第1層部21の部分21cに接続する� �ともに外フレーム30の第1層部31の部分31cに接 続して部分21c,31cを電気的に接続する。他方� �連結部50におけるトーションバー51は、内フ� ��ーム20の第1層部21の部分21dに接続するとと� �に外フレーム30の第1層部31の部分31dに接続し て部分21d,31dを電気的に接続し、トーション� �ー52は、内フレーム20の第1層部21の部分21eに� ��続するとともに外フレーム30の第1層部31の� �分31eに接続して部分21e,31eを電気的に接続し� ��トーションバー53は、内フレーム20の第1層� �21の部分21fに接続するとともに外フレーム30� ��第1層部31の部分31fに接続して部分21f,31fを電 気的に接続する。このような一対の連結部50� ��、内フレーム20の揺動動作の軸心A2を規定す る。外フレーム30の側から内フレーム20の側� �かけて間隔が漸増する二本のトーションバ� �51,53を含む各連結部50は、内フレーム20の揺� �動作における不要な変位成分の発生を抑制� �るのに好適である。

 検出用電極61は、第2シリコン層に由来す� ��部位である。また、図3および図5に示すよ� �に、検出用電極61は、上記の絶縁層に由来す る絶縁層12を介してランド部10に接合されて� �り、ランド部10および絶縁層12を貫通する導� ��プラグ11を介して、検出用電極61およびラン ド部10は電気的に接続されている。

 検出用電極62Aは、第1シリコン層に由来す る部位である。図5に示すように、検出用電� �62Aは、内フレーム20の第1層部21の部分21bから ランド部10側へ延出し、検出用電極61に対向� �る部位を有する。また、検出用電極62Aは、� �数の開口部を有する。

 検出用電極62Bは、第1シリコン層に由来す る部位である。図5に示すように、検出用電� �62Bは、内フレーム20の第1層部21の部分21eから ランド部10側へ延出し、検出用電極61に対向� �る部位を有する。また、検出用電極62Bは、� �数の開口部を有する。

 駆動用電極71Aは、第1シリコン層に由来す る櫛歯型電極であり、図1に示すように、内� �レーム20における部分21cから延出する複数の 電極歯71aからなる。複数の電極歯71aは、例え ば図1および図6に示すように、相互に平行で� ��る。

 駆動用電極71Bは、第1シリコン層に由来す る櫛歯型電極であり、内フレーム20における� ��分21fから延出する複数の電極歯71bからなる� ��複数の電極歯71bは、相互に平行である。

 駆動用電極72Aは、第1シリコン層に由来す る櫛歯型電極であり、駆動用電極71Aに対向し て配置され、外フレーム30における部分31gか� ��延出する複数の電極歯72aからなる。複数の� ��極歯72aは、例えば図1および図6に示すよう� �、相互に平行であり、また、上述の駆動用� �極71Aの電極歯71aとも平行である。

 駆動用電極72Bは、第1シリコン層に由来す る櫛歯型電極であり、駆動用電極71Bに対向し て配置され、外フレーム30における部分31hか� ��延出する複数の電極歯72bからなる。複数の� ��極歯72bは、相互に平行であり、また、上述� ��駆動用電極71Bの電極歯71bとも平行である。

 パッケージング部材80は、センシングデ� �イスYの外フレーム30の第1層部31側に接合さ� �ており、センシングデバイスYの可動部に対� ��する箇所に凹部80aを有する。また、パッケ� ��ジング部材80は、例えば図3や図5に示すよう に、第1部位81および当該第1部位81よりも薄い 第2部位82を有し、第2部位82には貫通孔82aが形 成されている。第1部位81の厚さは例えば50~200 μmである。第2部位82の厚さは、第1部位81の厚 さよりも小さい限りにおいて例えば20~100μmで ある。貫通孔82aの直径は例えば20~100μmである 。図3、図5、図7、および図8に示すように、� �ンシングデバイスYにおける外部接続用の端� ��部である部分31a~31hの各々は、貫通孔82aに部 分的に臨む。すなわち、端子部たる部分31a~31 hはいずれも、貫通孔82aを介して部分的にパ� �ケージ外に露出している。

 パッケージング部材90は、センシングデ� �イスYの外フレーム30の第2層部32側に接合さ� �ており、センシングデバイスYの可動部に対� ��する箇所に凹部90aを有する。これらパッケ� ��ジング部材80,90により、センシングデバイ� �Yは封止されている。

 以上のような構成を有するパッケージド� ��バイスX1は、ワイヤボンディングによって� �部回路と接続され得る。具体的には、パッ� �ージング部材80の各貫通孔82aにて露出してい る各端子部(部分31a~31h)と外部回路の所定の端 子部とが、ワイヤボンディングによって電気 的に接続され得る。

 角速度センサたるセンシングデバイスYの 駆動時には、可動部(ランド部10、内フレーム 20、駆動用電極61,62A,62B)は、所定の振動数な� �し周期で軸心A2まわりに揺動動作される。こ の揺動動作は、駆動用電極71A,72A間への電圧� �加と、駆動用電極71B,72B間への電圧印加とを� ��交互に繰り返すことによって実現される。� ��の際、駆動用電極71Aへの電位付与は、外フ� ��ーム30における部分31c、一方の連結部50のト ーションバー53、および、内フレーム20にお� �る部分21cを介して、実現することができる� �駆動用電極71Bへの電位付与は、外フレーム30 における部分31f、他方の連結部50のトーショ� ��バー53、および、内フレーム20における部分 21fを介して、実現することができる。駆動用 電極72Aへの電位付与は、外フレーム30におけ� ��部分31gを介して、実現することができる。� ��動用電極72Bへの電位付与は、外フレーム30� �おける部分31hを介して、実現することがで� �る。本実施形態では、例えば、駆動用電極71 A,71Bをグラウンド接続したうえで、駆動用電� ��72Aへの所定電位の付与と駆動用電極72Bへの� ��定電位の付与とを交互に繰り返すことによ� ��て、可動部を揺動動作させることができる� ��

 例えば上述のようにして可動部を揺動動� ��ないし振動させている状態において、セン� ��ングデバイスYないし可動部に所定の角速度 や加速度が作用すると、ランド部10が検出用� ��極61を伴って軸心A1まわりに所定程度に回転 変位し、検出用電極61において検出用電極62A� ��対向する部位と検出用電極62Aとの間の空隙� ��積が変化するとともに、検出用電極61にお� �て検出用電極62Bに対向する部位と検出用電� �62Bとの間の空隙体積が変化する(検出用電極6 1と検出用電極62A,62Bとは、相対的に接近離反� ��可能である)。これら空隙体積が変化すると 、検出用電極61,62A間の静電容量および検出用 電極61,62B間の静電容量が変化する。検出用電 極61,62A間の静電容量の変化と、検出用電極61, 62B間の静電容量の変化とに基づいて、ランド 部10および検出用電極61の回転変位量を検出� �ることができる。その検出結果に基づき、� �ンシングデバイスYないし可動部に作用する� ��速度や加速度を算出することが可能である� ��

 図9から図13は、マイクロマシニング技術� ��よってパッケージドデバイスX1を製造する� �めの方法を表す。図9から図12は、単一のデ� �イス形成区画に含まれる図5に対応する断面� ��変化を表したものである。図13は、複数の� �バイス形成区画にわたる部分断面を表す。

 パッケージドデバイスX1の製造において� �、まず、図9(a)に示すようなデバイスウエハ1 00を用意する。デバイスウエハ100は、シリコ� ��層101,102と、当該シリコン層101,102間の絶縁� �103とからなる積層構造を有するSOIウエハで� �り、各々にセンシングデバイスYが形成され� ��こととなる複数のデバイス形成区画を含む� ��シリコン層101は第1面101’を有し、シリコン 層102は第2面102’を有する。また、シリコン� �101,102は、不純物をドープすることにより導� ��性を付与されたシリコン材料よりなる。不� ��物としては、Bなどのp型不純物や、PおよびS bなどのn型不純物を採用することができる。� ��縁層103は例えば酸化シリコンよりなる。シ� ��コン層101の厚さは例えば10~100μmであり、シ� ��コン層102の厚さは例えば100~500μmであり、絶 縁層103の厚さは例えば1~2μmである。

 次に、図9(b)に示すように、シリコン層101 および絶縁層103を貫通する貫通孔101aを形成� �る。具体的には、まず、所定の開口部を有� �るレジストパターン(図示略)をシリコン層101 上に形成した後、当該レジストパターンをマ スクとして利用して、DRIE(Deep Reactive Ion Etch ing)により、絶縁層103が部分的に露出するま� �シリコン層101に対して異方性ドライエッチ� �グ処理を施す。DRIEでは、エッチングと側壁� ��護とを交互に行うBoschプロセスにおいて、� �好な異方性ドライエッチングを行うことが� �きる。本工程および後出のDRIEについては、� ��のようなBoschプロセスを採用することがで� �る。この後、絶縁層103において露出した部� �を、他のエッチング方法(例えば、フッ酸と� ��ッ化アンモニウムからなるバッファードフ� ��酸〔BHF〕によるウェットエッチング方法)に より、除去する。このようにして、貫通孔101 aを形成することができる。

 次に、図9(c)に示すように、導電プラグ11� ��形成する。具体的には、貫通孔101a内を導電 材料で充填することによって導電プラグ11を� ��成することができる。

 次に、図9(d)に示すように、シリコン層101 上に酸化膜パターン104を形成し、シリコン層 102上に酸化膜パターン105を形成する。また、 シリコン層101上に図外のレジストパターンも 形成する。レジストパターンは、シリコン層 101にて形成されるべき駆動用電極71A(電極歯71 a)および駆動用電極71B(電極歯71b)に対応する� �ターン形状を有する。酸化膜パターン104は� �シリコン層101にて形成されるべき駆動用電� �71A,71B以外の部位に対応するパターン形状を� ��する。酸化膜パターン105は、シリコン層102� ��て形成されるべき部位に対応するパターン� ��状を有する。

 酸化膜パターン104の形成においては、ま� ��、CVD法により、シリコン層101の表面に、厚� ��が例えば1μmとなるまで例えば酸化シリコン を成膜する。次に、シリコン層101上の当該酸 化膜について、所定のレジストパターンをマ スクとして利用して行うエッチングによりパ ターニングする。酸化膜パターン105について も、酸化物材料の成膜、酸化膜上のレジスト パターンの形成、およびその後のエッチング 処理、を経てシリコン層102上に形成すること ができる。一方、レジストパターンの形成に おいては、まず、シリコン層101上に液状の所 定のフォトレジストをスピンコーティングに より成膜する。次に、露光処理およびその後 の現像処理を経て、当該フォトレジスト膜を パターニングする。

 次に、図10(a)に示すように、酸化膜パタ� �ン104および図外のレジストパターンをマス� �として利用して、DRIEにより、シリコン層101� ��厚さ方向の途中の深さまで、シリコン層101� ��対してエッチング処理を施す。当該深さは� ��駆動用電極71A,71Bの高さに略相当する。

 次に、図外のレジストパターンを除去し� ��後、図10(b)に示すように、酸化膜パターン10 4をマスクとして利用して、DRIEにより、シリ� ��ン層101に対してエッチング処理を施す。本� ��程にて、シリコン層101において形成される� ��きランド部10、内フレーム20の一部、外フレ ーム30の一部、連結部40,50、検出用電極62A,62B� ��および駆動用電極71A,71B,72A,72Bが成形される� ��ととなる。本工程の後、酸化膜パターン104� ��除去する。

 次に、図10(c)に示すように、デバイスウ� �ハ100のシリコン層101側にパッケージングウ� �ハ201を接合する(第1接合工程)。パッケージ� �グウエハ201は、各々にパッケージング部材80 が形成されることとなる複数のパッケージン グ部材形成区画を含み、当該区画ごとに凹部 80aを有する。

 図14は、図10(c)に示すパッケージングウエ ハ201の断面に対応する断面の変化として、パ ッケージングウエハ201の作製方法を表す。

 パッケージングウエハ201の製造において� ��、まず、図14(a)に示すように、ウエハ201’� �に酸化膜パターン202,203を形成する。ウエハ2 01’はシリコンウエハである。ウエハ201’の� ��さは例えば200~500μmである。酸化膜パターン 202,203は例えば酸化シリコンよりなる。酸化� �パターン202,203の厚さは例えば0.1~2μmである� �このような酸化膜パターン202,203は、例えば� ��熱酸化法によってウエハ201’表面に酸化膜� ��形成した後、当該酸化膜をパターニングす� ��ことによって形成することができる。

 次に、図14(b)に示すように、ウエハ201’� �凹部80aを形成する。酸化膜パターン203のパ� �ーニングの際に用いたレジストパターン(図� ��略)をマスクとして利用して、ウエハ201’に 対してドライエッチング処理を施すことによ って、凹部80aを形成することができる。

 次に、図14(c)に示すように、ウエハ201’� �に酸化膜パターン202を覆うようにしてレジ� �トパターン204を形成する。レジストパター� �204は開口部204aを有する。

 次に、図14(d)に示すように凹部82a’を形� �する。具体的には、レジストパターン204を� �スクとして利用して、DRIEにより、ウエハ201� ��の厚さ方向の途中の深さまで、ウエハ201’� ��対してエッチング処理を施す。この後、例� ��ば剥離液を使用して、レジストパターン204� ��除去する。

 図10(c)に示す接合工程では、以上のよう� �して形成されたパッケージングウエハ201と� �デバイスウエハ100とを位置合わせしつつ、� �バイスウエハ100のシリコン層101の第1面101’� ��、パッケージングウエハ201上の酸化膜パタ� ��ン203(絶縁膜)とを接合する。このとき、正� �な位置合わせを行うべく、パッケージング� �エハ201に既に形成されている各凹部82a’と� �デバイスウエハ100に既に形成されている各� �子部(部分31a~31h)とを位置合わせする。本接� �工程は例えば常温接合法により行う。常温� �合法とは、高真空中で、接合する表面の不� �物をArビームなどによってエッチング除去し て当該接合表面を清浄化した状態(構成原子� �ダングリングボンドを露出させた状態)で、� ��材間を張り合わせる手法である。

 パッケージドデバイスX1の製造において� �、次に、図10(d)に示すように、酸化膜パター ン105をマスクとして利用して、DRIEにより、� �リコン層102に対してエッチング処理を施す� �本工程にて、シリコン層102において形成さ� �るべき内フレーム20の一部、外フレーム30の� ��部、および検出用電極61が成形されること� �なる。

 次に、図11(a)に示すように、絶縁層103に� �いて露出している箇所、および酸化膜パタ� �ン105を、エッチング除去する。エッチング� �法としては、ドライエッチングまたはウェ� �トエッチングを採用することができる。ド� �イエッチングを採用する場合、エッチング� �スとしては、例えばHFガスなどを採用するこ とができる。ウェットエッチングを採用する 場合、エッチング液としては、例えばBHFを使 用することができる。

 次に、図11(b)に示すように、デバイスウ� �ハ100のシリコン層102側にパッケージングウ� �ハ205を接合する(第2接合工程)。接合手法と� �ては例えば常温接合法を採用することがで� �る。例えば常温接合法によって第2接合工程� ��行う場合、パッケージ内は真空封止される� ��ととなる。パッケージングウエハ205は、各� ��にパッケージング部材90が形成されること� �なる複数のパッケージング部材形成区画を� �み、当該区画ごとに凹部90aを有する(凹部90a� ��、例えば、未加工のパッケージングウエハ2 05上に所定の酸化膜パターンを形成した後、� ��該酸化膜パターンをマスクとして利用して� ��ッケージングウエハ205に対してエッチング� ��理を施すことによって形成することができ� ��)。本工程を経ることによって、ウエハレベ ルでのパッケージングが達成される。

 次に、図11(c)に示すように、例えばDRIEま� ��は研磨処理を施すことによって、パッケー� ��ングウエハ205を薄肉化する。

 次に、図12(a)に示すように、酸化膜パタ� �ン202をマスクとして利用して、DRIEにより、� ��ッケージングウエハ201ないしウエハ201’の� ��さ方向の途中の深さまで、パッケージング� ��エハ201ないしウエハ201’に対してエッチン� ��処理を施す。これにより、ウエハ201’にお� ��て酸化膜パターン202によって覆われていな� ��領域が薄肉化される。また、このとき、パ� ��ケージングウエハ201内にて凹部82a’は図中� ��方に延びる。この後、酸化膜パターン202を� ��去する。

 次に、図12(b)に示すように、DRIEにより、� ��ッケージングウエハ201ないしウエハ201’に� ��してエッチング処理を施す。本工程にて、� ��エハ201’において酸化膜パターン202によっ� ��覆われていた領域は薄肉化され且つウエハ2 01’において酸化膜パターン202によって覆わ� ��ていなかった領域は更に薄肉化されて、各� ��ッケージング部材80における第1部位81およ� �薄肉の第2部位82が形成される。また、凹部82 a’は、ウエハ201’を貫通して酸化膜パター� �203に至ることとなる。

 次に、図12(c)に示すように、酸化膜パタ� �ン203において凹部82a’に臨む箇所をエッチ� �グ除去する。本工程にて、各パッケージン� �部材80における貫通孔82aが形成されることと なる。

 次に、図13(a)および図13(b)に示すように、 デバイスウエハ100およびパッケージングウエ ハ201,205よりなる積層構造体を切断する(ダイ� ��ング工程)。以上のようにして、本発明の第 1の実施形態に係るパッケージドデバイスX1を 製造することができる。

 本方法によると、ウエハレベルでのパッ� ��ージングを達成することができるので、マ� ��クロ可動素子たるセンシングデバイスYの各 部のゴミの付着や損傷に起因する、可動部の 動作性能の悪化を抑制することができる。

 本方法におけるパッケージングウエハ201� ��、製造されるパッケージドデバイスX1にお� �るパッケージング部材80を形成するための複 数の区画を含むものであるところ、上述の第 1接合工程に供されるパッケージングウエハ20 1ないしウエハ201’の厚さは、パッケージン� �部材80の厚さと同じではなく、パッケージン グ部材80よりも厚いパッケージングウエハ201� ��いしウエハ201’が第1接合工程に供される。 そして、ウエハレベルパッケージングが達成 された後(第1および第2接合工程が共に終了し た後)、デバイスウエハ100に接合して破損し� �くくなった状態にあるパッケージングウエ� �201に対して加工が施されることによって、� �ッケージングウエハ201は所望の程度に薄肉� �される(図12(a)を参照して上述した工程から� �12(c)を参照して上述した工程までは、本発明 における第1パッケージングウエハ加工工程� �構成する)。パッケージング部材80はこのよ� �にして薄肉化されたパッケージングウエハ20 1に由来する。このように、本方法は、パッ� �ージング部材80を薄肉化しやすく、従って、 製造されるパッケージドデバイスX1ないしパ� ��ケージの薄型化に適している。

 また、本方法における第1接合工程に供さ れるパッケージングウエハ201は、破損しにく く、取り扱いやすい。本方法における第1接� �工程に供されるパッケージングウエハ201に� �、当該ウエハを貫通する開口部が形成され� �いないからである。センシングデバイスYの� ��子部たる部分31a~31hをパッケージ外に露出さ せるためにパッケージング部材80に形成され� ��べき貫通孔82aは、ウエハレベルパッケージ� ��グが達成された後(第1および第2接合工程が� ��に終了した後)、デバイスウエハ100に接合し て破損しにくくなった状態にあるパッケージ ングウエハ201に対して加工が施されることに よって形成される。

 以上のように、本方法は、デバイスウエ� ��100に接合される前のパッケージングウエハ2 01の強度ないし取り扱いやすさを確保しつつ� ��得られるパッケージの薄型化に適している� ��である。

 加えて、本方法によって製造されるパッ� ��ージドデバイスX1のパッケージング部材80に おいては、第1部位81よりも更に薄肉の第2部� �82に貫通孔82aが設けられているところ、この ような構成は、各貫通孔82aにて部分的に露出 する端子部(部分31a~31h)に対してワイヤボンデ ィングするのに好適である。

 本方法によって製造されるパッケージド� ��バイスX1においては、パッケージング部材80 は酸化膜パターン203(絶縁膜)を介してセンシ� ��グデバイスYに対して接合されている。酸化 膜パターン203によって、センシングデバイス Yとパッケージング部材80とが電気的に分離さ れ、センシングデバイスYの各部がパッケー� �ング部材80を介して不当に電気的に接続する のを、回避することができる。

 パッケージドデバイスX1においては、酸� �膜などの絶縁膜を介してセンシングデバイ� �Yとパッケージング部材90を接合してもよい� �この場合、当該絶縁膜によって、センシン� �デバイスYとパッケージング部材90とが電気� �に分離され、センシングデバイスYの各部が� ��ッケージング部材90を介して不当に電気的� �接続するのを、回避することができる。

 また、パッケージドデバイスX1における� �ッケージング部材80の各貫通孔82aの少なくと も開口端は、センシングデバイスYから遠ざ� �るにつれて広がる形状を有してもよい。こ� �ような構成においては、各貫通孔82aにて部� �的に露出する端子部(部分31a~31h)に対してワ� �ヤボンディングしやすい。

 図15から図22は、本発明の第2の実施形態� �係るパッケージドデバイスX2を表す。図15は� ��ッケージドデバイスX2の一部省略平面図で� �り、図16はパッケージドデバイスX2の他の一� ��省略平面図である。図17から図22は、各々、 図15の線XVII-XVII、線XVIII-XVIII、線XIX-XIX、線XX-X X、線XXI-XIXI、および線XXII-XXIIに沿った断面図 である。

 パッケージドデバイスX2は、センシング� �バイスYと、パッケージング部材85(図15にお� �て省略)と、パッケージング部材90(図16にお� �て省略)とを備え、パッケージング部材80に� �えてパッケージング部材85を備える点におい て上述のパッケージドデバイスX1と異なる。

 パッケージング部材85は、例えば図17に示 すように、センシングデバイスYの外フレー� �30の第1層部31側に接合されており、センシン グデバイスYの可動部に対応する箇所に凹部85 aを有する。また、パッケージング部材85には 複数の貫通孔85bが形成されている。貫通孔85a の深さは例えば50~100μmであり、貫通孔85aの直 径は例えば50~100μmである。センシングデバイ スYにおける外部接続用の端子部である部分31 a~31hの各々は、貫通孔85bに部分的に臨む。す� ��わち、端子部たる部分31a~31hはいずれも、貫 通孔85bを介して部分的にパッケージ外に露出 している。

 パッケージドデバイスX2のセンシングデ� �イスYの構成およびパッケージング部材90の� �成は、パッケージドデバイスX1のセンシング デバイスYの構成およびパッケージング部材90 の構成と同じである。

 以上のような構成を有するパッケージド� ��バイスX2は、ワイヤボンディングによって� �部回路と接続され得る。具体的には、パッ� �ージング部材85の各貫通孔85bにて露出してい る各端子部(部分31a~31h)と外部回路の所定の端 子部とが、ワイヤボンディングによって電気 的に接続され得る。そして、パッケージドデ バイスX2は、パッケージドデバイスX1と同様� �して駆動することができる。

 図23から図27は、マイクロマシニング技術 によってパッケージドデバイスX2を製造する� ��めの方法を表す。図23から図26は、単一のデ バイス形成区画に含まれる図19に対応する断� ��の変化を表したものである。図27は、複数� �デバイス形成区画にわたる部分断面を表す� �

 パッケージドデバイスX2の製造において� �、まず、図23(a)に示すようなデバイスウエハ 100を用意する。次に、図23(b)に示すように、� ��リコン層101および絶縁層103を貫通する貫通� ��101aを形成する。次に、図23(c)に示すように� ��導電プラグ11を形成する。次に、図23(d)に示 すように、シリコン層101上に酸化膜パターン 104を形成し、シリコン層102上に酸化膜パター ン105を形成する。また、シリコン層101上に図 外のレジストパターンも形成する。次に、図 24(a)に示すように、酸化膜パターン104および� ��外のレジストパターンをマスクとして利用� ��て、DRIEにより、シリコン層101の厚さ方向の 途中の深さまで、シリコン層101に対してエッ チング処理を施す。次に、図外のレジストパ ターンを除去した後、図24(b)に示すように、� ��化膜パターン104をマスクとして利用して、D RIEにより、シリコン層101に対してエッチング 処理を施す。本工程にて、シリコン層101にお いて形成されるべきランド部10、内フレーム2 0の一部、外フレーム30の一部、連結部40,50、� ��出用電極62A,62B、および駆動用電極71A,71B,72A, 72Bが成形されることとなる。図23(a)から図24(b )までの工程は、パッケージドデバイスX1の製 造方法について図9(a)から図10(b)までを参照し て上述した工程と同様である。

 パッケージドデバイスX2の製造において� �、次に、図24(c)に示すように、デバイスウエ ハ100のシリコン層101側にパッケージングウエ ハ206を接合する(第1接合工程)。パッケージン グウエハ206は、各々にパッケージング部材85� ��形成されることとなる複数のパッケージン� ��部材形成区画を含み、当該区画ごとに凹部8 5aを有する。

 図28は、図24(c)に示すパッケージングウエ ハ206の断面に対応する断面の変化として、パ ッケージングウエハ206の作製方法を表す。

 パッケージングウエハ206の製造において� ��、まず、図28(a)に示すように、ウエハ206’� �にレジストパターン207および酸化膜パター� �208を形成する。ウエハ206’はシリコンウエ� �である。ウエハ206’の厚さは例えば200~500μm� ��ある。レジストパターン207は開口部207aを有 する。酸化膜パターン208は例えば酸化シリコ ンよりなる。酸化膜パターン208の厚さは例え ば0.1~2μmである。このような酸化膜パターン2 08は、例えば、熱酸化法によってウエハ206’� ��面に酸化膜を形成した後、当該酸化膜をパ� ��ーニングすることによって形成することが� ��きる。

 次に、図28(b)に示すように、ウエハ206’� �凹部85aを形成する。酸化膜パターン208のパ� �ーニングの際に用いたレジストパターン(図� ��略)をマスクとして利用して、ウエハ206’に 対してドライエッチング処理を施すことによ って、凹部85aを形成することができる。

 次に、図28(c)に示すように凹部85b’を形� �する。具体的には、レジストパターン207を� �スクとして利用して、DRIEにより、ウエハ206� ��の厚さ方向の途中の深さまで、ウエハ206’� ��対してエッチング処理を施す。この後、例� ��ば剥離液を使用して、レジストパターン207� ��除去する。

 図24(c)に示す接合工程では、デバイスウ� �ハ100と以上のようにして形成されたパッケ� �ジングウエハ206とを位置合わせしつつ、デ� �イスウエハ100のシリコン層101の第1面101’と� ��パッケージングウエハ206上の酸化膜パター� ��208(絶縁膜)とを接合する。このとき、正確� �位置合わせを行うべく、パッケージングウ� �ハ206に既に形成されている各凹部85b’と、� �バイスウエハ100に既に形成されている各端� �部(部分31a~31h)とを位置合わせする。本接合� �程は例えば常温接合法により行う。

 パッケージドデバイスX2の製造において� �、次に、図24(d)に示すように、酸化膜パター ン105をマスクとして利用して、DRIEにより、� �リコン層102に対してエッチング処理を施す� �本工程にて、シリコン層102において形成さ� �るべき内フレーム20の一部、外フレーム30の� ��部、および検出用電極61が成形されること� �なる。

 次に、図25(a)に示すように、絶縁層103に� �いて露出している箇所、および酸化膜パタ� �ン105を、エッチング除去する。次に、図25(b) に示すように、デバイスウエハ100のシリコン 層102側にパッケージングウエハ205を接合する (第2接合工程)。例えば常温接合法によって第 2接合工程を行う場合、パッケージ内は真空� �止されることとなる。次に、図25(c)に示すよ うに、例えばDRIEまたは研磨処理を施すこと� �よって、パッケージングウエハ205を薄肉化� �る。図25(a)から図25(c)までの工程は、パッケ� ��ジドデバイスX1の製造方法について図11(a)か ら図11(c)までを参照して上述した工程と同様� ��ある。

 次に、図26(a)に示すように、DRIEにより、� ��ッケージングウエハ206ないしウエハ206’に� ��してエッチング処理を施して、パッケージ� ��グウエハ206を薄肉化する。本工程にて、凹� ��85b’はウエハ206’を貫通して酸化膜パター� ��208に至ることとなる。

 次に、図26(b)に示すように、酸化膜パタ� �ン208において凹部85b’に臨む箇所をエッチ� �グ除去する。本工程にて、各パッケージン� �部材85における貫通孔85bが形成されることと なる。

 次に、図27(a)および図27(b)に示すように、 デバイスウエハ100およびパッケージングウエ ハ205,206よりなる積層構造体を切断する(ダイ� ��ング工程)。以上のようにして、本発明の第 2の実施形態に係るパッケージドデバイスX2を 製造することができる。

 本方法によると、ウエハレベルでのパッ� ��ージングを達成することができるので、マ� ��クロ可動素子たるセンシングデバイスYの各 部のゴミの付着や損傷に起因する、可動部の 動作性能の悪化を抑制することができる。

 本方法におけるパッケージングウエハ206� ��、製造されるパッケージドデバイスX2にお� �るパッケージング部材85を形成するための複 数の区画を含むものであるところ、上述の第 1接合工程に供されるパッケージングウエハ20 6ないしウエハ206’の厚さは、パッケージン� �部材85の厚さと同じではなく、パッケージン グ部材85よりも厚いパッケージングウエハ206� ��いしウエハ206’が第1接合工程に供される。 そして、ウエハレベルパッケージングが達成 された後(第1および第2接合工程が共に終了し た後)、デバイスウエハ100に接合して破損し� �くくなった状態にあるパッケージングウエ� �206に対して加工が施されることによって、� �ッケージングウエハ206は所望の程度に薄肉� �される(図26(a)を参照して上述した工程およ� �図26(b)を参照して上述した工程は、本発明に おける第1パッケージングウエハ加工工程を� �成する)。パッケージング部材85はこのよう� �して薄肉化されたパッケージングウエハ206� �由来する。このように、本方法は、パッケ� �ジング部材85を薄肉化しやすく、従って、製 造されるパッケージドデバイスX2ないしパッ� ��ージの薄型化に適している。

 また、本方法における第1接合工程に供さ れるパッケージングウエハ206は、破損しにく く、取り扱いやすい。本方法における第1接� �工程に供されるパッケージングウエハ206に� �、当該ウエハを貫通する開口部が形成され� �いないからである。センシングデバイスYの� ��子部たる部分31a~31hをパッケージ外に露出さ せるためにパッケージング部材85に形成され� ��べき貫通孔85bは、ウエハレベルパッケージ� ��グが達成された後(第1および第2接合工程が� ��に終了した後)、デバイスウエハ100に接合し て破損しにくくなった状態にあるパッケージ ングウエハ206に対して加工が施されることに よって形成される。

 以上のように、本方法は、デバイスウエ� ��100に接合される前のパッケージングウエハ2 06の強度ないし取り扱いやすさを確保しつつ� ��得られるパッケージの薄型化に適している� ��である。

 本方法によって製造されるパッケージド� ��バイスX2においては、パッケージング部材85 は酸化膜パターン208(絶縁膜)を介してセンシ� ��グデバイスYに対して接合されている。酸化 膜パターン208によって、センシングデバイス Yとパッケージング部材85とが電気的に分離さ れ、センシングデバイスYの各部がパッケー� �ング部材85を介して不当に電気的に接続する のを、回避することができる。

 パッケージドデバイスX2においては、酸� �膜などの絶縁膜を介してセンシングデバイ� �Yとパッケージング部材90を接合してもよい� �この場合、当該絶縁膜によって、センシン� �デバイスYとパッケージング部材90とが電気� �に分離され、センシングデバイスYの各部が� ��ッケージング部材90を介して不当に電気的� �接続するのを、回避することができる。

 また、パッケージドデバイスX2における� �ッケージング部材85の各貫通孔85bの少なくと も開口端は、センシングデバイスYから遠ざ� �るにつれて広がる形状を有してもよい。こ� �ような構成においては、各貫通孔85bにて部� �的に露出する端子部(部分31a~31h)に対してワ� �ヤボンディングしやすい。