Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/146404
Kind Code:
A1
Abstract:
A storage medium, into which a test pattern that intersects with a plurality of tracks arranged at specified intervals and extends continuously over a plurality of tracks is written, includes a target track writing section for writing the test pattern into a target track that is a specified track intersecting with the test pattern, and a test pattern reading section for reading the test pattern in a state where data is overwritten by the target track writing section.

Inventors:
YAMADA YUICHI (JP)
Application Number:
PCT/JP2007/061172
Publication Date:
December 04, 2008
Filing Date:
June 01, 2007
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
FUJITSU LTD (JP)
YAMADA YUICHI (JP)
International Classes:
G11B5/455
Foreign References:
JP2006190486A2006-07-20
Attorney, Agent or Firm:
AKAZAWA, Hideo (67-3 Nakano 5-chom, Nakano-ku Tokyo 01, JP)
Download PDF:
Claims:
 所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンが書き込まれた記憶媒体において、前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックへの書き込みを行う対象トラック書き込み部と、
 前記対象トラック書き込み部により上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取り部と
 を備える記憶装置。
 請求の範囲第1項に記載の記憶装置において、
 前記対象トラック書き込み部は、前記対象トラックへ複数回の書き込みを行う記憶装置。
 請求の範囲第1項に記載の記憶装置において、
 前記対象トラック書き込み部による前記対象トラックへの書き込みは、前記対象トラックのイレーズである記憶装置。
 請求の範囲第1項に記載の記憶装置において、
 前記試験パターン読み取り部は、前記試験パターンに沿ったヘッドの位置と、該位置における前記試験パターンの読み取り結果とを出力する記憶装置。
 請求の範囲第4項に記載の記憶装置において、
 前記読み取り結果は、ヘッドからの出力電圧、読み取った前記試験パターンのエラーレート、読み取った前記試験パターンのVTMのいずれかである記憶装置。
 請求の範囲第1項に記載の記憶装置において、
 前記記憶媒体には、複数のサーボパターンが書き込まれており、複数の所定のサーボパターンの間に少なくとも1つの前記試験パターンが書き込まれている記憶装置。
 請求の範囲第6項に記載の記憶装置において、
 前記記憶媒体は、磁気ディスクであり、
 前記サーボパターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
 前記試験パターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
 前記トラックは、前記磁気ディスクの円周方向に書き込まれる記憶装置。
 請求の範囲第7項に記載の記憶装置において、
 前記試験パターンは、前記対象トラックにおけるSkew角が所定値以上となる領域に書き込まれている記憶装置。
 所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンを記憶媒体に書き込む試験パターン書き込みステップと、
 前記記憶媒体における前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックに書き込みを行う対象トラック書き込みステップと、
 前記対象トラック書き込みステップにより上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取りステップと
 を備える記憶装置制御方法。
 請求の範囲第9項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記対象トラック書き込みステップは、前記対象トラックへ複数回の書き込みを行う記憶装置制御方法。
 請求の範囲第9項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記対象トラック書き込みステップによる前記対象トラックへの書き込みは、前記対象トラックのイレーズである記憶装置制御方法。
 請求の範囲第9項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記試験パターン読み取りステップは、前記試験パターンに沿ったヘッドの位置と、該位置における前記試験パターンの読み取り結果とを出力する記憶装置制御方法。
 請求の範囲第12項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記読み取り結果は、ヘッドからの出力電圧、読み取った前記試験パターンのエラーレート、読み取った前記試験パターンのVTMのいずれかである記憶装置制御方法。
 請求の範囲第9項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記試験パターン書き込みステップは、前記記憶媒体へ複数のサーボパターンを書き込むと共に、前記サーボパターンの間に少なくとも1つの前記試験パターンを書き込む記憶装置制御方法。
 請求の範囲第14項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記記憶媒体は、磁気ディスクであり、
 前記サーボパターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
 前記試験パターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
 前記トラックは、前記磁気ディスクの円周方向に書き込まれる記憶装置制御方法。
 請求の範囲第15項に記載の記憶装置制御方法において、
 前記試験パターンは、前記対象トラックにおけるSkew角が所定値以上となる領域に書き込まれている記憶装置制御方法。
Description:
記憶装置、記憶装置制御方法

 本発明は、記憶装置におけるヘッドの漏 磁界を検出するための記憶装置、記憶装置 御方法に関するものである。

 HDD(Hard Disk Drive)装置を長期にわたって使 用する場合、1つのトラックに繰り返しライ が行われると、そのトラックの近傍トラッ (隣接あるいは2つ以上離れたトラック)のデ タが消去される現象が懸念されている。こ 現象は、ライト素子の形状やライト電流の 印加などにより、ライトギャップ以外の部 から漏れ磁界が発生することを原因とする のである。これらの漏れ磁界は微弱である め、数回のライトでは悪影響を及ぼさない 、数千回あるいはそれ以上の繰り返しライ により、近傍トラックのデータに悪影響を ぼす。上述した現象は、データ保障の観点 ら、出荷されたHDD装置にあってはならない

 上述した現象を検出するためのイレーズ 験について説明する。まず、HDD装置は、対 トラックの両側(インナ側/アウタ側)の数ト ック~数十トラック(近傍トラック)にデータ 書き込む。次に、HDD装置は、対象トラック 複数回(数百~数万回)ライトを行う。次に、H DD装置は、近傍トラックの特性を測定し、仕 を満たしているか否かを判定する。ここで 特性とは、ヘッドの出力電圧、読み取った 傍トラックのエラーレート、読み取った近 トラックのVTM(Viterbi Trellis Margin)等である また、仕様とは、特性の絶対値のしきい値 特性の悪化量のしきい値等である。

 図13は、イレーズ試験の第1の例を示す平 図である。この図は、イレーズ試験におけ 媒体上のトラックA,B,Cと、上部磁極71、下部 磁極72、ライトギャップ73、漏れ磁界74の位置 関係を示す。ここでは、ライトギャップ73が ラックB上に位置し、漏れ磁界74がトラックC 上に位置する場合を示す。漏れ磁界74は、こ 図のように磁極の先端などに発生する。こ 状態で、ライトギャップ73がトラックBへの り返しライトを行うと、漏れ磁界74がトラ クCのデータパターンを消去するため、漏れ 界74の発生が検出される。

 なお、本発明の関連ある従来技術として、 接シリンダに記録されたサーボ情報に対し ギャップイレーズフィールドが及ぼす影響 最小化させるディスクドライブでのサーボ 報の記録/検査方法がある(例えば、特許文 1参照)。

特開2004-79167号公報

 上述したイレーズ試験は、近傍トラック 消去を引き起こす漏れ磁界が必ず近傍トラ ク上にあり、近傍トラックの特性に悪影響 及ぼすことを前提としている。しかし、ラ トヘッドの形状や測定箇所のSkew角などによ って漏れ磁界がトラックの間やトラックの端 に位置した場合、測定結果に影響が出ず、試 験を通過してしまう場合がある。

 図14は、イレーズ試験の第2の例を示す平 図である。この図は、イレーズ試験におけ 媒体上のトラックA,B,Cと、ヘッド、漏れ磁 74の位置関係を示す。ヘッドは、上部磁極71 下部磁極72、ライトギャップ73を備える。こ こで、トラック幅は0.2~0.3μm程度、上部磁極71 の幅は0.2~0.3μm程度、上部磁極71の高さは0.01~4 μm程度である。

 ここでは、ライトギャップ73がトラックB に位置し、漏れ磁界74がトラックBとトラッ Cの間に位置する場合を示す。この状態で、 ライトギャップ73がトラックBへの繰り返しラ イトを行っても、漏れ磁界74がデータパター を消去することはないため、漏れ磁界74の 生は検出されない。

 また、この問題を解決するために、複数 Skew角で試験を行う方法がある。しかし、イ レーズ試験は、繰り返しライトを必要とする ために1つのSkew角であっても試験時間が長く 複数のSkew角で試験を行うと試験時間が更に 増大してしまう。

 本発明は上述した問題点を解決するため なされたものであり、記憶装置におけるヘ ドの漏れ磁界を検出するための試験の試験 間を抑えつつ、漏れ磁界の見逃しを防ぐ記 装置、記憶装置制御方法を提供することを 的とする。

 上述した課題を解決するため、本発明は 所定の間隔で配置される複数のトラックと 差し前記複数のトラックに亘って連続する ターンである試験パターンが書き込まれた 憶媒体において、前記試験パターンと交差 る所定のトラックである対象トラックへの き込みを行う対象トラック書き込み部と、 記対象トラック書き込み部により上書きさ た状態の前記試験パターンを読み取る試験 ターン読み取り部とを備える。

 また、本発明は、所定の間隔で配置され 複数のトラックと交差し前記複数のトラッ に亘って連続するパターンである試験パタ ンを記憶媒体に書き込む試験パターン書き みステップと、前記記憶媒体における前記 験パターンと交差する所定のトラックであ 対象トラックに書き込みを行う対象トラッ 書き込みステップと、前記対象トラック書 込みステップにより上書きされた状態の前 試験パターンを読み取る試験パターン読み りステップとを実行する。

本実施の形態に係るSTW装置の構成の一 を示すブロック図である。 本実施の形態に係るSTW装置の動作の一 を示すフローチャートである。 本実施の形態に係るサーボライト処理 一例を示すフローチャートである。 比較例のSTW装置により書き込まれたサ ボパターンの全体の一例を示す平面図であ 。 比較例のSTW装置により書き込まれたサ ボパターンの一部の一例を示す平面図であ 。 本実施の形態に係るSTW装置により書き まれたサーボパターンとイレーズ試験パタ ンの一例を示す拡大図である。 本実施の形態に係るHDD装置の構成の一 を示すブロック図である。 本実施の形態に係るイレーズ試験の動 の一例を示すフローチャートである。 本実施の形態に係る出力プロファイル 第1の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイル の第2の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイル の第3の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイル の第4の例を示すグラフである。 イレーズ試験の第1の例を示す平面図 ある。 イレーズ試験の第2の例を示す平面図 ある。

 以下、本発明の実施の形態について図面 参照しつつ説明する。

 本実施の形態においては、本発明に係る レーズ試験を実現するためのSTW(Servo Track W rite)装置とHDD装置について説明する。

 まず、本実施の形態に係るSTW装置の構成 ついて説明する。

 図1は、本実施の形態に係るSTW装置の構成 の一例を示すブロック図である。このSTW装置 は、コントロールPC(Personal Computer)11、クロッ クパターンジェネレータ21、クロックヘッド 御部22、クロックヘッド23、DSP(Digital Signal  Processor)サーボボード31、パワーアンプセンサ 32、ヘッド34、VCM(Voice Coil Motor)35、スピンド モータドライバ41、SPM(Spindle Motor)42を備え 。STW装置には、複数の媒体51(磁気記憶媒体 磁気ディスク)が取り付けられる。複数の媒 51のうち一番下の媒体はダミー媒体である

 コントロールPC11は、クロックパターンジ ェネレータ21、DSPサーボボード31、スピンド モータドライバ41の制御を行う。クロックパ ターンジェネレータ21は、コントロールPC11か らの指示に従ってクロックパターンを生成し てクロックヘッド制御部22へ送る。クロック ッド制御部22は、クロックパターンをクロ クヘッド23へ送る。クロックヘッド23は、ク ックパターンをダミー媒体へ書き込む。

 DSPサーボボード31は、コントロールPC11か の指示に従ってパワーアンプセンサ32の制 を行う。パワーアンプセンサ32は、DSPサーボ ボード31からの指示に従ってVCM35及びヘッド34 を制御する。VCM35は、パワーアンプセンサ32 らの指示に従ってヘッド34を移動させる。ヘ ッド34は、パワーアンプセンサ32からの信号 媒体51へ書き込む。スピンドルモータドライ バ41は、コントロールPC11からの指示に従って SPM42の制御を行う。SPM42は、スピンドルモー ドライバ41からの指示に従って、複数の媒体 51を駆動する。

 次に、本実施の形態に係るSTW装置の動作 ついて説明する。図2は、本実施の形態に係 るSTW装置の動作の一例を示すフローチャート である。まず、STW装置に媒体51が取り付けら ると、コントロールPC11からの指示により、 スピンドルモータドライバ41及びスピンドル ータ42は、媒体51の回転を開始させる(S12)。 に、コントロールPC11からの指示により、ク ロックパターンジェネレータ21は、クロック ターンライト処理を行う(S13)。クロックパ ーンライト処理において、クロックパター ジェネレータ21は、クロックパターンを生成 し、クロックヘッド制御部22は、クロックヘ ド23へクロックパターンを送り、クロック ッド23はダミー媒体へクロックパターンを書 き込む。

 次に、コントロールPC11からの指示により 、DSPサーボボード31及びパワーアンプセンサ3 2は、ヘッド34を目的の媒体半径方向の位置へ 移動させる(S14)。次に、コントロールPC11から の指示により、DSPサーボボード31は、一周分 サーボライト処理を行う(S15、試験パターン 書き込みステップ)。サーボライト処理にお て、DSPサーボボード31は、パワーアンプセン サ32にサーボライトの指示を送り、パワーア プセンサ32は、ヘッド34へサーボパターンま たはイレーズ試験パターンを送り、ヘッド34 、受け取ったパターンを媒体51へ書き込む

 次に、コントロールPC11は、媒体51の全面 対してサーボライト処理を終了したか否か 判断を行い、終了していない場合(S16,N)、処 理S14へ戻り、終了した場合(S16,Y)、コントロ ルPC11からの指示により、スピンドルモータ ライバ41は、スピンドルモータ42の制御を行 い、媒体51の回転を停止させ(S17)、このフロ は終了する。その後、媒体51はSTW装置から取 り外され、HDD装置へ取り付けられる。

 次に、サーボライト処理について説明す 。

 図3は、本実施の形態に係るサーボライト 処理の一例を示すフローチャートである。ま ず、目的の位置へのシークが完了すると、ク ロックヘッド23により読み取られたクロック ターンに基づいてヘッド34の媒体円周方向 位置を検出し、DSPサーボボード31は、ヘッド 34の媒体円周方向の位置に基づいてサーボパ ーン書き込み開始のタイミング待ちを行い( S22)、サーボパターンの書き込み開始を行い(S 23)、サーボパターンの書き込み終了を行う(S2 4)。次に、DSPサーボボード31は、イレーズ試 パターンの書き込みを行う位置であるか否 の判断を行う(S25)。イレーズ試験パターンの 書き込みを行う場合とは、ヘッド34の媒体円 方向の位置が所定のイレーズ試験パターン 書き込み位置となった場合である。

 イレーズ試験パターンの書き込みを行わ い場合(S25,N)、DSPサーボボード31は、処理S28 移行する。一方、イレーズ試験パターンの き込みを行う場合(S25,Y)、DSPサーボボード31 、イレーズ試験パターンの書き込み開始を い(S26)、イレーズ試験パターンの書き込み 了を行う(S27)。次に、DSPサーボボード31は、 周したか否かの判断を行い(S28)、一周して ない場合(S28,N)、処理S22へ戻り、一周した場 (S28,Y)、このフローは終了する。

 比較例のサーボライト処理と比較すると 本実施の形態に係るサーボライト処理は、 ーボパターンの間に新たなイレーズ試験パ ーンの書き込みを行う点(S25~S27)が異なる。

 図4は、比較例のSTW装置により書き込まれ たサーボパターンの全体の一例を示す平面図 である。この図は、媒体全体におけるサーボ パターンの配置を示す。図5は、比較例のSTW 置により書き込まれたサーボパターンの一 の一例を示す平面図である。この図は、図4 一部を拡大したものである。サーボパター は、媒体円周方向に配置されるトラックA,B, Cに交差し、トラックA,B,Cを横断するように連 続して書き込まれる。また、サーボパターン は、媒体円周方向に一定間隔で書き込まれ、 サーボパターンの間の領域がデータ領域とな る。ここで、サーボパターンの媒体円周方向 の幅は40μm程度、サーボパターンの媒体円周 向の間隔は700μm程度である。

 また、この図は、HDD装置により書き込ま るデータパターンの位置も示す。データパ ーンは、通常、上述したデータ領域におい 媒体半径方向に所定の間隔で配置されたト ック上に書き込まれる。隣接するトラック 近すぎると、HDD装置はデータの読み取りの に所望のトラックからの信号と隣接するト ックからの信号を同時に読み取ってしまい 所望のトラックのデータのみを再生するこ が難しくなる。従って、トラック間には一 の隙間が設けられ、その隙間にデータパタ ンは書き込まれない。

 一方、サーボパターンは、ヘッドのポジ ョニングのためのパターンであり、トラッ 間の隙間は存在しない。通常、STW装置は、 周分のサーボパターンを書き込むと、ライ コア幅の1/5~1/2のステップで媒体半径方向に 移動し、次の一周分のサーボパターンを書き 込む。従って、サーボパターンは、インナか らアウタまで隙間のない状態で連続して書き 込まれる。

 図6は、本実施の形態に係るSTW装置により 書き込まれたサーボパターンとイレーズ試験 パターンの一例を示す拡大図である。この図 は、図5と同様のスケールでサーボパターン イレーズ試験パターンの配置を示す。サー パターンの配置は、比較例と同様である。 に、本実施の形態においては、上述したデ タ領域において所定の2本のサーボパターン 中間に、サーボパターンと同様の形状をし 1本のイレーズ試験パターンが配置される。 本実施の形態において、イレーズ試験パター ンは、サーボパターンに続いて書き込まれる ため、サーボパターンと同様、媒体半径方向 にライトコア幅の1/5~1/2のステップで書き込 れる。

 なお、イレーズ試験パターンは、サーボ ターン以外の複数個所に書き込まれても良 。また、所定の2本のサーボパターンの間に 複数のイレーズ試験パターンが配置されても 良い。

 STW装置によりサーボパターン及びイレー 試験パターンが書き込まれた媒体がHDD装置 搭載された後、イレーズ試験パターンは、 ラックに書き込まれるデータパターンで上 きされる。

 次に、本実施の形態に係るHDD装置の構成 ついて説明する。

 図7は、本実施の形態に係るHDD装置の構成 の一例を示すブロック図である。このHDD装置 は、制御部61、SPM62、VCM63、ヘッド制御部64、 ッド66、媒体51を備える。制御部61は、SPM61 VCM63、ヘッド制御部64の制御を行う。SPM62は 制御部61から指示に基づいて媒体51を駆動さ る。VCM63は、制御部61から指示に基づいてヘ ッド66を移動させる。ヘッド66は、ヘッド制 部64からの信号を媒体51へ書き込むと共に、 体51から読み取った信号をヘッド制御部64へ 送る。ヘッド制御部64は、制御部61からの信 をヘッド66へ送ると共に、ヘッド66からの信 を制御部61へ送る。

 次に、本実施の形態に係るHDD装置による レーズ試験の動作について説明する。

 図8は、本実施の形態に係るイレーズ試験 の動作の一例を示すフローチャートである。 媒体へデータパターンが記録される前に、こ のイレーズ試験は実行される。まず、制御部 61は、媒体51を回転させるようにSPM61へ指示を 送る(S31)。次に、制御部61は、ヘッド66を対象 トラックへ移動させるようにVCM63へ指示を送 (S32)。ここで、対象トラックは、予め定め れた繰り返しライトを行うトラックである

 次に、制御部61は、対象トラックに対し 所定の回数(数百回~数万回)の繰り返しライ を行う(S33、対象トラック書き込みステップ) 。ここでは、繰り返しライトとして対象トラ ックのイレーズを行うとする。次に、制御部 61は、対象トラックの近傍にわたってヘッド6 6を移動させるようにVCM63へ指示を送ると共に イレーズ試験パターンの読み取りによるヘッ ド66からの出力電圧をヘッド制御部64から取 し、ヘッド66の媒体半径方向の位置に対する 出力電圧を出力プロファイルとして測定し(S3 4、試験パターン読み取りステップ)、このフ ーは終了する。ここで、制御部61は出力プ ファイルとして出力電圧を取得したが、読 取ったイレーズ試験パターンのエラーレー や読み取ったイレーズ試験パターンのVTMを 得しても良い。

 なお、対象トラックを複数としても良い この場合、対象トラック毎に処理S32~S34が繰 り返される。また、処理S32,S33を行う前に、 理S34を行うことにより、初期状態の出力プ ファイルを測定し、初期状態の出力プロフ イルと繰り返しライト後の出力プロファイ とを比較しても良い。

 なお、対象トラック書き込み部は、実施 形態における制御部61の処理S33に対応する また、試験パターン読み取り部は、実施の 態における制御部61の処理S34に対応する。

 次に、出力プロファイルの具体例につい 説明する。

 まず、漏れ磁界が発生していない場合の 力プロファイルの具体例を示す。図9は、本 実施の形態に係る出力プロファイルの第1の を示すグラフである。横軸は、ライトギャ プの媒体半径方向の位置(半径方向位置)[μm] 示し、縦軸は、出力電圧[μVpp]を示す。この 図において、イレーズ試験パターンは、半径 方向位置2.3μm以下の領域に書き込まれている 。また、対象トラックは、半径方向位置0.5μm 以下の領域である。以下、対象トラックの領 域(半径方向位置0.5μm以下)をトラック領域と 、イレーズ試験パターンが書き込まれ、且 トラック領域でない領域(半径方向位置0.5μm 以上2.3μm以下)を試験領域とする。

 処理S33においてライトギャップが対象ト ックに対するイレーズを行うことにより、 レーズ試験後、トラック領域において出力 圧は低い値となる。また、出力プロファイ の第1の例のように、漏れ磁界が発生してい ない場合、試験領域においては、イレーズ試 験パターンが残ることにより、出力電圧は変 動するものの、高い値となる。また、イレー ズ試験パターンが書かれていない領域におい て、出力電圧は低い値となる。

 次に、漏れ磁界が発生している場合の出 プロファイルの具体例を示す。図10は、本 施の形態に係る出力プロファイルの第2の例 示すグラフである。図11は、本実施の形態 係る出力プロファイルの第3の例を示すグラ である。図12は、本実施の形態に係る出力 ロファイルの第4の例を示すグラフである。 力プロファイルの第2の例~第4の例において 横軸及び縦軸は、漏れ磁界が発生していな 場合の出力プロファイルと同様である。ま 、出力プロファイルの第2の例~第4の例にお て、点線で示された出力プロファイルは、 述した第1の例(漏れ磁界が発生していない 合)の出力プロファイルであり、実線で示さ た出力プロファイルは、漏れ磁界が発生し いる場合の出力プロファイルである。

 試験領域において、出力電圧が低い部分 存在する場合、漏れ磁界が発生することに りイレーズ試験パターンがイレーズされた 判断することができる。出力プロファイル 第2の例では、試験領域内の半径方向位置1.2 μm付近で出力電圧が低下している。同様に、 出力プロファイルの第3の例では、試験領域 の半径方向位置1.4μm付近で出力電圧が低下 ている。同様に、出力プロファイルの第4の では、試験領域内の半径方向位置1.9μm付近 出力電圧が低下している。

 また、試験領域内において出力電圧が低 する半径方向位置は、漏れ磁界の半径方向 置に対応する。この位置は、ヘッド形状やS kew角によって変化する。

 なお、イレーズ試験パターンが書き込ま る半径方向位置、及びイレーズ試験の対象 ラックは、イレーズ試験時のSkew角が適切な 値になるように決定される。この適切な値と は、ライトギャップによるイレーズと漏れ磁 束によるイレーズとが区別できる値以上であ れば良い。

 なお、出力プロファイルとして出力電圧 代わりにエラーレートまたはVTMを用いる場 、イレーズ試験パターンが残っている半径 向位置ではエラーレートまたはVTMが小さく イレーズ試験パターンが上書きされている 径方向位置ではエラーレートまたはVTMが大 くなる。従って、試験領域において所定の より高いエラーレートまたはVTMが検出され 場合、漏れ磁束が発生していると判断する とができる。

 本実施の形態によれば、イレーズ試験パ ーンが書き込まれた媒体に対して、繰り返 ライトによるイレーズを行い、イレーズ試 パターンがイレーズされた状態を読み取る とにより、漏れ磁界を検出することができ 。また、イレーズ試験パターンがトラック 交差しトラック間で連続していることによ 、図14のような漏れ磁界も検出することが きる。

 本発明によれば、記憶装置におけるヘッ の漏れ磁界を検出するための試験の試験時 を抑えつつ、漏れ磁界の見逃しを防ぐこと できる。




 
Previous Patent: ELEVATOR DEVICE

Next Patent: FLUORESCENT MATERIAL