以下、必要に応じて図面を参照しつつ、� ��発明の好適な実施形態について詳細に説明� ��る。なお、図面中、同一要素には同一符号� ��付すこととし、重複する説明は省略する。� ��た、上下左右等の位置関係は、特に断らな� ��限り、図面に示す位置関係に基づくものと� ��る。更に、図面の寸法比率は図示の比率に� ��られるものではない。

 図1は本発明の研磨方法の好適な一実施形 態を模式的に示す工程断面図である。まず、 工程(a)では、研磨に供される基板100が準備さ れる。基板100は、相互に隣接する隆起部11と� ��部12とにより定められる段差部13を面14側に� ��する層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10の段差部 13を有する面14に追従して設けられたバリア� �20と、バリア層20を被覆するように設けられ� ��金属層30と、を備える。なお、半導体デバ� �スの配線形成工程においては、通常、層間� �縁膜10、バリア層20及び金属層30はシリコン� �板等の基体上に形成されるが、図1では層間� ��縁膜10の下層の構造が省略されている。

 層間絶縁膜10としては、シリコン系皮膜� �有機ポリマ膜などが挙げられる。シリコン� �被膜としては、二酸化ケイ素、フルオロシ� �ケートガラス、トリメチルシラン又はジメ� �キシジメチルシラン等を出発原料として得� �れるオルガノシリケートグラス、シリコン� �キシナイトライド、水素化シルセスキオキ� �ン等のシリカ系被膜、更にはシリコンカー� �イド、シリコンナイトライドなどが挙げら� �る。また、有機ポリマ膜としては、例えば� �芳香族系定誘電率層間絶縁膜が挙げられる� �層間絶縁膜10の形成には、CVD法、スピンコー ト法、ディップコート法、スプレー法などを 適用することができる。また、層間絶縁膜10� ��おける段差部13の形成には、フォトリソ法� �どを適用することができる。

 バリア層20は、金属層30から層間絶縁膜10� ��への金属の拡散を防止すると共に、層間絶� ��膜10と金属層30との密着性を向上させる機能 を有する。バリア層20の構成材料としては、� ��ンタル、窒化タンタル、タンタル合金及び� ��の他のタンタル化合物、チタン、窒化チタ� ��、チタン合金及びその他のチタン化合物、� ��びにタングステン、窒化タングステン、タ� ��グステン合金及びその他のタングステン化� ��物から選ばれる少なくとも1種であるのが好 ましい。なお、図1にはバリア層20が単層構造 である場合の例を示したが、バリア層20は2層 以上の積層構造であってもよい。

 金属層30は、銅、銅合金、銅の酸化物、� �合金の酸化物、タングステン、タングステ� �合金、銀、金等の金属を主成分として構成� �れる。これらの中でも、金属層30の構成材料 が銅、銅合金、銅の酸化物及び銅合金の酸化 物から選ばれる少なくとも1種である場合に� �発明の研磨方法は好適である。

 金属層30は、上記の金属をスパッタ法、め� �き法によりバリア層20上に堆積させることに よって形成することができるが、このように して形成された金属層30は、層間絶縁膜10の� �差部13に対応する段差部31を有し得る。つま� ��、層間絶縁膜10の溝部11の上方に金属が堆積 することにより溝部11に金属が埋め込まれる� ��、その一方で、金属は層間絶縁膜10の隆起� �12の上方にも堆積する。そのため、金属層30� ��層間絶縁膜10の隆起部12の上方の部分33が実� ��的に被研磨面を構成することになり、金属� ��30の層間絶縁層10の溝部11の上方の部分32は� �研磨面から窪んだ形状となる。図1中の矢印S ₁ は、段差部31における段差(初期段差)を示し� �いる。

 上記のような構成を有する基板100は、後� ��するように2段階の研磨工程(b)、(c)(第1の工� ��及び第2の工程)に供される。そして、第1の� ��程及び第2の工程においては、酸化金属溶解 剤、金属防食剤、酸化金属溶解調整剤及び水 を含有する第1の液、及び、金属酸化剤を含� �する第2の液という共通の原料液を用いて2種 類の研磨液が調製され、金属層30の研磨に使� ��される。

 第1の液に含まれる酸化金属溶解剤として は、1種類以上の酸及びアンモニウム塩が好� �である。酸化金属溶解剤は水溶性のもので� �れば特に制限されないが、マロン酸、クエ� �酸、リンゴ酸、グリコール酸、グルタミン� �、グリコン酸、シュウ酸、酒石酸、ピコリ� �酸、ニコチン酸、マンデル酸、ピコリン酸� �酢酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢酸、塩酸、ギ� �、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、安� �香酸、キナルジン酸、酪酸、吉草酸、乳酸� �フタル酸、フマル酸、マレイン酸、アミノ� �酸、サリチル酸、グリセリン酸、ピメリン� �等が挙げられる。また、これら酸のアンモ� �ウム塩及びこれらの有機酸エステル等が挙� �られる。実用的なCMP速度を維持しつつ、エ� �チング速度を効果的に抑制できるという点� �、2種以上の酸あるいはアンモニウム塩を併� ��することも有効である。

 また、金属防食剤としては、トリアゾー� ��骨格、ピリミジン骨格、イミダゾール骨格� ��グアニジン骨格、チアゾール骨格又はピラ� ��ール骨格を有する化合物が好適である。研� ��液における金属防食剤の含有割合を低くし� ��実用的なCMP速度とエッチング速度のバラン� ��を維持しつつ、研磨摩擦を効果的に抑制で� ��るという点で、2種以上の金属防食剤を併用 することも有効である。

 金属防食剤のうち、トリアゾール骨格を� ��する化合物としては、2-メルカプトベンゾ� �アゾ-ル、1,2,3-トリアゾ-ル、1,2,4-トリアゾ-� �、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾ-ル、ベンゾトリ� ��ゾ-ル、1-ヒドロキシベンゾトリアゾ-ル、1-� ��ヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ-ル、2,3 -ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾ-ル、4 -ヒドロキシベンゾトリアゾ-ル、4-カルボキ� �ル(-1H-)ベンゾトリアゾ-ル、4-カルボキシル(- 1H-)ベンゾトリアゾ-ルメチルエステル、4-カ� �ボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾ-ルブチルエス� ��ル、4-カルボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾ-ル� ��クチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリア� �-ル、[1,2,3-ベンゾトリアゾリル-1-メチル][1,2, 4-トリアゾリル-1-メチル][2-エチルヘキシル]� �ミン、トリルトリアゾ-ル、ナフトトリアゾ- ル、ビス[(1-ベンゾトリアゾリル)メチル]ホス ホン酸、3-アミノトリアゾール、5-メチルベ� �ゾトリアゾール等を例示することができる� �その中でも、CMP速度とエッチング速度のバ� �ンスの点で、1,2,3-トリアゾ-ル、1,2,4-トリア� ��-ル、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾ-ル、4-アミノ -4H-1,2,4-トリアゾ-ル、ベンゾトリアゾ-ル、1-� ��ドロキシベンゾトリアゾ-ル、5-メチルベン� ��トリアゾールがより好ましい。これら金属� ��食剤は1種類単独で、もしくは2種類以上混� �して用いることができる。

 また、イミダゾール骨格を有する化合物� ��しては、2-メチルイミダゾール、2-エチルイ ミダゾール、2-イソプロピルイミダゾール、2 -プロピルイミダゾール、2-ブチルイミダゾー ル、4-メチルイミダゾール、2、4-ジメチルイ� ��ダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール� �2-ウンデシルイミダゾール、2-アミノイミダ� ��ール等を例示することができる。これら金� ��防食剤は1種類単独で、もしくは2種類以上� �合して用いることができる。

 また、ピリミジン骨格を有する化合物と� ��ては、ピリミジン、1,2,4-トリアゾロ[1,5-a] � ��リミジン、1,3,4,6,7,8-ヘキサハイドロ-2H-ピリ ミド[1,2-a] ピリミジン、1,3-ジフェニル-ピリ� ��ジン-2,4,6-トリオン、1,4,5,6-テトラハイドロ� ��リミジン、2,4,5,6-テトラアミノピリミジン� �ルフェイト、2,4,5-トリハイドロキシピリミ� �ン、2,4,6-トリアミノピリミジン、2,4,6-トリ� �ロロピリミジン、2,4,6-トリメトキシピリミ� �ン、2,4,6-トリフェニルピリミジン、2,4-ジア� ��ノ-6-ヒドロキシルピリミジン、2,4-ジアミノ ピリミジン、2-アセトアミドピリミジン、2-� �ミノピリミジン、2-メチル-5,7-ジフェニル-(1, 2,4)トリアゾロ(1,5-a)ピリミジン、2-メチルサ� �ファニル-5,7-ジフェニル-(1,2,4)トリアゾロ(1,5 -a)ピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジ� �ェニル-4,7-ジヒドロ-(1,2,4)トリアゾロ(1,5-A)ピ リミジン、4-アミノピラゾロ[3,4,-d]ピリミジ� �等が挙げられ、特に、CMP速度とエッチング� �度のバランスの点から4-アミノピラゾロ[3,4,- d]ピリミジン、1,2,4-トリアゾロ[1,5-a]ピリミジ ン、2-メチル-5,7-ジフェニル-(1,2,4)トリアゾロ (1,5-a)ピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-� ��フェニル-(1,2,4)トリアゾロ(1,5-a)ピリミジン� ��好ましい。これらは1種類単独で、もしくは 2種類以上混合して用いることができる。

 また、グアニジン骨格を有する化合物と� ��ては、1,3-ジフェニルグアニジン、1-メチル- 3-ニトログアニジン等を例示することができ� ��。これら金属防食剤は1種類単独で、もしく は2種類以上混合して用いることができる。

 酸化金属溶解調整剤としては、例えばア� ��ギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセ� ��ロ-ス、寒天、カ-ドラン及びプルラン等の� �糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン� ��、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタク� ��ル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、� ��リメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド� ��、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ� ��マル酸、ポリ(p-スチレンカルボン酸)、ポリ アクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポ リアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニ ウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリ アミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポ リアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシ ル酸等のポリカルボン酸及びその塩が挙げら れる。さらに、ポリカルボン酸の塩としては 、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ハ ロゲン化物などが挙げられる。基板100が半導 体集積回路用シリコン基板などの場合はアル カリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物 等による汚染は望ましくないため、ポリカル ボン酸及びそのアンモニウム塩を用いること が望ましい。一方、基板100がガラス基板等で ある場合はその限りではない。上記の酸化金 属溶解調製剤の中でも、研磨速度、エッチン グ速度の点から、ペクチン酸、寒天、ポリリ ンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸 アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、それ らのエステル及びそれらのアンモニウム塩が 好ましい。

 また、第1の液に含まれる水としては、蒸 留水、イオン交換水又は純水が好適である。

 一方、第2の液に含まれる金属酸化剤とし ては、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、硝 酸第二鉄、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜 塩素酸及びオゾン水等が挙げられ、中でも過 酸化水素が好ましい。金属酸化剤は、1種を� �独で又は2種以上を組み合わせて用いること� ��できる。なお、基板100が集積回路用素子を� ��むシリコン基板である場合には、アルカリ� ��属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物など� ��よる汚染は望ましくないので、不揮発成分� ��含まない金属酸化剤を用いることが好まし� ��。但し、オゾン水は組成の経時変化が大き� ��ので、過酸化水素が最も適している。なお� ��基板100が半導体素子を含まないガラス基板� ��どである場合には不揮発成分を含む金属酸� ��剤を用いても差し支えない。

 また、第2の液は、水を更に含有してもよ い。

 前段の研磨工程である工程(b)では、上記� ��第1の液と第2の液を所定の割合で混合した� �1の研磨液を用いて、金属層30の研磨が行わ� �る。研磨方法としては、例えば、研磨定盤� �研磨布上に第1の研磨液を供給しながら、金� ��層30の被研磨面を研磨布に押圧した状態で� �磨定盤と基板を相対的に動かすことによっ� �被研磨膜を研磨する方法が好適である。研� �装置としては、半導体基板を保持するホル� �(ヘッド)と研磨布(パッド)を貼り付けた(回転 数が変更可能なモータ等を取り付けてある)� �盤を有する一般的な研磨装置が使用できる� �研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポ� �ウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用で� �、特に制限がない。研磨条件には制限はな� �が、定盤の回転速度は基板が飛び出さない� �うに200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨� �を有する半導体基板の研磨布への押し付け� �力が1~100kPaであることが好ましく、研磨速度 のウエハ面内均一性及び被研磨面の平坦性の 観点から、5~50kPaであることがより好ましい� �研磨している間、研磨布には第1の研磨液を� ��ンプ等で連続的に供給する。この供給量に� ��限はないが、研磨布の表面が常に第1の研磨 液で覆われていることが好ましい。研磨終了 後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンド ライ等を用いて半導体基板上に付着した水滴 を払い落としてから乾燥させることが好まし い。

 なお、第1の液と第2の液の混合方法は、� �れらの液が研磨前に混合されて第1の研磨液� ��して用いられる限り特に制限されない。例� ��ば、第1の液と第2の液とを予め混合し、混� �液を研磨定盤に供給してもよく、あるいは� �第1の液、第2の液をそれぞれ別々に供給し配 管内で2液を混合してもよい。

 第1の研磨液中の酸化金属溶解剤の含有割 合は、第1の研磨液の全重量を基準として、0. 001~10重量%とすることが好ましく、0.01~1重量%� ��することがより好ましく、0.01~0.5重量%とす� ��ことが特に好ましい。この含有割合が0.001� �量%未満になると研磨速度が低下する傾向に� ��る。また、この含有割合が10重量%を超える� ��、エッチング速度が大きくなり、金属配線� ��腐食が起こりやすくなる傾向にある。なお� ��金属防食剤の含有割合を高くすることでエ� ��チング速度を抑えることができるが、その� ��合は研磨摩擦が増加する傾向がある。

 また、第1の研磨液中の金属防食剤の含有 割合は、第1の研磨液の全重量を基準として� �0.001~2.0重量%とすることが好ましく、0.01~0.5� �量%とすることがより好ましく、0.02~0.2重量%� ��することが特に好ましい。この含有割合が0 .001重量%未満では、エッチングの抑制が困難� ��なる傾向があり、2重量%を超えると実用上� �分な研磨速度が得られない傾向にある。

 また、第1の研磨液中の酸化金属溶解調整 剤の含有割合は、第1の研磨液の全重量を基� �として、0.001~10重量%とすることが好ましく� �0.01~5重量%とすることがより好ましく、0.1~2� �量%とすることが特に好ましい。この含有割� ��が0.001重量%未満になると金属配線のディッ� ��ングが悪化し、研磨布上への被研磨物の蓄� ��が増加する傾向にある。また、この含有割� ��が10重量%を超えると、エッチング速度が大� ��くなり、また研磨速度と被研磨面の平坦性� ��両立が難しくなる傾向にある。

 また、第1の研磨液中の金属酸化剤の含有 割合は、第1の研磨液の全重量を基準として� �0.5~15重量%であることが好ましく、1.0~15重量% であることがより好ましく、3.0~13重量%であ� �ことが特に好ましい。金属酸化剤の含有割� �が0.5重量%未満の場合又は15重量%を超える場� ��には、研磨速度が低下する傾向にある。

 また、第1の研磨液のpHは2~5であることが� ��ましく、2.5~4.5であることがより好ましく、 3.0~4.3であることが特に好ましい。pHが2より� �さいと、金属の腐食や表面あれ等の問題が� �生し易く、それを低減するために防食剤の� �有割合が高くなることにより研磨摩擦も大� �くなり、配線不良が発生し易い。またpHが5� �りも大きいと、金属の腐食作用が少ないの� �防食剤含有割合を低減することができるが� �十分な研磨速度が得られにくい。本発明に� �いて、研磨液のpHは、pHメータ(例えば、横河 電機(株)製の Model pH81)を用いて測定した。� �り具体的には、標準緩衝液(フタル酸塩pH緩� �液pH:4.21(25℃)、中性りん酸塩pH緩衝液pH6.86(25� ��))を用いて、2点校正した後、電極を研磨液� ��入れて、2分以上経過して安定した後の値を 測定した。

 第1の研磨液は、上述した材料のほかにア ルミナ、シリカ、セリア等の固体砥粒、界面 活性剤、ビクトリアピュアブルー等の染料、 フタロシアニングリーン等の顔料等の着色剤 などを更に含有してもよい。

 砥粒としては、シリカ、アルミナ、ジル� ��ニア、セリア、チタニア、炭化珪素等の無� ��物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポ� ��塩化ビニル等の有機物砥粒のいずれでもよ� ��が、研磨液中での分散安定性が良く、CMPに� ��り発生する研磨傷(スクラッチ)の発生数の� �ない、平均粒径が100nm以下のコロイダルシリ カ、コロイダルアルミナが好ましく、平均粒 径が80nm以下のコロイダルシリカ、コロイダ� �アルミナがより好ましく、平均粒径が60nm以� ��のコロイダルシリカが最も好ましい。コロ� ��ダルシリカはシリコンアルコキシドの加水� ��解または珪酸ナトリウムのイオン交換によ� ��製造方法が知られており、コロイダルアル� ��ナは硝酸アルミニウムの加水分解による製� ��方法が知られている。また、本発明におい� ��、砥粒の粒径は、光回折散乱式粒度分布計( 例えば、COULTER Electronics社製の COULTER N4SD)で 測定した。また、粒子の凝集度は、透過型電 子顕微鏡(例えば(株)日立製作所製のH-7100FA)で 測定した。Coulterの測定条件は、測定温度20℃ 、溶媒屈折率1.333(水)、粒子屈折率Unknown(設定 )、溶媒粘度1.005cp(水)、Run Time200sec、レーザ� �射角90°、Intensity(散乱強度、濁度に相当)が5E +04~4E+05の範囲に入るように、4E+05よりも高い� ��合には水で希釈して測定した。

 第1の研磨液中の砥粒の含有割合は、第1� �研磨液の全重量を基準として、0.01~10.0重量%� ��好ましく、0.05~2.0重量%がより好ましく、0.1~ 1.0重量%が最も好ましい。砥粒の含有割合が0. 01重量%では、砥粒の添加による効果が得られ ない傾向にあり、また、10.0重量%以上では、� ��有割合に見合う更なる効果の向上がみられ� ��い傾向にある。

 工程(b)は、第1の研磨液を用いてバリア層20� ��露出しないように金属層30を研磨する工程� �あり、工程(b)で研磨を行った後の基板200に� �いては、段差部31における段差(残段差)S ₂ は初期段差S ₁ よりも小さくなるものの、層間絶縁膜10の隆� ��部12の上方には依然として金属層30が存在す る。工程(b)における研磨は、金属層30の段差� ��31における初期段差S ₁ 及び残段差S ₂ が下記式(1)で表される条件を満たすように、 金属層を研磨することが好ましい。
0≦S ₂ /S ₁ ≦0.2  (1)
[式(1)中、S ₁ は金属層の段差部における研磨前の段差(単� �:nm)を示し、S ₂ は金属層の段差部における研磨後の段差(単� �:nm)を示す。]

 続いて、工程(c)では、第1の液と第2の液� �を、第1の研磨液よりも第2の液の割合が大き くなるように混合した第2の研磨液を用いて� �磨を行う。なお、工程(c)における研磨方法� �研磨装置、研磨布、研磨条件、並びに、第1� ��液と第2の液との混合方法は上記工程(b)の場 合と同様であるため、ここでは重複する説明 を省略する。

 第2の研磨液は第1の研磨液よりも第2の液� ��割合が大きくなるように混合して得られる� ��のである。そのため、第2の研磨液において は、第1の研磨液と比較して、第1の液に由来� ��る酸化金属溶解剤等の含有割合が小さくな� ��、第2の液に由来する金属酸化剤の割合が大 きくなる。さらに、第2の研磨液における各� �分の含有割合は、後述する条件を満たすこ� �が好ましい。

 第2の研磨液中の酸化金属溶解剤の含有割 合は、第2の研磨液の全重量を基準として、0. 001~10重量%とすることが好ましく、0.01~1重量%� ��することがより好ましく、0.01~0.5重量%とす� ��ことが特に好ましい。この含有割合が0.001� �量%未満になると研磨速度が低下する傾向に� ��る。また、この含有割合が10重量%を超える� ��、エッチング速度が大きくなり、金属配線� ��腐食が起こりやすくなる傾向にある。なお� ��金属防食剤の含有割合を高くすることでエ� ��チング速度を抑えることができるが、その� ��合は研磨摩擦が増加する傾向がある。

 また、第2の研磨液中の金属防食剤の含有 割合は、第2の研磨液の全重量を基準として� �0.001~2.0重量%とすることが好ましく、0.01~0.5� �量%とすることがより好ましく、0.02~0.15重量% とすることが特に好ましい。この含有割合が 0.001重量%未満では、エッチングの抑制が困難 となる傾向があり、2重量%を超えると実用上� ��分な研磨速度が得られない傾向にある。

 また、第2の研磨液中の酸化金属溶解調整 剤の含有割合は、第2の研磨液の全重量を基� �として、0.001~10重量%とすることが好ましく� �0.01~5重量%とすることがより好ましく、0.1~2� �量%とすることが特に好ましい。この含有割� ��が0.001重量%未満になると金属配線のディッ� ��ングが悪化して被研磨面の平坦性が低下し� ��更には研磨布上への被研磨物の蓄積が増加� ��る傾向にある。また、この含有割合が10重� �%を超えると、エッチング速度が大きくなり� ��また研磨速度と被研磨面の平坦性の両立が� ��しくなる傾向にある。

 また、第2の研磨液中の金属酸化剤の含有 割合は、第2の研磨液の全重量を基準として� �0.5~15重量%であることが好ましく、1.0~15重量% であることがより好ましく、3.0~13重量%であ� �ことが特に好ましい。金属酸化剤の含有割� �が0.5重量%未満の場合又は15重量%を超える場� ��には、研磨速度が低下する傾向にある。

 また、第2の研磨液のpHは2~5であることが� ��ましく、2.5~4.5であることがより好ましく、 3.0~4.3であることが特に好ましい。pHが2より� �さいと、金属の腐食や表面あれ等の問題が� �生し易く、それを低減するために防食剤の� �有割合が高くなることにより研磨摩擦も大� �くなり、配線不良が発生し易い。またpHが5� �りも大きいと、金属の腐食作用が少ないの� �防食剤の含有割合を低減することができる� �、十分な研磨速度が得られにくい。

 また、第2の研磨液は、第1の研磨液と同� �に、固体砥粒、界面活性剤、着色剤などを� �に含有してもよい。

 工程(c)は、工程(b)に続いて、第2の研磨液 を用いて金属層30を研磨し、バリア層20のう� �層間絶縁膜10の隆起部12の上方に位置する部� ��を露出させるものであり、工程(c)で研磨を� ��った後の基体300においては、層間絶縁膜10� �溝部11に金属層30が埋め込まれ、隆起部12の� �方は層間絶縁膜10を被覆するバリア層20が露� ��した状態となる。

 本実施形態に係る研磨方法によれば、2つ のCMP工程(b)、(c)における研磨液として、酸化 金属溶解剤、金属防食剤、酸化金属溶解調整 剤及び水を含有する第1の液と、金属酸化剤� �含有する第2の液との混合割合を変えて調製� ��たものを用いることで、工程(b)、(c)のそれ� ��れにおける研磨速度の向上効果及びディッ� ��ングの抑制効果を制御することができ、そ� ��結果、全体の研磨速度を十分に高水準に維� ��しつつ、工程(c)の後に得られる基板300の被� ��磨面を十分に平坦化することができる。

 また、工程(b)に用いられる第1の研磨液及 び工程(c)に用いられる第2の研磨液は、上記� �通り、第1の液及び第2の液という共通の原料 液を混合して得られるものであり、当該研磨 方法は研磨液の調製工程の簡便化や原料コス トの削減の観点からも有用である。

 なお、本発明は上記実施形態に限定され� ��ものではない。上記実施形態では工程(b)、( c)を連続的に行う場合の例を示したが、必要� ��応じて、工程(b)と工程(c)との間に被研磨面� ��洗浄工程や乾燥工程等を設けてもよい。さ� ��に、工程(b)と工程(c)との間で、研磨定盤や� ��磨布の交換、加工荷重の変更、更にはそれ� ��の作業のための装置の停止を行ってもよい� ��