以下、本発明のモノベンゾクリセン誘導体� ��具体的に説明する。
 本発明のモノベンゾクリセン誘導体は、下� ��式(1)で表される化合物である。
(式中、R ₁ ~R ₁₄ はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し 、
 R ₁ ~R ₁₄ の少なくとも1つが、アントラセン骨格及び� �ンゾ[g]クリセン骨格を含まない置換もしく� �無置換の核炭素数6~50のアリール基、又はア� ��トラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨格を� ��まない置換もしくは無置換の核炭素数5~50の ヘテロアリール基を表す。
 但し、R ⁸ 及びR ⁹ が無置換のフェニル基であってR ¹ ~R ⁷ 及びR ¹⁰ ~R ¹⁴ が水素原子である場合、及びR ⁹ が無置換のフェニル基であってR ¹ ~R ⁸ 及びR ¹⁰ ~R ¹⁴ が水素原子である場合を除く。)

 式(1)で表される化合物において、R ₁ ~R ₁₄ が表す置換基の例としては、アルキル基(好� �しくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~12 、特に好ましくは炭素数1~8であり、例えばメ チル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、n-� �クチル、n-デシル、n-ヘキサデシル、シクロ� ��ロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル� ��が挙げられる。)、アルケニル基(好ましく� �炭素数2~20、より好ましくは炭素数2~12、特に 好ましくは炭素数2~8であり、例えばビニル、 アリル、2-ブテニル、3-ペンテニル等が挙げ� �れる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2~2 0、より好ましくは炭素数2~12、特に好ましく� ��炭素数2~8であり、例えばプロパルニル、3-� �ンチニル等が挙げられる。)、置換又は無置� ��のアリール基(好ましくは炭素数6~20、より� �ましくは炭素数6~14、例えば、フェニル、ナ� ��チル、フェナントリル、フルオレニル、ビ� ��ェニル、ナフチルフェニル等が挙げられる� ��)、置換又は無置換のアミノ基(好ましくは� �素数0~20、より好ましくは炭素数0~12、特に好 ましくは炭素数0~6であり、例えばアミノ、メ チルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミ ノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等 が挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは� ��素数1~20、より好ましくは炭素数1~12、特に� �ましくは炭素数1~8であり、例えばメトキシ� �エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。)、ア� ��ールオキシ基(好ましくは炭素数6~20、より� �ましくは炭素数6~16、特に好ましくは炭素数6 ~12であり、例えばフェニルオキシ、2-ナフチ� ��オキシ等が挙げられる。)、アシル基(好ま� �くは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、 特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばア� �チル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル� �が挙げられる。)、アルコキシカルボニル基( 好ましくは炭素数2~20、より好ましくは炭素� �2~16、特に好ましくは炭素数2~12であり、例え ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル 等が挙げられる。)、アリールオキシカルボ� �ル基(好ましくは炭素数7~20、より好ましくは 炭素数7~16、特に好ましくは炭素数7~10であり� ��例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げ� ��れる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素� �2~20、より好ましくは炭素数2~16、特に好まし くは炭素数2~10であり、例えばアセトキシ、� �ンゾイルオキシ等が挙げられる。)、アシル� ��ミノ基(好ましくは炭素数2~20、より好まし� �は炭素数2~16、特に好ましくは炭素数2~10であ り、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミ ノ等が挙げられる。)、アルコキシカルボニ� �アミノ基(好ましくは炭素数2~20、より好まし くは炭素数2~16、特に好ましくは炭素数2~12で� ��り、例えばメトキシカルボニルアミノ等が� ��げられる。)、アリールオキシカルボニルア ミノ基(好ましくは炭素数7~20、より好ましく� ��炭素数7~16、特に好ましくは炭素数7~12であ� �、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ� �が挙げられる。)、置換又は無置換のスルホ� ��ルアミノ基(好ましくは炭素数1~20、より好� �しくは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~12 であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベ ンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。)� �置換又は無置換のスルファモイル基(好まし� ��は炭素数0~20、より好ましくは炭素数0~16、� �に好ましくは炭素数0~12であり、例えばスル� ��ァモイル、メチルスルファモイル、ジメチ� ��スルファモイル、フェニルスルファモイル� ��が挙げられる。)、置換又は無置換のカルバ モイル基(好ましくは炭素数1~20、より好まし� ��は炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~12で� �り、例えばカルバモイル、メチルカルバモ� �ル、ジエチルカルバモイル、フェニルカル� �モイル等が挙げられる。)、アルキルチオ基( 好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素� �1~16、特に好ましくは炭素数1~12であり、例え ばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。 )、アリールチオ基(好ましくは炭素数6~20、よ り好ましくは炭素数6~16、特に好ましくは炭� �数6~12であり、例えばフェニルチオ等が挙げ� ��れる。)、置換又は無置換のスルホニル基(� �ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1 ~16、特に好ましくは炭素数1~12であり、例え� �メシル、トシル等が挙げられる。)、置換又� ��無置換のスルフィニル基(好ましくは炭素数 1~20、より好ましくは炭素数1~16、特に好まし� ��は炭素数1~12であり、例えばメタンスルフィ ニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる 。)、置換又は無置換のウレイド基(好ましく� ��炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、特� �好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレイ� ��、メチルウレイド、フェニルウレイド等が� ��げられる。)、置換又は無置換のリン酸アミ ド基(好ましくは炭素数1~20、より好ましくは� ��素数1~16、特に好ましくは炭素数1~12であり� �例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリ� �酸アミド等が挙げられる。)、ヒドロキシ基� ��メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素 原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、� �アノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニト� �基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒ� �ラジノ基、イミノ基、置換又は無置換のヘ� �ロ環基(好ましくは炭素数1~30、より好ましく は炭素数1~12であり、ヘテロ原子としては、� �えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む� �のであり具体的には例えばイミダゾリル、� �リジル、キノリル、フリル、チエニル、ピ� �リジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル� �ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、� �ルバゾリル等が挙げられる。)、シリル基(好 ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~ 30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えば トリメチルシリル、トリフェニルシリル等が 挙げられる。)等が挙げられる。これらの置� �基はさらに置換されてもよい。また置換基� �二つ以上ある場合は、同一でも異なってい� �もよい。また、可能な場合には互いに連結� �て環を形成していてもよい。

 式(1)で表される化合物において、R ₁ ~R ₁₄ の少なくとも1つは、アントラセン骨格及び� �ンゾ[g]クリセン骨格を含まない置換もしく� �無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より� �ましくは6~14)のアリール基、又はアントラセ ン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨格を含まない 置換もしくは無置換の核炭素数5~50(好ましく� ��5~20)のヘテロアリール基を表す。ここで、� �置換もしくは無置換の」と記載されている� �記基が置換されている場合にそれらの基が� �する置換基は、前記式(1)におけるR ₁ ~R ₁₄ が表す置換基の例と同様の基が挙げられる。 以下、式(2)~(5)の化合物においても同様であ� �。

 アントラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨� ��を含まない置換もしくは無置換の核炭素数6 ~50のアリール基の例としては、フェニル基、 1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基 、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナ ントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナ� �トリル基、4-フェナントリル基、9-フェナン� ��リル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル 基、9-ナフタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレ ニル基、4-ピレニル基、2-ビフェニルイル基� �3-ビフェニルイル基、4-ビフェニルイル基、p -テルフェニル-4-イル基、p-テルフェニル-3-イ ル基、p-テルフェニル-2-イル基、m-テルフェ� �ル-4-イル基、m-テルフェニル-3-イル基、m-テ� ��フェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基 、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、p-(2-フ� ��ニルプロピル)フェニル基、3-メチル-2-ナフ� ��ル基、4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ア ントリル基、4’-メチルビフェニルイル基、4 ”-t-ブチル-p-テルフェニル4-イル基、トリフ� ��ニレニル基、ベンズアントラニル基及びク� ��セニル基が挙げられ、好ましくはフェニル� ��、ナフチル基、フェナントリル基、トリフ� ��ニレニル基、ピレニル基、ベンズアントラ� ��ル基、クリセニル基、フェニル-1-ナフチル� ��、フェニル-2-ナフチル基、ナフチル-1-ナフ� ��ル基、ナフチル-2-ナフチル基又はこれらの� ��が複数結合して形成される置換基である。
 但し、例示した上記基が置換されている場� ��に、その置換基にはアントラセン骨格及び� ��ンゾ[g]クリセン骨格を含まない。

 アントラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨� ��を含まない置換もしくは無置換の核炭素数5 ~50のヘテロアリール基の例としては、イミダ ゾリル基、ピリジル基、キノリル基、ピペリ ジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル 基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリ ル基、カルバゾリル基、及びフラン環、チオ フェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェ ン環、ジベンゾフラン環及びジベンゾチオフ ェン環から誘導される1価の基が挙げられ、� �ましくはベンゾチオフェン環、ジベンゾフ� �ン環及びジベンゾチオフェン環から誘導さ� �る1価の基である。
 但し、例示した上記基が置換されている場� ��に、その置換基にはアントラセン骨格及び� ��ンゾ[g]クリセン骨格を含まない。

 本発明のモノベンゾクリセン誘導体は、好� ��しくは下記式(2)~(5)で表される化合物である 。
(式中、R _a 、R _b はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す 。
 pは1~13の整数、rは1~4の整数を表す。
 pが2以上の場合、複数のR _a はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
 rが2以上の場合、複数のR _b はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
 Ar ₁ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~50のア� �ール基、又は置換もしくは無置換の核炭素� �5~50のヘテロアリール基を表す。
 但し、Ar ₁ はアントラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨 格を含まない。)

(式中、R _a 、R _c はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す 。
 pは1~13の整数、sは1~6の整数を表す。
 pが2以上の場合、複数のR _a はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
 sが2以上の場合、複数のR _c はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
 Ar ₂ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~50のア� �ール基、又は置換もしくは無置換の核炭素� �5~50のヘテロアリール基を表す。
 但し、Ar ₂ はアントラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン骨 格を含まない。)

(式中、R _a は水素原子または置換基を表す。
 qは1~12の整数を表す。
 qが2以上の場合、複数のR _a はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
 Ar ₃ 及びAr ₄ は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核 炭素数6~50のアリール基、又は置換もしくは� �置換の核炭素数5~50のヘテロアリール基を表� ��。
 但し、Ar ₃ 及びAr ₄ は、アントラセン骨格及びベンゾ[g]クリセン 骨格を含まない。)

(式中、R _a は水素原子又は置換基を表す。
 tは1~14の整数を表す。
 tが2以上の場合、複数のR _a はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。)

 尚、上記式(2)において、ベンゾクリセン骨� ��とベンゼン骨格を結ぶ単結合の結合位置は� ��ベンゾクリセン骨格が有する14の結合位置� �いずれでもよい。
 R _a の結合位置は、ベンゾクリセン骨格が有する 14の結合位置のいずれでもよく、R _b の結合位置は、ベンゼン骨格が有する6の結� �位置のいずれでもよい。
 Ar ₁ の結合位置は、ベンゼン骨格が有する6の結� �位置のいずれでもよい。
 このことは、式(3)~(5)についても同様である 。

 式(2)~(5)で表される化合物において、R _a 、R _b 及びR _c が表す置換基、及びAr ₂ 、Ar ₃ 及びAr ₄ が表す置換もしくは無置換の核炭素数6~50の� �リール基、又は置換もしくは無置換の核炭� �数5~50のヘテロアリール基は、上記式(1)と同� ��である。

 本発明のモノベンゾクリセン誘導体の具体� ��を以下に示す。

 本発明のモノベンゾクリセン誘導体は、例� ��ば、下記文献を参考にしてベンゾ[g]クリセ� ��を合成し、さらにハロゲン化してハロゲン� ��ベンゾ[g]クリセンを調製し、さらにボロン� ��化合物と反応させることにより調製するこ� ��ができる。
「Synthesis 2001, No.6, 841-844」
「J. Org. Chem. 2005, 70, 3511-3517」
「Journal of the American Chemical Society, 96:14, J uly 10, 1974, 4617-4622」
「Journal of the American Chemical Society, Jan, 194 2, Vol.64, 69-72」

 尚、ベンゾ[g]クリセンとは、下記化合物で� ��る。

 本発明のモノベンゾクリセン誘導体は、� ��機EL素子用材料、特に、その発光材料とし� �好適に使用できる。

 本発明の有機EL素子は、陽極及び陰極と� �陽極及び陰極の間に挟持されている、発光� �を含む1以上の有機薄膜層とを有し、有機薄� ��層の少なくとも一層が、上述した本発明の� ��合物を含有する。

 本発明の有機EL素子の代表的な構成として� �
  (1)陽極/発光層/陰極
  (2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
  (3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
  (4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰� ��
  (5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
  (6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/� ��極
  (7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/� ��極
  (8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電� ��注入層/陰極
  (9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
  (10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁 層/陰極
  (11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁 層/陰極
  (12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発 光層/絶縁層/陰極
  (13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発 光層/電子注入層/陰極
等を挙げることができるが、これらに限定さ れない。これらの中で通常(8)の構成が好まし く用いられる。

 図1に(8)の構成を示す。この有機EL素子は� ��陽極10及び陰極20と、その間に挟持されてい る、正孔注入層30、正孔輸送層32、発光層34、 電子注入層36からなる。正孔注入層30、正孔� �送層32、発光層34、電子注入層36が、複数の� �機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層30,32 ,34,36の少なくとも一層が、本発明の化合物を 含有する。

 本発明の有機EL素子において、本発明の化� �物は、上記のどの有機薄膜層に用いられて� �よいが、発光層に使用することが好ましい� �本発明の化合物は、各有機薄膜層において� �単独で使用してもよく、他の化合物と混合� �て使用してもよい。本発明の素子では、発� �層が、ホスト材料として本発明の化合物を� �有し、蛍光性ドーパント及びりん光性ドー� �ントの少なくとも1つを含有することが好ま� ��い。
 本発明において、発光層は実質的に本発明� ��化合物及び上記ドーパントからなることが� ��ましい。
 尚、有機薄膜層に占める本発明の化合物の� ��有量は、好ましくは30~100モル%である。

 以下有機EL素子の各部材について説明する� �
 有機EL素子は、通常基板上に作製し、基板� �有機EL素子を支持する。平滑な基板を用いる のが好ましい。この基板を通して光を取り出 すときは、基板は透光性であり、波長400~700nm の可視領域の光の透過率が50%以上であるもの が望ましい。
 このような透光性基板としては、例えば、� ��ラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる� ��ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バ� ��ウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラ� ��、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラ� ��、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等の板� ��挙げられる。また、合成樹脂板としては、� ��リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリ� ��チレンテレフタレート樹脂、ポリエーテル� ��ルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が� ��げられる。

 陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層又� ��発光層に注入し、4.5eV以上の仕事関数を有� �ることが効果的である。陽極材料の具体例� �しては、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジ ウムと酸化亜鉛の混合物、ITOと酸化セリウム の混合物(ITCO)、酸化インジウムと酸化亜鉛の 混合物と酸化セリウムの混合物(IZCO)、酸化イ ンジウムと酸化セリウムの混合物(ICO)、酸化� ��鉛と酸化アルミニウムの混合物(AZO)、酸化� �(NESA)、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
 陽極はこれらの電極物質から蒸着法やスパ� ��タリング法等で形成できる。
 発光層からの発光を陽極から取り出す場合� ��陽極の発光に対する透過率を10%より大きく� ��ることが好ましい。また陽極のシート抵抗� ��、数百ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は� ��料にもよるが、通常10nm~1μm、好ましくは10~2 00nmである。

 発光層は、以下の機能を有する。
(i)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入� �より正孔を注入することができ、陰極又は� �子注入層より電子を注入することができる� �能
(ii)輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電� �の力で移動させる機能
(iii)発光機能;電子と正孔を再結合させ、これ を発光につなげる機能

 発光層を形成する方法としては、例えば蒸� ��法、スピンコート法、LB法等の公知の方法� �適用することができる。発光層は、特に分� �堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜� �は、気相状態の材料化合物を沈着して形成� �た膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合� �を固体化して形成した膜のことであり、通� �この分子堆積膜は、LB法により形成された薄 膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相� ��や、それに起因する機能的な相違により区� ��することができる。
 また樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤� ��溶かして溶液とした後、これをスピンコー� ��法等により薄膜化することによっても、発� ��層を形成することができる。

 上述したように、発光層は、好ましくは� ��発明の化合物をホスト材料として含有する� ��発光層は、本発明の化合物のほかに、下記� ��スト材料をさらに含有することができる。

 発光層に使用できるホスト材料の具体例と� ��ては、下記(i)~(ix)で表される化合物が挙げ� �れる。
 下記式(i)で表される非対称アントラセン。
(式中、Ar ⁰⁰¹ は置換もしくは無置換の核炭素数10~50(好まし くは10~30、より好ましくは10~20)の縮合芳香族� ��である。
 Ar ⁰⁰² は置換もしくは無置換の核炭素数6~50(好まし� ��は6~20、より好ましくは6~14)の芳香族基であ� ��。
 X ⁰⁰¹ ~X ⁰⁰³ は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子� ��5~50(好ましくは5~20)の芳香族複素環基、置換 もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、 より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8)のア� ��キル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� �ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好ま しくは1~8)のアルコキシ基、置換もしくは無� �換の炭素数6~50(好ましくは6~20、より好まし� �は6~14)のアラルキル基、置換もしくは無置換 の核原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールオ� �シ基、置換もしくは無置換の核原子数5~50(好 ましくは5~20)のアリールチオ基、置換もしく� ��無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、より好� ��しくは1~12、特に好ましくは1~8)のアルコキ� �カルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン� �子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基で� �る。
 a、b及びcは、それぞれ0~4の整数である。
 nは1~3の整数である。また、nが2以上の場合� ��複数の繰り返し単位([ ])内の基は、同じで� ��異なっていてもよい。)
 「置換もしくは無置換の」と記載されてい� ��上記基が置換されている場合にそれらの基� ��有する置換基は、前記式(1)におけるR ₁ ~R ₁₄ が表す置換基の例と同様の基が挙げられる。 以下の化合物においても同様である。

 下記式(ii)で表される非対称モノアントラセ ン誘導体。
(式中、Ar ⁰⁰³ 及びAr ⁰⁰⁴ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは 6~14)の芳香族環基であり、
 m及びnは、それぞれ1~4の整数である。
 ただし、m=n=1でかつAr ⁰⁰³ とAr ⁰⁰⁴ のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場 合には、Ar ⁰⁰³ とAr ⁰⁰⁴ は同一ではなく、m又はnが2~4の整数の場合に� ��mとnは異なる整数である。
 R ⁰⁰¹ ~R ⁰¹⁰ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは� ��置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� ��ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好� �しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置� ��のシクロアルキル基、置換もしくは無置換� ��炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置� �もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20� �より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)� �アリールオキシ基、置換もしくは無置換の� �原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基� ��置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく� �1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは� �置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ� �原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基� �ある。)

 下記式(iii)で表される非対称ピレン誘導体� �
[式中、Ar ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳� ��族基である。
 L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレ ン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン 基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基 又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレ ン基である。
 mは0~2の整数、nは1~4の整数、sは0~2の整数、t は0~4の整数である。
 また、L ⁰⁰¹ 又はAr ⁰⁰⁵ は、ピレンの1~5位のいずれかに結合し、L ⁰⁰² 又はAr ⁰⁰⁶ は、ピレンの6~10位のいずれかに結合する。� �だし、n+tが偶数の時、Ar ⁰⁰⁵ ,Ar ⁰⁰⁶ ,L ⁰⁰¹ ,L ⁰⁰² は下記(1)又は(2)を満たす。
(1) Ar ⁰⁰⁵ ≠Ar ⁰⁰⁶ 及び/又はL ⁰⁰¹ ≠L ⁰⁰² (ここで≠は、異なる構造の基であることを� �す。)
(2) Ar ⁰⁰⁵ =Ar ⁰⁰⁶ かつL ⁰⁰¹ =L ⁰⁰² の時
 (2-1) m≠s及び/又はn≠t、又は
 (2-2) m=sかつn=tの時、
   (2-2-1) L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 、又はピレンが、それぞれAr ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ 上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2 ) L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 、又はピレンが、Ar ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ 上の同じ結合位置で結合している場合、L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 又はAr ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2 位と7位である場合はない。]

 下記式(iv)で表される非対称アントラセン誘 導体。
(式中、A ⁰⁰¹ 及びA ⁰⁰² は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数10~20の縮合芳香族環基である。
 Ar ⁰⁰⁷ 及びAr ⁰⁰⁸ は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換も しくは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、 より好ましくは6~14)の芳香族環基である。
 R ⁰¹¹ ~R ⁰²⁰ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは� ��置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� ��ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好� �しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置� ��のシクロアルキル基、置換もしくは無置換� ��炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置� �もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20� �より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)� �アリールオキシ基、置換もしくは無置換の� �原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基� ��置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく� �1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは� �置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ� �原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ� �である。
 Ar ⁰⁰⁷ 、Ar ⁰⁰⁸ 、R ⁰¹⁹ 及びR ⁰²⁰ は、それぞれ複数であってもよく、隣接する もの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を 形成していてもよい。
 ただし、式(iv)において、中心のアントラセ ンの9位及び10位に、該アントラセン上に示す X-Y軸に対して対称型となる基が結合する場合 はない。)

 下記式(v)で表されるアントラセン誘導体。
(式中、R ⁰²¹ ~R ⁰³⁰ は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ� ��ロアルキル基,置換してもよいアリール基,� �ルコキシル基,アリーロキシ基,アルキルアミ ノ基,アルケニル基,アリールアミノ基又は置� ��してもよい複素環式基を示し、
 a及びbは、それぞれ1~5の整数を示し、それ� �が2以上の場合、R ⁰²¹ 同士又はR ⁰²² 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、また、R ⁰²¹ 同士又はR ⁰²² 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R ⁰²³ とR ⁰²⁴ ,R ⁰²⁵ とR ⁰²⁶ ,R ⁰²⁷ とR ⁰²⁸ ,R ⁰²⁹ とR ⁰³⁰ がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L ⁰⁰³ は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置� �してもよいアリール基である)、アルキレン� ��又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vi)で表されるアントラセン誘導体。
(式中、R ⁰³¹ ~R ⁰⁴⁰ は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ� ��ロアルキル基,アリール基,アルコキシル基,� ��リーロキシ基,アルキルアミノ基,アリール� �ミノ基又は置換してもよい複数環式基を示� �、
 c,d,e及びfは、それぞれ1~5の整数を示し、そ� ��らが2以上の場合、R ⁰³¹ 同士,R ⁰³² 同士,R ⁰³⁶ 同士又はR ⁰³⁷ 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、またR ⁰³¹ 同士,R ⁰³² 同士,R ⁰³⁶ 同士又はR ⁰³⁷ 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R ⁰³³ とR ⁰³⁴ ,R ⁰³⁸ とR ⁰³⁹ がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L ⁰⁰⁴ は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置� �してもよいアリール基である)、アルキレン� ��又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vii)で表されるスピロフルオレン誘� �体。
(式中、A ⁰⁰⁵ ~A ⁰⁰⁸ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の ビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナ フチル基である。)

 下記式(viii)で表される縮合環含有化合物。
(式中、A ⁰¹¹ ~A ⁰¹³ はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)のアリーレン基である。
 A ⁰¹⁴ ~A ⁰¹⁶ はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換もし くは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、よ り好ましくは6~14)のアリール基である。
 R ⁰⁴¹ ~R ⁰⁴³ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6の アルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、 炭素数1~6のアルコキシル基、炭素数5~18のア� �ールオキシ基、炭素数7~18のアラルキルオキ� ��基、炭素数5~16のアリールアミノ基、ニトロ 基、シアノ基、炭素数1~6のエステル基又はハ ロゲン原子を示し、A ⁰¹¹ ~A ⁰¹⁶ のうち少なくとも1つは3環以上の縮合芳香族� ��を有する基である。)

 下記式(ix)で表されるフルオレン化合物。
(式中、R ⁰⁵¹ 及びR ⁰⁵² は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基,置換ある� �は無置換の複素環基、置換アミノ基、シア� �基またはハロゲン原子を表わす。
 nは、1乃至10の整数を表す。nが2以上の場合� ��異なるフルオレン基に結合するR ⁰⁵¹ 同士、R ⁰⁵² 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR ⁰⁵¹ 及びR ⁰⁵² は、同じであっても異なっていてもよい。
 R ⁰⁵³ 及びR ⁰⁵⁴ は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基または置換 あるいは無置換の複素環基を表わす。nが2以� ��の場合、異なるフルオレン基に結合するR ⁰⁵³ 同士、R ⁰⁵⁴ 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR ⁰⁵³ 及びR ⁰⁵⁴ は、同じであっても異なっていてもよい。
 Ar ⁰¹¹ 及びAr ⁰¹² は、ベンゼン環の合計が3個以上の置換ある� �は無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼ� �環と複素環の合計が3個以上の置換あるいは� ��置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合� ��環複素環基を表わし、Ar ⁰¹¹ 及びAr ⁰¹² は、同じであっても異なっていてもよい。)

 本発明の有機EL素子においては、発光層� �、本発明の化合物をホストとして含み、さ� �に、りん光性ドーパント及び蛍光性ドーパ� �トの少なくとも一方を含有していることが� �ましい。また、本発明の化合物を含む発光� �に、これらのドーパントを含む発光層を積� �してもよい。

 りん光性ドーパントは三重項励起子から発� ��することのできる化合物である。三重項励� ��子から発光する限り特に限定されないが、I r、Au、Cu、Ru、Pd、Pt、Os及びReからなる群から 選択される少なくとも一つの金属を含む金属 錯体であることが好ましく、ポルフィリン金 属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好まし い。りん光性化合物は単独で使用してもよい し、2種以上を併用してもよい。
 また、上記りん光性ドーパントは、好まし� ��は520nm~700nmに最大ピーク波長を有する発光� �ペクトルを示す。

 ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィ� ��ン白金錯体が好ましい。
 オルトメタル化金属錯体を形成する配位子� ��しては種々のものがあるが、好ましい配位� ��としては、フェニルピリジン骨格、ビピリ� ��ル骨格又はフェナントロリン骨格を有する� ��合物、又は2-フェニルピリジン誘導体、7,8-� ��ンゾキノリン誘導体、2-(2-チエニル)ピリジ� ��誘導体、2-(1-ナフチル)ピリジン誘導体、2-� �ェニルキノリン誘導体等が挙げられる。こ� �らの配位子は必要に応じて置換基を有して� �よい。特に、フッ素化物、トリフルオロメ� �ル基を導入したものが、青色系ドーパント� �しては好ましい。さらに補助配位子として� �セチルアセトナート、ピクリン酸等の上記� �位子以外の配位子を有していてもよい。

 りん光性ドーパントの具体例を以下に示す� ��

 りん光性ドーパントの発光層における含� ��量としては、特に制限はなく、目的に応じ� ��適宜選択することができるが、例えば、0.1~ 70質量%であり、1~30(好ましくは1~12)質量%が好� ��しい。りん光性化合物の含有量が0.1質量%未 満では発光が微弱でありその含有効果が十分 に発揮されないおそれがあり、70質量%を超え る場合は、濃度消光と言われる現象が顕著に なり素子性能が低下するおそれがある。

 蛍光性ドーパントとしては、アミン系化� ��物、芳香族化合物、トリス(8-キノリノラー� ��)アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマ リン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導 体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサ ジアゾール誘導体等から、要求される発光色 に合わせて化合物を選択することが好ましく 、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン 化合物、アリールアミン化合物、アリールジ アミン化合物がさらに好ましい。また、アミ ン化合物ではない縮合多環芳香族化合物も好 ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独で もまた複数組み合わせて使用してもよい。

 蛍光性ドーパントの発光層における含有� ��としては、特に制限はなく、目的に応じて� ��宜選択することができるが、例えば、発光� ��全体の質量に対して、0.01~100質量%であり、� ��ましくは0.1~30質量%である。

 スチリルアミン化合物及びスチリルジアミ� ��化合物としては、下記式(A)で表されるもの� ��好ましい。

(式中、Ar ¹⁰¹ はp価の基であり、フェニル基、ナフチル基� �ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベ� �ル基、ジスチリルアリール基の対応するp価� ��基であり、Ar ¹⁰² 及びAr ¹⁰³ はそれぞれ炭素数が6~20(好ましくは6~14)の芳� �族炭化水素基であり、Ar ¹⁰¹ 、Ar ¹⁰² 及びAr ¹⁰³ は置換されていてもよい。Ar ¹⁰¹ ~Ar ¹⁰³ のいずれか一つはスチリル基で置換されてい る。さらに好ましくはAr ¹⁰² 又はAr ¹⁰³ の少なくとも一方はスチリル基で置換されて いる。pは1~4の整数であり、好ましくは1~2の� �数である。)
 ここで、炭素数が6~20(好ましくは6~14)の芳香 族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチ ル基、アントラニル基、フェナンスリル基、 ターフェニル基等が挙げられる。

 アリールアミン化合物及びアリールジアミ� ��化合物としては、下記式(B)で表されるもの� ��好ましい。

(式中、Ar ¹¹¹ はq価の置換もしくは無置換の核炭素数5~40(好 ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳香族基 であり、Ar ¹¹² ,Ar ¹¹³ はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数5~4 0(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)のアリ� ��ル基である。qは1~4の整数であり、好ましく は1~2の整数である。)
 ここで、核炭素数が5~40のアリール基として は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アン トラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基 、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル 基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニ ル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾ リル基、ジフェニルアントラニル基、インド リル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベン ゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナ フトフルオランテニル基、スチルベン基、ペ リレニル基、クリセニル基、ピセニル基、ト リフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾア ントラセニル基、フェニルアントラニル基、 ビスアントラセニル基等が挙げられ、ナフチ ル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレ ニル基が好ましい。
 Ar ¹¹¹ は上記のq価の基が好ましく、さらにAr ¹¹¹ が2価のときは下記式(C),(D)で示される基が好� ��しく、式(D)で示される基がより好ましい。

(式(C)において、rは1~3の整数である。)

 尚、前記アリール基に置換する好ましい� ��換基としては、炭素数1~6のアルキル基(エチ ル基、メチル基、i-プロピル基、n-プロピル� �、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘ� ��シル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ� ��基等)、炭素数1~6のアルコキシ基(エトキシ� �、メトキシ基、i-プロポキシ基、n-プロポキ� ��基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペントキ シ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ 基、シクロヘキシルオキシ基等)、核炭素数5~ 40(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)のアリ ール基、核炭素数5~40(好ましくは6~20、より好 ましくは6~14)のアリール基で置換されたアミ� ��基、核炭素数5~40(好ましくは6~20、より好ま� ��くは6~14)のアリール基を有するエステル基� �炭素数1~6のアルキル基を有するエステル基� �シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙� �られる。

 発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子� ��送材、ポリマーバインダーを含有してもよ� ��。
 発光層の膜厚は、好ましくは5~50nm、より好� ��しくは7~50nm、最も好ましくは10~50nmである。 5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の 調整が困難となるおそれがあり、50nmを超え� �と駆動電圧が上昇するおそれがある。

 正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層への� ��孔注入を助け、発光領域まで輸送する層で� ��って、正孔移動度が大きく、イオン化エネ� ��ギーが通常5.5eV以下と小さい。このような� �孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、� �り低い電界強度で正孔を発光層に輸送する� �料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例� �ば10 ⁴ ~10 ⁶ V/cmの電界印加時に、10 ^-4 cm ² /V・秒以上であれば好ましい。
 正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては� ��特に制限はなく、従来、光導伝材料におい� ��正孔の電荷輸送材料として慣用されている� ��のや、有機EL素子の正孔注入層及び正孔輸� �層に使用されている公知のものの中から任� �のものを選択して用いることができる。

 正孔注入層及び正孔輸送層に、例えば、下� ��式で表される芳香族アミン誘導体が使用で� ��る。
 Ar ²¹¹ ~Ar ²¹³ 、Ar ²²¹ ~Ar ²²³ 及びAr ²⁰³ ~Ar ²⁰⁸ はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6~5 0(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳香� ��炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核� ��子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族複素環基で ある。a~c及びp~rはそれぞれ0~3の整数である。 Ar ²⁰³ とAr ²⁰⁴ 、Ar ²⁰⁵ とAr ²⁰⁶ 、Ar ²⁰⁷ とAr ²⁰⁸ はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽 和の環を形成してもよい。

 置換又は無置換の核炭素数6~50の芳香族炭 化水素基の例としては、フェニル基、1-ナフ� ��ル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-ア� ��トリル基、9-アントリル基、1-フェナントリ ル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリ� �基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル� ��、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-� ��フタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基 、4-ピレニル基、2-ビフェニルイル基、3-ビフ ェニルイル基、4-ビフェニルイル基、p-テル� �ェニル-4-イル基、p-テルフェニル-3-イル基、 p-テルフェニル-2-イル基、m-テルフェニル-4-� �ル基、m-テルフェニル-3-イル基、m-テルフェ� ��ル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-ト� ��ル基、p-t-ブチルフェニル基、p-(2-フェニル� ��ロピル)フェニル基、3-メチル-2-ナフチル基� ��4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリ ル基、4’-メチルビフェニルイル基、4”-t-ブ チル-p-テルフェニル4-イル基が挙げられる。

 置換又は無置換の核原子数5~50の芳香族複 素環基の例としては、1-ピロリル基、2-ピロ� �ル基、3-ピロリル基、ピラジニル基、2-ピリ� ��ニル基、3-ピリジニル基、4-ピリジニル基、 1-インドリル基、2-インドリル基、3-インドリ ル基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-イ ンドリル基、7-インドリル基、1-イソインド� �ル基、2-イソインドリル基、3-イソインドリ� ��基、4-イソインドリル基、5-イソインドリル 基、6-イソインドリル基、7-イソインドリル� �、2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフラニ� �基、3-ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラニル� ��、5-ベンゾフラニル基、6-ベンゾフラニル基 、7-ベンゾフラニル基、1-イソベンゾフラニ� �基、3-イソベンゾフラニル基、4-イソベンゾ� ��ラニル基、5-イソベンゾフラニル基、6-イソ ベンゾフラニル基、7-イソベンゾフラニル基� ��キノリル基、3-キノリル基、4-キノリル基、 5-キノリル基、6-キノリル基、7-キノリル基、 8-キノリル基、1-イソキノリル基、3-イソキノ リル基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル� �、6-イソキノリル基、7-イソキノリル基、8-� �ソキノリル基、2-キノキサリニル基、5-キノ� ��サリニル基、6-キノキサリニル基、1-カルバ ゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリ� �基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、1 -フェナントリジニル基、2-フェナントリジニ ル基、3-フェナントリジニル基、4-フェナン� �リジニル基、6-フェナントリジニル基、7-フ� ��ナントリジニル基、8-フェナントリジニル� �、9-フェナントリジニル基、10-フェナントリ ジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリジニ� �基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル基、9 -アクリジニル基、1,7-フェナントロリン-2-イ� ��基、1,7-フェナントロリン-3-イル基、1,7-フ� �ナントロリン-4-イル基、1,7-フェナントロリ� ��-5-イル基、1,7-フェナントロリン-6-イル基、 1,7-フェナントロリン-8-イル基、1,7-フェナン� ��ロリン-9-イル基、1,7-フェナントロリン-10-� �ル基、1,8-フェナントロリン-2-イル基、1,8-フ ェナントロリン-3-イル基、1,8-フェナントロ� �ン-4-イル基、1,8-フェナントロリン-5-イル基� ��1,8-フェナントロリン-6-イル基、1,8-フェナ� �トロリン-7-イル基、1,8-フェナントロリン-9-� ��ル基、1,8-フェナントロリン-10-イル基、1,9-� ��ェナントロリン-2-イル基、1,9-フェナントロ リン-3-イル基、1,9-フェナントロリン-4-イル� �、1,9-フェナントロリン-5-イル基、1,9-フェナ ントロリン-6-イル基、1,9-フェナントロリン-7 -イル基、1,9-フェナントロリン-8-イル基、1,9- フェナントロリン-10-イル基、1,10-フェナント ロリン-2-イル基、1,10-フェナントロリン-3-イ� ��基、1,10-フェナントロリン-4-イル基、1,10-フ ェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロ� �ン-1-イル基、2,9-フェナントロリン-3-イル基� ��2,9-フェナントロリン-4-イル基、2,9-フェナ� �トロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-6-� ��ル基、2,9-フェナントロリン-7-イル基、2,9-� �ェナントロリン-8-イル基、2,9-フェナントロ� ��ン-10-イル基、2,8-フェナントロリン-1-イル� �、2,8-フェナントロリン-3-イル基、2,8-フェナ ントロリン-4-イル基、2,8-フェナントロリン-5 -イル基、2,8-フェナントロリン-6-イル基、2,8- フェナントロリン-7-イル基、2,8-フェナント� �リン-9-イル基、2,8-フェナントロリン-10-イル 基、2,7-フェナントロリン-1-イル基、2,7-フェ� ��ントロリン-3-イル基、2,7-フェナントロリン -4-イル基、2,7-フェナントロリン-5-イル基、2, 7-フェナントロリン-6-イル基、2,7-フェナント ロリン-8-イル基、2,7-フェナントロリン-9-イ� �基、2,7-フェナントロリン-10-イル基、1-フェ� ��ジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノチア ジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノ� �アジニル基、4-フェノチアジニル基、10-フェ ノチアジニル基、1-フェノキサジニル基、2-� �ェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、 4-フェノキサジニル基、10-フェノキサジニル� ��、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-� ��キサゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オ キサジアゾリル基、3-フラザニル基、2-チエ� �ル基、3-チエニル基、2-メチルピロール-1-イ� ��基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチルピ ロール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基� ��3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピロー ル-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-� �チルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール- 4-イル基、3-(2-フェニルプロピル)ピロール-1-� ��ル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1- インドリル基、2-メチル-3-インドリル基、4-� �チル-3-インドリル基、2-t-ブチル1-インドリ� �基、4-t-ブチル1-インドリル基、2-t-ブチル3-� �ンドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基が挙� �られる。

 さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下� ��式で表される化合物が使用できる。
 (式中、Ar ²³¹ ~Ar ²³⁴ はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6~5 0(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳香� ��炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核� ��子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族複素環基で ある。Lは連結基であり、単結合、もしくは� �換もしくは無置換の核炭素数6~50(好ましくは 6~20、より好ましくは6~14)の芳香族炭化水素基 、又は置換もしくは無置換の核原子数5~50(好� ��しくは5~20)の芳香族複素環基である。xは0~5� ��整数である。Ar ²³² とAr ²³³ は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を 形成してもよい。)
 ここで置換もしくは無置換の核炭素数6~50の 芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換 の核原子数5~50の芳香族複素環基の具体例と� �ては、前記芳香族アミン誘導体と同様のも� �があげられる。

 さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材� ��の具体例としては、例えば、トリアゾール� ��導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾ� ��ル誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、� ��ラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フ� ��ニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘� ��体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾ� ��ル誘導体、スチリルアントラセン誘導体、� ��ルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ス� ��ルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン� ��共重合体、導電性高分子オリゴマー(特にチ オフェンオリゴマー)等を挙げることができ� �。

 正孔注入層及び正孔輸送層の材料として� ��上記のものを使用することができるが、ポ� ��フィリン化合物、芳香族第三級アミン化合� ��及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第� ��級アミン化合物を用いることが好ましい。

 また、2個の縮合芳香族環を分子内に有す る化合物、例えば4,4’-ビス(N-(1-ナフチル)-N-� ��ェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記す� �)や、トリフェニルアミンユニットが3つスタ ーバースト型に連結された4,4’,4’’-トリス (N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ)トリ� ��ェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を用� �ることが好ましい。

 この他に下記式で表される含窒素複素環誘� ��体も用いることができる。
 (式中、R ²⁰¹ ~R ²⁰⁶ はそれぞれ置換もしくは無置換のアルキル基 、置換もしくは無置換のアリール基、置換も しくは無置換のアラルキル基、置換もしくは 無置換の複素環基のいずれかを示す。R ²⁰¹ とR ²⁰² 、R ²⁰³ とR ²⁰⁴ 、R ²⁰⁵ とR ²⁰⁶ 、R ²⁰¹ とR ²⁰⁶ 、R ²⁰² とR ²⁰³ 、又はR ²⁰⁴ とR ²⁰⁵ は縮合環を形成してもよい。)

 さらに、下記式の化合物も用いることがで� ��る。
 (式中、R ²¹¹ ~R ²¹⁶ は置換基であり、好ましくはそれぞれシアノ 基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基 、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子 吸引基である。)

 また、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注 入層及び正孔輸送層の材料として使用するこ とができる。
 正孔注入層及び正孔輸送層は上述した化合� ��を、真空蒸着法、スピンコート法、キャス� ��法、LB法等の公知の方法により薄膜化する� �とにより形成することができる。正孔注入� �及び正孔輸送層の膜厚は特に制限はないが� �通常は5nm~5μmである。正孔注入層及び正孔輸 送層は上述した材料の一種又は二種以上から なる一層で構成されてもよいし、異なる化合 物からなる複数の正孔注入層及び正孔輸送層 を積層したものであってもよい。

 有機半導体層は発光層への正孔注入又は電� ��注入を助ける層であって、10 ^-10 S/cm以上の導電率を有するものが好適である� �このような有機半導体層の材料としては、� �チオフェンオリゴマーや含アリールアミン� �リゴマー等の導電性オリゴマー、含アリー� �アミンデンドリマー等の導電性デンドリマ� �等を用いることができる。

 電子注入層及び電子輸送層は、発光層への� ��子の注入を助け、発光領域まで輸送する層� ��あって、電子移動度が大きい。また付着改� ��層は、特に陰極との付着が良い材料からな� ��電子注入層の一種である。
 電子輸送層は5nm~5μmの膜厚で適宜選ばれる� �、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避ける� �めに、10 ⁴ ~10 ⁶ V/cmの電界印加時に電子移動度が10 ^-5 cm ² /Vs以上であることが好ましい。

 電子注入層及び電子輸送層に用いられる� ��料としては、8-ヒドロキシキノリン又はそ� �誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導� �が好適である。8-ヒドロキシキノリン又はそ の誘導体の金属錯体の具体例としては、オキ シン(一般に8-キノリノール又は8-ヒドロキシ� ��ノリン)のキレートを含む金属キレートオキ シノイド化合物、例えばトリス(8-キノリノラ ト)アルミニウムを挙げることができる。

 オキサジアゾール誘導体としては、以下� ��式で表される電子伝達化合物が挙げられる� ��

(式中、Ar ³⁰¹ 、Ar ³⁰² 、Ar ³⁰³ 、Ar ³⁰⁵ 、Ar ³⁰⁶ 、及びAr ³⁰⁹ はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示 す。またAr ³⁰⁴ 、Ar ³⁰⁷ 、Ar ³⁰⁸ はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を 示す。)

 ここでアリール基としてはフェニル基、� ��フェニル基、アントラニル基、ペリレニル� ��、ピレニル基等が挙げられる。また、アリ� ��レン基としてはフェニレン基、ナフチレン� ��、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペ� ��レニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。� ��た、置換基としては炭素数1~10のアルキル基 、炭素数1~10のアルコキシ基又はシアノ基等� �挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形� �性のものが好ましい。

 上記電子伝達性化合物の具体例としては下� ��のものを挙げることができる。
(Meはメチル基、t-Buはt-ブチル基を示す。)

 さらに、電子注入層及び電子輸送層に用い� ��れる材料として、下記式(E)~(J)で表されるも のも用いることができる。

(式(E)及び(F)中、A ³¹¹ ~A ³¹³ は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
 Ar ³¹¹ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま� ��くは6~20、より好ましくは6~14)のアリール基� ��又は置換もしくは無置換の核炭素数3~60(好� �しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア� �ール基であり、Ar ^311’ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま� ��くは6~20、より好ましくは6~14)のアリーレン� ��又は置換もしくは無置換の核炭素数3~60(好� �しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア� �ーレン基であり、Ar ³¹² は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の� ��リール基、置換もしくは無置換の核炭素数3 ~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘ� �ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素� �1~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のア� ��キル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1 ~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のアル コキシ基である。ただし、Ar ³¹¹ 及びAr ³¹² のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核 炭素数10~60(好ましくは10~30、より好ましくは1 0~20)の縮合環基、又は置換もしくは無置換の� ��炭素数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3 ~14)のモノヘテロ縮合環基である。
 L ³¹¹ 、L ³¹² 及びL ³¹³ は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60(好ましくは6~20、より好ましく は6~14)のアリーレン基、置換もしくは無置換� ��核炭素数3~60(好ましくは3~20、より好ましく� ��3~14)のヘテロアリーレン基、又は置換もし� �は無置換のフルオレニレン基である。
 R及びR ³¹¹ は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60(好ましくは6~20、より好ましく は6~14)のアリール基、置換もしくは無置換の� ��炭素数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3 ~14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置� �の炭素数1~20(好ましくは1~12、より好ましく� �1~8)のアルキル基、又は置換もしくは無置換� ��炭素数1~20(好ましくは1~12、より好ましくは1 ~8)のアルコキシ基であり、nは0~5の整数であ� �、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異な� �ていてもよく、また、隣接するR基同士で結� ��して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香� ��環を形成していてもよい。)で表される含窒 素複素環誘導体。

     HAr-L ³¹⁴ -Ar ³²¹ -Ar ³²²   (G)
(式中、HArは、置換基を有していてもよい炭� �数3~40(好ましくは3~30、より好ましくは3~24)の 含窒素複素環であり、L ³¹⁴ は、単結合、置換基を有していてもよい炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の� ��リーレン基、置換基を有していてもよい炭� ��数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14)� �ヘテロアリーレン基又は置換基を有してい� �もよいフルオレニレン基であり、Ar ³²¹ は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好� ��しくは6~20、より好ましくは6~14)の2価の芳香 族炭化水素基であり、Ar ³²² は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好� ��しくは6~20、より好ましくは6~14)のアリール� ��又は置換基を有していてもよい炭素数3~60(� �ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロ� �リール基である。)で表される含窒素複素環� ��導体。

(式中、X ³⁰¹ 及びY ³⁰¹ は、それぞれ炭素数1~6の飽和若しくは不飽和 の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオ キシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基 、置換若しくは無置換のアリール基、置換若 しくは無置換のヘテロ環又はXとYが結合して� ��和又は不飽和の環を形成した構造であり、R ³⁰¹ ~R ³⁰⁴ は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキ ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコ キシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、 アリールカルボニル基、アルコキシカルボニ ル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基 、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカ ルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオ キシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基 、スルフィニル基、スルフォニル基、スルフ ァニル基、シリル基、カルバモイル基、アリ ール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキ ニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基 、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネ ート基、イソシアネート基、チオシアネート 基、イソチオシアネート基又はシアノ基であ る。これらの基は置換されていてもよい。ま た、隣接した基が置換若しくは無置換の縮合 環を形成してもよい。)で表されるシラシク� �ペンタジエン誘導体。

(式中、R ³²¹ ~R ³²⁸ 及びZ ³²² は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽 和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ 環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコ キシ基又はアリールオキシ基を示し、X ³⁰² 、Y ³⁰² 及びZ ³²¹ は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水 素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換 アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ 基を示し、Z ³²¹ とZ ³²² は相互に結合して縮合環を形成してもよく、 nは1~3の整数を示し、n又は(3-n)が2以上の場合� ��R ³²¹ ~R ³²⁸ 、X ³⁰² 、Y ³⁰² 、Z ³²² 及びZ ³²¹ は同一でも異なってもよい。但し、nが1、X ³⁰² 、Y ³⁰² 及びR ³²² がメチル基でR ³²⁸ が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及び nが3でZ ³²¹ がメチル基の化合物を含まない。)で表され� �ボラン誘導体。

[式中、Q ³⁰¹ 及びQ ³⁰² は、それぞれ、下記式(K)で示される配位子を 表し、L ³¹⁵ は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のア ルキル基、置換もしくは無置換のシクロアル キル基、置換もしくは無置換のアリール基、 置換もしくは無置換の複素環基、-OR(Rは、水� ��原子、置換もしくは無置換のアルキル基、� ��換もしくは無置換のシクロアルキル基、置� ��もしくは無置換のアリール基、置換もしく� ��無置換の複素環基である。)又は-O-Ga-Q ³⁰³ (Q ³⁰⁴ )(Q ³⁰³ 及びQ ³⁰⁴ は、Q ³⁰¹ 及びQ ³⁰² と同じ)で示される配位子を表す。]で表され� ��ガリウム錯体。

[式中、環A ³⁰¹ 及びA ³⁰² は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合 した6員アリール環構造である。]

 この金属錯体は、n型半導体としての性質が 強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯 体形成時の生成エネルギーも低いために、形 成した金属錯体の金属と配位子との結合性も 強固になり、発光材料としての蛍光量子効率 も大きい。
 式(K)の配位子を形成する環A ³⁰¹ 及びA ³⁰² の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭 素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル 基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s-ブ� ��ル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル� �、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基� �トリクロロメチル基等の置換もしくは無置� �のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、� �フェニル基、アントラニル基、フェナント� �ル基、フルオレニル基、ピレニル基、3-メチ ルフェニル基、3-メトキシフェニル基、3-フ� �オロフェニル基、3-トリクロロメチルフェニ ル基、3-トリフルオロメチルフェニル基、3-� �トロフェニル基等の置換もしくは無置換の� �リール基、メトキシ基、n-ブトキシ基、t-ブ� ��キシ基、トリクロロメトキシ基、トリフル� ��ロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ� ��、2,2,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1 ,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロポキシ基、6-(パ� �フルオロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換� ��しくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ� ��、p-ニトロフェノキシ基、p-t-ブチルフェノ� ��シ基、3-フルオロフェノキシ基、ペンタフ� �オロフェノキシ基、3-トリフルオロメチルフ ェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリー ルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、 t-ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチル� ��オ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換� ��しくは無置換のアルキルチオ基、フェニル� ��オ基、p-ニトロフェニルチオ基、p-t-ブチル� ��ェニルチオ基、3-フルオロフェニルチオ基� �ペンタフルオロフェニルチオ基、3-トリフル オロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは 無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ 基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルア ミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基 、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、 ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミ ノ基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビ� ��(アセトキシエチル)アミノ基、ビス(アセト� ��シプロピル)アミノ基、ビス(アセトキシブ� �ル)アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、� ��ロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メ� ��ルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル� ��、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバ� ��イル基、プロイピルカルバモイル基、ブチ� ��カルバモイル基、フェニルカルバモイル基� ��の置換もしくは無置換のカルバモイル基、� ��ルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、� ��クロペンタン基、シクロヘキシル基等のシ� ��ロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル� ��、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリ� ��ジニル基、インドリニル基、キノリニル基� ��アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキ� ��ニル基、ピペリジニル基、モルフォリニル� ��、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラ� ��ル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、� ��キサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基� ��チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾ� ��アゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリ� ��基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基等� ��ある。また、以上の置換基同士が結合して� ��らなる6員アリール環もしくは複素環を形成 してもよい。

 有機EL素子の好ましい形態では、電子を� �送する領域又は陰極と有機層の界面領域に� �還元性ドーパントを含有する。ここで、還� �性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還� �ができる物質と定義される。従って、一定� �還元性を有するものであれば、様々なもの� �用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカ� �土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸� �物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカ� �土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハ� �ゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類� �属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩� �アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の� �酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ� �類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体� �らなる群から選択される少なくとも一つの� �質を好適に使用することができる。

 また、具体的に、好ましい還元性ドーパ� ��トとしては、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数 :2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)及びCs(仕事関数:1.95 eV)からなる群から選択される少なくとも一つ のアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕� �関数:2.0~2.5eV)、及びBa(仕事関数:2.52eV)からな� ��群から選択される少なくとも一つのアルカ� ��土類金属が挙げられる。仕事関数が2.9eV以� �のものが特に好ましい。これらのうち、よ� �好ましい還元性ドーパントは、K、Rb及びCsか らなる群から選択される少なくとも一つのア ルカリ金属であり、さらに好ましくは、Rb又� ��Csであり、最も好ましくは、Csである。これ らのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、 電子注入域への比較的少量の添加により、有 機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化� ��図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還� �性ドーパントとして、これら2種以上のアル� ��リ金属の組合わせも好ましく、特に、Csを� �んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、Cs� �RbあるいはCsとNaとKとの組み合わせであるこ� ��が好ましい。Csを組み合わせて含むことに� �り、還元能力を効率的に発揮することがで� �、電子注入域への添加により、有機EL素子に おける発光輝度の向上や長寿命化が図られる 。

 陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構� ��される電子注入層をさらに設けてもよい。� ��のような層により、電流のリークを有効に� ��止して、電子注入性を向上させることがで� ��る。電子注入層が絶縁性薄膜であれば、よ� ��均質な薄膜が形成されるために、ダークス� ��ット等の画素欠陥を減少させることができ� ��。

 絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニ� ��、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカ� ��金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属� ��ハロゲン化物からなる群から選択される少� ��くとも一つの金属化合物を使用するのが好� ��しい。電子注入層がこれらのアルカリ金属� ��ルコゲニド等で構成されていれば、電子注� ��性をさらに向上させることができ好ましい� ��具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲ� ��ドとしては、例えば、Li ₂ O、K ₂ O、Na ₂ S、Na ₂ Se及びNa ₂ Oが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カ� �コゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、Be O、BaS、及びCaSeが挙げられる。また、好まし� ��アルカリ金属のハロゲン化物としては、例� ��ば、LiF、NaF、KF、CsF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙 げられる。また、好ましいアルカリ土類金属 のハロゲン化物としては、例えば、CaF ₂ 、BaF ₂ 、SrF ₂ 、MgF ₂ 及びBeF ₂ といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲ ン化物が挙げられる。

 また、電子注入層を構成する半導体とし� ��は、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg 、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元素を� ��む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種� ��独又は二種以上の組み合わせが挙げられる� ��また、電子注入層を構成する無機化合物は� ��微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であること� ��好ましい。

 陰極としては、仕事関数の小さい(例えば、 4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及び� �れらの混合物を電極物質とするものが用い� �れる。このような電極物質の具体例として� �、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、� ��グネシウム、リチウム、セシウム、マグネ� ��ウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニ ウム、Al/Li ₂ O、Al/LiO、Al/LiF、アルミニウム・リチウム合� �、インジウム、希土類金属等が挙げられる� �

 陰極はこれらの電極物質から蒸着やスパッ� ��リング等により作製できる。
 発光層からの発光を陰極から取り出す場合� ��陰極の発光に対する透過率は10%より大きく� ��ることが好ましい。また、陰極としてのシ� ��ト抵抗は数百ω/□以下が好ましく、さらに� ��膜厚は通常10nm~1μm、好ましくは50~200nmであ� �。

 一般に、有機EL素子は、超薄膜に電界を印� �するために、リークやショートによる画素� �陥が生じやすい。これを防止するために、� �対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入しても� �い。
 絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸� ��アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウ� ��、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグ� ��シウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウ� ��、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸� ��チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒� ��珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化� ��テニウム、酸化バナジウム等が挙げられる� ��これらの混合物や積層物を用いてもよい。

 有機EL素子を作製する方法については、� �えば上記の材料及び方法により、陽極から� �必要な層を順次形成し、最後に陰極を形成� �ればよい。また、陰極から陽極へ、逆の順� �で有機EL素子を作製することもできる。

 以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/� �光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成 の有機EL素子の作製例について説明する。
 まず、透光性基板上に、陽極材料からなる� ��膜を蒸着法あるいはスパッタリング法によ� ��形成し、陽極とする。次に、この陽極上に� ��孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、� ��空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、L B法等の方法により行うことができるが、均� �な膜が得られやすく、かつピンホールが発� �しにくい等の点から真空蒸着法により形成� �ることが好ましい。真空蒸着法により正孔� �入層を形成する場合、その蒸着条件は使用� �る化合物(正孔注入層の材料)、目的とする正 孔注入層の構造等により異なるが、一般に蒸 着源温度50~450℃、真空度10 ^-7 ~10 ^-3 Torr、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃で 適宜選択することが好ましい。

 次に、正孔注入層上に発光層を設ける。� ��光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリン� ��、スピンコート法、キャスト法等の方法に� ��り、発光材料を薄膜化することにより形成� ��きるが、均質な膜が得られやすく、かつピ� ��ホールが発生しにくい等の点から真空蒸着� ��により形成することが好ましい。真空蒸着� ��により発光層を形成する場合、その蒸着条� ��は使用する化合物により異なるが、一般的� ��正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中か� ��選択することができる。

 次に、発光層上に電子注入層を設ける。こ� ��場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質� ��膜を得る必要から真空蒸着法により形成す� ��ことが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、� ��光層と同様の条件範囲から選択することが� ��きる。
 そして、最後に陰極を積層して有機EL素子� �得ることができる。陰極は蒸着法、スパッ� �リングにより形成できる。下地の有機物層� �製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法� �好ましい。
 以上の有機EL素子の作製は、一回の真空引� �で、一貫して陽極から陰極まで作製するこ� �が好ましい。

 有機EL素子の各層の形成方法は特に限定さ� �ない。本発明の化合物を含有する有機薄膜� �は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるい は本発明の化合物を溶媒に解かした溶液のデ ィッピング法、スピンコーティング法、キャ スティング法、バーコート法、ロールコート 法等の塗布法による公知の方法で形成するこ とができる。
[実施例]

合成例1
[ベンゾ[g]クリセンの合成]
 ベンゾ[g]クリセンを以下の合成スキームに� ��って合成した。

 アルゴン雰囲気下、9-ブロモフェナント� �ン25.7g、2-ホルミルフェニルボロン酸16.5g及� �テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ ウム(0)2.31gをフラスコに仕込んだ。このフラ� ��コにジメチルエーテル(DME)340mL及び2M炭酸ナ� ��リウム水溶液170mLを加え、8時間加熱還流攪� ��した。室温まで冷却後、水層を除去し、分� ��した有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後� ��硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグ� ��シウムを濾別後、有機層を濃縮した。得ら� ��た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ� ��で精製し、9-(2-ホルミルフェニル)フェナン� ��レン25.0g(収率89%)を得た。

 アルゴン雰囲気下、得られた9-(2-ホルミ� �フェニル)フェナントレン25.0g、メトキシメ� �ルトリフェニルホスフォニウムクロリド33.4g 、及びテトラヒドロフラン(THF)300mLをフラス� �に仕込んだ。室温にて攪拌中に、フラスコ� �t-ブトキシカリウム11.9gを加えた。室温にて� ��らに2時間攪拌した後、水200mLを加えた。反� ��溶液をジエチルエーテルで抽出し、水層を� ��去して、分離した有機層を水、飽和食塩水� ��洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ� ��。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃� ��した。得られた残渣をシリカゲルカラムク� ��マトグラフィで精製し、9-(2-ホルミルフェ� �ル)フェナントレン24.0g(収率87%)を得た。

 得られた9-(2-ホルミルフェニル)フェナン� ��レン24.0g及びジクロロメタン100mLをフラスコ に仕込んだ。室温にて攪拌中にフラスコにメ タンスルホン酸をパスツールピペットで6滴� �えた。室温にてさらに8時間攪拌し、反応終� ��後10%炭酸カリウム水溶液100mLを加えた。水� �を除去し、分離した有機層を水、飽和食塩� �で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥さ� �た。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を� �縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム� �ロマトグラフィで精製し、ベンゾ[g]クリセ� �5.21g(収率25%)を得た。

合成例2
[10-ブロモベンゾ[g]クリセンの合成]
 合成例1で調製したベンゾ[g]クリセン5.21g及� ��N,N-ジメチルホルムアミド50mLをフラスコに� �込み、N-ブロモスクシンイミド4.00gが溶解し� ��N,N-ジメチルホルムアミド10mL溶液を加えた� �80℃で8時間加熱攪拌し、室温まで冷却した� �、反応溶液を水200mL中に注いだ。析出した固 体を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得 られた個体をシリカゲルカラムクロマトグラ フィで精製し、10-ブロモベンゾ[g]クリセン5.8 7g(収率88%)を得た。

実施例1
 化合物1を以下の合成スキームに従って合成 した。

 アルゴン雰囲気下、フラスコに合成例2で 調製した10-ブロモベンゾ[g]クリセン3.57g、フ� ��ニルボロン酸1.46g、テトラキス(トリフェニ� ��ホスフィン)パラジウム(0)0.231g、トルエン40m L、2M炭酸ナトリウム水溶液20mLを仕込み、8時� ��還流攪拌をした。室温まで冷却後、反応溶� ��をトルエンで抽出した。水層を除去し、分� ��した有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し� ��後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸� ��グネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。� ��られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ� ��フィで精製し、白色結晶2.83gを得た。得ら� �た結晶は、マススペクトル分析の結果、上� �化合物1であることを確認した。化合物1は、 分子量354.14に対し、m/e=354であった。

実施例2
 化合物2を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに4-(1-ナフチ� �)フェニルボロン酸を用いた他は実施例1と同 様にして結晶を合成した。得られた結晶は、 マススペクトル分析の結果、化合物2である� �とを確認した。化合物2は、分子量480.19に対� ��、m/e=480であった。

実施例3
 化合物3を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した4-(2-ナフチル)フェニルボロン酸を� ��いた他は実施例1と同様にして結晶を合成し た。得られた結晶は、マススペクトル分析の 結果、化合物3であることを確認した。化合� �3は、分子量480.19に対し、m/e=480であった。

実施例4
 化合物4を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した3-(1-ナフチル)フェニルボロン酸を� ��いた他は実施例1と同様にして結晶を合成し た。得られて結晶は、マススペクトル分析の 結果、化合物4であることを確認した。化合� �4は、分子量480.19に対し、m/e=480であった。

実施例5
 化合物5を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した3-(2-ナフチル)フェニルボロン酸を� ��いた他は実施例1と同様にして結晶を合成し た。得られた結晶は、マススペクトル分析の 結果、化合物5であることを確認した。化合� �5は、分子量480.19に対し、m/e=480であった。

実施例6
 化合物6を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに4-ビフェニ� �ボロン酸を用いた他は実施例1と同様にして� ��晶を合成した。得られた結晶は、マススペ� ��トル分析の結果、化合物6であることを確認 した。化合物6は、分子量430.17に対し、m/e=430� ��あった。

実施例7
 化合物7を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに3-ビフェニ� �ボロン酸を用いた他は実施例1と同様にして� ��晶を合成した。得られた結晶は、マススペ� ��トル分析の結果、化合物7であることを確認 した。化合物7は、分子量430.17に対し、m/e=430� ��あった。

実施例8
 化合物8を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに2-ビフェニ� �ボロン酸を用いた他は実施例1と同様にして� ��晶を合成した。得られた結晶は、マススペ� ��トル分析の結果、化合物8であることを確認 した。化合物8は、分子量430.17に対し、m/e=430� ��あった。

実施例9
 化合物9を以下の合成スキームに従って合成 した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した4-(9-フェナントリル)フェニルボロ� ��酸を用いた他は実施例1と同様にして結晶を 合成した。得られた結晶は、マススペクトル 分析の結果、化合物9であることを確認した� �化合物9は、分子量530.20に対し、m/e=530であっ た。

実施例10
 化合物10を以下の合成スキームに従って合� �した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した3-(9-フェナントリル)フェニルボロ� ��酸を用いた他は実施例1と同様にして結晶を 合成した。得られた結晶は、マススペクトル 分析の結果、化合物10であることを確認した� ��化合物10は、分子量530.20に対し、m/e=530であ� ��た。

実施例11
 化合物11を以下の合成スキームに従って合� �した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した2-(9,9-ジメチルフルオレニル)フェ� �ルボロン酸を用いた他は実施例1と同様にし� ��結晶を合成した。得られた結晶は、マスス� ��クトル分析の結果、化合物11であることを� �認した。化合物11は、分子量470.20に対し、m/e =470であった。

実施例12
 化合物12を以下の合成スキームに従って合� �した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した6-フェニルナフタレン-2-ボロン酸� �用いた他は実施例1と同様にして結晶を合成� ��た。得られた結晶は、マススペクトル分析� ��結果、化合物12であることを確認した。

実施例13
 化合物13を以下の合成スキームに従って合� �した。

 フェニルボロン酸の代わりに公知の方法� ��合成した6-(2-ナフチル)ナフタレン-2-ボロン� ��を用いた他は実施例1と同様にして結晶を合 成した。得られた結晶は、マススペクトル分 析の結果、化合物13であることを確認した。

合成例3
[10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセンの合成]
 合成例1において、フェニルボロン酸の代わ りに2-ナフタレンボロン酸を用いて同様の方� ��で10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセンを合成し た。

合成例4
[3-ブロモ-10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセンの� ��成]
 3-ブロモ-10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセンを 以下の合成スキームに従って合成した。

 10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセン4.05g及び� ��酸400mLをフラスコに仕込み、臭素1.92gを加え 、100℃で8時間加熱攪拌をした。室温まで冷� �後、反応溶液を氷水1Lに注いだ。析出した固 体をろ取し、水、メタノールで順次洗浄後、 乾燥させた。得られた固体をシリカゲルカラ ムクロマトグラフィで精製し、3-ブロモ-10-(2- ナフチル)ベンゾ[g]クリセン4.35g(収率90%)を得� ��。

実施例14
 化合物14を以下の合成スキームに従って合� �した。

 10-ブロモベンゾ[g]クリセンの代わりに3-� �ロモ-10-(2-ナフチル)ベンゾ[g]クリセンを、フ ェニルボロン酸の代わりに1-ナフタレンボロ� ��酸を用いた他は実施例1と同様にして結晶を 合成した。得られた結晶は、マススペクトル 分析の結果、化合物14であることを確認した� ��

実施例15
[有機EL素子の作製]
 25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極(陽極)付きガラ ス基板(ジオマティック社製)を、イソプロピ� ��アルコール中で5分間、超音波洗浄した後、 UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透� �電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置� �基板ホルダーに装着し、まず透明電極ライ� �が形成されている側の面上に、透明電極を� �うようにして厚さ50nmの4,4’-ビス[N-(1-ナフチ ル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルからなる膜( 以下「NPD膜」と略記する。)を抵抗加熱蒸着� �より成膜した。このNPD膜は正孔注入・輸送� �として機能する。

 続けて、NPD膜上に、実施例1で調製した化 合物1を抵抗加熱蒸着により厚さ40nmで成膜し� ��。同時に燐光発光性ドーパントとして、下� ��PQIr(acac)を、化合物1に対し質量比で5%になる ように蒸着した。PQIr(acac)膜は、燐光発光層� �して機能する。

 この燐光発光層上に、下記化合物Iを、抵抗 加熱蒸着により厚さ10nmになるように成膜し� �。この化合物Iからなる膜は正孔障壁層とし� ��機能する。
 化合物Iからなる膜上に膜厚30nmのトリス(8-� �ノリノール)アルミニウム(Alq3)錯体からなる� ��を成膜した。これは、電子輸送層として機� ��する。次に、還元性ドーパントであるLi(Li� �:サエスゲッター社製)及びAlqを二元蒸着し、 電子注入層としてAlq:Li膜(膜厚0.5nm)を形成し� �。続けて、Alq:Li膜上に金属Alを蒸着させて金 属陰極(膜厚150nm)を形成し、有機EL発光素子を 作製した。

 作製した有機EL素子について、10mA/cm ² の電流密度における外部量子効率(%)、及び初 期輝度1000nit、室温、DC定電流駆動での発光の 半減寿命を測定した。結果を表1に示す。

実施例16
 化合物1の代わりに化合物2を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例17
 化合物1の代わりに化合物3を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例18
 化合物1の代わりに化合物4を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例19
 化合物1の代わりに化合物5を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例20
 化合物1の代わりに化合物6を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例21
 化合物1の代わりに化合物7を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例22
 化合物1の代わりに化合物8を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例23
 化合物1の代わりに化合物9を用いた他は実� �例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価� ��た。結果を表1に示す。

実施例24
 化合物1の代わりに化合物10を用いた他は実� ��例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価 した。結果を表1に示す。

実施例25
 化合物1の代わりに化合物11を用いた他は実� ��例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価 した。結果を表1に示す。

実施例26
 化合物1の代わりに化合物12を用いた他は実� ��例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価 した。結果を表1に示す。

実施例27
 化合物1の代わりに化合物13を用いた他は実� ��例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価 した。結果を表1に示す。

実施例28
 化合物1の代わりに化合物14を用いた他は実� ��例15と同様にして有機EL素子を作製し、評価 した。結果を表1に示す。

比較例1
 化合物1の代わりに下記化合物Aを用いた他� �実施例15と同様にして有機EL素子を作製し、� ��価した。結果を表1に示す。