本発明の有機EL素子においては、請求の� �囲1~5、8及び9のいずれか1項に記載の構成を� �することにより、外部取り出し量子効率が� �く、発光寿命の長い有機EL素子を提供するこ とができた。併せて、有機EL素子の製造方法� ��照明装置及びディスプレイ装置を提供する� ��とができた。

 以下、本発明に係る各構成要素の詳細に� ��いて、順次説明する。

 本発明者等は、従来公知の有機EL素子に� �いられている、基板周辺部を接着または融� �することによって側面部分の封止効果を得� �技術に着目し、特に、素子の側面部分の封� �に関して新たな技術を創出することができ� �ば、現在のような封止行程の必要性は無く� �り大きな生産性の向上を達成でき、実用性� �高い有機EL素子の提供が可能になると考えた 。

 また、従来、有機EL素子の製造時、最終� �程に封止工程が位置するため、有機EL素子の 最終形態はこの封止工程時の形状に限定され ていたが、封止工程が必要なくなるならば、 素子製造後に素子形状を変化させることも可 能となり、例えば、「光るカッティングシー ト」のような新しい製品用途の創出等の展開 が可能となる。

 本発明では、有機EL素子を構成する有機� �(有機化合物層ともいう)に架橋高分子材料(� �数の重合性基の重合反応によりネットワー� �化された高分子材料となる)を用いることで� ��有機層自身にバリアー性を付与することで� ��素子の側面部分に接着剤の使用、封止材料� ��使用等を必要としない有機EL素子を提供で� �る。

 本発明の有機EL素子は、請求の範囲1に記載� ��ように、陽極側基板、陰極側基板に挟まれ� ��少なくとも1層以上の有機層を有する有機エ レクトロルミネッセンス素子において、
 前記有機層の少なくもとも1層が、分子内に 複数個の重合性基を有する化合物または該化 合物の少なくとも1種の重合体を含有するこ� �を特徴とする。

 本発明の有機EL素子に係る、陽極側基板� �陰極側基板、有機層については、後に詳細� �説明する。

 《分子内に複数の重合性基を有する化合物� ��該化合物の重合体》
 本発明に係る、分子内に複数の重合性基を� ��する化合物(以下、架橋性材料ともいう)に� �いて説明する。また、該化合物の重合体と� �、前記化合物の単独重合体(ホモポリマー)ま たは共重合体等が挙げられる。

 ここで、重合性基とは、ラジカル重合反� ��、イオン重合反応、縮重合反応等を起こす� ��とが可能な基であればよく、例えば、ビニ� ��基、ビニルオキシ基、アクリロイル基、メ� ��クリロイル基、メルカプト基、ヒドロキシ� ��、カルボキシ基、シアネート基、イソシア� ��ート基、チオシアネート基、イソチオシア� ��ート基、オキシラン(エチレンオキシド)か� �導出される基(エポキシ基)、トリメチレンオ キシド(オキセタン)から導出される基等を挙� ��ることができる。

 以下、本発明に係る分子内に複数の重合� ��基を有する化合物(架橋性材料)の具体例を� �げるが、本発明はこれらに限定されない。

 尚、上記の架橋性材料の具体例の中で、� ��合物MO-1~MO-21は、架橋性の正孔輸送材料とし て好ましく用いられ、MO-22~MO-44は、架橋性ホ� ��ト(架橋性ホスト化合物ともいう)として好� �しく用いられ、また、MO-45~MO-52は、架橋性電 子輸送材料として好ましく用いられる。

 上記の架橋性材料は、更に置換基を有し� ��いてもよく、該置換基としては、後述する� ��般式(E)において、Arで表される芳香族複素� �が有してもよい置換基を挙げることができ� �。更にまた、本発明に係る架橋性材料とし� �は、後述する、従来公知の有機EL素子材料(� �えば、ホスト化合物、電子輸送材料、正孔� �送材料や、正孔阻止層、電子阻止層、電子� �入層、正孔注入層等に含有される化合物等)� ��重合性基が置換した化合物を用いることも� ��きる。

 また、有機EL素子の側面部分に十分な封� �効果を付与する観点から、本発明に係る、� �子内に複数の重合性基を有する化合物(以下� ��架橋性材料ともいう)の重合体を含む有機層 (有機化合物層)中での含有量は50質量%以上で� ��ることが好ましい。

 《有機EL素子の構成層、有機層、無機層》
 本発明の有機EL素子の構成層、有機層(有機� ��合物層ともいう)、無機層(無機化合物層と� �いう)について説明する。本発明において、� ��機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下� �示すが、本発明はこれらに限定されない。

 ここで、本発明に係る有機層(有機化合物層 )としては、該層の形成材料として有機化合� �が含有されていればよいが、好ましくは、� �記有機層の構成成分の50質量%以上を有機化� �物が含有されている場合である。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子 輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子� ��送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層 /正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/� �極
 《基板の周辺部が、接着または融着封止さ� ��ていない素子》
 本発明の有機EL素子は、請求の範囲3に記載� ��ように、陽極基板の周辺部または陰極基板� ��周辺部が、下記に示す接着封止または融着� ��止されていないことを特徴とする。

 ここで、本発明に係る陽極基板の周辺部� ��は、素子を構成する陽極基板及び陽極基板� ��の少なくとも一つの有機層を含む側面領域� ��示す、同様に、陰極基板の周辺部とは、素� ��を構成する陰極基板及び陰極基板上の少な� ��とも一つの有機層を含む側面領域を示す。

 《接着封止または融着封止》
 従来公知の有機EL素子の陽極基板の周辺部� �たは陰極基板の周辺部に適用されている、� �着または融着封止としては、例えば、封止� �材と電極、支持基板とを接着剤で接着する� �法を挙げることができる。

 封止部材としては、有機EL素子の表示領� �を覆うように配置され、具体的には、ガラ� �板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィ� �ム等が挙げられる。ガラス板としては、特� �ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチ� �ム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸� �ラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケ� �酸ガラス、石英等を挙げることができる。� �た、ポリマー板としては、ポリカーボネー� �、アクリル、ポリエチレンテレフタレート� �ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォ� �等を挙げることができる。

 金属板としては、ステンレス、鉄、銅、� ��ルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜� ��、クロム、チタン、モリブテン、シリコン� ��ゲルマニウム及びタンタルからなる群から� ��ばれる一種以上の金属または合金からなる� ��のが挙げられる。

 また、従来公知の接着剤としては、アク� ��ル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴ� ��ーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱� ��化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル� �の湿気硬化型等の接着剤を挙げることがで� �る。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化� �(二液混合)を挙げることができる。また、ホ ットメルト型のポリアミド、ポリエステル、 ポリオレフィンを挙げることができる。また 、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキ シ樹脂接着剤等が用いられている。

 以下、本発明の有機EL素子を構成する各� �について説明する。

 《電子輸送層》
 電子輸送層とは電子を輸送する機能を有す� ��材料からなり、広い意味で電子注入層、正� ��阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送� ��は単層または複数層設けることができる。

 従来、単層の電子輸送層、及び複数層と� ��る場合は発光層に対して陰極側に隣接する� ��子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻 止材料を兼ねる)としては、陰極より注入さ� �た電子を発光層に伝達する機能を有してい� �ばよく、その材料としては従来公知の化合� �の中から任意のものを選択して用いること� �でき、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導� �、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジ� �キシド誘導体、カルボジイミド、フレオレ� �リデンメタン誘導体、アントラキノジメタ� �及びアントロン誘導体、オキサジアゾール� �導体等が挙げられる。更に上記オキサジア� �ール誘導体において、オキサジアゾール環� �酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾ� �ル誘導体、電子吸引基として知られている� �ノキサリン環を有するキノキサリン誘導体� �、電子輸送材料として用いることができる� �更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、� �たはこれらの材料を高分子の主鎖とした高� �子材料を用いることもできる。

 また8-キノリノール誘導体の金属錯体、� �えば、トリス(8-キノリノール)アルミニウム( Alq)、トリス(5,7-ジクロロ-8-キノリノール)ア� �ミニウム、トリス(5,7-ジブロモ-8-キノリノー ル)アルミニウム、トリス(2-メチル-8-キノリ� �ール)アルミニウム、トリス(5-メチル-8-キノ� ��ノール)アルミニウム、ビス(8-キノリノール )亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金 属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わ� ��た金属錯体も、電子輸送材料として用いる� ��とができる。その他、メタルフリーもしく� ��メタルフタロシアニン、またはそれらの末� ��がアルキル基やスルホン酸基等で置換され� ��いるものも、電子輸送材料として好ましく� ��いることができる。また、発光層の材料と� ��て例示したジスチリルピラジン誘導体も、� ��子輸送材料として用いることができるし、� ��孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-S iC等の無機半導体も電子輸送材料として用い� ��ことができる。

 電子輸送層は上記電子輸送材料を、例え� ��、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト� ��、インクジェット法を含む印刷法、LB法等� �公知の方法により、薄膜化することにより� �成することができる。電子輸送層の膜厚に� �いては特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度 、好ましくは5nm~200nmである。電子輸送層は上 記材料の1種または2種以上からなる一層構造� ��あってもよい。

 また、不純物をドープしたn性の高い電子 輸送層を用いることもできる。その例として は、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、� ��開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl .Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げら� ��る。

 本発明においては、このようなn性の高い 電子輸送層を用いることがより低消費電力の 素子を作製することができるため好ましい。

 以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層� �形成に好ましく用いられる化合物の具体例� �挙げるが、本発明はこれらに限定されない� �

 尚、上記の電子輸送層の形成に好ましく� ��いられる化合物に、複数の重合性基を導入� ��て、本発明に係る架橋性材料として用いる� ��ともできる。

 《発光層》
 本発明に係る発光層は、電極または電子輸� ��層、正孔輸送層から注入されてくる電子及� ��正孔が再結合して発光する層であり、発光� ��る部分は発光層の層内であっても発光層と� ��接層との界面であってもよい。

 発光層の膜厚の総和は特に制限はないが� ��膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を� ��加するのを防止し、かつ、駆動電流に対す� ��発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの� �囲に調整することが好ましく、さらに好ま� �くは2nm~200nmの範囲に調整され、特に好まし� �は、10nm~20nmの範囲である。

 発光層の作製には、後述する発光ドーパ� ��トやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法� ��スピンコート法、キャスト法、LB法、イン� �ジェット法等の公知の薄膜化法により製膜� �て形成することができる。

 本発明の有機EL素子の発光層には、発光� �スト化合物と、発光ドーパント(リン光ドー� ��ント(リン光発光性ドーパントともいう)や� �光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有 することが好ましい。

 (ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
 本発明に用いられるホスト化合物について� ��明する。

 ここで、本発明においてホスト化合物と� ��、発光層に含有される化合物の内でその層� ��での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃) においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1 未満の化合物と定義される。好ましくはリン 光量子収率が0.01未満である。また、発光層� �含有される化合物の中で、その層中での質� �比が20%以上であることが好ましい。

 ホスト化合物としては、公知のホスト化� ��物を単独で用いてもよく、または複数種併� ��して用いてもよい。ホスト化合物を複数種� ��いることで、電荷の移動を調整することが� ��能であり、有機EL素子を高効率化すること� �できる。また、後述する発光ドーパントを� �数種用いることで、異なる発光を混ぜるこ� �が可能となり、これにより任意の発光色を� �ることができる。

 また、本発明に用いられる発光ホストと� ��ては、従来公知の低分子化合物でも、繰り� ��し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニ� ��基やエポキシ基のような重合性基を有する� ��分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良� �。

 併用してもよい公知のホスト化合物とし� ��は、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、� ��つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガ� ��ス転移温度)である化合物が好ましい。

 また、公知のホスト化合物の具体例とし� ��は、以下の文献に記載されている化合物が� ��げられる。

 特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、 同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001- 357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号� ��報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、� ��2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-33 4789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号� �報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、� ��2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-2 03683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号 公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、� ��2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-26 0861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号� ��報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、 同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。

 以下、本発明の有機EL素子の発光層のホ� �ト化合物として好ましく用いられる化合物� �具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定� �れない。

 尚、上記のホスト化合物に、複数の重合� ��基を導入して、架橋性材料として用いるこ� ��もできる。

 《発光ドーパント》
 本発明に係る発光ドーパントについて説明� ��る。

 本発明に係る発光ドーパントとしては、� ��光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リ� �光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合� ��、リン光発光性化合物等ともいう)を用いる ことができるが、より発光効率の高い有機EL� ��子を得る観点からは、本発明の有機EL素子� �発光層や発光ユニットに使用される発光ド� �パント(単に、発光材料ということもある)と しては、上記のホスト化合物を含有すると同 時に、リン光ドーパントを含有することが好 ましい。

 (リン光ドーパント)
 本発明に係るリン光ドーパントについて説� ��する。

 本発明に係るリン光ドーパントは、励起� ��重項からの発光が観測される化合物であり� ��具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する 化合物であり、リン光量子収率が、25℃にお� ��て0.01以上の化合物であると定義されるが、 好ましいリン光量子収率は0.1以上である。

 上記リン光量子収率は、第4版実験化学講 座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方 法により測定できる。溶液中でのリン光量子 収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本 発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒 のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01� ��上)が達成されればよい。

 リン光ドーパントの発光は原理としては2 種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホ スト化合物上でキャリアの再結合が起こって ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネ ルギーをリン光ドーパントに移動させること でリン光ドーパントからの発光を得るという エネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパ ントがキャリアトラップとなり、リン光ドー パント上でキャリアの再結合が起こりリン光 ドーパントからの発光が得られるというキャ リアトラップ型であるが、いずれの場合にお いても、リン光ドーパントの励起状態のエネ ルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギ ーよりも低いことが条件である。

 リン光ドーパントは、有機EL素子の発光� �に使用される公知のものの中から適宜選択� �て用いることができる。

 本発明に係るリン光ドーパントとしては� ��好ましくは元素周期表で8族~10族の金属を含 有する錯体系化合物であり、さらに好ましく はイリジウム化合物、オスミウム化合物、ま たは白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類� ��体であり、中でも最も好ましいのはイリジ� ��ム化合物である。

 以下に、リン光ドーパントとして用いら� ��る化合物の具体例を示すが、本発明はこれ� ��に限定されない。これらの化合物は、例え� ��、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等によ り合成できる。

 尚、上記のリン光ドーパントに、複数の� ��合性基を導入して、本発明に係る架橋性材� ��として用いることもできる。

 また、発光層には、下記に示す反応性リ� ��光ドーパントを用いることもできる。

 上記の反応性リン光ドーパントの中で、� ��発明に係る分子内に複数の重合性基を有す� ��化合物(架橋性材料)として、MD-7、MD-8、MD-9� �MD-10等のような、重合性基を複数有する化合 物が好ましく用いられる。

 また、反応性リン光ドーパントとしては� ��従来公知のリン光性化合物に、上記の反応� ��ホスト化合物が有してもよい重合性基が置� ��した化合物も好ましく用いられる。

 本発明に係るリン光ドーパント(リン光性 化合物、リン光発光性化合物等ともいう)と� �ては、励起三重項からの発光が青色である� �いわゆる、青色発光ドーパントとして下記� �ような青色発光性オルトメタル錯体が好ま� �く用いられる。

 《デンドリマー型リン光発光性有機金属錯� ��》
 また、本発明に係るリン光ドーパントとし� ��は、下記一般式(D1)で表されるデンドリマー 型リン光発光性有機金属錯体を用いることが できる。

 一般式(D1)
 P-[(デンドロン)m]n
 一般式(D1)において、デンドロンは、下記一 般式(E)で表される樹木状分子を表し、nは、0� ��超える整数を表し、mは、0を超え、且つ、n� ��満の整数を表す。Pは、コア(核)となる、リ� ��光発光性有機金属錯体を表す。

 一般式(E)においてArは、芳香族炭化水素� �または芳香族複素環から導出される三価の� �を表す。芳香族複素環を表し、Xは、前記コ� ��(核)となる、リン光発光性有機金属錯体Pと� ��合する単結合または二価の連結基を表す。n は、分岐回数(世代数ともいう)を表す。

 一般式(E)において、Arで表される芳香族� �化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニ� �環、ナフタレン環、アズレン環、アントラ� �ン環、フェナントレン環、ピレン環、クリ� �ン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o- テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テル� �ェニル環、アセナフテン環、コロネン環、� �ルオレン環、フルオラントレン環、ナフタ� �ン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタ� �ェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレ� �環、アンスラアントレン環等が挙げられる� �尚、これらの環は、更に、下記の一般式(A)� �おいて、Rで表される置換基を有していても� ��い。

 一般式(E)において、Arで表される芳香族� �素環としては、例えば、フラン環、チオフ� �ン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリ� �ン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラ� �ン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール� �、オキサジアゾール環、トリアゾール環、� �ミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール� �、インドール環、インダゾール環、ベンゾ� �ミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベン� �オキサゾール環、キノキサリン環、キナゾ� �ン環、シンノリン環、キノリン環、イソキ� �リン環、フタラジン環、ナフチリジン環、� �ルバゾール環、カルボリン環、ジアザカル� �ゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素� ��の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換さ� ��ている環を示す)等が挙げられる。

 尚、これらの環は、更に、置換基を有し� ��いてもよく、置換基としては、アルキル基( 例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、 イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基� ��ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ト� ��デシル基、テトラデシル基、ペンタデシル� ��等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペ� �チル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル� ��(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキ� �ル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基� ��)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフ� �ル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基 、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基 、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジ ニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チ アゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル 基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基 (前記カルボリニル基のカルボリン環を構成� �る任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き� �わったものを示す)、フタラジニル基等)、複 素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリ� �ル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)� ��アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキ シ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基 、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ド デシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例� ��ば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキ� ��ルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば� �フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アル� ��ルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチ オ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘ キシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチ オ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シ� ��ロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基� ��)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ� �、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニ� ��基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エ チルオキシカルボニル基、ブチルオキシカル ボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ド デシルオキシカルボニル基等)、アリールオ� �シカルボニル基(例えば、フェニルオキシカ� ��ボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等) 、スルファモイル基(例えば、アミノスルホ� �ル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチ� �アミノスルホニル基、ブチルアミノスルホ� �ル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シク� �ヘキシルアミノスルホニル基、オクチルア� �ノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニ� �基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチ� �アミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスル ホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基� ��エチルカルボニル基、プロピルカルボニル� ��、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシル� ��ルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エ� �ルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボ� �ル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカ� �ボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシ� ��オキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチ ルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオ キシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデ シルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニ ルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカ� ��ボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ� ��、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピル� ��ルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルア� ��ノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基� ��2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オ� �チルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボ� �ルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基� �ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモ� ��ル基(例えば、アミノカルボニル基、メチル アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボ ニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペン チルアミノカルボニル基、シクロヘキシルア ミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニ ル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基� ��ドデシルアミノカルボニル基、フェニルア� ��ノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニ� ��基、2-ピリジルアミノカルボニル基等)、ウ� ��イド基(例えば、メチルウレイド基、エチル ウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘ キシルウレイド基、オクチルウレイド基、ド デシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフ チルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド� ��等)、スルフィニル基(例えば、メチルスル� �ィニル基、エチルスルフィニル基、ブチル� �ルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニ� �基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデ シルスルフィニル基、フェニルスルフィニル 基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルス� ��フィニル基等)、アルキルスルホニル基(例� �ば、メチルスルホニル基、エチルスルホニ� �基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシル� �ルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基 、ドデシルスルホニル基等)、アリールスル� �ニル基またはヘテロアリールスルホニル基(� ��えば、フェニルスルホニル基、ナフチルス� ��ホニル基、2-ピリジルスルホニル基等)、ア� ��ノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、 ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロ ペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ� ��、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチ� ��アミノ基、2-ピリジルアミノ基等)、ハロゲ� ��原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素 原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオ� ��メチル基、トリフルオロメチル基、ペンタ� ��ルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル� ��等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、 メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチ� �シリル基、トリイソプロピルシリル基、ト� �フェニルシリル基、フェニルジエチルシリ� �基等)等が挙げられる。尚、これらの置換基� ��、上記の置換基によってさらに置換されて� ��てもよい。また、これらの置換基は複数が� ��いに結合して環を形成していてもよい。

 一般式(E)において、Xで表される二価の連 結基としては、アルキレン基、アルケニレン 基、アルキニレン基、アリーレン基などの炭 化水素基のほか、前記アルキレン基、前記ア ルケニレン基、前記アルキニレン基、前記ア リーレン基中、各々ヘテロ原子(例えば、窒� �原子、硫黄原子、珪素原子等)を含むもので� ��ってもよく、また、チオフェン-2,5-ジイル� �や、ピラジン-2,3-ジイル基のような、芳香族 複素環を有する化合物(ヘテロ芳香族化合物� �もいう)に由来する二価の連結基であっても� ��いし、酸素や硫黄などのカルコゲン原子で� ��ってもよい。また、アルキルイミノ基、ジ� ��ルキルシランジイル基やジアリールゲルマ� ��ジイル基のような、ヘテロ原子を会して連� ��する基でもよい。

 以下、一般式(D1)で表されるデンドリマー の具体例を示すが、本発明はこれらに限定さ れない。

 《シクロデキストリン誘導体》
 本発明に係るリン光ドーパントとしては、� ��記一般式(D)で表されるシクロデキストリン� ��導体を用いることができる。ここで、シク� ��デキストリン誘導体とは、複数のD-グルコ� �ラノース基がα-1、4グリコシド結合によって 環化した構造を有する化合物の総称。分子内 に存在する1級と2級の水酸基は置換基で置換� ��れていて構わない。

 一般式(D)において、Rは置換基を表し、Z� �リン光性化合物の残基を表す。

 一般式(D)において、Rで表される置換基は 、上記一般式(E)において、Arで表される芳香� ��炭化水素環が有してもよい置換基と同義で� ��る。

 一般式(D)において、Zで表されるリン光性 化合物の残基として用いられるリン光性化合 物としては、リン光性化合物(リン光ドーパ� �トともいう)を用いることができる。

 以下、本発明に用いられるシクロデキス� ��リン誘導体の好ましい具体例を示すが、本� ��明はこれらに限定されない。

 尚、CD-1、2において、Acは、各々アセチル 基を表す。

 《カリックスアレーン誘導体》
 本発明に係るリン光ドーパントの一種とし� ��用いられるカリックスアレーン誘導体につ� ��て説明する。

 本発明に用いられるカリックスアレーン� ��導体とは、下記一般式(A)で表されるように� ��フェノール誘導体をアルキレン基またはオ� ��シアルキレン基で結合した環状構造を有す� ��化合物の総称を表し、また、分子内のフェ� ��ール性水酸基は置換基で置換されていて構� ��ない。

 一般式(A)において、A、Lで、各々表され� �二価の連結基としては、一般式(E)において� �Xで表される二価の連結基と同義である。

 更に、A、Lで各々表される二価の連結基� �しては、例えば、カルバゾール環、カルボ� �ン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカル� ��リン環ともいい、カルボリン環を構成する� ��素原子のひとつが窒素原子で置き換わった� ��成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロ ール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサ リン環、チオフェン環、オキサジアゾール環 、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環 、インドール環等のような芳香族複素環群か ら選択される芳香族複素環から導出される二 価の基等を用いることが出来る。

 また、更に、一般式(E)において、Arで表� �れる芳香族炭化水素環が有してもよい置換� �を有してもよい。

 以下に、本発明に用いられるカリックス� ��レーン誘導体の具体例を挙げるが、本発明� ��これらに限定されない。

 CA-1において、Aは、CHまたはNを表し、Rは� ��水素原子、メチル基またはアセチル基を表� ��、nは、1~6の整数を表す。

 《クラウンエーテル誘導体》
 本発明に係るリン光ドーパントの一種とし� ��用いられるクラウンエーテル誘導体につい� ��説明する。

 本発明に用いられるクラウンエーテル誘� ��体とは、下記一般式(B)または一般式(C)で各� ��表されるように、環状ポリエーテルであっ� ��、環全体が多座配位子となり、金属イオン� ��有機イオンと包接する機能を持つ化合物の� ��称を表し、且つ、酸素原子の代わりにその� ��部、または全てが窒素、硫黄で置換されて� ��良い。

 一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lは 、単結合または二価の連結基を表し、Chは、� ��素原子または硫黄原子を表す。mは、1~9の整 数、nは、1~3の整数を表し、Zは、蛍光性化合� ��の残基またはリン光性化合物の残基を表す� ��

 一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lで 表される二価の連結基は、上記一般式(A)のA� �Lで各々表される二価の連結基と同義である� ��

 一般式(B)、一般式(C)の各々において、Zで 表されるリン光性化合物の残基として用いら れるリン光性化合物としては、後述するリン 光性化合物(リン光ドーパントともいう)に記� ��の化合物等が挙げられる。

 また、上記一般式(B)、(C)で各々表される� ��ラウンエーテル誘導体は、上記一般式(A)で� ��されるカリックスアレーン誘導体が有する� ��換基Rを有していてもよい。

 以下、本発明に用いられるクラウンエー� ��ル誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこ� ��らに限定されない。

 上記の具体例である、CE-1、CE-2の各々に� �いて、Aは、CHまたはNを表し、nは、1~9の整数 を表す。

 本発明に用いられるリン光性化合物は、� ��えばOrganic Letter誌、vol3、No.16、p2579~2581(2001) 、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685~1687ペー ジ(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304ページ(2001年 )、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704~1711ペ� �ジ(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3 055~3066ページ(2002年)、New Journal of Chemistry.,� �26巻、1171ページ(2002年)、更に、これらの文� �中に記載の参考文献等の方法を適用するこ� �により合成できる。

 このほかにも、例えば、J.Am.Chem.Soc.123巻43 04~4312頁(2001年)、国際公開第00/70655号パンフレ ット、同第02/15645号パンフレット、特開2001-24 7859号公報、同2001-345183号公報、同2002-117978号� ��報、同2002-170684号公報、同2002-203678号公報、 同2002-235076号公報、同2002-302671号公報、同2002- 324679号公報、同2002-332291号公報、同2002-332292� �公報、同2002-338588号公報等に記載の一般式で あげられるイリジウム錯体、あるいは、具体 的例として挙げられるイリジウム錯体、特開 2002-8860号公報記載の式(IV)で表されるイリジ� �ム錯体等が挙げられる。

 (蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
 蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、� �マリン系色素、ピラン系色素、シアニン系� �素、クロコニウム系色素、スクアリウム系� �素、オキソベンツアントラセン系色素、フ� �オレセイン系色素、ローダミン系色素、ピ� �リウム系色素、ペリレン系色素、スチルベ� �系色素、ポリチオフェン系色素、または希� �類錯体系蛍光体等が挙げられる。

 本発明に用いることのできる蛍光ドーパ� ��トとしては、上記一般式(D)で表されるシク� ��デキストリン誘導体において、Zで表される リン光性化合物の残基の代わりに、蛍光性化 合物残基を有するものが挙げられる。

 また、本発明に用いることのできる蛍光� ��ーパントの例としては、上記一般式(B)、上� ��一般式(C)の各々で表されるクラウンエーテ� ��誘導体において、Zで表されるリン光発光性 化合物残基の代わりに、蛍光性化合物の残基 を用いて化合物が挙げられる。

 ここで、蛍光性化合物としては、上記の� ��光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)に記� �の色素、蛍光性化合物または蛍光性ドーパ� �トの具体例等が挙げられる。

 次に、本発明の有機EL素子の構成層とし� �用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層� �について説明する。

 《正孔輸送層》
 正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す� ��正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注� ��層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。� ��孔輸送層は単層または複数層設けることが� ��きる。

 正孔輸送材料としては、正孔の注入また� ��輸送、電子の障壁性のいずれかを有するも� ��であり、有機物、無機物のいずれであって� ��よい。例えば、トリアゾール誘導体、オキ� ��ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、� ��リアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘� ��体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジア� ��ン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ� ��換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、� ��チリルアントラセン誘導体、フルオレノン� ��導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導� ��、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、� ��た導電性高分子オリゴマー、特にチオフェ� ��オリゴマー等が挙げられる。

 正孔輸送材料としては上記のものを使用� ��ることができるが、ポルフィリン化合物、� ��香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン 化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用� �ることが好ましい。

 芳香族第3級アミン化合物及びスチリルア ミン化合物の代表例としては、N,N,N″,N″-テ� ��ラフェニル-4,4″-ジアミノフェニル;N,N″-ジ フェニル-N,N″-ビス(3-メチルフェニル)-〔1,1� �-ビフェニル〕-4,4″-ジアミン(TPD);2,2-ビス(4-� ��-p-トリルアミノフェニル)プロパン;1,1-ビス( 4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン ;N,N,N″,N″-テトラ-p-トリル-4,4″-ジアミノビ� ��ェニル;1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニ� �)-4-フェニルシクロヘキサン;ビス(4-ジメチル アミノ-2-メチルフェニル)フェニルメタン;ビ� ��(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)フェニルメタ ン;N,N″-ジフェニル-N,N″-ジ(4-メトキシフェ� �ル)-4,4″-ジアミノビフェニル;N,N,N″,N″-テ� �ラフェニル-4,4″-ジアミノジフェニルエーテ ル;4,4″-ビス(ジフェニルアミノ)クオードリ� �ェニル;N,N,N-トリ(p-トリル)アミン;4-(ジ-p-ト� �ルアミノ)-4″-〔4-(ジ-p-トリルアミノ)スチリ ル〕スチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-(2-ジ� ��ェニルビニル)ベンゼン;3-メトキシ-4″-N,N-� �フェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニル� �ルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明� �書に記載されている2個の縮合芳香族環を分� ��内に有するもの、例えば、4,4″-ビス〔N-(1-� ��フチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)� ��特開平4-308688号公報に記載されているトリ� �ェニルアミンユニットが3つスターバースト� ��に連結された4,4″,4′-トリス〔N-(3-メチル� �ェニル)-N-フェニルアミノ〕トリフェニルア� ��ン(MTDATA)等が挙げられる。

 更にこれらの材料を高分子鎖に導入した� ��またはこれらの材料を高分子の主鎖とした� ��分子材料を用いることもできる。また、p型 -Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、� ��孔輸送材料として使用することができる。

 また、特開平11-251067号公報、J.Huang et.al.� ��文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載 されているような、所謂p型正孔輸送材料を� �いることもできる。本発明においては、よ� �高効率の発光素子が得られることからこれ� �の材料を用いることが好ましい。

 正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例え� ��、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト� ��、インクジェット法を含む印刷法、LB法等� �公知の方法により、薄膜化することにより� �成することができる。正孔輸送層の膜厚に� �いては特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度 、好ましくは5nm~200nmである。この正孔輸送層 は上記材料の1種または2種以上からなる一層� ��造であってもよい。

 また、不純物をドープしたp性の高い正孔 輸送層を用いることもできる。その例として は、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公� �、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57 73(2004)等に記載されたものが挙げられる。

 本発明においては、このようなp性の高い 正孔輸送層を用いることが、より低消費電力 の素子を作製することができるため好ましい 。

 以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層� �形成に好ましく用いられる化合物の具体例� �挙げるが、本発明はこれらに限定されない� �

 尚、上記の正孔輸送層の形成に好ましく� ��いられる化合物に、複数の重合性基を導入� ��て、本発明に係る架橋性材料として用いる� ��ともできる。

 《注入層:電子注入層、正孔注入層》
 注入層は必要に応じて設け、電子注入層と� ��孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層� ��たは正孔輸送層の間、及び陰極と発光層ま� ��は電子輸送層との間に存在させてもよい。

 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向� ��のために電極と有機層間に設けられる層の� ��とで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998 年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2 編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載� �れており、正孔注入層(陽極バッファー層)と 電子注入層(陰極バッファー層)とがある。

 陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開� �9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公 報等にもその詳細が記載されており、具体例 として、銅フタロシアニンに代表されるフタ ロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに 代表される酸化物バッファー層、アモルファ スカーボンバッファー層、ポリアニリン(エ� �ラルディン)やポリチオフェン等の導電性高� ��子を用いた高分子バッファー層等が挙げら� ��る。

 陰極バッファー層(電子注入層)は、特開� �6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公 報等にもその詳細が記載されており、具体的 にはストロンチウムやアルミニウム等に代表 される金属バッファー層、フッ化リチウムに 代表されるアルカリ金属化合物バッファー層 、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ 土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙 げられる。上記バッファー層(注入層)はごく� ��い膜であることが望ましく、素材にもよる� ��その膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。

 尚、上記の電子注入層、正孔注入層の形� ��に好ましく用いられる化合物に、複数の重� ��性基を導入して、本発明に係る架橋性材料� ��して用いることもできる。

 《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
 阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基� ��構成層の他に必要に応じて設けられるもの� ��ある。例えば、特開平11-204258号公報、同11-2 04359号公報、及び「有機EL素子とその工業化� �前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発� �)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホー ルブロック)層がある。

 正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層� ��機能を有し、電子を輸送する機能を有しつ� ��正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻� ��材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻� ��することで電子と正孔の再結合確率を向上� ��せることができる。また、後述する電子輸� ��層の構成を必要に応じて、本発明に係わる� ��孔阻止層として用いることができる。

 本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発� �層に隣接して設けられていることが好まし� �。

 正孔阻止層には、前述のホスト化合物と� ��て挙げたアザカルバゾール誘導体を含有す� ��ことが好ましい。

 また、本発明においては、複数の発光色� ��異なる複数の発光層を有する場合、その発� ��極大波長が最も短波にある発光層が、全発� ��層中、最も陽極に近いことが好ましいが、� ��のような場合、該最短波層と該層の次に陽� ��に近い発光層との間に正孔阻止層を追加し� ��設けることが好ましい。更には、該位置に� ��けられる正孔阻止層に含有される化合物の5 0質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化� ��物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV� �上大きいことが好ましい。

 イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最� �被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位� ��放出するのに必要なエネルギーで定義され� ��例えば下記に示すような方法により求める� ��とができる。

 (1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフ� �ウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4, M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用� ��、キーワードとしてB3LYP/6-31G*を用いて構造� ��適化を行うことにより算出した値(eV単位換� ��値)の小数点第2位を四捨五入した値として� �オン化ポテンシャルを求めることができる� �この計算値が有効な背景には、この手法で� �めた計算値と実験値の相関が高いためであ� �。

 (2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法� ��直接測定する方法により求めることもでき� ��。例えば、理研計器社製の低エネルギー電� ��分光装置「Model AC-1」を用いて、あるいは� �外光電子分光として知られている方法を好� �に用いることができる。

 一方、電子阻止層とは広い意味では正孔� ��送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を� ��しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい� ��料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止� ��ることで電子と正孔の再結合確率を向上さ� ��ることができる。また、後述する正孔輸送� ��の構成を必要に応じて電子阻止層として用� ��ることができる。本発明に係る正孔阻止層� ��電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm~ 100nmであり、更に好ましくは5nm~30nmである。

 尚、上記の正孔阻止層、電子阻止層の形� ��に好ましく用いられる化合物に、複数の重� ��性基を導入して、本発明に係る架橋性材料� ��して用いることもできる。

 《縮合ポリマー》
 本発明の有機EL素子の製造方法においては� �有機EL素子の有機層の構成材料の他にも、下 記に示す縮合ポリマーを適宜用いることが出 来る。

 以下、本発明に用いられる縮合ポリマー� ��しては、下記一般式(1)で表される化合物が� ��げられるが、本発明はこれらに限定されな� ��。

 一般式(1)において、[Ar]nは、n個所の置換� ��能な部位を有する、芳香族炭化水素環また� ��芳香族複素環を表す。Zは、蛍光性化合物残 基またはリン光性化合物残基を表し、Arの置� ��可能な部位n個所のうちのm個所がKを介して� ��結している。Kは、二価の連結基または単結 合を表す。nは、1~3の数を表し、mは、1~nの数� ��表す。ここで、Z、Kが複数の場合、各々は� �立に、同一でもよく、異なっていてもよい� �Lは、後述する連結基群1から選択される二価 の連結基である。

 一般式(1)において、Arで表される芳香族� �化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニ� �環、ナフタレン環、アズレン環、アントラ� �ン環、フェナントレン環、ピレン環、クリ� �ン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o- テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テル� �ェニル環、アセナフテン環、コロネン環、� �ルオレン環、フルオラントレン環、ナフタ� �ン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタ� �ェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレ� �環、アンスラアントレン環等が挙げられる� �尚、これらの環は、更に、上記一般式(A)に� �いて、Rで表される置換基を有していてもよ� ��。

 一般式(1)において、Arで表される芳香族� �素環としては、例えば、フラン環、チオフ� �ン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリ� �ン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラ� �ン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール� �、オキサジアゾール環、トリアゾール環、� �ミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール� �、インドール環、インダゾール環、ベンゾ� �ミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベン� �オキサゾール環、キノキサリン環、キナゾ� �ン環、シンノリン環、キノリン環、イソキ� �リン環、フタラジン環、ナフチリジン環、� �ルバゾール環、カルボリン環、ジアザカル� �ゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素� ��の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換さ� ��ている環を示す)等が挙げられる。

 尚、これらの環は、更に、上記一般式(E)� ��おいて、Arで表される芳香族炭化水素環が� �しても良い置換基を有していてもよい。

 一般式(1)において、Kで表される二価の連 結基は、一般式(1)において、Aで表される二� �の連結基と同義である。

 一般式(1)において、Zで表される蛍光性化 合物の残基、リン光性化合物残基は、各々、 一般式(1)において、Zで表される蛍光性化合� �残基、リン光性化合物残基と各々同義であ� �。

 一般式(1)において、Lで表される二価の連 結基は、下記の連結基群1から選択される。

 上記連結基群1において、R ₁ ~R ₄ は、各々アルキル基、芳香族炭化水素基また は芳香族複素環基を表す。

 上記連結基群1において、R ₁ ~R ₄ で各々表されるアルキル基としては、例えば 、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ ロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキ� ��ル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシ� ��基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が� ��げられる。これらは、更に、上記一般式(A)� ��おいて、Rで表される置換基を有していても よい。

 上記連結基群1において、R ₁ ~R ₄ で表される芳香族炭化水素基としては、例え ば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシ� ��ル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基� ��アントリル基、アズレニル基、アセナフテ� ��ル基、フルオレニル基、フェナントリル基� ��インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル� ��等が挙げられる。

 これらの基は、更に、上記一般式(A)にお� ��て、Rで表される置換基を有していてもよい 。

 上記連結基群1において、R ₁ ~R ₄ で表される芳香族複素環基としては、例えば 、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、 ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダ ゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ト リアゾリル基(例えば、1,2,4-トリアゾール-1-� �ル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等)、オキ� ��ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾ� ��ル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリ� ��基、フラザニル基、チエニル基、キノリル� ��、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベ� ��ゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、イン� ��リル基、カルバゾリル基、カルボリニル基� ��ジアザカルバゾリル基(カルボリニル基のカ ルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素 原子で置き換わったものを示す)、キノキサ� �ニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基� �キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げ� �れる。

 これらの基は、更に、上記一般式(E)にお� ��て、Arで表される芳香族炭化水素環が有し� �も良い置換基を有していてもよい。

 以下、一般式(1)で表される縮合ポリマー� ��具体例を示すが、本発明はこれらに限定さ� ��ない。

 《陽極》
 有機EL素子における陽極としては、仕事関� �の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化 合物及びこれらの混合物を電極物質とするも のが好ましく用いられる。このような電極物 質の具体例としては、Au等の金属、CuI、イン� ��ウムチンオキシド(ITO)、SnO ₂ 、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また 、IDIXO(In ₂ O ₃ -ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料� ��用いてもよい。

 陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッ� ��リング等の方法により薄膜を形成させ、フ� ��トリソグラフィー法で所望の形状のパター� ��を形成してもよく、あるいはパターン精度� ��あまり必要としない場合は(100μm以上程度)� �上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に� �望の形状のマスクを介してパターンを形成� �てもよい。

 あるいは、有機導電性化合物のように塗� ��可能な物質を用いる場合には、印刷方式、� ��ーティング方式等湿式製膜法を用いること� ��できる。この陽極より発光を取り出す場合� ��は、透過率を10%より大きくすることが望ま� ��く、また陽極としてのシート抵抗は数百ω/� ��以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよる� ��、通常は、10nm~1000nmの範囲であり、好まし� �は10nm~200nmの範囲で選ばれる。

 《陰極》
 一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以 下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電 気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物 質とするものが用いられる。このような電極 物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリ ウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウ� �、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀 混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物� �マグネシウム/インジウム混合物、アルミニ� ��ム/酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )混合物、インジウム、リチウム/アルミニウ� ��混合物、希土類金属等が挙げられる。

 これらの中で、電子注入性及び酸化等に対� ��る耐久性の点から、電子注入性金属とこれ� ��り仕事関数の値が大きく安定な金属である� ��二金属との混合物、例えば、マグネシウム/ 銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合� �、マグネシウム/インジウム混合物、アルミ� ��ウム/酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )混合物、リチウム/アルミニウム混合物、ア� ��ミニウム等が好適である。陰極はこれらの� ��極物質を蒸着やスパッタリング等の方法に� ��り薄膜を形成させることにより、作製する� ��とができる。

 また、陰極としてのシート抵抗は数百ω/� ��以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ま� ��くは50nm~200nmの範囲で選ばれる。尚、発光し た光を透過させるため、有機EL素子の陽極ま� ��は陰極のいずれか一方が透明または半透明� ��あれば発光輝度が向上し好都合である。

 また、陰極に上記金属を1nm~20nmの膜厚で� �製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透� �材料をその上に作製することで、透明また� �半透明の陰極を作製することができ、これ� �応用することで陽極と陰極の両方が透過性� �有する素子を作製することができる。

 《支持基板》
 本発明の有機EL素子に用いることのできる� �持基板(以下、基体、基盤、基板、基材、支� ��体等とも言う)としては、ガラス、プラスチ ック等の種類には特に限定はなく、また透明 であっても不透明であってもよい。支持基板 側から光を取り出す場合には、支持基板は透 明であることが好ましい。好ましく用いられ る透明な支持基板としては、ガラス、石英、 透明樹脂フィルムを挙げることができる。特 に好ましい支持基板は、有機EL素子に可撓性( フレキシブル性)を与えることが可能な樹脂� �ィルムである。

 樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエ� ��レンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナ� �タレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレ ン、ポリプロピレン、セロファン、セルロー スジアセテート、セルローストリアセテート 、セルロースアセテートブチレート、セルロ ースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロ� ��スアセテートフタレート(TAC)、セルロース� �イトレート等のセルロースエステル類また� �それらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポ� �ビニルアルコール、ポリエチレンビニルア� �コール、シンジオタクティックポリスチレ� �、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、� �リメチルペンテン、ポリエーテルケトン、� �リイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリ フェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポ リエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミ ド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポ リメチルメタクリレート、アクリルあるいは ポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)� ��るいはアペル(商品名三井化学社製)といっ� �シクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

 樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物� ��被膜またはその両者のハイブリッド被膜が� ��成されていてもよく、JIS K 7129-1992に準拠� �た方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃ 、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m ² ・24h)以下のバリア性フィルムであることが� �ましく、更には、JIS K 7126-1987に準拠した方 法で測定された酸素透過度が、10 ^-3 ml/(m ² ・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が、10 ^-5 g/(m ² ・24h)以下の高バリア性フィルムであること� �好ましい。

 バリア膜を形成する材料としては、水分� ��酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を� ��制する機能を有する材料であればよく、例� ��ば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を� ��いることができる。更に該膜の脆弱性を改� ��するために、これら無機層と有機材料から� ��る層の積層構造を持たせることがより好ま� ��い。無機層と有機層の積層順については特� ��制限はないが、両者を交互に複数回積層さ� ��ることが好ましい。

 バリア膜の形成方法については特に限定� ��なく、例えば、真空蒸着法、スパッタリン� ��法、反応性スパッタリング法、分子線エピ� ��キシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオ ンプレーティング法、プラズマ重合法、大気 圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザー CVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いるこ とができるが、特開2004-68143号公報に記載さ� �ているような大気圧プラズマ重合法による� �のが特に好ましい。

 不透明な支持基板としては、例えば、ア� ��ミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不� ��明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げ� ��れる。

 本発明の有機EL素子の発光の室温におけ� �外部取り出し効率は、1%以上であることが好 ましく、より好ましくは5%以上である。

 ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL� ��子外部に発光した光子数/有機EL素子に流し� ��電子数×100である。

 また、カラーフィルター等の色相改良フ� ��ルター等を併用しても、有機EL素子からの� �光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変� �フィルターを併用してもよい。色変換フィ� �ターを用いる場合においては、有機EL素子の 発光のλmaxは480nm以下が好ましい。

 また、有機層を挟み支持基板と対向する� ��の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、� ��持基板と接する形で無機物、有機物の層を� ��成し封止膜とすることも好適にできる。こ� ��場合、該膜を形成する材料としては、水分� ��酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を� ��制する機能を有する材料であればよく、例� ��ば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を� ��いることができる。更に該膜の脆弱性を改� ��するために、これら無機層と有機材料から� ��る層の積層構造を持たせることが好ましい� ��これらの膜の形成方法については、特に限� ��はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリン� ��法、反応性スパッタリング法、分子線エピ� ��キシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオ ンプレーティング法、プラズマ重合法、大気 圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザー CVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いるこ とができる。

 封止部材と有機EL素子の表示領域との間� �には、気相及び液相では、窒素、アルゴン� �の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコン� �イルのような不活性液体を注入することが� �ましい。また真空とすることも可能である� �また、内部に吸湿性化合物を封入すること� �できる。

 吸湿性化合物としては、例えば、金属酸� ��物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム 、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグ ネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例� ��ば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫� ��マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロ ゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マ� �ネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタ� �、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化� �リウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類( 例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネ シウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロ� �ン化物及び過塩素酸類においては無水塩が� �適に用いられる。

 《保護膜、保護板》
 有機層を挟み支持基板と対向する側の前記� ��止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側� ��、素子の機械的強度を高めるために保護膜� ��あるいは保護板を設けてもよい。特に封止� ��前記封止膜により行われている場合には、� ��の機械的強度は必ずしも高くないため、こ� ��ような保護膜、保護板を設けることが好ま� ��い。これに使用することができる材料とし� ��は、前記封止に用いたのと同様なガラス板� ��ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム� ��を用いることができるが、軽量且つ薄膜化� ��いうことからポリマーフィルムを用いるこ� ��が好ましい。

 《有機EL素子の製造方法》
 本発明の有機EL素子の製造方法について説� �する。

 本発明の有機EL素子の製造方法の一例と� �て、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電� ��輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子 の製造方法を説明する。

 まず、適当な基板(支持体、基盤、基体等 ともいう)上に所望の電極物質、例えば、陽� �用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは1 0nm~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタ リング等の方法により形成させ陽極を作製す る。

 次に、この上に有機EL素子材料である正� �注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層� �電子輸送層等の有機層(有機化合物層)を形成 させる場合、本願請求の範囲6に記載のよう� �、前記有機層の少なくとも1層は塗布により� ��膜することが好ましい。

 《塗布による有機層の形成》
 これらの有機層の形成方法としては、前記� ��如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコー ト法、キャスト法、インクジェット法、印刷 法)等があるが、均質な膜が得られやすく、� �つピンホールが生成しにくい等の点から、� �発明においては、塗布(例えば、スピンコー� ��法、インクジェット法、印刷法等)による成 膜(層形成ともいう)が好ましい。

 有機層形成に用いる塗布液の調製を行う� ��合、有機EL材料を溶解または分散する液媒� �としては、例えば、メチルエチルケトン、� �クロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル� �の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等� �ハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレ� �、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等� �芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカ� �ン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DM SO等の有機溶媒を用いることができる。

 また、分散方法としては、超音波、高剪� ��力分散やメディア分散等の分散方法により� ��散することができる。

 これらの層を形成後、その上に陰極用物� ��からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50nm~2 00nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸� �やスパッタリング等の方法により形成させ� �陰極を設けることにより所望の有機EL素子が 得られる。

 また作製順序を逆にして、陰極、電子注� ��層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正� ��注入層、陽極の順に作製することも可能で� ��る。このようにして得られた多色の表示装� ��に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、 陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加する と発光が観測できる。また交流電圧を印加し てもよい。なお、印加する交流の波形は任意 でよい。

 《貼合(貼り合わせともいう)による有機EL素 子の製造》
 更に、本発明の有機EL素子の製造方法とし� �は、基板A上に設けられた有機層Aと基板B上� �設けられた有機層Bとを貼合する工程または� ��有機層Aと該基板Bとを貼合する工程により� �素子形成を行うことが好ましい。

 より具体的に説明すると、例えば、陰極� ��板上に有機層Aを設けた部材と、陽極基板上 に有機層Bを設けた部材、をそれぞれ作製し� �有機層同士を対向させ、部材同士を貼合し� �有機EL素子が形成される。

 本発明では、上記の有機層Aと有機層Bは� �素子の構成層として同一の機能を示す層で� �よいし、異なる機能を示す層であってもよ� �。

 貼合(貼り合わせ)に用いる、陰極基板側� �部材として、例えば、支持体(例えばガラス� ��板)上にアルミニウム等からなる陰極を真空 蒸着等により形成し、この上に例えば電子輸 送材料層を塗布或いは蒸着等により形成する 。一方、陽極側の部材として、例えばITO等の 薄膜を陽極として形成したガラス基板上に、 例えば正孔輸送層、発光層を、これも塗布或 いは蒸着等により順次形成する。

 陰極側基板及び陽極側基板の二つの部材� ��互いに有機層同士を対面させ、密着、貼合� ��ることで、効率よく有機EL素子を得ること� �できる。

 貼合(貼り合わせ)を行う面は、有機EL素子 各機能層のどの層間でもよいが、貼り合せ面 は、貼合、密着が容易、且つ、貼合後剥離し にくいこと等の観点から、有機層同士の貼合 が好ましい。

 また、貼り合せ面の不具合によるキャリ� ��移動の面内での不均一による発光ムラは、� ��機層界面で発光する蛍光発光方式よりも発� ��層内部に発光領域を持つリン光発光方式の� ��が、比較的現れにくいこと、特に、発光層� ��有機層全体における相対的な膜厚比率を上� ��た時や発光層の膜厚を厚くした時、また、� ��光層同士を接合する発光層2層とした時など 、リン光性発光化合物を含有するリン光発光 方式は発光ムラをわからないくらいにできる ため、貼合による有機EL素子の製造は、リン� ��発光方式の有機EL素子の製造に好ましく用� �られる。

 有機EL素子の製造プロセスにおいて、金� �や、金属酸化物による電極を成膜する際は� �性能のよい膜とするため、高いエネルギー� �印加することが望まれるが、有機層を逐次� �層するやり方では、最後に電極層を形成す� �ため、有機薄膜のダメージが懸念され、実� �上、真空蒸着や、穏和な条件下でのスパッ� �リングで成膜するしかすべがない状況であ� �が、この点、貼合法においては、予め電極� �の形成を行った後、各有機層の積層が行わ� �るため、逐次有機層が形成される逐次法に� �べ、すでに成膜されている有機層にダメー� �を与えることがなく(有機EL素子の発光特性� �発光寿命などが大きく劣化してしまう)、ま� ��性能のよい電極膜を形成でき好ましいもの� ��ある。

 また、貼合時にはエネルギー線も利用で� ��る。エネルギー線としては、X線、中性子線 、電子線、紫外線等があるが、好ましくは、 紫外線、電子線である。

 紫外線の光源としては、紫外線ランプ(例え ば、0.5kPa~1MPaまでの動作圧力を有する低圧、� ��圧、高圧水銀ランプ)、キセノンランプ、タ ングステンランプ、ハロゲンランプ等が用い られ、5000μW/cm ² ~8000μW/cm ² 程度の強度を有する紫外線が好ましく照射さ れる。硬化に要するエネルギー量としては0.0 2kJ/cm ² ~20kJ/cm ² の範囲が好ましい。

 《接合面の共有結合形成》
 本発明の好ましい態様においては、上記貼� ��された接合面について、これを分子レベル� ��密着させるため、接合後に界面間に共有結� ��を形成させることも、有効である。

 有機EL素子の構成層の層間を共有結合で� �なぐ技術は、特開2004-103401号公報に開示され ているが、本発明では、貼合法における界面 接着の手段としてこの技術を適用することが できる。

 即ち、貼合面(貼り合わせ面)の両方の有� �層に、分子内に複数の重合性基を有する化� �物を含有させる。

 分子内の複数の重合性基は、素子の使用� ��、素子内部で発生する活性種や、貼合時の� ��により化学変化(重合反応)を起こし共有結� �を形成することによって、貼合された有機� �間の分子レベルでの密着性を向上させる。

 本発明においては、分子内に複数の重合� ��基を有する化合物が重合反応しているかど� ��かの分析手段として、有機層の赤外分光分� ��により、前記化合物の有する重合性基の消� ��をトレースし、前記重合性基の消失により� ��合反応の進行を確認した。

 《重合性基の分析方法》
 重合性基の確認方法は、IR(赤外分光)、ラマ ン、UV(紫外線分光)等の一般に知られた分析� �法を使用できる。

 以下に、その一例として、本発明に用い� ��れる重合性二重結合基(ビニル基、アリル基 )の測定方法を記す。

 有機層中の重合性二重結合基の消失につ� ��ては、重合性二重結合基の分布を測定する� ��法を利用した。つまり、重合性二重結合基� ��分布していない(検出限界以下にある)こと� �もって、重合性二重結合基の消失とみなし� �。

 重合性二重結合基の二重結合の分布は以� ��の工程により求めた。

 (a)分析面積を確保するため、ダイプラウ� ��ンテス社製サイカスNN04型にて斜め切削を行 った。拡大倍率を500倍とし、切削を行い、分 析面積を得た。

 (b)次いで、得られた切削面について、臭� ��付加法により、薄膜中に残存する二重結合� ��標識化した。

 (c)標識化後の試料についてX線光電子分光 (XPSともいう)装置アルバックファイ製QuanteraSX Mを用いて切削面表面の元素組成分布を計測� �、切削面表面の元素組成分布を得た。

 また、これら、重合前の分子内に複数の� ��合性基を有する化合物が有機EL素子中に含� �されていると、素子の駆動のジュール熱(つ� ��り電流が素子内を流れることにより)化合物 間の反応(化学変化)が進むため、その結果と� ��て分子レベルの密着性が向上、発光性能や� ��光寿命などが改善されるという新しい現象� ��ついても発見した。

 有機EL素子の発光層は、通常、リン光性� �発光を利用する、いわゆる「リン光素子」� �は、リン光発光材料(リン光ドーパント)を発 光ホストに対し質量比で1~20%程度混合するこ� ��が発光効率の観点から有効であるとされて� ��り、本発明においてリン光性の発光を利用� ��る場合には、発光ホストを併用することが� ��ましく、このような化学変化は、該発光ホ� ��ト材料と、これに反応性を持つリン光発光� ��料(リン光ドーパント)との化学反応を利用� �てもよい。

 例えば、発光層同士を貼合する場合、ま� ��発光層がリン光ドーパントと発光ホストと� ��構成されるとき、リン光発光材料(リン光ド ーパント)の化学変化は、発光ホストとの(縮� ��や重合等)反応を利用してもよく、ホスト(� �光ホストともいう)との化学反応を利用する� ��合、リン光発光材料に置換している特定の� ��合性基と反応を起こしうる反応性置換基を� ��光ホストに導入することが好ましい。

 例えば、リン光発光材料に水酸基(-OH)が� �換している場合、発光ホストにはイソシア� �ート基(-NCO)や、イソチオシアナート基(-NCS)� �導入した材料を選択する、或いは、リン発� �材料にビニル基が置換している場合、それ� �ラジカル重合可能なビニル基を導入した発� �ホストを選択する。

 また、本発明において最も好ましい態様� ��は、リン光発光材料また発光ホスト、の両� ��にビニル基が置換した材料を少なくとも1種 ずつ、同一層中に存在させ、その発光素子を 通電により、発光層内で発生するアニオンラ ジカルまたはカチオンラジカルを重合開始剤 として利用し、鎖状または網目状のポリマー (重合体)を形成させることである。

 また、陰極側部材の表面層が電子輸送層� ��あり、陽極側部材の表面層が発光層の場合� ��も、例えば、ビニル基等の重合性基をもつ� ��子輸送層、及び同じくビニル基等の重合性� ��をもつ発光ホストまたはドーパント材料を� ��有する発光層を各々有する部材を貼合する� ��とで、層間において重合反応が行われ、貼� ��された有機層間の密着性の向上が向上し、� ��発明の有機EL素子の特性が向上する。

 陰極側基板の最表層が、発光層であり、� ��極側基板の最表層が正孔輸送層である場合� ��同様に、複数の重合性基を有する正孔輸送� ��料を含有した正孔輸送層を用いればよい。

 従って、貼合する有機層の少なくとも一� ��には、分子内に複数の重合性基を有する有� ��化合物を含有することが好ましく、貼合す� ��2つの有機層の少なくとも一方に重合性基を 有する化合物を含有し、他方にこれと反応す る基を有する材料を含有していれば、互いに 反応することで密着を強化でき、貼合面(接� �面ともいう)の剥離を抑制し、キャリア移動� ��向上をはかることができる。

 また、貼り合せる有機層の両方に、分子� ��に複数の重合性基を有する化合物を含有し� ��おくと、積層面の密着が強化の観点から好� ��しい。

 また、本発明の好ましい態様においては� ��リン光性発光性化合物また発光ホスト、正� ��輸送材料、電子輸送材料等、貼合される各� ��機層中にビニル基が置換した材料を少なく� ��も1種存在させることで、その発光素子を通 電により、発光層内で発生するアニオンラジ カルまたはカチオンラジカルを重合開始剤と して利用し、鎖状または網目状のポリマーを 形成させることができ、層内での重合により 、発光素子は、最初の状態よりもより堅牢性 が増強されたものとなり、通電(駆動)するう� ��に次第に耐久性が増す発光素子を実現する� ��とも可能である。

 このような、素子内部で発生する活性種� ��、駆動時のジュール熱によって化学変化を� ��超す反応性置換基としては、前記の基も含� ��以下のような基が挙げられる。

 貼合時や貼合後に、重合性基による架橋反� ��を行わせる場合、熱、また、エネルギー線� ��が利用できる。加熱の場合、60℃~200℃の範� ��で1秒~5時間、また、エネルギー線であれば� ��例えば、前記の紫外光源が同じく用いるこ� ��ができ、5000μW/cm ² ~8000μW/cm ² 程度の強度を有する紫外線を照射すればよい 。

 反応に要するエネルギー量としては0.02kJ/cm ² ~20kJ/cm ² の範囲が好ましい。

 類似する従来技術は、今までに例を見な� ��が、近い技術として、成膜した後に高分子� ��化するという公知文献としては以下のよう� ��ものがあり、その架橋反応は本発明の有機E L素子の形成に適用してもよい。

 例えば、特開平5-271166号公報には、分子� �にビニル基を2つ有する2官能性のトリフェニ ルアミン誘導体が記載されており、その化合 物を成膜した後に紫外線照射により3次元架� �されたポリマーの形成が開示され、特開2001- 297882号公報には、2つ以上のビニル基を有す� �材料を複数の層に添加する技術が開示され� �おり、この場合、重合反応は陰極を積層す� �前の有機層成膜時点で紫外線や熱の照射で� �っている。

 また、特開2003-73666号公報では、リン光ド ーパントの末端にビニル基を有する材料と同 様にビニル基を有するコモノマーの混合物に ラジカル発生剤であるAIBN(アゾイソブチロニ� ��リル)を添加して成膜時に重合反応を進行さ せる製造方法が開示され、特開2003-86371号公� �には、同一層内の2分子間でディールスアル� ��ー反応を起こさせて架橋させる製造方法等� ��技術である。

 《光取り出し》
 有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折� ��が1.7~2.1程度)層の内部で発光し、発光層で� �生した光のうち15%から20%程度の光しか取り� �せないことが一般的に言われている。これ� �、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空� �との界面)に入射する光は、全反射を起こし� ��子外部に取り出すことができないことや、� ��明電極ないし発光層と透明基板との間で光� ��全反射を起こし、光が透明電極ないし発光� ��を導波し、結果として光が素子側面方向に� ��げるためである。

 この光の取り出しの効率を向上させる手� ��としては、例えば、透明基板表面に凹凸を� ��成し、透明基板と空気界面での全反射を防� ��方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に� �光性を持たせることにより効率を向上させ� �方法(特開昭63-314795号公報)、素子の側面等に 反射面を形成する方法(特開平1-220394号公報)� �基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平� �層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特� ��昭62-172691号公報)、基板と発光体の間に基板 よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法 (特開2001-202827号公報)、基板、透明電極層や� �光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間) に回折格子を形成する方法(特開平11-283751号� �報)等がある。

 本発明においては、これらの方法を本発� ��の有機EL素子と組み合わせて用いることが� �きるが、基板と発光体の間に基板よりも低� �折率を持つ平坦層を導入する方法、あるい� �基板、透明電極層や発光層のいずれかの層� �(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する 方法を好適に用いることができる。

 本発明はこれらの手段を組み合わせるこ� ��により、更に高輝度あるいは耐久性に優れ� ��素子を得ることができる。

 透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒� ��を光の波長よりも長い厚みで形成すると、� ��明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が� ��いほど外部への取り出し効率が高くなる。

 低屈折率層としては、例えば、エアロゲ� ��、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フ� ��素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の� ��折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折 率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好 ましい。また、更に1.35以下であることが好� �しい。

 また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波� ��の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈 折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエ バネッセントで染み出した電磁波が基板内に 入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が 薄れるからである。

 全反射を起こす界面もしくはいずれかの� ��質中に回折格子を導入する方法は、光取り� ��し効率の向上効果が高いという特徴がある� ��この方法は回折格子が1次の回折や2次の回� �といった所謂ブラッグ回折により、光の向� �を屈折とは異なる特定の向きに変えること� �できる性質を利用して、発光層から発生し� �光のうち層間での全反射等により外に出る� �とができない光を、いずれかの層間もしく� �、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格 子を導入することで光を回折させ、光を外に 取り出そうとするものである。

 導入する回折格子は、二次元的な周期屈� ��率を持っていることが望ましい。これは発� ��層で発光する光はあらゆる方向にランダム� ��発生するので、ある方向にのみ周期的な屈� ��率分布を持っている一般的な1次元回折格子 では、特定の方向に進む光しか回折されず、 光の取り出し効率がさほど上がらない。しか しながら、屈折率分布を二次元的な分布にす ることにより、あらゆる方向に進む光が回折 され、光の取り出し効率が上がる。

 回折格子を導入する位置としては前述の� ��り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基 板内や透明電極内)でもよいが、光が発生す� �場所である有機発光層の近傍が望ましい。

 このとき、回折格子の周期は媒質中の光� ��波長の約1/2~3倍程度が好ましい。

 回折格子の配列は正方形のラチス状、三� ��形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元 的に配列が繰り返されることが好ましい。

 《集光シート》
 本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側� �、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造� �設けるように加工したり、あるいは所謂集� �シートと組み合わせることにより、特定方� �、例えば、素子発光面に対し正面方向に集� �することにより、特定方向上の輝度を高め� �ことができる。

 マイクロレンズアレイの例としては、基� ��の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90 度となるような四角錐を2次元に配列する。� �辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さく� �ると回折の効果が発生して色付く、大きす� �ると厚みが厚くなり好ましくない。

 集光シートとしては、例えば、液晶表示� ��置のLEDバックライトで実用化されているも� ��を用いることが可能である。このようなシ� ��トとして、例えば、住友スリーエム社製輝� ��上昇フィルム(BEF)等を用いることができる� �プリズムシートの形状としては、例えば、� �材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライ� ��が形成されたものであってもよいし、頂角� ��丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変� ��させた形状、その他の形状であってもよい� ��

 また、発光素子からの光放射角を制御す� ��ために、光拡散板・フィルムを集光シート� ��併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡� �フィルム(ライトアップ)等を用いることがで きる。

 《有機EL素子の用途》
 本発明の有機EL素子は、表示デバイス、デ� �スプレイ、各種発光光源として用いること� �できる。発光光源として、例えば、照明装� �(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バッ クライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の 光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機 の光源、光センサーの光源等が挙げられるが これに限定するものではないが、特に液晶表 示装置のバックライト、照明用光源としての 用途に有効に用いることができる。

 本発明の有機EL素子を用いた表示装置と� �ては、青色発光層の発光極大波長は430nm~480nm にあるものが好ましく、緑色発光層は発光極 大波長が510nm~550nm、赤色発光層は発光極大波� ��が600nm~640nmの範囲にある単色発光層である� �とが好ましい。

 これらの少なくとも3層の発光層を積層し て白色発光層としたものであってもよい。更 に、発光層間には非発光性の中間層を有して もよい。本発明の有機EL素子としては白色発� ��層であることが好ましく、これらを用いた� ��明装置であることが好ましい。

 また、本発明の有機EL素子においては、� �要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジ� �ットプリンティング法等でパターニングを� �してもよい。パターニングする場合は、電� �のみをパターニングしてもよいし、電極と� �光層をパターニングしてもよいし、素子全� �をパターニングしてもよく、素子の作製に� �いては、従来公知の方法を用いることがで� �る。

 本発明の有機EL素子や本発明に係る化合� �の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブ� �ク」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985 )の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1 000(コニカミノルタセンシング社製)で測定し� ��結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で� ��定される。

 また、本発明の有機EL素子が白色素子の場� �には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記� ��法により測定した際に、1000Cd/m ² でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y= 0.33±0.1の領域内にあることを言う。