本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、一対の電極間に発光層もしくは発光� ��を含む複数の有機化合物薄層が形成された� ��機エレクトロルミネッセンス素子であって� ��波長440nm以下のリン光エレクトロルミネッ� �ンス発光ピークを有することを特徴とする� �

 この有機エレクトロルミネッセンス素子� ��含まれるゲルマニウム化合物は、一般式(1):

(式中、Lは0~2、好ましくは1又は2、及びkは0~3� ��整数である。
 R ¹ 乃至R ⁶ は、同一又は異なっていても良く、アルキル 基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラ ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、 アルコキシ基又はアリールオキシ基である。 なお、これらの基は、その任意の水素原子が ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル 基、アルケニル基、アリール基、アラルキル 基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アル キルメルカプト基、アリールメルカプト基も しくはオルガノシリル基で置換されていても 良い。
 更に、R ¹ 乃至R ⁶ は、は互いに結合して環を結合していても良 く、その環を結合する結合基は、単結合、エ ーテル結合、チオエーテル結合、アルキレン 基、オキサアルキレン基又はチアアルキレン 基である。
 Xはアルキル基、シクロアルキル基、アルケ ニル基、アリール基、アラルキル基、アルコ キシ基、アリールオキシ基、アルキルメルカ プト基、アリールメルカプト基又は置換基を 有するアミノ基である。)
で示されるゲルマニウム化合物である。

 好ましくは、一般式(1a):

(式中、k、X及びR ¹ 乃至R ⁶ は、前記と同義である。)
で示されるゲルマニウム化合物である、有機 エレクトロルミネッセンス素子、更に好まし くは一般式(1b)

(式中、k及びXは前記と同義であり、Ar ¹ 及びAr ² は、同一又は異なっていても良く、アリール 基又はヘテロアリール基である。なお、当該 アリール基は、その任意の水素原子がハロゲ ン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア ルケニル基、アリール基、アラルキル基、ア ルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルメ ルカプト基又はアリールメルカプト基で置換 されていても良い。
 更に、Ar ¹ 及びAr ² は、は互いに結合して環を結合していても良 く、その環を結合する結合基は、エーテル基 、チオエーテル基、アルキレン基、オキサア ルキレン基又はチアアルキレン基である。)
で示されるゲルマニウム化合物が使用される 。なお、これらのゲルマニウム化合物は、単 独又は二種以上を混合して使用しても良い。

 前記一般式(1)において、Lは0~2、好ましく は1又は2、及びkは0~3の整数であるが、Lが1の� ��合には、一般式(1a)の化合物となる。

 R ¹ 乃至R ⁶ は、同一又は異なっていても良く、アルキル 基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラ ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、 アルコキシ基又はアリールオキシ基である。

 前記アルキル基としては、炭素数1~20、特 に炭素数1~12のアルキル基が好ましく、例え� �、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ� �基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基� �オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ� �ル基及びドデシル基等が挙げられる。なお� �これら置換基は、その異性体も含む。

 前記シクロアルキル基としては、炭素数5 ~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、� ��クロペンチル基、シクロヘキシル基、シク� ��ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ� ��チル基及びシクロオクチル基等が挙げられ� ��。

 前記アルケニル基としては、炭素数2~20、 特に炭素数2~12のアルケニル基が好ましく、� �えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル� �、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニ� �基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル� �、ウンデセニル基及びドデセニル基等が挙� �られる。なお、これら置換基は、その異性� �も含む。

 前記アラルキル基としては、炭素数7~20の アラルキル基が好ましく、例えばベンジル基 、ナフチルメチル基、インデニルメチル基及 びビフェニルメチル基などが挙げられる。

 前記アリール基としては、炭素数6~12のア リール基が好ましく、例えば、フェニル基、 トリル基(及びその異性体)、キシリル基(及び その異性体)、ナフチル基(及びその異性体)並 びにジメチルナフチル基(及びその異性体)等� ��挙げられる。

 前記ヘテロアリールとしては、炭素数4~10 のものが好ましく、フリル基、チオフェニル 基、ピロリル基、イミダゾリル基、オキサゾ リル基、ピリジル基、チアゾリル基、インド リル基、キノリル基、イソキノリル基、キナ ゾリル基及びキノキサリル基等が挙げられる 。

 前記アルコキシ基としては、炭素数1~10の アルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ 基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基 、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタ ノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基及 びデカノキシ基等が挙げられる。なお、これ ら置換基は、その異性体も含む。

 前記アリールオキシ基としては、炭素数6 ~14のアリールオキシ基が好ましく、フェノキ シ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフ トキシ基及びジメチルナフトキシ基等が挙げ られる。なお、これら置換基は、その異性体 も含む。

 なお、一般式(1)で示されるR ¹ 乃至R ⁶ は、その任意の水素原子がハロゲン原子、ア ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基 、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基 、アリールオキシ基、アルキルメルカプト基 、アリールメルカプト基又はオルガノシリル 基で置換されていても良い。

 前記ハロゲン原子としては、例えば、フ� ��素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原� ��が挙げられる。

 アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ� ��基、アリール基、アラルキル基、アルコキ� ��基及びアリールオキシ基は、R ¹ 乃至R ⁶ で挙げた基と同義である。

 前記アルキルメルカプト基としては、炭� ��原子数1~6のアルキルメルカプト基が好まし� ��、例えば、メチルメルカプト基、エチルメ� ��カプト基、プロピルメルカプト基、ブチル� ��ルカプト基、ペンチルメルカプト基及びヘ� ��シルメルカプト基が挙げられる。なお、こ� ��らの置換基は、その異性体を含む。

 前記アリールメルカプト基としては炭素� ��子数6~14のアリールメルカプト基が好ましく 、例えば、フェニルメルカプト基、トリルメ ルカプト基、キシリルメルカプト基及びナフ チルメルカプト基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。

 前記オルガノシリル基としては炭素原子� ��3~18のオルガノシリル基が好ましく、例えば 、トリメチルシリル基、ジメチルエチルシリ ル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシ リル基、トリブチルシリル基、ブチルジメチ ルシリル基、フェニルジメチルシリル基及び ナフチルジメチルシリル基等が挙げられる。 なおこれらの置換基は、その異性体を含む。

 なお、R ¹ 乃至R ⁶ は、は互いに結合して環を結合していても良 く、その環を結合する結合基は、単結合(直� �R ¹ 乃至R ⁶ が結合している状態)、エーテル結合(直接R ¹ 乃至R ⁶ が酸素を介して結合している状態)、チオエ� �テル結合(直接R ¹ 乃至R ⁶ が硫黄を介して結合している状態)、アルキ� �ン基、オキサアルキレン基又はチアアルキ� �ン基である。

 前記アルキレン基としては、炭素数1~4の� ��ルキレン基が好ましく、例えば、メチレン� ��、エチレン基、プロピレン基及びブチレン� ��が挙げられる。

 前記オキサアルキレン基としては炭素数1 ~5のオキサアルキレン基が好ましく、オキサ� ��チレン基、オキサプロピレン基、オキサブ� ��レン基、オキサペンタメチレン基、オキサ� ��キサメチレン基、ジオキサメチレン基、ジ� ��キサプロピレン基、ジオキサブチレン基、� ��オキサペンタメチレン基及びジオキサヘキ� ��メチレン基が挙げられる。なお、これら置� ��基は、その異性体も含む。

 前記チアアルキレン基としては炭素数1~5� ��チアアルキレン基が好ましく、チアメチレ� ��基、チアプロピレン基、チアブチレン基、� ��アペンタメチレン基、チアヘキサメチレン� ��、ジチアメチレン基、ジチアプロピレン基� ��ジチアブチレン基、ジチアペンタメチレン� ��及びジチアヘキサメチレン基が挙げられる� ��なお、これら置換基は、その異性体も含む� ��

 Xは、アルキル基、シクロアルキル基、アル ケニル基、アリール基、アラルキル基、アル コキシ基、アリールオキシ基、アルキルメル カプト基、アリールメルカプト基又は置換基 を有するアミノ基であるが、アルキル基、シ クロアルキル基、アルケニル基、アリール基 、アラルキル基、アルコキシ基及びアリール オキシ基は、R ¹ 乃至R ⁶ で挙げた基と同義である。

 前記アルキルメルカプト基としては、炭� ��原子数1~6のアルキルメルカプト基が好まし� ��、例えば、メチルメルカプト基、エチルメ� ��カプト基、プロピルメルカプト基、ブチル� ��ルカプト基、ペンチルメルカプト基及びヘ� ��シルメルカプト基が挙げられる。なお、こ� ��らの置換基は、その異性体を含む。

 前記アリールメルカプト基としては炭素� ��子数6~14のアリールメルカプト基が好ましく 、例えば、フェニルメルカプト基、トリルメ ルカプト基、キシリルメルカプト基及びナフ チルメルカプト基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。

 前記置換を有するアミノ基としては、炭� ��原子数1~14の置換アミノ基が好ましく、例え ば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロ ピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルア ミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミ ノ基、フェニルアミノ基、トリルアミノ基、 キシリルアミノ基、ナフチルアミノ基、フェ ニルメチルアミノ基、フェニルエチルアミノ 基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基 及びジキシリルアミノ基等が挙げられる。な お、これらの置換基は、その異性体を含む。

 R ¹ 乃至R ⁶ が、いずれもアリール基又はヘテロアリール 基である場合には、前記一般式(1b)の化合物� �なるが、その一般式(1b)において、Ar ¹ 及びAr ² は、同一又は異なっていても良く、アリール 基又はヘテロアリール基である。なお、当該 アリール基は、その任意の水素原子がハロゲ ン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア ルケニル基、アリール基、アラルキル基、ア ルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルメ ルカプト基もしくはアリールメルカプト基で 置換されていても良い。更に、Ar ¹ 及びAr ² は、は互いに結合して環を結合していても良 く、その環を結合する結合基は、エーテル基 、チオエーテル基、アルキレン基、オキサア ルキレン基又はチアアルキレン基である。こ れらはR ¹ 乃至R ⁶ で挙げた基と同義である。

 本発明のゲルマニウム化合物の具体例と� ��ては、例えば、一般式(1c)~(1g)

で示されるゲルマニウム化合物が好適に使 用される。これらのゲルマニウム化合物は、 発光層に複数種含まれていることが望ましい 。

 本発明のゲルマニウム化合物は、例えば、� ��ロゲン化ゲルマニウム化合物を出発原料と� ��て、ハロゲン原子の位置に相当する置換基� ��導入することによって得られる化合物であ� ��(例えば、非特許文献2参照)。
日本化学雑誌,第84巻,1963年,272頁

 次に、本発明の好ましい有機エレクトロ� ��ミネッセンス素子は、一対の電極間に発光� ��もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄� ��を形成した有機エレクトロルミネッセンス� ��子であって、440nm以下の深青色領域にリン� �エレクトロルミネッセンス発光ピーク極大� �有し、発光色が(国際照明委員会(CIE)表色系� �y座標が0.180未満となることを特徴とする。

 当該素子は発光層に単一もしくは置換基� ��成の異なる複数種類の一般式(2):

(式中、lは0~2の整数、mは1~3の整数、nは1~3� �整数、及びkは0~3の整数である。Arはアリー� �基又は複素アリール基であり、同一もしく� �異なっていても良く、その任意の水素原子� �ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキ� �基、アルケニル基、アリール基、アラルキ� �基、アルコキシ基、アリールオキシ基アル� �ルメルカプト基、アリールメルカプト基、� �換基を有するアミノ基もしくはオルガノシ� �ル基で置換されていても良い。また、異な� �Arが同一のGe原子で置換していても良いが、� ��の場合異なるAr基の数の総和はmと等しい。� ��た、隣接したArは単結合、エーテル結合、� �オエーテル結合、アルキレン基、オキサア� �キレン基又はチアアルキレン基を介して結� �していても良い。また、Rはアルキル基、シ� ��ロアルキル基、アルケニル基、アラルキル� ��、アルコキシ基、またはアリールオキシ基� ��ある。Xはアルキル基、シクロアルキル基、 アルケニル基、アリール基、アラルキル基、 アルコキシ基、アリールオキシ基アルキルメ ルカプト基またはアリールメルカプト基であ る。)で示される化合物を含むものである。

 上記Arがアリール基の場合、炭素数6~14の� ��のが好ましく、例えば、フェニル基、ナフ� ��ル基、フェナントリル基及びアントラセニ� ��基等が挙げられる。

 上記Arが複素アリール基としては、炭素� �4~10のものが好ましく、フリル基、チオフェ� ��ル基、ピロリル基、イミダゾリル基、オキ� ��ゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基、イ� ��ドリル基、キノリル基、イソキノリル基、� ��ナゾリル基及びキノキサリル基等が挙げら� ��る。

 上記のアリール基もしくは複素アリール� ��の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキ� ��基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア� ��ール基、アラルキル基、アルコキシ基、ア� ��ールオキシ基、アルキルメルカプト基、ア� ��ールメルカプト基、置換基を有するアミノ� ��もしくはオルガノシリル基で置換されてい� ��も良く、また隣接したArが直接、エーテル� �合もしくはチオエーテル結合、又はアルキ� �ン基、オキサアルキレン基もしくはチアア� �キレン基を介して結合していても良い。

 前記ハロゲン原子、前記アルキル基、前� ��シクロアルキル基、前記アルケニル基、前� ��アリール基、前記アラルキル基、前記アル� ��キシ基、前記アリールオキシ基、前記アル� ��ルメルカプト基、前記アリールメルカプト� ��、前記置換基を有するアミノ基、前記オル� ��ノシリル基、前記アルキレン基、前記オキ� ��アルキレン基、前記チアアルキレン基は、� ��記と同義である。

 上記アルキル基、シクロアルキル基、ア� ��ケニル基、アリール基、アラルキル基、ア� ��コキシ基、アリールオキシ基、アルキルメ� ��カプト基及びアリールメルカプト基、並び� ��隣接したArを連結するアルキレン基、オキ� �アルキレン基及びチアアルキレン基は、さ� �にその炭素原子に結合している水素原子が� �ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基� �アリール基、アルコキシ基、アリールオキ� �基、アルキルメルカプト基、アリールメル� �プト基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキ� �アミノ基等で更に置換されていても良い。� �れらの置換基は、前記のArの置換基として定 義されているものと同様のものが挙げられる 。

 上記Rはアルキル基、シクロアルキル基、 アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基 、又はアリールオキシ基である。これらは前 記のArの置換基として定義されているものと� ��様のものが挙げられる。

 上記Xは前記と同義である。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子に含有される式(1)、(2)で表わされる有機� ��ルマニウム化合物は、例えば非特許文献1の 記載に従って、式(6)、(7)もしくは(8)で表わさ れる有機金属化合物と、有機ゲルマニウム塩 化物(式(5))とを反応させることにより合成で� ��る(例えば、非特許文献2参照)。

(式中、jは0~3の整数である。Arは前記と同� �である。)

(式中、Arは前記と同義であり、MはLiもしく はMgYである。ここでYは塩素、臭素又はヨウ� �である。)

(式中、Rは前記と同義であり、MはLiもしく� ��MgYである。ここでYは塩素、臭素又はヨウ素 である。)

(式中、Xは前記と同義であり、lは2~3、kは0~ 3の整数であり、MはLiもしくはMgYである。こ� �でYは前記と同義である。)

 好ましい当該化合物としては、例えば、� ��記の化合物(1c)~(1g)が挙げられる。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、一対の電極間に発光層もしくは発光� ��を含む複数の有機化合物薄層が形成された� ��機エレクトロルミネッセンス素子であって� ��波長440nm以下のリン光エレクトロルミネッ� �ンス発光ピークを有することを特徴とする� �のであって、好ましくは、440nm以下の深青色 領域にリン光エレクトロルミネッセンス発光 ピーク極大を有し、発光色が国際照明委員会 (CIE)表色系でy座標が0.180未満であるものであ� ��、さらに好ましくは、1又は複数種のゲルマ ニウム化合物を発光層に含む有機エレクトロ ルミネッセンス素子である。

 また、本発明の有機エレクトロルミネッ� ��ンス素子は、一対の電極間に単層もしくは� ��層の有機化合物層を有する有機エレクトロ� ��ミネッセンス素子であって、発光層が前記� ��(1)又は(2)で示される化合物のうち、単一も� ��くは置換基構成の異なる複数種類を含有す� ��ことを特徴とする。

 前記有機化合物層は、発光層、電子注入� ��又は正孔輸送層であり、前記式(1)で示され� ��1又は複数種のゲルマニウム化合物、又は前 記式(2)で示される化合物及び化合物群は、発 光層以外にも、電子注入層、正孔輸送層に含 有されても良い。

 なお、前記式(1)又は(2)で表されるゲルマ� ��ウム化合物の発光層及びその他の有機化合� ��層への添加量は、好ましくは濃度2~98質量%� �ある。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、発光材料、他のドーピング材料、正� ��注入材料や電子注入材料を組み合わせて使� ��することもできる。更に、正孔注入層、発� ��層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層� ��成により形成されても良い。その際には、� ��孔注入層の場合、電極から正孔を注入する� ��を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け� ��り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送� ��と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極� ��ら電子を注入する層を電子注入層、電子注� ��層から電子を受け取り発光層まで電子を輸� ��する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層� ��、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化� ��物層もしくは金属電極との密着性等の各要� ��により選択されて使用される。

 前記一般式(1)又は(2)で示されるゲルマニ� ��ム化合物と共に発光層に使用する材料とし� ��は、リン光発光を得るために、波長440nm以� �にリン光性フォトルミネッセンスのピーク� �有する各種イリジウム、白金、金、オスミ� �ム、ルテニウム等の中心金属を有するリン� �性錯体色素の添加が不可欠である。これら� �例としては、公知の文献に示されるような� �体群が挙げられる(例えば、特許文献1、非特 許文献3及び4参照)。

国際公開WO2006-80515号パンフレット 「2006年度有機ELシンポジウム」講演要旨 集、7頁((社)高分子学会) Inorganic Chemistry,44,7992(2005)

 なお、これらの中でも特許文献1記載の下 式で表される化合物群が好適に用いられる。

(式中、Lは、含窒素へテロ環カルベン配位� ��である。Yは、アルキル基、シクロアルキル 基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環 基である。なお、Yの炭素原子上のひとつ又� �複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキ� �基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア� �ール基、アラルキル基、アルコキシ基、ア� �ールオキシ基、ジアルキルアミノ基、カー� �アルキル基又はカーボアリール基で置換さ� �ていても良い。また、Yの炭素原子上の複数� ��水素原子が、アルキル基、アルケニル基、� ��リール基、アラルキル基、アルコキシ基、� ��リールオキシ基、ジアルキルアミノ基、カ� ��ボアルキル基又はカーボアリール基で置換� ��れている場合、隣接している基同士が結合� ��て環を形成しても良い。)

 この他に発光層に添加できる発光材料又� ��ホスト材料としては、各種カルバゾール誘� ��体、縮合多環芳香族(アントラセン、ナフタ レン、フェナントレン、ピレン、テトラセン 、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオ レセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの 誘導体等)、フタロペリレン、ナフタロペリ� �ン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロ� �リノン、ジフェニルブタジエン、テトラフ� �ニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾ� �ル、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、� �ススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ� �、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属� �体、ベンゾキノリン金属錯体、キノリルア� �チレン金属錯体、キノキサリルアセチレン� �属錯体、キナゾリルアセチレン金属錯体、� �ミン、ジフェニルエチレン、ビニルアント� �セン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チ� �ピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ� �ゾールキレート化オキシノイド化合物、キ� �クリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体� �び蛍光色素等が挙げられる。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子において使用できる公知の正孔注入材料� ��中で、より効果的な正孔注入材料は、芳香� ��三級アミン誘導体又はフタロシアニン誘導� ��である。

 前記芳香族三級アミン誘導体としては、� ��えば、トリフェニルアミン、トリトリルア� ��ン、トリルジフェニルアミン、N,N’-ジフェ ニル-N,N’-(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニ� ��-4,4’-ジアミン(以下、TPDと記載)、N,N,N’,N� �-(4-メチルフェニル)-1,1’-フェニル-4,4’-ジ� �ミン、N,N,N’,N’-(4-メチルフェニル)-1,1’-ビ フェニル-4,4’-ジアミン、N,N’-ジフェニル-N, N’-ジナフチル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミ ン、N,N’-(メチルフェニル)-N,N’-(4-n-ブチル� �ェニル)-フェナントレン-9,10-ジアミン、1,1-� �ス[4-(ジ-4-トリルアミノ)フェニル]シクロヘ� �サン等、若しくはこれらの芳香族三級アミ� �骨格を有したオリゴマー又はポリマーであ� �が、これらに限定されるものではない。

 前記フタロシアニン(Pc)誘導体としては、例 えば、H ₂ Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc 、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl ₂ SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-G aPc等のフタロシアニン誘導体又はナフタロシ アニン誘導体であるが、これらに限定される ものではない。

 トリフェニレン誘導体の具体的な態様は� ��下式に示される。

 式中、Zは、単一もしくは複数のアルキル 基、シクロアルキル基、アリール基、アラル キル基又はヘテロ環基である。なお、Zの炭� �原子上のひとつ又は複数の水素原子が、ハ� �ゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基� �アルケニル基、アリール基、アラルキル基� �アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアル� �ルアミノ基、カーボアルキル基、カーボア� �ール基又はオルガノシリル基で置換されて� �ても良い。これらの置換基は、前記のArの置 換基として定義されているものと同様のもの が挙げられる。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子において、より効果的な公知の電子注入� ��料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員� ��誘導体である。

 前記金属錯体化合物としては、例えば、8-� �ドロキシキノリナートリチウム、ビス(8-ヒ� �ロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8-ヒドロキ� ��キノリナート)銅、ビス(8-ヒドロキシキノリ ナート)マンガン、トリス(8-ヒドロキシキノ� �ナート)アルミニウム(以下、Alq ₃ と記載。)、トリス(2-メチル-8-ヒドロキシキ� �リナート)アルミニウム、トリス(8-ヒドロキ� ��キノリナート)ガリウム、ビス(10-ヒドロキ� �ベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10- ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビ� �(2-メチル-8-キノリナート)クロロガリウム、� ��ス(2-メチル-8-キノリナート)(o-クレゾラート )ガリウム、ビス(2-メチル-8-キノリナート)(1-� ��フトラート)アルミニウム及びビス(2-メチル -8-キノリナート)(2-ナフトラート)ガリウム等� ��挙げられるが、これらに限定されるもので� ��ない。

 前記含窒素五員環誘導体としては、例え� ��、オキサゾール、チアゾール、オキサジア� ��ール、チアジアゾールもしくはトリアゾー� ��誘導体が好ましい。具体的には、2,5-ビス(1- フェニル)-1,3,4-オキサゾール、ジメチルPOPOP(� ��こでPOPOPは1,4-ビス(5-フェニルオキサゾール- 2-イル)ベンゼンである。)、2,5-ビス(1-フェニ� ��)-1,3,4-チアゾール、2,5-ビス(1-フェニル)-1,3,4 -オキサジアゾール、2-(4’-tert-ブチルフェニ� ��)-5-(4”-ビフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール� ��2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール� ��1,4-ビス[2-(5-フェニルオキサジアゾリル)]ベ� ��ゼン、1,4-ビス[2-(5-フェニルオキサジアゾリ ル)-4-tert-ブチルベンゼン]、2-(4’-tert-ブチル� ��ェニル)-5-(4”-ビフェニル)-1,3,4-チアジアゾ� ��ル、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-チアジアゾー� ��、1,4-ビス[2-(5-フェニルチアジアゾリル)]ベ� ��ゼン、2-(4’-tert-ブチルフェニル)-5-(4”-ビ� �ェニル)-1,3,4-トリアゾール、3-(4-ビフェニル� ��ル)-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-ト リアゾール、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-トリア ゾール及び1,4-ビス[2-(5-フェニルトリアゾリ� �)]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定 されるものではない。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、電荷注入性向上のために発光層と電� ��との間に無機化合物層を設けることもでき� ��。

 前記無機化合物層としては、LiF、Li ₂ O、RaO、SrO、BaF ₂ 及びSrF ₂ 等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の フッ化物及び酸化物等が挙げられる。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子の陽極に使用される導電性材料としては� ��4eVより大きな仕事関数を持つものが適して� ��り、例えば、炭素原子、アルミニウム、バ� ��ジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タング� ��テン、銀、金、白金、パラジウム及びそれ� ��の合金、ITO(酸化インジウムに酸化スズを5~1 0%添加した物質)基板、NESA基板に使用される� �化スズ及び酸化インジウム等の酸化金属、� �にポリチオフェンやポリピロール等の有機� �電性樹脂を用いることができる。

 陰極に使用される導電性物質としては、4 eVより小さな仕事関数を持つものが適してお� ��、例えば、マグネシウム、カルシウム、錫� ��鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム� ��ルテニウム、マンガン、アルミニウム等及� ��それらの合金を用いられる。ここで合金と� ��、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジ� �ム及びリチウム/アルミニウム等が挙げられ� ��。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、� ��空度等により制御され、特に限定されない� ��

 なお、陽極および陰極は、必要があれば� ��層以上の層構成により形成されていても良� ��。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、少なくとも一方の面は素子の発光波� ��領域において透明であることが望ましく、� ��、基板も透明であることが望ましい。

 透明電極は、前記の導電性材料を使用し� ��、蒸着又はスパッタリング等の方法で所定� ��透光性が確保するように設定して得られる� ��

 発光面の電極は、光透過率を10%以上にす� ��ことが望ましい。

 基板は、機械的、熱的強度を有し、透明� ��を有するものであれば特に限定されるもの� ��はないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィ� ��ム等が挙げられる。

 前記透明性樹脂フィルムとしては、例え� ��、ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重 合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体� �ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチ� �メタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ� �ニルアルコール、ポリビニルブチラール、� �イロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポ� �サルホン、ポリエーテルサルフォン、テト� �フルオロエチレン-パーフルオロアルキルビ� ��ルエーテル共重合体、ポリビニルフルオラ� ��ド、テトラフルオロエチレン-エチレン共重 合体、テトラフルオロエチレン-ヘキサフル� �ロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフ� �オロエチレン、ポリビニリデンフルオライ� �、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ� �レタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド� �ポリイミド及びポリプロピレン等が挙げら� �る。 

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定� ��の向上のために、例えば、素子の表面に保� ��層を設けるか、又はシリコンオイルもしく� ��樹脂等により素子全体を保護することもで� ��る。

 また、有機エレクトロルミネッセンス素� ��の各層の形成は、例えば、真空蒸着、スパ� ��タリング、プラズマもしくはイオンプレー� ��ィング等の乾式成膜法、又はスピンコーテ� ��ング、ディッピングもしくはフローコーテ� ��ング等の湿式成膜法のいずれかを適用する� ��とができる。膜厚は特に限定されるもので� ��ないが、膜厚は、好ましくは5nm~10μm、更に� ��好ましくは10nm~0.2μmの範囲である。

 前記湿式成膜法の場合、各層上に前記式( 1)で表わされる化合物を、例えば、エタノー� ��、クロロホルム、テトラヒドロフラン又は� ��オキサン等の溶媒に溶解又は分散させて薄� ��を調製することができる。

 前記乾式成膜法としては、真空蒸着が好ま� ��く、真空蒸着装置を用い、真空度2×10 ^-3 Pa以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに� ��れた本発明の前記式(1)若しくは(1a)又は(2)若 しくは(2a)で示される芳香族置換基を有する� �機ゲルマニウム化合物を加熱し、該材料を� �発させることにより薄膜を調製することが� �きる。このとき、蒸着源の温度をコントロ� �ルするために、蒸着セルに接触させた熱電� �や非接触の赤外線温度計等が好適に用いら� �る。また蒸着量をコントロールするために� �着膜厚計が好適に用いられる。

 蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して� ��置された水晶振動子を用い、前記水晶振動� ��表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の� ��振周波数の変化から計測し、この計測重量� ��ら膜厚をリアルタイムに求める形式のもの� ��好適に用いられる。

 前記一般式(1)又は(2)で示される化合物と� ��光材料、又は他のホスト材料の共蒸着は、� ��れぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞ� ��独立に制御することによって行うことがで� ��る。

 ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性� ��上、膜のピンホール防止等のためポリスチ� ��ン、ポリカーボネート、ポリアクリレート� ��ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン� ��ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレー� ��、ポリメチルアクリレートもしくはセルロ� ��ス等の絶縁性樹脂又はそれらの共重合体、� ��リ-N-ビニルカルバゾールもしくはポリシラ� ��等の光導電性樹脂、ポリチオフェンもしく� ��ポリピロール等の導電性樹脂などの樹脂、� ��は酸化防止剤、紫外線吸収剤もしくは可塑� ��等の添加剤を使用することができる。

 本発明の有機エレクトロルミネッセンス� ��子は、例えば、壁掛けテレビや携帯電話の� ��ラットパネルディスプレイ等の平面発光体� ��複写機、プリンターもしくは液晶ディスプ� ��イのバックライト、計器類等の光源、表示� ��、又は標識灯等に利用できる。

 以下に実施例を挙げて、本発明を具体的� ��説明するが、本発明の範囲はこれらに限定� ��れるものではない。なお、なお、色度座標� ��、JIS規格Z8701によって求めた。また、この� �子の発光に係る電流の効率は以下の式1で求� ��た。

(式1)
電流効率=(単位面積当りの発光輝度)/(単位面� ��当り電流密度)

実施例1(リン光錯体(Au(IPr)(4F-PE)[(4-フルオロフ ェニルエチニル)[1,3-ビス(2,6-ジイソプロピル� ��ェニル)イミダゾール-2-イリデン]金](錯体1)� ��ゲストとして有機発光層に含む有機エレク� ��ロルミネッセンス素子の作製)
 イーエッチシー製インジウムスズ酸化物(以 下ITOと略す)被膜付きガラスを透明電極基板� �して用い、真空蒸着装置(アルバック機工製) を使用して、同基板上に2×10 ^-3 Pa以下の真空度で、(1,1-ビス[4-(ジ-4-トリルア� ��ノ)フェニル]シクロヘキサン(以下TPACと略す )からなるホール輸送層3を膜厚40nm、2-メチル- 1,4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベンゼン(10質 量%)と1,3-ビス(トリフェニルゲルミル)ベンゼ� ��(90質量%)からなるホスト材料中に、リン光� �体(Au(IPr)(4F-PE)[(4-フルオロフェニルエチニル) [1,3-ビス(2,6-ジイソプロピルフェニル)イミダ� ��ール-2-イリデン]金](金錯体1)を5.0重量%含む� ��光層4を膜厚30nm、3-(4-ビフェニルイル)-4-フ� �ニル-5-ターシャリブチルフェニル-1,2,4-トリ� ��ゾールからなるホールブロック層5を30nm、� �ッ化リチウム(以下LiFと略す)からなる電子輸 送層6を0.5nm、電極7としてアルミニウム(Al)を1 00nm、順次真空蒸着させて有機エレクトロル� �ネッセンス素子を作製した(図1)。

 なお、真空蒸着は、基板に対向して置か� ��た坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加� ��することによって行った。

 前記素子のITO電極2を正極、Al電極7を負極と して通電し電極間電圧を上げていくと、+7V付 近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の 発光を開始し、+23Vにおいて472cd/m ² で発光した。この素子の発光に係る電流効率 は+23Vで1.57cd/Aであった。

実施例2(リン光錯体(Ir(dpbic) ₃ [トリス(N,N’-ジフェニルベンズイミダゾリン -2-イリデン)イリジウム](錯体2):非特許文献1� �載の錯体)をゲストとして有機発光層に含む� ��機エレクトロルミネッセンス素子の作製)
 ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用� ��、真空蒸着装置(アルバック機工製)を使用� �て、同基板上に2×10 ^-3 Pa以下の真空度で、TPACからなるホール輸送層 3を膜厚40nm、2-メチル-1,4-ビス(トリフェニル� �ルミル)ベンゼン(10質量%)と1,3-ビス(トリフェ ニルゲルミル)ベンゼン(90質量%)からなるホス ト材料中に、リン光錯体(Ir(dpbic) ₃ [トリス(N,N’-ジフェニルベンズイミダゾリン -2-イリデン)イリジウム](錯体2)を5.0質量%含む 発光層4を膜厚30nm、TAZからなるホールブロッ� ��層5を30nm、フッ化リチウム(以下LiFと略す)か らなる電子輸送層6を0.5nm、電極7としてアル� �ニウム(Al)を100nm、順次真空蒸着させてエレ� �トロルミネッセンス素子を作製した(図1)。

 なお、真空蒸着は、基板に対向して置か� ��た坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加� ��することによって行った。

 前記素子のITO電極2を正極、Al電極7を負極と して通電し電極間電圧を上げていくと、+9V付 近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の 発光を開始し、+27Vにおいて466cd/m ² で発光した。この素子の発光に係る電流効率 は+21Vで1.47cd/Aであった。

実施例3(2-メチル-1,4-ビス(トリフェニルゲル� �ル)ベンゼンの合成)
 25mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、2,5 -ジブロモトルエン203μl(1.5mmol)、テトラヒド� �フラン12mlを混合した溶液をドライアイス(固 体二酸化酸素)-エタノールで-78℃に冷却し、t -ブチルリチウムのペンタン溶液(f=1.48)5.1ml(7.5 mmol)を滴下した。滴下後、反応溶液を反応温� ��-78℃に維持したまま1時間攪拌した後、トリ フェニルゲルマニウムクロライド1.12g(3.3mmol)� ��加えた。-78℃に維持したまま10分間攪拌し� �後、氷浴中0℃で2時間反応させた。反応終了 後、反応溶液に水40mlと塩化メチレン80mlを加� ��た懸濁液を濾過した。得られた濾過物を水2 0ml×2回、エタノール20ml×2回で洗浄した後、� �圧乾燥することで、白色固体として、2-メチ ル-1,4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベンゼン0. 86gを得た(収率82%)。

実施例4(2,5-ジメチル-1,4-ビス(トリフェニルゲ ルミル)ベンゼンの合成)
 25mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、1,4 -ジブロモ-2,5-ジメチルベンゼン396mg(1.5mmol)、� ��トラヒドロフラン12mlを混合した溶液をドラ イアイス(固体二酸化酸素)-エタノールで-78℃ に冷却し、t-ブチルリチウムのペンタン溶液( f=1.48)5.1ml(7.5mmol)を滴下した。滴下後、溶液を 反応温度-78℃に維持したまま1時間攪拌した� �、トリフェニルゲルマニウムクロライド1.12g (3.3mmol)を加えた。-78℃に維持したまま10分間� ��拌した後、氷浴中0℃で2時間反応させた。� �応終了後、反応溶液に水40mlと塩化メチレン4 0mlを加えた懸濁液を濾過した。得られた濾過 物を水20ml×2回、エタノール20ml×2回で洗浄し� ��後、減圧乾燥することで、白色固体として� ��2,5-ジメチル-1,4-ビス(トリフェニルゲルミル )ベンゼン0.85gを得た(収率79%)。

実施例5(2,5-ジメチル-1,4-ビス(トリフェニルゲ ルミル)ベンゼンの合成)
 25mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、1,4 -ジブロモ-2,5-ジエチルベンゼン350mg(1.2mmol)、� ��トラヒドロフラン8.5mlを混合した無色透明� �液をドライアイス(固体二酸化酸素)-エタノ� �ルで-78℃に冷却し、t-ブチルリチウムのペン タン溶液(f=1.7)3.5ml(6.0mmol)を滴下した。滴下後 、溶液を反応温度-78℃に維持したまま1時間� �拌した後、トリフェニルゲルマニウムクロ� �イド896mg(2.6mmol)を加えた。-78℃に維持したま ま10分間攪拌した後、氷浴中0℃で2時間攪拌� �た。反応終了後、反応溶液に水40mlと塩化メ� ��レン80mlを加えて分液し、水層を塩化メチレ ン20mlで2回抽出し得られた有機層を合わせて� ��酸マグネシウム1.2gで乾燥した。濾過後、濾 液から塩化メチレンを減圧留去し、得られた 残滓を温エタノール20ml、温ヘキサン15mlで洗� ��後、減圧乾燥し、白色固体として、2,5-ジメ チル-1,4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベンゼ� �0.88gを得た(収率99%)。

実施例6(2,5-ジエチル-1,4-ビス(トリフェニルゲ ルミル)ベンゼンの合成)
 25mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、1,4 -ジブロモ-2,5-ジエチルベンゼン350mg(1.2mmol)、� ��トラヒドロフラン8.5mlを混合した溶液をド� �イアイス(固体二酸化酸素)-エタノールで-78� �に冷却し、t-ブチルリチウムのペンタン溶液 (f=1.7)3.5ml(6.0mmol)を滴下した。滴下後、溶液を 反応温度-78℃に維持したまま1時間攪拌した� �、トリフェニルゲルマニウムクロライド896mg (2.6mmol)を加えた。-78℃に維持したまま10分間� ��拌した後、氷浴中0℃で2時間攪拌した。反� �終了後、反応溶液に水40mlと塩化メチレン80ml を加えて分液し、水層を塩化メチレン20mlで2� ��抽出し得られた有機層を合わせて無水硫酸� ��グネシウム1.2gで乾燥した。濾過後、濾液か ら塩化メチレンを減圧留去し、得られた残滓 を温エタノール20ml、温ヘキサン15mlで洗浄後� ��圧乾燥し、白色固体として、2,5-ジメチル-1, 4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベンゼン0.88gを 得た(収率99%)。

実施例7(1,3-ビス(トリフェニルゲルミル)ベン� ��ンの合成)
 20mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、1� �3-ジヨードベンゼン495mg(1.5mmol)、ジエチルエ� ��テル10mlを混合した溶液をドライアイス(固� �二酸化酸素)-エタノールで-78℃に冷却し、n-� ��チルリチウムのヘキサン溶液(f=1.59)2.8ml(4.5mm ol)を滴下した。滴下後、溶液を反応温度-78℃ に維持したまま1時間攪拌した後、トリフェ� �ルゲルマニウムクロライド1.12g(3.3mmol)を加え た。-78℃に維持したまま15分間攪拌した後、� ��浴中0℃で1時間反応させた。反応終了後、� �応溶液に水40mlと塩化メチレン80mlを加えて分 液し、水層を塩化メチレン20mlで2回抽出し得� ��れた有機層を合わせて無水硫酸マグネシウ� ��1.2gで乾燥した。濾過後、濾液から塩化メチ レンを減圧留去し、得られた残滓をシリカゲ ルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキ� ��ン)によって精製し、白色固体として、1,3-� �ス(トリフェニルゲルマニウム)ベンゼン0.61g� ��得た(収率59%)。

参考例1(1,4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベン� ��ンの合成)
 20mlシュレンク管に、アルゴン雰囲気下、1,4 -ジブロモベンゼン236mg(1.0mmol)、テトラヒドロ フラン8mlを混合した溶液をドライアイス(固� �二酸化酸素)-エタノールで-78℃に冷却し、t-� ��チルリチウムのペンタン溶液(f=1.7)2.9ml(5.0mmo l)を滴下した。滴下後、懸濁液を反応温度-78� ��に維持したまま1時間攪拌した後、トリフェ ニルゲルマニウムクロライド747mg(2.2mmol)を加� ��た。-78℃に維持したまま5分間攪拌した後、 氷浴中0℃で2時間反応させた。反応終了後、� ��応溶液に水40mlと塩化メチレン40mlを加えて� �液し、懸濁した塩化メチレン層を濾過した� �得られた濾過物を水20ml×2回、ヘキサン20ml×2 回、エタノール20ml×2回で洗浄した後、減圧� �燥し、白色固体として、1,4-ビス(トリフェニ ルゲルマニウム)ベンゼンを0.56gを得た(収率82 %)。

参考例2(リン光錯体(Au(IPr)(4F-PE)[(4-フルオロフ ェニルエチニル)[1,3-ビス(2,6-ジイソプロピル� ��ェニル)イミダゾール-2-イリデン]金](金錯体 1)の合成)
 アルゴン雰囲気下、25mlシュレンク管に、1,3 -ビス(2,6-ジイソプロピルフェニル)イミダゾ� �ウムクロライド0.166g(IPrH ⁺ Cl ^- ;0.39mmol)、tert-ブトキシカリウム67mg(85質量%品; 0.51mmol)、テトラヒドロフラン6.0mlを加え、室� ��で20分攪拌した。テトラヒドロフランを減� �留去した後、トルエン6.0mlを加え、70℃で5分 間反応させた。反応混合物を濾過し、濾液を 4-フルオロフェニルエチニル(トリフェニルホ スフィン)金174mg(0.30mmol)、トルエン6.0mlを加え た別の25mlシュレンク管に滴下した。滴下後� �反応混合物を70℃で2.5時間反応させた。反応 混合物を室温まで冷却した後、トルエンを減 圧留去し、得られた白色固体をn-ヘキサン-ジ エチルエーテル-塩化メチレン系で再結晶操� �を行い、白色固体として、金錯体10.187g得た( 収率88%)。

実施例8(純青リン光有機エレクトロルミネッ� ��ンス素子の作製)
 イーエッチシー製インジウム錫酸化物(以下 ITOと略す)被膜付きガラスを透明電極基板と� �て用い、アルバック機工製真空蒸着装置を� �用して、同基板上に2×10 ^-3 Pa以下の真空度で、2-(4’-トリメチルシリル� �ェニル)トリフェニレンからなるホール輸送� ��3を膜厚40nm、ホスト2-メチル-1,4-ビス(トリフ ェニルゲルミル)ベンゼン(以後Me-p-BTPGBと略す )中にゲストとしてリン光錯体(Au(IPr)(4F-PE)[(4-� ��ルオロフェニルエチニル)[1,3-ビス(2,6-ジイ� �プロピルフェニル)イミダゾール-2-イリデン] 金](以後Au(IPr)(4F-PE)と略す)を5.0重量%含む発光 層4を膜厚30nm、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニ� ��-5-ターシャリブチルフェニル-1,2,4-トリアゾ ール(昇華精製品・以下TAZと略す)からなるホ� ��ルブロック層5を30nm、フッ化リチウム(以下L iFと略す)からなる電子輸送層6を0.5nm、電極7� �してアルミニウム(以下Alと略す)を100nm、順� �真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス� �子を作製した。

 なお、真空蒸着は、基板に対向して置か� ��た坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加� ��することによって行った。

 前記素子のITO電極2を正極、Al電極7を負極と して通電し電極間電圧を上げていくと、+14V� �近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度� �青色発光を開始し、+23Vにおいて3.9cd/m ² で発光した。

 電流効率は+20Vで0.017cd/Aであった。

 この素子の発光色を、日本分光製蛍光光� ��計を用いて測定した。電極間電圧+19Vにおい て得られたスペクトルより、色度座標の値は x=0.172,y=0.157であることが確認された。又、有 機エレクトロルミネッセンス素子のELスペク� ��ルを図1に示すが、425nm付近の深青色領域に� ��ン光エレクトロルミネッセンス発光ピーク� ��大を有することが分かる。

 SIC0009をホール輸送層として含む有機エレク トロルミネッセンス素子の作製
 イーエッチシー製ITO被膜付きガラスを透明� ��極基板として用い、アルバック機工製真空� ��着装置を使用して、同基板上に2×10 ^-3 Pa以下の真空度で、2-(4’-トリメチルシリル� �ェニル)トリフェニレンからなるホール輸送� ��3を膜厚30nm、ホスト(Me-p-BTPGB)中にゲスト(Au(I Pr)(4F-PE))を5.0質量%含む発光層4を膜厚30nm、TAZ� ��らなるホールブロック層5を30nm、LiFからな� �電子輸送層6を0.5nm、電極7としてAlを100nm、順 次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス 素子を作製した。

 なお、真空蒸着は、基板に対向して置か� ��た坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加� ��することによって行った。

 前記素子のITO電極2を正極、Al電極7を負極と して通電し電極間電圧を上げていくと、+12V� �近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度� �青色発光を開始し、+25Vにおいて7.4cd/m ² で発光した。

 電流効率は+22Vで0.026cd/Aであった。

 この素子の発光色を、日本分光製蛍光光� ��計を用いて測定した。電極間電圧+18Vにおい て得られたスペクトルより、色度座標の値は x=0.176,y=0.175であることが確認された。又、有 機エレクトロルミネッセンス素子のELスペク� ��ルを図5に示すが、424nm付近の深青色領域に� ��ン光エレクトロルミネッセンス発光ピーク� ��大を有することが分かる。

参考例3(1,4-ビス(トリフェニルゲルミル)ベン� ��ンの合成)
 十分に乾燥しアルゴンで置換された20mlシュ レンク管に、アルゴン雰囲気下、1、4-ジブロ モベンゼン236mg(1.0mmol)、テトラヒドロフラン8 mlを混合した無色透明溶液をドライアイス(固 体二酸化酸素)-エタノールで-78℃に冷却し、t -ブチルリチウムのペンタン溶液(f=1.7)2.9ml(5.0m mol)を滴下した。滴下後、黄色に変化した反� �懸濁液を反応温度-78℃に維持したまま1時間� ��拌した後、トリフェニルゲルマニウムクロ� ��イド747mg(2.2mmol)を加えた。-78℃に維持した� �ま5分間攪拌した後、氷浴中0℃で2時間攪拌� �た。反応終了後、反応溶液に水40mlと塩化メ� ��レン40mlを加えて分液し、懸濁した塩化メチ レン層を吸引濾過した。得られた濾過物を水 20ml×2回、ヘキサン20ml×2回、エタノール20ml×2 回で洗浄した後、減圧乾燥することで1,4-ビ� �(トリフェニルゲルマニウム)ベンゼンを白色 固体として得た(収量0.56g、収率82%)。

参考例4(リン光錯体(Au(IPr)(4F-PE)[(4-フルオロフ ェニルエチニル)[1,3-ビス(2,6-ジイソプロピル� ��ェニル)イミダゾール-2-イリデン]金]の合成)
 アルゴン雰囲気下、25mlシュレンク管に1,3-� �ス(2,6-ジイソプロピルフェニル)イミダゾリ� �ムクロライド(IPrH+Cl-;0.166g,0.39mmol)、tert-ブト� ��シカリウム(85質量%品、67mg、0.51mmol)、テト� �ヒドロフラン(6.0ml)を加え、室温で20分攪拌� �た。テトラヒドロフランを減圧留去した後� �トルエン(6.0ml)を加え、70℃で5分間攪拌した� ��反応混合物を濾過し、濾液を4-フルオロフ� �ニルエチニル(トリフェニルホスフィン)金(17 4mg,0.30mmol)、トルエン6.0mlを加えた別の25mlシ� �レンク管に滴下した。滴下後、反応混合物� �70℃で2.5時間加熱した。反応混合物を室温ま で冷却した後、トルエンを減圧留去し、得ら れた白色固体をn-ヘキサン/ジエチルエーテル /塩化メチレンで再結晶操作を行い、白色固� �である目的物を0.187g得た(収率88%)。