以下、本発明の実施の形態を図面に基づ� ��て詳細に説明する。

 本発明のパターン形成法に係わる実施の� ��態の一例を、ボトムゲート・ボトムコンタ� ��ト型の薄膜トランジスタからなる電子素子� ��製造方法を例にとり、図1の製造工程断面図 によって説明する。本実施形態においては、 上記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電 極の形成に本発明のパターン形成方法を適用 する。

 図1(a)に示すように、ブランケットとなる 第1版10は、ガラス基板11とガラス基板11上に� �けられた例えばポリジメチルシラン(PDMS)層12 とを備えた平版で構成されている。この第1� �10は、例えばスピンコート法により、ガラス 基板11上にPDMSを塗布した後、加熱処理により PDMSを硬化することで、作製され、PDMS層12は� �表面側が平坦に設けられている。

 ここで、後工程で、塗膜が形成された状� ��の第1版10を加熱することから、第1版10には� ��PDMS層12に例えばオイルヒーター等の熱源が� ��蔵されている。なお、熱源は第1版10に内蔵� ��れていなくてもよく、例えば処理雰囲気を� ��熱することで、第1版10を加熱してもよい。� ��た、ここでは、上記第1版10が平版である例� ��ついて説明するが、ロール状であってもよ� ��。

 まず、図1(b)に示すように、例えばキャッ プコーティング法により、第1版10のPDMS層12上 に、例えば銀ナノ粒子からなる導電性粒子を 有機溶剤に分散させた液組成物を塗布するこ とで、導電性膜D(液組成物塗膜)を例えば1μm� �膜厚で形成した後、第1版10を加熱する。ま� �、この第1版10の加熱は、例えば20℃の室温か ら、上述した第1版10に内蔵された熱源によっ て、30℃~90℃、好ましくは30℃~60℃の範囲で� �われる。この第1版10の加熱により、第1版10� �の導電性膜Dの乾燥状態は、加熱温度で規定� ��れた状態で維持され、室温と比較して、導� ��性膜Dの乾燥状態がばらつくことが抑制され る。

 そして、上記液組成物は、加熱された第1 版10の表面温度において133Pa以下の蒸気圧を� �す溶媒を含有している。これにより、第1版1 0を加熱しても、この溶媒は上記導電性膜D中� ��残存するため、導電性膜Dが転写に適切な粘 着性および凝集性を有した状態で維持される 。

 ここで、上記導電性膜Dの粘着性が強すぎ ると、後述するように、凹凸パターンを有す る第2版を押圧し、第2版の凸部の頂面に導電� ��膜Dの不要なパターンを転写する工程におい て、導電性膜Dの第1版10への密着性が高くな� �、第2版の凸部の頂面に不要なパターンが転� ��され難くなる。また、導電性膜Dの粘着性が 弱すぎると、上記工程において、第2版の凸� �の頂面に付着した不要なパターンに引きず� �れて、第1版10上に、寸法制御性よく導電性� �ターンを残存させることができなくなる。� �らに、導電性膜Dの凝集性が強すぎると、膜� ��度が高くなるため、上記工程において、第2 版の凸部の頂面に不要なパターンが転写され 難くなる。また、導電性膜Dの凝集性が弱す� �ると、上記工程において第1版10上の導電性� �Dを取り除くべき箇所に残存が発生してしま� ��。

 なお、ここでは、上述した第1版10の加熱� ��導電性膜Dを形成した後に行うこととしたが 、予め第1版10を加熱した状態で液組成物を塗 布してもよい。

 ここで、第1版10が加熱される30℃~90℃の� �囲で、133Pa以下の蒸気圧を示す溶媒としては 、例えば39℃で133Paの蒸気圧を示す安息香酸� �チル、53℃で133Paの蒸気圧を示すテルピネオ� ��ル、58℃で133Paの蒸気圧を示すベンジルアル コール、96℃で133Paの蒸気圧を示すトリプロ� �レングリコール等が挙げられる。上記溶媒� �単独溶媒として用いてもよく、これらを組� �合わせて用いてもよい。

 また、上記液組成物中に、加熱された第1 版10の表面温度において、133Pa以下の蒸気圧� �示す溶媒は1つ以上含まれていればよく、上� ��以外の溶媒を含んでいてもよい。上記以外� ��溶媒としては、水の他、エステル系溶剤、� ��ルコ-ル系溶剤、ケトン系溶剤からなる極性 溶剤や非極性溶剤を印刷性に応じて使用する ことが可能である。例えば、上記エステル系 溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、プ ロピオン酸エチル等が挙げられる。上記アル コ-ル系溶剤としては、エタノ-ル、プロパノ- ル、イソプロパノ-ル等が挙げられる。上記� �トン系溶剤としては、アセトン、メチルエ� �ルケトン、メチルイソブチルケトン等を列� �することができる。また、非極性溶剤とし� �はペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ� �、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソ� �キサン、イソオクタン、シクロヘキサン、� �チルシクロヘキサン、シクロペンタン等の� �化水素系溶剤が挙げられる。さらに、トル� �ン、キシレン、メシチレンなどの芳香族系� �剤も好ましく使用することができる。

 ここで、上記液組成物中に、導電性粒子� ��3wt%~50wt%で含まれる場合において、導電性膜 Dが転写に適切な粘着性を呈するためには、� �記133Pa以下の蒸気圧を示す溶媒の液組成物へ の添加量は、3wt%~60wt%が好ましく、5wt%~40wt%で� ��ることがさらに好ましい。

 なお、ここでは、液組成物が銀ナノ粒子� ��らなる導電性粒子を含むこととしたが、銀� ��外にも、金、ニッケル、銅、白金からなる� ��電性粒子を用いることができる。一般的に� ��これら導電性粒子の表面は高分子材料等で� ��覆表面処理がなされており、水または有機� ��剤に分散された状態のものが用いられる。� ��た、上記液組成物が、上記導電性粒子以外� ��導電性材料を含んでいてもよい。なお、液� ��成物に、上述した導電性材料および溶媒以� ��にも樹脂や界面活性剤を含有させることで� ��液組成物の物性を制御してもよい。

 ここで、上記液組成物の塗布法としては� ��上述したキャップコーティング法以外に、� ��ールコーティング法、スプレーコーティン� ��法、ディップコーティング法、カーテンフ� ��ーコーティング法、ワイヤーバーコーティ� ��グ法、グラビアコーティング法、エアナイ� ��コーティング法、ドクターブレードコーテ� ��ング法、スクリーンコーティング法、ダイ� ��ーティング法等を挙げることができる。塗� ��法については、ロール状、平版状等の第1版 10の形状に合わせて選択することが望ましい� ��上述した中でも、特にキャップコーティン� ��法は、塗布特性に優れているため、好まし� ��。

 次いで、図1(c)に示すように、表面側に凹 凸パターンを有する例えばガラス版からなる 第2版20を、上記第1版10の導電性膜Dの形成面� �に押圧する。上記凹凸パターンは、凸パタ� �ンが後述する導電性パターンの反転パター� �となるように形成される。この第2版20の凹� �パターンを通常のフォトリソグラフィー技� �を用いたエッチングにより形成することで� �微細で精密な凹凸パターンを形成すること� �できる。

 ここで、第1版10の表面よりも第2版20の凸� ��20aの頂面の方が導電性膜Dとの密着性が高く なるように、第2版20の表面は第1版10の表面よ りも表面張力が低い材質で構成される。これ により、図1(d)に示すように、第2版20を第1版1 0の導電性膜Dの形成面側に押圧することで、� ��部20aの頂面に導電性膜D(前記図1(c)参照)の不 要なパターンが転写し、第1版10上に導電性パ ターンD’が形成される。この際、上述した� �うに、導電性膜Dが適切な粘着性を有するこ� ��で、不要なパターンが確実に凸部20aの頂面� ��転写される。なお、凸部20aの頂面に転写さ� ��た導電性膜Dの不要なパターンは回収して再 利用されることとする。

 続いて、図2(e)に示すように、第1版10の導 電性パターンD’の形成面側を、被転写基板30 の被転写面に押圧する。ここで、被転写基板 30は、シリコン基板からなる基板31上にポリ� �ニルフェノール(PVP)からなる絶縁膜32が設け� ��れた構成となっている。このため、絶縁膜3 2の表面32aが被転写面となる。ここでは、シ� �コン基板からなる基板31に不純物イオンがハ イドープされることで、基板31がゲート電極� ��兼ねており、その上層に設けられた絶縁膜3 2はゲート絶縁膜として構成されることとす� �。

 ここで、第1版10の表面よりも被転写面と� ��る絶縁膜32の表面32aが導電性パターンD’と� ��密着性が高くなるように、絶縁膜32は、第1� ��10の表面よりも表面張力が低い材質で構成� �れる。これにより、図2(f)に示すように、第1 版10の導電性パターンD’の形成面側を、被転 写基板30の被転写面に押圧することで、導電� ��パターンD’が絶縁膜32の表面32aに転写され� ��。この際、導電性パターンD’が転写に適切 な粘着性を有することで、導電性パターンD� �が絶縁膜32の表面32aに確実に転写される。

 この導電性パターンD’はソース・ドレイ ン電極33となる。その後、例えばオーブンに� ��、加熱し、上記導電性パターンD’を焼結す る。ここで、焼結後の導電性パターンD’の� �厚は、500nm以下であることとする。

 この後の工程は、通常の薄膜トランジス� ��の製造工程と同様に行う。すなわち、図2(g) に示すように、例えばスピンコート法により 、導電性パターンD’からなるソース・ドレ� �ン電極33を覆う状態で、絶縁膜32上に、例え� ��トリイソプロピルシリルエチニルペンタセ� ��からなる半導体層34を形成する。

 以上のようにして、基板(ゲート電極)31上 に、絶縁膜(ゲート絶縁膜)32、ソース・ドレ� �ン電極33および半導体層34がこの順に積層さ� ��たボトムゲート・ボトムトランジスタ型の� ��膜トランジスタが製造される。

 このようなパターン形成方法およびこれ� ��用いた電子素子の製造方法によれば、第1版 10上に液組成物を塗布することで、導電性膜D を形成するとともに、第1版10を加熱すること から、加熱温度で規定された状態の導電性膜 Dが安定して形成される。そして、液組成物� �、加熱された第1版10の表面温度において133Pa 以下の蒸気圧を示す溶媒を含有することで、 第1版10を加熱してもこの溶媒は上記導電性膜 D中に残存するため、導電性膜Dが転写に適切� ��粘着性および凝集性を有した状態で維持さ� ��る。これにより、第1版10から第2版20への導� ��性膜Dの不要なパターンの転写工程および第 1版10から被転写基板30への導電性パターンD’ の転写工程において、確実にパターンを転写 することが可能となる。したがって、微細で 精密なパターンを再現性よく安定して形成す ることができる。これにより、印刷法を用い て、電子素子の微細な電極パターンを形成す ることができ、電子素子の製造工程を簡略化 することができる。

 なお、上述した実施形態では、ソース・� ��レイン電極を形成する例について説明した� ��、例えば、絶縁性の基板上にゲート電極を� ��成する場合にも適用可能であり、上述した� ��トムゲート・ボトムコンタクト型のトラン� ��スタ構造に限らず、他のトランジスタ構造� ��電極パターンを形成する場合にも適用可能� ��ある。さらには、薄膜トランジスタだけで� ��く、プリント配線板、RF-IDタグ、様々なデ� �スプレイ基板等他の電子素子の電極パター� �の形成にも適用可能である。

 また、本発明は、導電性パターンの形成� ��法に限定されるものではなく、絶縁性パタ� ��ンの形成方法および半導体パターンの形成� ��法にも適用可能である。絶縁性パターンの� ��成方法に本発明を適用する場合には、液組� ��物の溶質として、ポリエステル系樹脂、ア� ��リル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系� ��脂等の有機材料を単独でまたは混合して用� ��ることが可能である。また、ラジカル型紫� ��線硬化型樹脂、カチオン型紫外線硬化型樹� ��、電子線硬化型樹脂なども適宜必要に応じ� ��使用することも可能である。溶媒としては� ��実施形態と同様のものを用いることができ� ��。

 また、半導体パターンの形成方法に本発� ��を適用する場合には、液組成物の溶質とし� ��、例えばトリイソプロピルシリルエチニル� ��ンタセン等の可溶性有機半導体材料などが� ��いられる。溶媒としては、実施形態と同様� ��ものを用いることができる。例えば、上記� ��施形態で、図2(g)を用いて説明した半導体層 34の形成工程において、本発明を適用し、有� ��半導体層をパターン形成してもよい。

 〔実施例〕
 さらに、本発明の具体的な実施例について� ��再び図1~図2を用いて説明する。

(実施例1~5)
 上記実施形態と同様に、ガラス基板11上に� �スピンコーターにてPDMS(ダウ・コーニング社 製商品名シルポット)を塗布し、加熱処理し� �PDMSを硬化させ、第1版10(ブランケット)を作� �した。次に、オレイン酸にて表面処理が施� �れた銀ナノ粒子(平均粒子径10nm)を表1に示す� ��成比の溶媒を用いて5wt%になるように分散し 、液組成物を調製した。実施例1~5のいずれの 溶媒においても加熱された第1版10の表面温度 において133pa以下の蒸気圧を示す溶剤が含ま� ��ている。次いで、スピンコーターにより、� ��1版10上に該液組成物を塗布することで、導� ��性膜Dを形成した後、表1に記載の温度とな� �ように、第1版10を加熱した。

 一方、ガラス基板上にフォトレジスト(化 薬マクロケム社製商品名SU-8)を、スピンコー� ��ーを用いて厚さ5μmに塗布し、露光現像する ことで、表面側にラインアンドスペース(L/S)= 5μm(アスペクト比1:1)の凹凸パターンを形成し 、ガラス版からなる第2版20を作製した。

 続いて、上記第2版20を第1版10の導電性膜D の形成面側に押圧し、第2版20の凸部20aに導電 性膜Dの不要なパターンを転写して除去する� �とで、第1版10上に導電性パターンD’を形成� ��た。

 一方、PVP樹脂溶液(溶媒PGMEA(プロピレング リコールモノメチルエーテルアセテート)、� �度20wt%)に、メラミンホルムアルデヒド樹脂� �らなる架橋剤を加えた溶液を、スピンコー� �ーを用いて基板31上に塗布することで、PVPか らなる絶縁膜32を形成した被転写基板30を用� �する。次いで、第1版10の導電性パターンD’� ��形成面側を、被転写基板30の被転写面32aに� �圧することで、絶縁膜32の表面に、導電性パ ターンD’を転写した。その後、導電性パタ� �ンD’を180℃で1時間オーブンで固着させ、銀 ナノ粒子が焼結すると導電性を有する配線パ ターンが形成される。

 この結果、L/S=5μmの導電性パターンD’が� ��問題なく形成されることが確認された(上記 表1に○として記載)。

(比較例1~5)
 一方、上記実施例1~5に対する比較例1~5とし� ��、液組成物として導電性粒子を分散させる� ��媒に、表2に示す組成の溶媒を用いた以外は 、実施例1~5と同様に、L/S=5μmの配線パターン� ��形成した。なお、比較例1~5のいずれの溶媒� ��おいても加熱された第1版10の表面温度にお� ��て133pa以下の蒸気圧を示す溶剤は含まれて� �ない。

 この結果、導電性膜Dからの溶媒の揮発が 激しく、第2版20にパターンが完全に転写され ず、L/S=5μmの配線パターンが形成できないこ� ��が確認された(表2中に×として記載)。