以下、本発明のペリクルフレーム装置及び� ��スク並びに露光方法の実施の形態を、図1か ら図15を参照して説明する。
 なお、以下の説明に用いる各図面では、各� ��材を認識可能な大きさとするため、各部材� ��縮尺を適宜変更している。

(ペリクルフレーム装置)
 まず、ペリクルフレーム装置について説明� ��る。
 図1は、レチクル(マスク、基板)Rのパターン 領域PAを保護するためのペリクルフレーム装� ��PFをパターン領域PA側から視た斜視図である 。

 図1に示すように、レチクルRには、パタ� �ン領域PAを保護するためのペリクルフレーム 装置PFが装着されている。このペリクルフレ� ��ム装置PFは、パターン領域PAを囲んで配設さ れるフレームFと、パターン領域PAを覆うよう にフレームFの一方側の端面Faに張設される透 明のペリクルPEとからなるものである。この� ��レームFとペリクルPEとにより、レチクルRの パターン領域PAを覆う閉空間としてのペリク� ��内空間51が形成される。

 ペリクルPEとしては、ニトロセルロース� �の有機物を主成分とする厚さが数百nm~数μm� �度の透明な薄い膜状の部材のほか、数百μm� �度の厚さを有する板状の石英ガラス(フッ素� ��ープ石英等)などが用いられる。また、ニト ロセルロースや石英ガラスのほかに、蛍石や 、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム等の 他の無機材料からなる部材をペリクルPEに用� ��てもよい。また、フレームFとしては、アル ミニウム等の金属(例えばジュラルミン)や石� ��ガラスを矩形の枠状に形成したものを用い� ��ことができる。また、セラッミクスをフレ� ��ムとして用いてもよい。例えば、フレーム� ��してヤング率70(GPa)のアルミニウム合金(外� �150mm×120mm、高さ5mm、幅(厚み)3mm)を黒色処理(� ��ルマイト処理等)したものを用い、これに場 合によってはフィルター部材(後述する)を貼� ��付けるようにしてもよい。また、フレーム( F)の一方側の端面(Fa)と他方側端面(対向面57)� �の平行度は5μm程度以下に設定することがで� ��る。ペリクル膜としては、例えば、露光光� ��してエキシマレーザを用いるのであれば、� ��れを透過させるペリクル膜を選択すればよ� ��。なお、ガスを発生したりして周辺環境に� ��影響を与えなければ、フレームとして樹脂( プラスチックス)等を用いてもよいし、金属� �樹脂等を組み合わせてもよい。

 例えば、図1の構成においては、第1領域(� ��定領域KA)の曲げ剛性は前記アルミニウム合� ��(ヤング率70GPa)とフレームFの当該部分の所� �の断面二次モーメントから求まる値に設定� �れ(曲げ剛性=ヤング率×断面二次モーメント) 、第2領域(非固定領域HA)の曲げ剛性も前記ア� ��ミニウム合金(ヤング率70GPa)とフレームFの� �該部分の所定の断面二次モーメントから求� �る曲げ剛性に設定される。ここで、第2領域� ��レチクルRとの間に隙間Sが形成されてレチ� �ルRとは直接接着されておらず、断面二次モ� ��メントが第1領域よりも小さくなるように形 成されているので、第2領域の曲げ剛性は第1� ��域の曲げ剛性よりも小さくなる。ただし、� ��のような構成に限定されものではない。

 また、例えば、フレームFの前記一方側(� �リクルPEが設けられる側)の変形と前記他方� �(レチクルRに装着される側)の前記対向領域� �形状とが互いに影響し合うのを防止できれ� �、曲げ剛性が一様に柔らかいフレームFを用� ��るようにしてもよい。例えば、樹脂等にそ� ��条件を満たすものがあれば適用可能である� ��

 このフレームFは、レチクルRと対向する� �域がレチクルRに当接して接着固定される固� ��領域(第1領域)KAと、レチクルRに対して隙間� ��介して設けられる非固定領域(第2領域)HAと� �ら構成されている。固定領域KAは、矩形枠状 のフレームFのX方向に延びる1辺の中央に配さ れる固定領域KA1と、Y方向に延びる2辺の-Y側(� ��記固定領域KA1と反対側)の端部近傍に配され る固定領域KA2、KA3とが、略二等辺三角形の頂 点となる位置に、且つ各固定領域KA1~KA3はそ� �ぞれ互いに異なる辺に(各1辺に1つ)配置され� ��いる。より詳細には、後述するように、走� ��露光する際にマスクとウエハとが同期移動� ��る走査方向(同期移動方向)をY軸方向、非走� ��方向をX軸方向としたときに、固定領域KA1は 、X方向中央で走査方向と平行なフレームFの� ��心軸線上に配置され、固定領域KA2、KA3は、� ��の中心軸線を中心とした線対称に配置され� ��いる。そして、フレームFにおける上記対向 領域のうち、これら固定領域KA1~KA3を除いた� �域が非固定領域HAとなっている。

 各固定領域KA1~KA3には、図2に示すように� �レチクルRとの対向面52に接着剤溜まりとな� �楕円形状の溝53が形成されている。この場合 、対向面52の長さ(すなわち固定領域KA1~KA3の� �さ)は、およそ10mm程度に設定される。図3Aは� ��固定領域KA1~KA3の図1におけるA-A線視断面図� �ある。この図に示すように、フレームFには� ��溝53に開口するZ軸方向に延びる導入口54と� �ペリクル内空間51と逆側に位置する側面55に� ��口し、導入口54とつながった注入口56とが形 成されている。注入口56から注入された接着� ��は導入口54を介して溝53に達し、フレームF� �レチクルRとを接着する。なお、接着剤溜り� ��形状は図2に示されるものに限定されるもの ではなく、例えば、レチクルRとの接合面と� �る部分に細くて浅いV字状の溝を刻んでおき� ��接着剤が多少溝の外部にはみ出るように構� ��してもよい。

 図3Bは、非固定領域HAの図1におけるB-B線� �断面図である。なお、図3A以降の図において は、ペリクルPEの図示を便宜上省略している� ��

 この図に示すように、非固定領域HAは、� �定領域KA1~KA3の対向面52に対して、例えば100μ m以下の厚さで欠落させた対向面57を有する構 成となっている。すなわち、非固定領域HAは� ��固定領域KA1~KA3が対向面52においてレチクルR に当接した際に、レチクルRとの間に外部か� �塵埃が入り込めない程度の微小量の隙間Sが� ��成され非接触となる構成となっている。な� ��、対向面57を形成する際には、機械加工や� �電加工やブラスト加工等を採用できる。

 上記構成のペリクルフレーム装置PFをレ� �クルRに装着する際には、まずフレームFをレ チクルRのパターン領域PAを囲むように、固定 領域KA1~KA3の対向面52をレチクルRに当接させ� �状態で位置決めして載置し、接着剤を注入� �56から導入口54を介して溝53に注入する。こ� �接着剤としては、いかなるものでも構わな� �が、好ましくは紫外線硬化型接着剤や熱硬� �型接着剤を用いることができ、工程の簡便� �やペリクルPEへのダメージを考慮した場合、 紫外線硬化型接着剤を用いることがより好ま しい。そして、この後、上記接着剤を用いて フレームFの端面FaにペリクルPEを接着して張� ��する。

 このようにして、装着されたペリクルフ� ��ーム装置PFにおいては、固定領域KA1~KA3にお� ��て、フレームFはレチクルRに対して剛に設� �られて固定されるが、フレームFにおけるレ� ��クルRとの対向領域の大部分を占める非固定 領域HAにおいては、レチクルRとの間に隙間S� �介在した状態で設けられるため、レチクルR� ��対する曲げ剛性が固定領域KA1~KA3よりも小さ い値(実質的にゼロ)となり、レチクルRを拘束 してフレームFに倣って矯正することが回避� �れる。

 そのため、本実施形態では、フレームFに おけるレチクルRとの対向面の平面度が低い� �合でも、レチクルRが対向面に倣ってレチク� ��Rに歪が生じることを防止できる。

 また、本実施形態では、固定領域KA1~KA3を 三箇所に設定しているため、過拘束になるこ となくフレームF及びペリクルPEをレチクルR� �固定することが可能になる。

 すなわち、3つの固定領域KA1~KA3は、レチ� �ルRに対して実質的な3点支持構造を構成する 。3点支持構造は、固定領域KA1~KA3における本� ��の平面度に対応する基準面とは別の、3点を 含む1つの実質的な仮想平面を設定できる。� �チクルRがこの仮想平面に合わせられること� ��、レチクルRへのペリクルフレーム装置PFの� ��定の際に、レチクルRにおけるねじれ等の不 要な応力の発生が回避される。このように、 レチクルRに合わせてフレームFの平面性が実� ��的に補償されることにより、レチクルRに歪 が生じることが防止される。

 さらに、本実施形態では、この固定領域K A1~KA3を矩形枠状のフレームFの互いに異なる3� ��に設けているため、1辺の曲げ剛性や平面度 に依存してレチクルRが矯正されることもな� �、より確実にレチクルRに歪が生じることを� ��止できる。

 また、本実施形態では、フレームFと非固 定領域HAとの間を微小量の隙間Sとしているこ とから、隙間Sを介してフレームF内部のペリ� ��ル内空間51に塵埃が侵入することを抑制で� �るとともに、隙間Sを介して空気の流通が可� ��になるため、空気の熱膨張等により、ペリ� ��ル内空間51と外部空間との間で気圧差が生� �ることを防止でき、露光光の露光特性に変� �が生じることを防止できる。加えて、本実� �形態では、フレームFの外側に臨む側面55に� �着剤の注入口56を設けているため、従来のよ うに、接着剤を塗布した後にフレームFとレ� �クルRとの位置決めを行うことから接着剤が� ��化してしまう等の事態を招くこともなく、� ��置決めをした後に接着剤を供給して固定す� ��ことができ、より高精度、且つ安定したペ� ��クルPEの装着が可能となる。

(第2実施形態)
 続いて、ペリクルフレーム装置PFの第2実施� ��態について、図4A及び4Bを参照して説明する 。第2実施形態においては、上記第1実施形態� ��対して、隙間Sからの塵埃の侵入を防止する ためにフィルター部材を設けている。
 この図において、図1乃至図3Bに示す第1実施 形態の構成要素と同一の要素については同一 符号を付し、その説明を省略する。

 図4Aに示すように、本実施形態のペリク� �フレーム装置PFにおいては、少なくとも非固 定領域HAにおける側面55に隙間Sを覆うシート� ��のフィルター部材(カバー部材)60が貼設され ている。

 このフィルター部材60は、通気性を有し� �塵埃等の異物を捕捉可能な微細孔を有する� �例えばポリテトラフルオロエチレンを延伸� �工したフィルムとポリウレタンポリマーを� �合化して形成された素材等を用いることが� �きる。

 本実施形態では、上記第1実施形態と同様 の作用・効果が得られることに加えて、この ようなフィルター部材60を備えることにより� ��非固定領域HAによるレチクルRへの拘束及び� ��レームFに倣った矯正を回避しつつ、隙間S� �介して塵埃等の異物がペリクル内空間51に侵 入することを防止でき、パターン面(パター� �領域PA)に異物が付着することにより生じる� �パターン形成不良(露光不良)を防止すること が可能になる。

 なお、フィルター部材60の貼設位置とし� �は、図4Aに示したフレームFの側面55のみなら ず、図4Bに示すように、側面55の一部を隙間S� ��沿って欠落させて設けられた溝(凹条)55Aと� �ることもできる。

 この構成では、フィルター部材60がフレ� �ムFの側面55から突出することを抑制でき、� �有のフレームFにフィルター部材60を貼設す� �場合でも、周辺機器との干渉を起こすこと� �く付設することが可能になる。

(第3実施形態)
 続いて、ペリクルフレーム装置PFの第3実施� ��態について、図5を参照して説明する。第3� �施形態においては、上記第2実施形態に対し� ��、隙間Sからの塵埃の侵入を防止するための フィルター部材の構成が異なっている。
 なお、この図において、図4A及び4Bに示す第 2実施形態の構成要素と同一の要素について� �同一符号を付し、その説明を省略する。

 本実施形態では、隙間Sにフィルター部材61� ��装填されている。
 このフィルター部材61としては、例えばス� �ンジ状部材や発泡性ゴム等、フレームFの内� ��での通気を可能とする多孔質部材が用いら� ��る。

 本実施形態においても、上記第1実施形態 と同様の作用・効果が得られ、フレームFに� �けるレチクルRとの対向面の平面度が低い場� ��でも、レチクルRを倣わせてレチクルRに歪� �生じることを防止できる。

(第4実施形態)
 続いて、ペリクルフレーム装置PFの第4実施� ��態について、図6乃至図8を参照して説明す� �。なお、これらの図において、図1乃至図3B� �示す第1実施形態の構成要素と同一の要素に� ��いては同一符号を付し、その説明を省略す� ��。

 図6に示すように、本実施形態のペリクル フレーム装置PFにおいては、フレームFがレチ クルRとの対向領域(対向面)の全面でレチクル Rに当接して接着固定されている。

 そして、フレームFは、端面FaとレチクルR との当接部との間が非分離とされて厚み方向 (Z方向)で一体となってレチクルRに固定され� �一体固定領域(第1領域)CAと、端面Faとレチク� ��Rとの当接部との間にスリットSLが形成され� ��上記厚み方向で分離されて設けられている� ��離固定領域(第2領域)BAとから構成されてい� �。

 一体固定領域CAは、矩形枠状のフレームF� ��X方向に延びる1辺の中央に配される一体固� �領域CA1と、Y方向に延びる2辺の+Y側(上記一体 固定領域CA1と反対側)の端部近傍に配される� �体固定領域CA2、CA3とが、略二等辺三角形の� �点となる位置に、且つ各一体固定領域CA1~CA3� ��それぞれ互いに異なる辺に(各1辺に1つ)配置 されている。

 つまり、本実施形態においても、一体固� ��領域CA1は、X方向中央で走査方向と平行なフ レームFの中心軸線上に配置され、一体固定� �域CA2、CA3は、この中心軸線を中心とした線� �称に配置されている。

 図6及び図7に示すように、分離固定領域BA に設けられたスリットSLは、ペリクル内空間5 1と外部空間とを連通するように、且つレチ� �ルRの表面と平行に形成されている。このス� ��ットSLの位置は、本実施形態ではフレームF� ��総厚Lに対してL/2に設定されている。また、 分離固定領域BAにおける側面55には、スリッ� �SLに沿って側面55の一部を欠落させて溝55Aが� ��成されている。そして、溝55Aには、上述し� ��フィルター部材60が貼設されている。

 上記構成のペリクルフレーム装置PFにお� �ては、一体固定領域CA1~CA3において、フレー� ��FはレチクルRに対して剛に設けられて固定� �れるが、フレームFにおけるレチクルRとの対 向領域の大部分を占める分離固定領域BAにお� ��ては、スリットSLが設けられているため、� �レームFの曲げ剛性(剛性)は厚さの3乗に比例� ��ることから一体固定領域CA1~CA3の1/8と小さく なる。例えば、図6の構成においては、第1領� ��(一体固定領域CA)の曲げ剛性は前記アルミニ ウム合金(ヤング率70GPa)とフレームFの当該部� ��の所定の断面二次モーメントから求まる値� ��設定され、第2領域(分離固定領域BA)の曲げ� �性も前記アルミニウム合金(ヤング率70GPa)と� ��レームFの当該部分の所定の断面二次モーメ ントから求まる曲げ剛性に設定される。ここ で、第2領域にはスリットSLが形成されて断面 二次モーメントが第1領域よりも小さくなる� �うに形成されているので、第2領域の曲げ剛� ��は第1領域の曲げ剛性よりも小さくなる。た だし、このような構成に限定されものではな い。

 従って、本実施形態では、フレームFにお けるレチクルRとの対向面の平面度が低い場� �でも、分離固定領域BAにおいてレチクルRと� �接固定され曲げ剛性の小さいレチクルR側の� ��レームFがレチクルRに倣って変形すること� �なり、レチクルRが拘束されて歪が生じるこ� ��を防止できる。

 すなわち、スリットSLを有する低剛性の� �離固定領域BAの変形は、フレームFとレチク� �Rとの接合に伴う応力を、緩和及び/又は吸収 する。このとき、固定領域KA1~KA3の対向面(当� ��面)は、本来の平面度に対応する基準面とは 別の、レチクルRに合わせて設定される、1つ� ��実質的な仮想平面に合わせられる。このよ� ��に、レチクルRに合わせてフレームFの平面� �が実質的に補償されることにより、レチク� �Rに歪が生じることが防止される。

 また、本実施形態においても、通気性を� ��するフィルター部材60によってスリットSLを カバーしているため、ペリクル内空間51と外� ��空間との間で気圧差が生じることを防止し� ��つ、スリットSLを介してフレームF内部のペ� ��クル内空間51に塵埃が侵入してパターン形� �不良(露光不良)を生じさせてしまう事態を未 然に回避することが可能である。しかも、本 実施形態では、フレームFに設けた溝55Aにフ� �ルター部材60を貼設していることから、現有 のフレームFに対しても周辺機器との干渉を� �こすことなくフィルター部材60を付設するこ とが可能になる。

 なお、スリットSLの位置としては、上述� �たように、フレームFの曲げ剛性(剛性)が厚� �の3乗に比例することから、スリットSLの加� �が可能な範囲で、よりレチクルRに近い位置� ��形成することが好ましい。また、フィルタ� ��部材60を貼設するための溝55Aは、必ずしも� �要であるものではなく、図4Aで示した構成と 同様に、側面55に貼設する構成としてもよい� ��さらに、本実施形態では、シート状のフィ� ��ター部材60の代わりに、図5で示した構成と� ��様に、図8に示すように、多孔質部材から構 成されるフィルター部材61をスリットSL内に� �填する構成としてもよい。

 この構成においても、上記と同様に、レ� ��クルRに歪を生じさせることなく、またペリ クル内空間51と外部空間との間で気圧差が生� ��ることを防止しつつ、スリットSLを介して� �レームF内部のペリクル内空間51に塵埃が侵� �してパターン形成不良(露光不良)を生じさせ てしまう事態を未然に回避することが可能で ある。

 また、フレームFの製造方法としては、フ レームFに直接、機械加工やレーザ加工等で� �リットSLを形成してもよいし、スリットSLを� ��んだ上下のフレーム構成部材を個別に製造� ��た後に接合することにより一体化して製造� ��る手順としてもよい。

(露光装置)
 続いて、上記ペリクルフレーム装置PFが装� �されたレチクルRを用いて露光処理を行う露� ��装置について、図9乃至図12を参照して説明� ��る。
 図9には、本発明の一実施形態の露光装置100 の全体構成が概略的に示されている。この露 光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方 式の投影露光装置である。

 この露光装置100は、光源及び照明光学系� ��含む照明系12、上述したペリクルフレーム� �置PFが装着されたレチクルRをY軸方向に所定� ��ストロークで駆動するとともに、X軸方向、 Y軸方向及びθz方向(Z軸回りの回転方向)に微� �駆動するレチクルステージ装置112、投影光� �系PL、ウエハ(感光基板)Wが載置されるウエハ ステージWST、オフアクシス方式のアライメン ト検出系AS、及びワークステーションなどの� ��ンピュータから成り、装置全体を統括制御� ��る主制御装置20等を備えている。

 前記照明系12は、例えば特開2001-313250号公 報(対応する米国特許出願公開2003/0025890号明� �書)などに開示されるように、光源、オプテ� ��カルインテグレータ等を含む照度均一化光� ��系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可� ��NDフィルタ、レチクルブラインド等(いずれ� ��不図示)を含んで構成されている。この照明 系12では、レチクルブラインドで規定されレ� ��クルR上でX軸方向に細長く伸びるスリット� �の照明領域を照明光ILによりほぼ均一な照度 で照明する。ここで、照明光ILとしては、一� ��としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用い られている。また、オプティカルインテグレ ータとしては、フライアイレンズ、ロッドイ ンテグレータ(内面反射型インテグレータ)あ� ��いは回折光学素子などを用いることができ� ��。

 前記レチクルステージ装置112は、照明系1 2の下方に配置されている。レチクルステー� �装置112は、照明系12の下方に所定間隔をあけ て配置された、レチクルステージ定盤116の上 方(+Z側)に載置されている。

 レチクルステージ定盤116は、例えば不図� ��の4本の脚によって床面上で略水平に支持さ れている。このレチクルステージ定盤116は、 概略板状の部材から成り、そのほぼ中央には 、照明光ILを通過させるためのX軸方向を長手 方向とする矩形開口がZ軸方向に連通状態で� �成されている。このレチクルステージ定盤11 6の上面がレチクルステージRSTの移動面とさ� �ている。

 前記レチクルステージRSTは、レチクルス� ��ージ定盤116の上面(移動面)の上方に例えば� �μm程度のクリアランスを介して浮上支持さ� �ている。このレチクルステージRST上には、� �チクルRが、真空吸着により固定されている� ��レチクルステージRSTは、図9に示されるレチ クルステージ駆動系134により、投影光学系PL� ��光軸AXに垂直なXY平面内で2次元的に(X軸方向 、Y軸方向及びXY平面に直交するZ軸回りの回� �方向(θz方向)に)微少駆動可能であるととも� �、レチクルステージ定盤116上をY軸方向に指� ��された走査速度で駆動可能となっている。� ��お、レチクルステージ装置112の詳細な構成� ��については後に詳述する。

 前記投影光学系PLは、レチクルステージRS Tの図9における下方に配置され、その光軸AX� �方向がZ軸方向とされている。投影光学系PL� �、例えば、両側テレセントリックな縮小系� �あり、共通のZ軸方向の光軸AXを有する不図� �の複数のレンズエレメントから構成されて� �る。また、この投影光学系PLとしては、投影 倍率βが例えば1/4、1/5、1/8などのものが使用� ��れている。このため、上述のようにして、� ��明光(露光光)ILによりレチクルR上の照明領� �が照明されると、そのレチクルRに形成され� ��パターンが投影光学系PLによって投影倍率β で縮小された像(部分倒立像)が、表面にレジ� ��ト(感光剤)が塗布されたウエハW上のスリッ� ��状の露光領域に投影され転写される。

 なお、本実施形態では、上記の複数のレ� ��ズエレメントのうち、特定のレンズエレメ� ��ト(例えば、所定の5つのレンズエレメント)� ��それぞれ独立に移動可能となっている。

 かかる特定のレンズエレメントの移動は� ��特定のレンズエレメント毎に設けられた3個 のピエゾ素子等の駆動素子によって行われる 。すなわち、これらの駆動素子を個別に駆動 することにより、特定のレンズエレメントを 、それぞれ独立に、各駆動素子の変位量に応 じて光軸AXに沿って平行移動させることもで� ��るし、光軸AXと垂直な平面に対して所望の� �斜を与えることもできるようになっている� �本実施形態では、上記の駆動素子を駆動す� �ための駆動指示信号は、主制御装置20からの 指令MCDに基づいて結像特性補正コントローラ 251によって出力され、これによって各駆動素 子の変位量が制御されるようになっている。

 こうして構成された投影光学系PLでは、� �制御装置20による結像特性補正コントローラ 251を介したレンズエレメントの移動制御によ り、ディストーション、像面湾曲、非点収差 、コマ収差、又は球面収差等の諸収差(光学� �性の一種)が調整可能となっている。

 前記ウエハステージWSTは、投影光学系PL� �図9における下方で、不図示のベース上に配� ��され、その上面にウエハホルダ25が載置さ� �ている。このウエハホルダ25上にウエハWが� �えば真空吸着等によって固定されている。

 ウエハステージWSTは、モータ等を含むウ� ��ハステージ駆動部24により走査方向(Y軸方向 )及び走査方向に垂直な非走査方向(X軸方向)� �同期移動される。そして、このウエハステ� �ジWSTによって、ウエハWをレチクルRに対して 相対走査して、ウエハW上の各ショット領域� �走査露光する動作と、次のショットの露光� �ための走査開始位置(加速開始位置)まで移動 する動作とを繰り返すステップ・アンド・ス キャン動作が実行される。

 ウエハステージWSTのXY平面内での位置は� �ウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計� ��という)18によって、移動鏡17を介して、例� �ば0.5~1nm程度の分解能で常時検出されている� ��ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報 )は、主制御装置20に送られ、主制御装置20で� ��その位置情報(又は速度情報)に基づきウエ� �ステージ駆動部24を介してウエハステージWST の駆動制御を行う。

 また、ウエハステージWSTは、ウエハステ� ��ジ駆動部24によりZ軸方向、θx方向(X軸回り� �回転方向:ピッチング方向)、θy方向(Y軸回り� ��回転方向:ローリング方向)及びθz方向(Z軸回 りの回転方向:ヨーイング方向)にも微小駆動� ��れる。

 前記アライメント検出系ASは、投影光学� �PLの側面に配置されている。本実施形態では 、ウエハW上に形成されたストリートライン� �位置検出用マーク(ファインアライメントマ� ��ク)を観測する結像式アライメントセンサが アライメント検出系ASとして用いられている� ��このアライメント検出系ASの詳細な構成は� �例えば、特開平9-219354号公報に開示されてい る。アライメント検出系ASによる観測結果は� ��主制御装置20に供給される。

 更に、図9の装置には、ウエハW表面の露� �領域内部及びその近傍の領域のZ軸方向(光軸 AX方向)の位置を検出するための斜入射方式の フォーカス検出系(焦点検出系)の一つである� ��多点フォーカス位置検出系(21,22)が設けられ ている。この多点フォーカス位置検出系(21,22 )の詳細な構成等については、例えば、特開� �6-283403号公報に開示されている。多点フォー カス位置検出系(21,22)による検出結果は、主� �御装置20に供給される。

 さらに、本実施形態の露光装置100では、� ��示は省略されているが、レチクルRの上方に 、投影光学系PLを介してレチクルR上のレチク ルマークと基準マーク板のマークとを同時に 観察するための露光波長を用いたTTR(Through Th e Reticle)アライメント光学系から成る一対の� ��チクルアライメント系が設けられている。� ��れらのレチクルアライメント系としては、� ��えば特開平7-176468号公報などに開示される� �のと同様の構成のものが用いられている。

 次にレチクルステージ装置(マスクステージ )112について詳細に説明する。図10には、レチ クルステージ装置112の構成部分が平面図にて 示されている。
 レチクルステージ装置112は、図10に示され� �ように、レチクルステージ定盤116上方に配� �されたレチクルステージRST、及び該レチク� �ステージRSTを取り囲む状態で、レチクルス� �ージ定盤116上方に配置されたカウンタマス12 0、及びレチクルステージRSTを駆動するレチ� �ルステージ駆動系等を備えている。

 前記カウンタマス120は、図10から明らか� �ように、平面視矩形の枠状の形状を有し、� �面の四隅近傍に設けられた差動排気型の気� �静圧軸受34により、レチクルステージ定盤116 上面に対して非接触で支持されている。この ため、このカウンタマス120は、水平方向の力 の作用により自由運動を行う。

 なお、このカウンタマス120に、該カウン� ��マス120の姿勢を調整するためのトリムモー� ��を設けることとすることができる。

 前記カウンタマス120の内部空間(枠内)に� �、-X側端部近傍、+X側端部近傍にY軸方向に伸 びるY軸固定子122a、122bがそれぞれ配置され、 これらY軸固定子122a、122bの内側にY軸方向に� �びるY軸ガイド124a,124bがそれぞれ配置されて� ��る。

 これらY軸固定子122a、122b及びY軸ガイド124 a,124bそれぞれの+Y側の端部は、カウンタマス1 20の+Y側の辺の内壁面に固定され、それぞれ� �-Y側の端部は、カウンタマス120の-Y側の辺の� ��壁面に固定されている。すなわち、これらY 軸固定子122a、122b及びY軸ガイド124a,124bは、カ ウンタマス120の+Y側辺と-Y側辺の相互間に架� �されている。この場合、Y軸固定子122a,122bは� ��面視で図10における左右対称に配置され、Y� ��ガイド124a,124bは平面視で図10における左右� �称に配置されている。

 前記Y軸固定子122a、122bのそれぞれは、XZ� �面T字状の形状を有し、Y軸方向に沿って所定 ピッチで配置された複数の電機子コイルを有 する電機子ユニットから成る。前記Y軸ガイ� �124a,124bは、XZ断面矩形の形状を有し、その周 囲の四面(上面、下面、右側面、左側面)の平� ��度が高く設定されている。

 前記レチクルステージRSTは、図10に示さ� �るように、Y軸ガイド124a,124bに沿って移動す� ��レチクル粗動ステージ28と、該レチクル粗� �ステージ28に対してX軸方向、Y軸方向及びθz� ��向(Z軸回りの回転方向)に3つのアクチュエー タ(ボイスコイルモータなど)54a,54b,54cにより� �小駆動されるレチクル微動ステージ30とを備 えている。

 これを更に詳述すると、前記レチクル粗� ��ステージ28は、平面視(上方から見て)逆U字� �の形状を有し、そのU字の両端部(Y軸方向を� �手方向とする部分)が、不図示ではあるがXZ� �面が矩形枠状でY軸方向に伸び、その内部にY 軸ガイド124a,124bがそれぞれ挿入された状態と なっている。これらU字の両端部それぞれの� �面(4面)には、複数の差動排気型の気体静圧� �受が設けられており、これら複数の差動排� �型の気体静圧軸受により、Y軸ガイド124a、124 bと粗動ステージ28とのZ軸方向及びX軸方向の� ��隔が数μm程度に維持されるようになってい� ��。また、レチクル粗動ステージ28の-X側端面 及び+X側端面には、磁極ユニットから成るY軸 可動子148a,148bが設けられている。

 前記Y軸可動子148a,148bは、図10に示される� ��うに、前述した一対のY軸固定子122a,122bにそ れぞれ係合しており、これらY軸可動子148a,148 bとY軸固定子122a,122bとによりレチクルステー� ��RSTをY軸方向に駆動する、ムービングマグネ ット型の電磁力駆動リニアモータから成る一 対のY軸リニアモータLMa,LMbが構成されている� ��なお、Y軸リニアモータLMa,LMbとしては、ム� �ビングコイル型のリニアモータを用いても� �い。

 図11にはレチクル微動ステージ30が取り出 して斜視図にて示されている。この図11及び� ��10から明らかなように、レチクル微動ステ� �ジ30は、XZ断面略U字状の略平板状の部材から 成るステージ本体70と、該ステージ本体70上� �+X端部及び-X端部近傍に設けられたY軸方向を 長手方向とするレチクルホルダ72A,72Bとを備� �ている。前記ステージ本体70の中央部には、 図11に示されるように、矩形開口部70aが形成� ��れている。

 前記一方のレチクルホルダ72Aは、例えば、� ��リカ、CaF ₂ 、MgF _2、 BaF ₂ 、Al ₂ O ₃ 、ゼロデュア等の柔軟な部材から成り、Y軸� �向を長手方向とする平面視(上方から見て)長 方形の略平板状の形状を有している。このレ チクルホルダ72Aは、-X側半分の厚さ(Z軸方向� �関する高さ)が高く設定されており、その-X� �半分の領域には、所定深さの凹部73aが形成� �れている。凹部73aは、Y軸方向を長手方向と� ��る平面視(上方から見て)矩形の形状を有し� �おり、該凹部73a内には、図12に示されるよう に、複数の突起部95が設けられている。

 このレチクルホルダ72Aは、ステージ本体7 0上において、Y軸方向を長手方向とするブロ� ��ク状の部材74Aを介して片持ち支持されてい� ��。この場合、レチクルホルダ72Aと部材74Aと� ��間を、接着剤等により強固に固定すること� ��しても良いし、例えば、部材74Aの上面に真� ��吸着機構を設け、該真空吸着機構による真� ��吸着により固定することとしても良い。

 レチクルホルダ72Aの下側(-Z側)には、支持 機構80Aが設けられている。この支持機構80Aは 、該支持機構80A及び前記レチクルホルダ72Aを 断面して示す図12等からわかるように、内部� ��中空とされた直方体状の形状を有する支持� ��構本体82Aと、該支持機構本体82Aの上面のY軸 方向中央部に設けられた支持ピン84Aと、該支 持ピン84Aの+Y側に所定距離だけ離れた位置に� ��けられた略円柱状(上端部が球面加工されて いる)のピストン部材86Aと、-Y側に所定距離だ け離れた位置に設けられた略円柱状(上端部� �球面加工されている)のピストン部材86Bとを� ��えている。これらピストン部材86A,支持ピン 84A、及びピストン部材86Bは、Y軸方向に関し� �等間隔で配置されている。

 前記支持機構本体82A内部の中空部は、空� ��室90とされている。該空気室90には、支持機 構本体82Aに形成された通気管路92aの一端が連 通しており、該通気管路92aの他端には、給気 管94の一端部が外部から接続されている。こ� ��給気管94の他端部には不図示の給気装置が� �続されている。この給気装置は、例えばポ� �プや給気弁等を含んで構成されている。こ� �らポンプや吸気弁などの各部の動作は、図9� ��主制御装置20により制御される。

 また、支持機構本体82Aには、XY断面が円� �の貫通孔96a,96bが上下方向(Z軸方向)に沿って� ��成され、この貫通孔96a,96bに、前述したピス トン部材86A,86Bが摺動自在に挿入されている� �更に、支持機構本体82Aには、略L字状の排気� ��路102aが、貫通孔96aとは機械的に干渉しない ように形成されている。この排気管路102aの� �端部は、支持ピン84AにZ軸方向に貫通する状� ��で形成された管路104a、レチクルホルダ72Aに Z軸方向に貫通する状態で形成され管路106aを� ��して凹部73aに連通状態とされている。この� ��気管路102aの他端には、排気管108の一端部が 接続され、該排気管108の他端部は、不図示の 真空ポンプに接続されている。この真空ポン プの動作は、図9の主制御装置20により制御さ れる。

 図11に戻り、前記他方のレチクルホルダ72 Bも、レチクルホルダ72Aと左右対称ではある� �、ほぼ同様の構成となっているため(支持ピ� ��とピストン部材の配置関係がレチクルホル� ��72Aとは逆になる)、ここでは詳細な説明は省 略する。

 以上のように構成されるレチクルホルダ7 2A,72B、及び支持機構80A,80Bでは、レチクルホ� �ダ72A,72B上にレチクルRが載置され、主制御装 置20の指示の下、不図示のポンプが作動され� ��と、レチクルRとレチクルホルダ72Aの凹部73a とにより形成される空間、及びレチクルRと� �チクルホルダ72Bの凹部73bとの間に形成され� �空間内が減圧され、レチクルRが真空吸着さ� ��る。この場合、レチクルホルダ72A,72Bが前述 したように柔軟な部材から構成されているこ とから、レチクルホルダ72A,72B上面が、レチ� �ルRの下面の形状に倣った変形をするように� ��っている。換言すれば、レチクルホルダ72A� ��72Bの上面の形状が、レチクルRの下面(被保� �面)の形状に実質的に一致するように従動す� ��ようになっており、これにより、レチクルR を真空吸着することによるレチクルRの変形(� ��等)が抑制されるようになっている。また、 レチクルホルダ72A,72Bは、支持機構80A,80Bの支� ��ピン84A~84Cにより下側から支持されている。 したがって、レチクルホルダ72A、72Bは、支持 ピン84A~84Cによって3点支持され、各支持点に� ��けるZ軸方向に関する位置が拘束されている ことから、レチクルRがそれら3点によってZ軸 方向に関して位置決めされることとなる。

 上述のように構成された本実施形態の露� ��装置100によると、通常のスキャニング・ス� ��ッパと同様に、レチクルステージ112(レチク ルホルダ72A、72B)に、上記ペリクルフレーム� �置PFが装着されたレチクルRを保持させた後� �、レチクルアライメント、アライメント系AS のベースライン計測、並びにEGA(エンハンス� �・グローバル・アライメント)方式のウエハ� ��ライメント等の所定の準備作業が行われた� ��、ステップ・アンド・スキャン方式の露光� ��作が行なわれる。なお、本実施形態では、� ��宜、主制御装置20による結像特性補正コン� �ローラ251を介したレンズエレメントの移動� �御により、ディストーション等の諸収差(光� ��特性の一種)を調整することとしている。

 このように、本実施形態では、ペリクル� ��レーム装置PFの装着による歪がレチクルRに� ��じず、またレチクルホルダ72A、72Bによるレ� ��クルRの吸着に際してもレチクルRの変形(歪� ��)が抑制されることから、レチクルRの歪に� �因する転写誤差を排除することができ、レ� �クルRのパターンを高精度にウエハW上に転写 形成することが可能になる。また、本実施形 態では、例えば図1に示した固定領域KA1~KA3が� ��査方向と平行な軸線を中心として線対称に� ��置されていることから、固定領域KA1~KA3との 固定に起因した変形がレチクルRに生じた場� �でも、スリット状の照明光ILの延びる方向に ついては対称となり、上記結像特性補正コン トローラ251を介したレンズエレメントの移動 制御により、容易に補正することができる。

 以上、添付図面を参照しながら本発明に� ��る好適な実施形態について説明したが、本� ��明は係る例に限定されないことは言うまで� ��ない。上述した例において示した各構成部� ��の諸形状や組み合わせ等は一例であって、� ��発明の主旨から逸脱しない範囲において設� ��要求等に基づき種々変更可能である。

 例えば、上記実施形態では、フレームFに おける第2領域として、レチクルRとの間に隙� ��Sを設ける構成や、フレームFにスリットSLを 設ける構成を例示したが、これに限定される ものではなく、例えば図13Aに示すように、フ レームFとレチクルRとの間に隙間Sを設け、且 つフレームFに内部空間と外部空間とが接続� �れないスリットSLを設ける構成としてもよい 。この場合も、隙間Sにはフィルター部材61を 装填することが好ましい。これにより、塵埃 が侵入することを抑制できるとともに、ペリ クル内空間51と外部空間との間で気圧差が生� ��ることを防止できる。また、フレームFにス リットSLが設けられているため、曲げ剛性を� ��さくすることができ、レチクルRに歪を生じ させる可能性を抑えることができる。

 なお、スリットSLの形成方向としては、� �チクルRの表面に沿った方向以外にも、図13B� ��示すように、レチクルRの表面に対して傾斜 した方向に沿って形成してもよい。

 また、図13A、図13Bの構成において、とも� ��フィルター部材61を設けないように構成す� �ことも可能である。また、スリットSLはフレ ームF全周に亘って形成してもよいし、図6の� ��成に示すように部分的に形成するようにし� ��もよい。

 なお、ペリクル(フレーム)内外の気圧差� �よってペリクルが変形するのを防止するた� �、ペリクル内外は通気性を持たせて気圧差� �生じないようにするとよい。このとき、フ� �ルター部材がこの機能を有するようにして� �よいし、別途通気性のための構成を設けて� �よい。

 このように、各実施形態のペリクルフレ� ��ム装置PFでは、フレームFにレチクルRに対す る曲げ剛性が所定量(例えば、ヤング率は従� �用いていた各種フレームと同程度(例えば、� ��ルミニウム製なら70(GPa)となる部分)で設け� �れた第1領域と、レチクルRに対する曲げ剛性 が前記第1領域よりも小さい値となるように� �た第2領域とを設けたので、ペリクルフレー� ��装置PFをレチクルRに装着した際でもレチク� ��Rに歪を生じさせ難くなる。つまり、フレー ムFの一方の端面(Fa)と他方の端面(対向面57)と の平行度、あるいは各面の平面度を所定の値 に設定しておいても、例えば、ペリクル膜を 貼ったことによりフレームF自体(特に端面Fa� �)が歪んでしまうことが考えられる。

 これに対して、各実施形態の構成によれ� ��、ペリクル(PE)の設けられた側のフレームF� �歪みがそのままレチクルRに伝わることを避� ��ることができるので、ペリクルフレーム装� ��PFをレチクルRに装着してもフレームFに生じ た歪みでもってレチクルRを拘束してしまう� �とを防ぐことができる。また、フレームFの� ��2領域のレチクルRに対する曲げ剛性を従来� �いていた各種フレームと同程度に設定し、� �1領域のレチクルRに対する曲げ剛性をそれよ りも高くなるように設定してもよい。

 なお、上記実施形態では、フレームFの各 辺(周方向)に沿った方向に関して第1領域(KA、 CA)と第2領域(HA、BA)とを設けるように構成し� �が、フレームFの高さ方向(図中Z方向)に関し� ��第1領域と第2領域とを設けることで、フレ� �ム(F)のペリクル(PE)が設けられた側の変形と� ��板(R)に装着される側の形状とが互いに影響� ��合うのを防止するようにしてもよい。この� ��うに構成することでも、基板を拘束して歪� ��生じさせることなくフレーム(F)及びペリク� ��(PE)を基板(R)に装着することが可能になる。

 また、フレームFの各辺(周方向)に沿って� ��げ剛性が互いに異なる領域を形成したが、� ��述のようにそれに限定されるものではない� ��例えば、フレームFの各辺(周方向)に沿って� ��げ剛性が一様であっても、フレーム(F)のペ� ��クル(PE)が設けられた側の変形と基板(R)に装 着される側の形状とが互いに影響し合うのを 防止できればよい。

 上記実施形態の基板としては、半導体デ� ��イス製造用の半導体ウエハのみならず、デ� ��スプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜� ��気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは� ��光装置で用いられるマスクまたはレチクル� ��原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用� �れる。

 また、本発明が適用される露光装置の光源� ��は、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレ ーザ(193nm)、F ₂ レーザ(157nm)等のみならず、g線(436nm)及びi線(3 65nm)を用いることができる。さらに、投影光� ��系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡� ��系のいずれでもよい。また、上記実施形態� ��は、屈折型の投影光学系を例示したが、こ� ��に限定されるものではない。例えば、反射� ��折型や反射型の光学系でもよい。

 また、本発明は、投影光学系と基板との� ��に局所的に液体を満たし、該液体を介して� ��板を露光する、所謂液浸露光装置に適用し� ��が、液浸露光装置については、国際公開第9 9/49504号パンフレットに開示されている。さ� �に、本発明は、特開平6-124873号公報、特開平 10-303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開 示されているような露光対象の基板の表面全 体が液体中に浸かっている状態で露光を行う 液浸露光装置にも適用可能である。

 また、上述の各実施形態においては、投� ��光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説� �してきたが、投影光学系PLを用いない露光装 置及び露光方法に本発明を適用することがで きる。このように投影光学系PLを用いない場� ��であっても、露光光はレンズ等の光学部材� ��介して基板に照射され、そのような光学部� ��と基板との間の所定空間に液浸空間が形成� ��れる。

 また、本発明は、基板ステージ(ウエハス テージ)が複数設けられるツインステージ型� �露光装置にも適用できる。ツインステージ� �の露光装置の構造及び露光動作は、例えば� �開平10-163099号公報及び特開平10-214783号公報(� ��応米国特許6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号� ��び6,590,634号)、特表2000-505958号(対応米国特許 5,969,441号)或いは米国特許6,208,407号に開示さ� �ている。更に、本発明を本願出願人が先に� �願した特願2004-168481号のウエハステージに適 用してもよい。

 また、ウエハステージが複数設けられる� ��ではなく、特開平11-135400号公報や特開2000-16 4504号公報に開示されているように、基板を� �持する基板ステージと基準マークが形成さ� �た基準部材や各種の光電センサを搭載して� �露光に関する情報を計測する計測ステージ� �をそれぞれ備えた露光装置にも本発明を適� �することができる。

 露光装置100としては、マスクとしてのレ� ��クルRと、基板としてのウエハWとを同期移� �してマスクのパターンを走査露光するステ� �プ・アンド・スキャン方式の走査型露光装� �(スキャニングステッパ)の他に、マスクと基 板とを静止した状態でマスクのパターンを一 括露光し、基板を順次ステップ移動させるス テップ・アンド・リピート方式の投影露光装 置(ステッパ)にも適用することができる。

 さらに、ステップ・アンド・リピート方� ��の露光において、第1パターンと基板とをほ ぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1� �ターンの縮小像を基板上に転写した後、第2� ��ターンと基板とをほぼ静止した状態で、投� ��光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1� �ターンと部分的に重ねて基板上に一括露光� �てもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。 また、スティッチ方式の露光装置としては、 基板上で少なくとも2つのパターンを部分的� �重ねて転写し、ウエハを順次移動させるス� �ップ・アンド・スティッチ方式の露光装置� �も適用できる。

 露光装置100の種類としては、基板に半導� ��素子パターンを露光する半導体素子製造用� ��露光装置に限られず、液晶表示素子製造用� ��はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁� ��ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、ME MS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスク� ��どを製造するための露光装置などにも広く� ��用できる。

 なお、上述の実施形態においては、光透� ��性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相 パターン・減光パターン)を形成した光透過� �マスクを用いたが、このマスクに代えて、� �えば米国特許第6,778,257号公報に開示されて� �るように、露光すべきパターンの電子デー� �に基づいて透過パターン又は反射パターン� �あるいは発光パターンを形成する電子マス� �(可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光� ��画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDM D(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いて もよい。

 また、例えば国際公開第2001/035168号パン� �レットに開示されているように、干渉縞を� �板上に形成することによって、基板上にラ� �ン・アンド・スペースパターンを露光する� �光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を 適用することができる。

 また、例えば特表2004-519850号公報(対応米� ��特許第6,611,316号)に開示されているように、 2つのマスクのパターンを、投影光学系を介� �て基板上で合成し、1回の走査露光によって� ��板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重 露光する露光装置などにも本発明を適用する ことができる。また、プロキシミティ方式の 露光装置、ミラープロジェクション・アライ ナーなどにも本発明を適用することができる 。

 以上のように、上記実施形態の露光装置1 00は、各構成要素を含む各種サブシステムを� ��所定の機械的精度、電気的精度、光学的精� ��を保つように、組み立てることで製造され� ��。これら各種精度を確保するために、この� ��み立ての前後には、各種光学系については� ��学的精度を達成するための調整、各種機械� ��については機械的精度を達成するための調� ��、各種電気系については電気的精度を達成� ��るための調整が行われる。各種サブシステ� ��から露光装置100への組み立て工程は、各種� ��ブシステム相互の、機械的接続、電気回路� ��配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれ� ��。この各種サブシステムから露光装置100へ� ��組み立て工程の前に、各サブシステム個々� ��組み立て工程があることはいうまでもない� ��各種サブシステムの露光装置100への組み立� ��工程が終了したら、総合調整が行われ、露� ��装置100全体としての各種精度が確保される� ��なお、露光装置100の製造は温度およびクリ� ��ン度等が管理されたクリーンルームで行う� ��とが望ましい。

 次に、本発明の一実施形態による露光装� ��を用いた液晶表示素子の製造方法について� ��明する。図14は、マイクロデバイスとして� �液晶表示素子を製造する製造工程の一部を� �すフローチャートである。図14中のパターン 形成工程S1では、本実施形態の露光装置を用� ��てマスクのパターンをウエハW上に転写露光 する、所謂光リソグラフィー工程が実行され る。この光リソグラフィー工程によって、ウ エハW上には多数の電極等を含む所定パター� �が形成される。その後、露光されたウエハW� ��、現像工程、エッチング工程、剥離工程等� ��各工程を経ることによって、ウエハW上に所 定のパターンが形成され、次のカラーフィル タ形成工程S2に移行する。

 カラーフィルタ形成工程S2では、R(Red)、G( Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマ� ��リックス状に多数配列され、又はR、G、Bの3 本のストライプのフィルタの組を複数水平走 査線方向に配列したカラーフィルタを形成す る。

 そして、カラーフィルタ形成工程S2の後� �、セル組み立て工程S3が実行される。このセ ル組み立て工程S3では、パターン形成工程S1� �て得られた所定パターンを有するウエハW、� ��びカラーフィルタ形成工程S2にて得られた� �ラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セ� ��)を組み立てる。

 セル組み立て工程S3では、例えば、パタ� �ン形成工程S1にて得られた所定パターンを有 するウエハWとカラーフィルタ形成工程S2にて 得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入 して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。そ� ��後、モジュール組立工程S4にて、組み立て� �れた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わ せる電気回路、バックライト等の各部品を取 り付けて液晶表示素子として完成させる。上 述の液晶表示素子の製造方法によれば、極め て微細なパターンを有する液晶表示素子をス ループット良く得ることができる。

 次に、本発明の実施形態による露光装置� ��半導体素子を製造する露光装置に適用し、� ��の露光装置を用いて半導体素子を製造する� ��法について説明する。図15は、マイクロデ� �イスとしての半導体素子を製造する製造工� �の一部を示すフローチャートである。図15に 示す通り、まず、ステップS10(設計ステップ)� ��おいて、半導体素子の機能・性能設計を行� ��、その機能を実現するためのパターン設計� ��行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ス テップ)において、設計したパターンを形成� �たマスク(レチクル)を製作する。一方、ステ ップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリ� ��ン等の材料を用いてウエハを製造する。

 次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)� �おいて、ステップS10~ステップS12で用意した� ��スクとウエハを使用して、後述するように� ��リソグラフィ技術等によってウエハ上に実� ��の回路等を形成する。次いで、ステップS14( デバイス組立ステップ)において、ステップS1 3で処理されたウエハを用いてデバイス組立� �行う。このステップS14には、ダイシング工� �、ボンティング工程、及びパッケージング� �程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含ま れる。最後に、ステップS15(検査ステップ)に� ��いて、ステップS14で作製されたマイクロデ� ��イスの動作確認テスト、耐久性テスト等の� ��査を行う。こうした工程を経た後にマイク� ��デバイスが完成し、これが出荷される。

 また、液晶表示素子又は半導体素子等の� ��イクロデバイスだけではなく、光露光装置� ��EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光 装置等で使用されるレチクル又はマスクを製 造するために、マザーレチクルからガラス基 板やシリコンウエハ等ヘパターンを転写する 露光装置にも本発明を適用できる。ここで、 DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光� �置では、一般的に透過型レチクルが用いら� �、レチクル基板としては石英ガラス、フッ� �がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化� �グネシウム、又は水晶等が用いられる。ま� �、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子� ��露光装置等では、透過型マスク(ステンシル マスク、メンブレンマスク)が用いられ、マ� �ク基板としてはシリコンウエハ等が用いら� �る。なお、このような露光装置は、WO99/34255� ��、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11-194479号� �特開2000-12453号、特開2000-29202号等に開示され ている。