以下,図面を用いて本発明を具体的に説明 する。図1は,本発明の直交振幅変調(QAM)信号� �生装置の概略図である。図1に示されるよう� ��,本発明のQAM信号発生装置は,第1の導波路(2)� ��,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位 相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(3)と,前� �第1の導波路(2)との合波点(4)を有する第2の導 波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2 のQPSK信号発生器(6)と,を具備する。このQAM信� ��発生装置は,一つの入力路から分岐されて前 記第1の導波路(2)及び前記第2の導波路(5)へと� ��が伝播するものが好ましい。

 本発明は,基本的には,振幅が大きなQPSK信� ��で,QAM信号が現れる象限(図2でいうと,各軸に はさまれたどの領域か)を決めて,小さなQPSK信 号で,その象限における位置を決めるという� �のである。換言すると,図2の黒点の位置を振 幅が大きなQPSK信号で決める。そして,白点の� ��置(QAM信号の位置)を,振幅が小さなQPSK信号で 決める。一方,それぞれのQPSK信号を,多レベル の電気信号を用いることなく得ることができ る。よって,本発明によれば,QAM信号を得るこ� ��ができることとなる。

 導波路は,光信号が伝播する道である。導波 路として,LiNbO ₃ 基板上に設けられたチタン拡散導波路(LiNbO ₃ 導波路)があげられる。

 図1に示されるように,第1のQPSK信号発生器 (3)及び第2のQPSK信号発生器(6)は,それぞれ,メ� �ンマッハツェンダー導波路(7a,7b)を有するも� ��があげられる。そして,メインマッハツェン ダー導波路(7a,7b)は,第1のアーム及び第2のア� �ム(これらを両アームともよぶ)を有する。一 方,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)� ��両アームには,それぞれに2つのサブマッハ� �ェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)が設けられる。こ� ��QPSK信号発生器の構成は,光SSB変調器や光FSK� �号発生器などとして,公知のものである。よ� ��て,このQPSK信号発生器も公知の方法を適宜� �用することができる。光SSB(Single Side-Band)変� ��器は,たとえば,特開2005-274806号公報を参照の こと。また,光SSB変調器を改良した光FSK信号� �生器については特開2007-86207号公報,特開2007-5 7785号公報及び特開2005-134897号公報を参照のこ と。これらの文献を参照することにより,本� �細書に取り込むものとする。

 第2のQPSK信号発生器(6)は,好ましくは,前記 第1のQPSK信号発生器からの出力信号よりも振� ��が小さな信号を出力するものである。前記� ��2のQPSK信号発生器(6)からの出力信号の振幅� �,前記第1のQPSK信号発生器からの出力信号の� �幅の半分となるように調整されることが好� �しい。このようにすることで,等間隔のQAM信� ��を得ることができる。なお,振幅が半分とは ,厳密な意味での半分を意味するのではなく,Q AM信号として実質的に区別できるような値で� ��れば,構わない。具体的には,前記第2のQPSK信 号発生器(6)からの出力信号の振幅は,前記第1� ��QPSK信号発生器からの出力信号の振幅の30%以 上70%以下があげられ,40%以上60%以下でもよく,4 5%以上55%以下でも良い。上記のような調整は, たとえば,振幅調整機構によって達成される� �振幅調整機構は,具体的には,バイアス電極な どに印加される電圧を制御するための電圧制 御手段などにより達成される。また,適宜強� �変調器を導波路に設け,強度変調器により所� ��の強度変調を行うことにより振幅を調整し� ��も良い。

 一方,QPSK信号,または,後述する4値のASK信� �の位相差が45度(正確には45度+90n度(nは整数)� �以下同様。),又は30度,22.5度,18度,15度など90度 の整数倍以外の場合は,第2のQPSK信号発生器(6) が,前記第1のQPSK信号発生器からの出力信号と 振幅が同じ信号を出力するものであっても構 わない。以下では,QPSK信号の位相差が0度,90度 ,180度又は270度であるものと、4値のASK信号の� ��相差が90度または270度であるものについて� �明する。QPSK信号,または,4値のASK信号の位相� ��がこれら以外の場合であっても同様にして� ��整することができる。

 なお,前記第2のQPSK信号発生器(6)からの出� ��信号の振幅を,前記第1のQPSK信号発生器から� ��出力信号の振幅より小さくするためには,た とえば,第2のQPSK信号発生器としてアッテネー タや強度変調器を組み合わせたものを用い,� �幅を小さくするように駆動すればよい。ま� �,アッテネータなどを用いなくても,たとえば ,導波路の強度分岐の比を非対称にすればよ� �。たとえば,入力ポートから分岐点を経て,前 記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)へ光信号が� ��播される場合,その分岐比を4:1となるように すればよい。このような分岐比の調整は,公� �であってカプラや導波路を調整することで,� ��易に達成できる。

 本発明の好ましい態様は,前記第1のQPSK信� ��発生器(3)のメインマッハツェンダー導波路( 7a)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)のメインマ� ��ハツェンダー導波路(7b)がそれぞれ3つのバ� �アス電極を有するものがあげられる。第1の� ��イアス電極(10a,10b)は,メインマッハツェンダ ー導波路を構成する2つのアームのうち第1の� ��ームに印加されるバイアス電圧を調整する� ��めの電極である。第2のバイアス電極(11a,11b) は,メインマッハツェンダー導波路を構成す� �2つのアームのうち第2のアームに印加される バイアス電圧を調整するための電極である。 第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツ� ��ンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)において 合波される両アームを伝播する信号にバイア ス電圧を印加するための第3のバイアス電極(1 3a,13b)とを具備する,上記いずれかに記載の装� ��があげられる。

 このように多くのバイアス電極を具備す� ��ことで,各アームを伝播する信号の位相差を 効果的に調整することができ,それによって,� ��々な態様でQAM信号を得ることができること� ��なる。

 本発明の好ましい態様は,前記第1のQPSK信号� ��生器(3)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)は,LiNb O ₃ 導波路(21)上に設けられ,前記第1の導波路(2)と 第2の導波路(5)との合波点(4)は,前記LiNbO ₃ 導波路(21)と光学的に接続された平面光導波� �(PLC)(22)上に設けられる,上記いずれかに記載� ��装置である。このように,ニオブ酸リチウム 基板などの基板と,PLCとのハイブリッド集積� �行うことで,比較的容易に複数のMZM(マッハツ ェンダー変調器)を含む信号発生装置を製造� �きることとなる。なお,PLCの製造方法等は,特 開2006-195036号公報に開示されているとおりで� ��る。

 すなわち,本発明のQAM信号発生装置は,光SS B変調器,光FSK信号発生器などの技術,PLCなどの 技術に,当業者の有する通常の技術知識を組� �合わせることにより,製造することができる� ��

 上記のQAM信号発生装置を用いれば,QAM信号 を得ることができる。具体的な,QAM信号の生� �方法は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)� ��設けられた第1の4相位相シフトキーイング(Q PSK)信号発生器(3)と,前記第1の導波路(2)との合 波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導 波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK信号発生器か らの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力 する第2のQPSK信号発生器(6)と,を具備し,前記� �1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK信号発� ��器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー� �波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導 波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられ� �2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b) とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置 を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1� ��QPSK信号発生器からの出力信号と,前記第1のQ PSK信号発生器からの出力信号の振幅の半分で ある前記第2のQPSK信号発生器(6)からの出力信� ��と,を合波する工程を含む,QAM信号の発生方� �があげられる。

 QAM信号の発生方法の好ましい態様として, 前記第1のQPSK信号発生器(3)のメインマッハツ� ��ンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK信号発生� ��(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,� �れぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構� ��する2つのアームのそれぞれに印加されるバ イアス電圧を調整するための第1のバイアス� �極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メ インマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(1 2a,12b)において合波される両アームを伝播す� �信号にバイアス電圧を印加するための第3の� ��イアス電極(13a,13b)とを具備し,前記4つのサ� �マッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信 号が合波される前の,それぞれの両アームを� �播する信号の位相差が,180度となり,各メイン マッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が� ��波される前の,それぞれの両アームを伝播す る信号の位相差が,90度,又は270度となり,前記� ��1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK信号発 生器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において� �波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導� �路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,90度,180� �又は270度となるように前記第1のバイアス電� ��(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び� �記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバ� ��アス信号を制御する,方法があげられる。な お,位相差の制御については,たとえば,光SSB変 調技術や光FSK信号発生技術などとして公知で あり,公知の方法を適宜用いることで達成で� �る。

 このように調整することで,QAM信号を得る ことができる。

 QAM信号の発生方法の好ましい態様として, 第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けら れた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)信号� ��生器(3)と,第1の導波路(2)との合波点(4)を有� �る第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設� �られ,前記第1のQPSK信号発生器からの出力信� �よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK 信号発生器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK信号� �生器(3)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)は,そ� �ぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と ,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の� ��アームのそれぞれに設けられた2つのサブマ ッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備す� �,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM� �号の発生方法であって,前記第1のメインマッ ハツェンダー導波路(7a)において4値の振幅シ� ��トキーイング(ASK)信号である第1のASK信号を� ��成させ,第2のメインマッハツェンダー導波� �(7b)において,前記第1のASK信号と90度の位相差 を有する,4値の振幅シフトキーイング(ASK)信� �である第2のASK信号を生成させ,前記第1のASK� �号と前記第2のASK信号とを合波する工程を含� ��,QAM信号の発生方法があげられる。

 この態様の好ましい例は,前記第1のQPSK信� ��発生器(3)のメインマッハツェンダー導波路( 7a)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)のメインマ� ��ハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メイン� ��ッハツェンダー導波路を構成する2つのアー ムのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調 整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び� �2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェ ンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)において� �波される両アームを伝播する信号にバイア� �電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a ,13b)とを具備し,前記4つのサブマッハツェン� �ー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される 前の,それぞれの両アームを伝播する信号の� �相差が,180度となり,各メインマッハツェンダ ー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の, それぞれの両アームを伝播する信号の位相差 が,0度,又は180度となり,前記第1のQPSK信号発生 器(3)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)は,伝播信 号が前記合波点(4)において合波される前の,� �記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する 信号の位相差が,90度,又は270度となるように� �記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイ� �ス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a ,13b)に印加されるバイアス信号を制御する方� ��があげられる。

 すなわち,この方法では,4値ASK信号(+1, +1/3 , -1/3. -1の4つのシンボルを持つ)を2つ発生さ せ,これら2つを一番外側の干渉計で合成すれ� ��よい。この際,これらが90度,又は270度の位相 差を持つように一番外側の干渉計のバイアス 電圧を調整すればよい。

 図3は,QPSK信号発生器を3つ並列に並んだも のを用いたQAM信号発生装置の概念図である。 図3に示されるように,この態様のQAM信号発生� ��置は,第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)� ��設けられた第1の4相位相シフトキーイング(Q PSK)信号発生器(53)と,前記第1の導波路(53)との� ��波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2� �導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK信号発生� ��からの出力信号よりも振幅が小さな信号を� ��力する第2のQPSK信号発生器(56)と,前記第2の� �波路(55)との合波点(57)を有する第3の導波路(5 8)と,前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2� �QPSK信号発生器からの出力信号よりも振幅が� ��さな信号を出力する第3のQPSK信号発生器(59)� ��,を具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置 である。

 この態様のQAM信号発生装置の各要素は,先 に説明したものを適宜採用できる。先に説明 したQAM信号発生装置では,基本的には4ASK信号� ��2つ重畳するか,又は2つのQPSK信号を重畳する ことにより16QAM信号を得ることができるとい� ��ものである。一方,図3に示されるQAM発生装� �では,基本的には,上記と同様の原理に基づい て,さらに4倍の64QAM信号を得ることができる� �すなわち,図2の白点それぞれに,4シンボルを� ��点とする正方形の中心を重畳させることで, 新たなQAM信号を得ることができる。

 すなわち,nを2以上の自然数とすると,n個並� �にならんだQPSK信号発生器を用いた場合,n番� �のQPSK信号の振幅がn-1番目のQPSK信号の半分の 振幅を有するとすると,2 ²ⁿ QAM信号を発生できることとなる。すなわち,2 ⁿ QAM信号を2つ得て,それらを90度又は270度の位� �差で足し合わせればよい。これは,それぞれn 個のQPSK信号を0度,90度,180度又は270度の位相差 で足し合わせることにより得ることができる 。各QPSKの振幅は1, 1/2, 1/4, ... 1/(2 ⁿ )のように順次半分になるように調整すれば� �い。2 ⁿ ASK信号の各レベルは,(2 ⁿ -1)/(2 ⁿ -1), (2 ^n-1 -2x1)/(2 ⁿ -1),..(2 ^n-1 -2*K)/(2 ⁿ -1),...(2 ^n-1 -2*(2n-1))/(2 ⁿ -1)となる。具体的には,64QAM信号を得る場合の ASK信号のレベルは,それぞれ1,5/7,3/7,1/7,-1/7,-3/7 ,-5/7,-1となる。各QPSKの強度比を調整するため には,上記に説明したと同様にして調整でき� �。具体的には,光回路内にアッテネータなど� ��設置して,適宜振幅を調整しても良い。また ,入力信号を各QPSK信号発生器に分波する際に, 分岐比率を調整しても良い。

 バイアスの自動調整
 QPSK発生などの時に90度,または270度の位相差 を維持する必要がある。これはSSB変調信号発 生の条件と同じであるので,伝送に影響を与� �ない低い周波数(例えば数キロヘルツ以下)で 90度の位相差を与えたいバイアス電極にテス� ��用正弦波信号を入力する。SSB条件が満たさ� ��ているときには側波帯成分が片側しか出な� ��が,ずれているときには両方が出力され,こ� �らのビートから変調周波数の2倍成分が発生� ��る。これを,最小にするように制御すればSSB 条件=90度の位相差が得られる。サブマッハツ ェンダー導波路のバイアスは,正弦波信号を� �力し,同じ周波数成分を最小,2倍成分を最大� �することで,設定できる。

 具体的には,第1の導波路(2)と,前記第1の導 波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキー� ��ング(QPSK)信号発生器(3)と,前記第1の導波路(2 )との合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記 第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK信号� �生器からの出力信号よりも振幅が小さな信� �を出力する第2のQPSK信号発生器(6)と,を具備� �,前記第1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK 信号発生器(6)は,それぞれ,メインマッハツェ� ��ダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェ� �ダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設� ��られた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a ,9a,8b,9b)と,各バイアス電極にテスト信号を印� ��するためのテスト信号印加装置と,前記テス ト信号印加装置によりテスト信号が印加され た導波路からの出力信号を検出するための光 検出装置と,前記光検出装置からの検出デー� �を用い,光検出装置が検出した出力スペクト� ��が,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数� ��2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を 調整する自動バイアス調整装置を有する,上� �いずれかに記載の直交振幅変調(QAM)信号発生 装置があげられる。このようにすることで,� �適なバイアス状況に自動的に調整すること� �できることとなる。

 この態様のQAM信号発生装置において,好ま しいものは,前記テスト信号は,その周波数が1 0KHz以下である上記いずれかに記載の装置に� �する。すなわち,周波数が10KHzの信号であれ� �,情報伝送に影響を与えないので,情報通信を しつつ,バイアスを自動調整できることとな� �。

 具体的には,前記メインマッハツェンダー 導波路に所定の信号を供給し,前記メインマ� �ハツェンダー導波路の出力光の振幅を小さ� �するように前記第1のサブマッハツェンダー� ��波路と,前記第2のサブマッハツェンダー導� �路とに供給するバイアス信号を調整する,バ� ��アス調整方法であって,前記メインマッハツ ェンダー導波路に供給される所定の信号は,� �信号の位相を180度変化させるのに要する電� �である半波長電圧と同じか,又はそれより大� ��な振幅を有する交流信号である,バイアス調 整方法があげられる。

 本発明のQAM信号発生装置として,好ましい ものは,検出器,及び各バイアス電極でバイア� ��信号を供給する信号源と連結された制御装� ��を具備する。この制御装置は,検出器が検出 した出力光に関する情報に基づいて,バイア� �信号に関する情報を信号源に供給する。す� �わち,この制御装置を具備することで,バイア ス調整方法を自動的に行うことができる。

 本発明の別の好ましい態様は,第1の導波� �(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4� ��位相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(3)と, 前記第1の導波路(2)との合波点(4)を有する第2� ��導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,� ��記第1のQPSK信号発生器からの出力信号と合� �される信号を出力する第2のQPSK信号発生器(6) と,を具備する,信号発生装置を,複数個並列し て設置し,前記複数の信号発生装置からの出� �が合波される合波部を有する,信号発生シス� ��ムに関する。

 すなわち,たとえば,先に説明した信号発� �装置からの出力を,組み合わせることで,さら にバリエーションに富んだ光信号を得ること ができることとなる。したがって,「第1のQPSK 信号発生器からの出力信号と合波される信号 」の例として,第1のQPSK信号発生器からの出力 信号の半分の振幅を有する信号があげられる 。なお,この信号発生システムは,ひとつの入� ��部から複数の分岐部を経て,各信号発生装置 へと信号が送られるものが好ましい。また,� �の信号発生システムとして,上記した信号発� ��装置の構成を適宜採用することができる。

 本発明の別の好ましい態様は,第1の導波� �(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の 4相位相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(53)� ��,前記第1の導波路(53)との合波点(54)を有する 第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設け� ��れ,前記第1のQPSK信号発生器からの出力信号� ��合波される信号を出力する第2のQPSK信号発� �器(56)と,前記第2の導波路(55)との合波点(57)を 有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)� ��設けられ,前記第2のQPSK信号発生器からの出� ��信号と合波される信号を出力する第3のQPSK� �号発生器(59)と,“第n-1の導波路との合波点を 有する第nの導波路と,前記第nの導波路に設け られ,第n-1のQPSK信号発生器からの出力信号と� ��波される信号を出力する第nのQPSK信号発生� �“を,nを4以上の整数として,4以上n以下とな� �全ての組合せに付き具備する,信号発生装置� ��ある。

 すなわち,図3に示されるように,複数の分� ��を持たせることで様々な出力の信号を得る� ��とができるところ,さらに小さなQPSK信号発� �器を具備することで,より多様な信号を得る� ��とができる。信号発生装置からの出力を,組 み合わせることで,さらにバリエーションに� �んだ光信号を得ることができることとなる� �したがって,「第1のQPSK信号発生器からの出� �信号と合波される信号」の例として,第1のQPS K信号発生器からの出力信号の半分の振幅を� �する信号があげられる。なお,この信号発生� ��ステムは,ひとつの入力部から複数の分岐部 を経て,各信号発生装置へと信号が送られる� �のが好ましい。また,この信号発生装置とし� ��,上記した信号発生装置の構成を適宜採用す ることができる。

 本発明の好ましい別の態様は,第1の導波� �(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4� ��位相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(3)と, 前記第1の導波路(2)との合波点(4)を有する第2� ��導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,� ��記第1のQPSK信号発生器からの出力信号と合� �される信号を出力する第2のQPSK信号発生器(6) と,を具備する,信号発生装置に関する。

 「第1のQPSK信号発生器からの出力信号と� �波される信号」を,第1のQPSK信号発生器から� �出力信号の半分の振幅を有する信号とすれ� �,先に説明したQAM信号発生装置をえることが� ��きる。一方,たとえば第1のQPSK信号発生器か� ��の出力と,第2のQPSK信号発生器からの出力を� ��じとしても,それらの信号が重畳して,様々� �変調信号をえることができる。なお,この信� ��発生システムは,ひとつの入力部から複数の 分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送� �れるものが好ましい。また,この信号発生シ� ��テムとして,上記した信号発生装置の構成を 適宜採用することができる。

 本発明の好ましい別の態様は,第1の導波� �(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の 4相位相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(53)� ��,前記第1の導波路(53)との合波点(54)を有する 第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設け� ��れ,前記第1のQPSK信号発生器からの出力信号� ��合波される信号を出力する第2のQPSK信号発� �器(56)と,前記第2の導波路(55)との合波点(57)を 有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)� ��設けられ,前記第2のQPSK信号発生器からの出� ��信号と合波される信号を出力する第3のQPSK� �号発生器(59)と,を具備する,信号発生装置に� �する。

 「第1のQPSK信号発生器からの出力信号と� �波される信号」を,第1のQPSK信号発生器から� �出力信号の半分の振幅を有する信号とすれ� �,先に説明したQAM信号発生装置をえることが� ��きる。一方,たとえば第1のQPSK信号発生器か� ��の出力と,第2のQPSK信号発生器からの出力を� ��じとしても,それらの信号が重畳して,様々� �変調信号をえることができる。なお,この信� ��発生システムは,ひとつの入力部から複数の 分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送� �れるものが好ましい。また,この信号発生シ� ��テムとして,上記した信号発生装置の構成を 適宜採用することができる。

 本発明の上記とは別の態様は,第1の導波� �(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4� ��位相シフトキーイング(QPSK)信号発生器(3)と, 前記第1の導波路(2)との合波点(4)を有する第2� ��導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,� ��記第1のQPSK信号発生器からの出力信号より� �振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK信号発 生器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK信号発生器(3 )及び前記第2のQPSK信号発生器(6)は,それぞれ,� ��インマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記� �インマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アー� ��のそれぞれに設けられた2つのサブマッハツ ェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交� ��幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の� �生方法であって,前記第1のQPSK信号発生器(3)� �メインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記� ��2のQPSK信号発生器(6)のメインマッハツェン� �ー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェ� �ダー導波路を構成する2つのアームのそれぞ� ��に印加されるバイアス電圧を調整するため� ��第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイア� �電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波� ��(7a,7b)の合波部(12a,12b)において合波される両 アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加 するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうち� �ずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,� ��記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b ,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの 両アームを伝播する信号の位相差が,180度と� �り,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は ,伝播信号が合波される前の,それぞれの両ア� ��ムを伝播する信号の位相差が,90度又は270度� ��なり,前記第1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2 のQPSK信号発生器(6)は,伝播信号が前記合波点( 4)において合波される前の,前記第1の導波路(2 )と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が, 0度,又は180度となるように前記バイアス電極� ��印加されるバイアス信号を制御し,前記第1� �QPSK信号発生器からの出力信号と,前記第1のQP SK信号発生器からの出力信号の振幅の半分で� ��る前記第2のQPSK信号発生器(6)からの出力信� �と,を合波する,QAM信号の発生方法である。

 すなわち,このQAM信号の発生方法では,い� �ゆる入れ子型のマッハツェンダー導波路を� �いるが,バイアス電極はいずれのマッハツェ� ��ダー導波路に設けられていても構わない。� ��のようなバイアス電極の調整法は,たとえば ,光SSB変調器又は光FSK信号発生器におけるも� �を適宜活用することで達成できる。

 QAM信号の発生方法として,好ましくは,第1� ��導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられ� �第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)信号発生 器(3)と,前記第1の導波路(2)との合波点(4)を有� ��る第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設� ��られた第2のQPSK信号発生器(6)と,を具備し,前 記第1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK信� �発生器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダ ー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダ� ��導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けら れた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8 b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生� ��置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記 第1のQPSK信号発生器(3)のメインマッハツェン� ��ー導波路(7a)及び前記第2のQPSK信号発生器(6)� ��メインマッハツェンダー導波路(7b)は,それ� �れ,メインマッハツェンダー導波路を構成す� ��2つのアームのそれぞれに印加されるバイア ス電圧を調整するための第1のバイアス電極(1 0a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メイン マッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b )において合波される両アームを伝播する信� �にバイアス電圧を印加するための第3のバイ� ��ス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上の� ��イアス電極を具備し,前記4つのサブマッハ� �ェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波 される前の,それぞれの両アームを伝播する� �号の位相差が,180度となり,各メインマッハツ ェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波され� ��前の,それぞれの両アームを伝播する信号の 位相差が,mを整数として(45+90m)度となり,前記� ��1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK信号発 生器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において� �波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導� �路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180� �となるように前記第1のバイアス電極(10a,10b), 前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3の� ��イアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信� ��を制御し, 前記第1のQPSK信号発生器からの� �力信号と,前記第2のQPSK信号発生器(6)からの� �力信号と,を合波する工程を含む,QAM信号の発 生方法である。このQAM信号の発生方法におい ては,先に説明したQAM信号発生装置に関する� �成を適宜採用することができる。

 このQAM信号の発生方法として,好ましくは ,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設け� �れた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)信号 発生器(3)と,前記第1の導波路(2)との合波点(4)� ��有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)� ��設けられた第2のQPSK信号発生器(6)と,を具備� ��,前記第1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPS K信号発生器(6)は,それぞれ,メインマッハツェ ンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェ� ��ダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設 けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8 a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号� ��生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のQPSK信号発生器(3)のメインマッハツ� ��ンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK信号発生� ��(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,� �れぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構� ��する2つのアームのそれぞれに印加されるバ イアス電圧を調整するための第1のバイアス� �極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メ インマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(1 2a,12b)において合波される両アームを伝播す� �信号にバイアス電圧を印加するための第3の� ��イアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以� ��のバイアス電極を具備し,前記4つのサブマ� �ハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が 合波される前の,それぞれの両アームを伝播� �る信号の位相差が,180度となり,各メインマッ ハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波� ��れる前の,それぞれの両アームを伝播する信 号の位相差が,lを整数として(30+90l)度となり,� ��記第1のQPSK信号発生器(3)及び前記第2のQPSK信 号発生器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)にお� �て合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2� �導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又� �180度となるように前記第1のバイアス電極(10a ,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記� �3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイア� ��信号を制御し,前記第1のQPSK信号発生器から� ��出力信号と,前記第2のQPSK信号発生器(6)から� ��出力信号と,を合波する工程を含む,QAM信号� �発生方法である。

 本発明の好ましい別の態様は,メインマッ ハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッ� ��ツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞ れに設けられた2つのサブマッハツェンダー� �波路(8a,9a,8b,9b)と,前記メインマッハツェンダ ー導波路,又は,前記2つのサブマッハツェンダ ー導波路のいずれか又は両方の,バイアス電� �にテスト信号を印加するためのテスト信号� �加装置と,前記テスト信号印加装置によりテ� ��ト信号が印加された導波路からの出力信号� ��検出するための光検出装置と,前記光検出装 置からの検出データを用い,光検出装置が検� �した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含 む場合,変調周波数の2倍成分が小さくなるよ� ��にバイアス電圧を調整する自動バイアス調� ��装置を有する,QPSK信号発生器である。このQP SK信号発生器においては,先に説明したQAM信号 発生装置に関する構成を適宜採用することが できる。自動バイアス調整装置により,変調� �波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス� ��圧を調整するためには,バイアス電圧を大き くするか又は小さくしつつ,光検出装置から� �検出データを監視すればよい。

 このQPSK信号発生器として,好ましくは,前� ��テスト信号は,その周波数が10KHz以下である� ��記いずれかに記載の装置である。

 このQPSK信号発生器として,好ましくは,前� ��テスト信号は前記2つのサブマッハツェンダ ー導波路の両方に印加され,2つのテスト信号� ��概略90度または270度の位相差を持つ上記い� �れかに記載の装置である。