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Title:
RECTIFIER CIRCUIT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/113410
Kind Code:
A1
Abstract:
Switches (S1, S2) perform switching at such a timing as the phase difference between a first phase voltage (Vinv1) and a second phase voltage (Vinv2) outputted from a three-phase voltage source (12) becomes 90 degree. Subsequently, a three-phase/two-phase inductor (14) outputs two sets of AC current (Iinv1, Iinv2) and AC currents (i1, i2) are subjected, respectively, to rectification and single-phase pulse width modulation. An output current (mi) is created by synthesizing modulation currents (m12, m34) subjected to rectification and single-phase pulse width modulation, and supplied to a circuit (90) where a capacitor (20) and a load (92) are connected in parallel.

Inventors:
MECHI ABDALLAH (JP)
Application Number:
PCT/JP2009/053696
Publication Date:
September 17, 2009
Filing Date:
February 27, 2009
Export Citation:
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Assignee:
DAIKIN IND LTD (JP)
MECHI ABDALLAH (JP)
International Classes:
H02M7/12
Foreign References:
JP2007174858A2007-07-05
JPH09331678A1997-12-22
Attorney, Agent or Firm:
YOSHITAKE, Hidetoshi et al. (JP)
Hidetoshi Yoshitake (JP)
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Claims:
 三相電圧源(12)から出力される第1の相電圧が印加される一端(S11)と、当該一端との導通/非導通が制御される他端(S12)とを有する第1のスイッチ(S1)と、
 前記三相電圧源から出力される第2の相電圧が印加される一端(S21)と、当該一端との導通/非導通が制御される他端(S22)とを有する第2のスイッチ(S2)と、
 前記第1の相電圧と、前記三相電圧源から出力される第3の相電圧とを入力し、前記第3の相電圧を基準とした前記第1の相電圧である第4の相電圧(Vinv1)と、前記第2の相電圧を基準として前記第4の相電圧と共に二相電圧を構成する第5の相電圧(Vinv2)とを出力する三相/二相変換インダクタ(14)と、
 前記第4の相電圧を整流して得られる第1の整流電流(id1)に対して第1のパルス幅変調を行って第1の変調電流(m12)を出力する第1の単相パルス幅変調コンバータ(16)と、
 前記第5の相電圧を整流して得られる第2の整流電流(id2)に対して第2のパルス幅変調を行って第2の変調電流(m34)を出力する第2の単相パルス幅変調コンバータ(18)と
を備える、整流回路(10)。
 請求項1記載の整流回路(10)であって、
 前記第1のスイッチ(S1)は、前記第1の相電圧から前記第3の相電圧を差し引いた電圧が略ゼロのときに非導通状態から導通状態へと遷移し、
 前記第2のスイッチ(S2)は、前記電圧が極値をとる近傍で非導通状態から導通状態へと遷移する、整流回路。
 請求項1記載の整流回路(10)であって、
 前記第1のスイッチ(S1)は、前記第2のスイッチ(S2)が非導通時に、非導通状態から導通状態となり、
 前記第2のスイッチは、前記第1のスイッチが導通時に、非導通状態から導通状態となる、整流回路。
 請求項1ないし請求項3のいずれか記載の整流回路(10)であって、
 前記第1の単相パルス幅変調コンバータ(16)の出力側と、
 前記第2の単相パルス幅変調コンバータ(18)の出力側と
のいずれに対しても並列に接続されるコンデンサ(20)
を更に備える、整流回路。
 請求項1ないし請求項3のいずれか記載の整流回路(10)であって、
 前記第1の単相パルス幅変調コンバータ(16)は、
 前記第4の相電圧を全波整流して前記第1の整流電流(id1)を出力する第1の単相ダイオードブリッジ(22)と、
 前記第1の整流電流に第1のチョッパ動作を行って前記第1の変調電流(m12)を出力する第1のチョッパ(24)と
を有し、
 前記第2の単相パルス幅変調コンバータ(18)は、
 前記第5の相電圧を全波整流して前記第2の整流電流(id2)を出力する第2の単相ダイオードブリッジ(32)と、
 前記第2の整流電流に第2のチョッパ動作を行って前記第2の変調電流(m34)を出力する第2のチョッパ(34)と
を有する、整流回路。
 請求項4記載の整流回路(10)であって、
 前記第1の単相パルス幅変調コンバータ(16)は、
 前記第4の相電圧を全波整流して前記第1の整流電流(id1)を出力する第1の単相ダイオードブリッジ(22)と、
 前記第1の整流電流に第1のチョッパ動作を行って前記第1の変調電流(m12)を出力する第1のチョッパ(24)と
を有し、
 前記第2の単相パルス幅変調コンバータ(18)は、
 前記第5の相電圧を全波整流して前記第2の整流電流(id2)を出力する第2の単相ダイオードブリッジ(32)と、
 前記第2の整流電流に第2のチョッパ動作を行って前記第2の変調電流(m34)を出力する第2のチョッパ(34)と
を有する、整流回路。
 請求項5記載の整流回路(10)であって、
 前記第1の単相ダイオードブリッジ(22)は、
 前記第1の整流電流(id1)を出力する高電位側出力端(+)と、
 低電位側出力端(-)と
を有し、
 前記第1のチョッパ(24)は、
 前記第1の単相ダイオードブリッジの前記高電位側出力端に接続される第1のインダクタ(42)と、
 前記第1のインダクタを介して前記第1の単相ダイオードブリッジに接続されたアノードと、前記第1の変調電流(m12)を出力するカソードとを含む第1のダイオード(44)と、
 前記第1の単相ダイオードブリッジの前記低電位側出力端に接続されたカソードとアノードとを含む第2のダイオード(46)と、
 前記第1のダイオードのアノードに接続された第1端と、前記第2のダイオードのカソードとに接続された第2端とを含み、前記第1端と前記第2端との間で開閉する第1のスイッチング素子(48)と
を有し、
 前記第2の単相ダイオードブリッジ(32)は、
 前記第2の整流電流(id2)を出力する高電位側出力端(+)と、
 低電位側出力端(-)と
を有し、
 前記第2のチョッパ(34)は、
 前記第2の単相ダイオードブリッジの前記高電位側出力端に接続される第2のインダクタ(52)と、
 前記第2のインダクタを介して前記第2の単相ダイオードブリッジに接続されたアノードと、前記第2の変調電流(m34)を出力するカソードとを含む第3のダイオード(54)と、
 前記第2の単相ダイオードブリッジの前記低電位側出力端に接続されたカソードとアノードとを含む第4のダイオード(56)と、
 前記第3のダイオードのアノードに接続された第3端と、前記第4のダイオードのカソードとに接続された第4端とを含み、前記第3端と前記第4端との間で開閉する第2のスイッチング素子(58)と
を有し、
 前記コンデンサの一端には前記第1のダイオードの前記カソードと前記第3のダイオードの前記カソードとが共通に接続され、
 前記コンデンサの他端には前記第2のダイオードの前記アノードと前記第4のダイオードの前記アノードとが共通に接続される、整流回路。
 請求項6記載の整流回路(10)であって、
 前記第1の単相ダイオードブリッジ(22)は、
 前記第1の整流電流(id1)を出力する高電位側出力端(+)と、
 低電位側出力端(-)と
を有し、
 前記第1のチョッパ(24)は、
 前記第1の単相ダイオードブリッジの前記高電位側出力端に接続される第1のインダクタ(42)と、
 前記第1のインダクタを介して前記第1の単相ダイオードブリッジに接続されたアノードと、前記第1の変調電流(m12)を出力するカソードとを含む第1のダイオード(44)と、
 前記第1の単相ダイオードブリッジの前記低電位側出力端に接続されたカソードとアノードとを含む第2のダイオード(46)と、
 前記第1のダイオードのアノードに接続された第1端と、前記第2のダイオードのカソードとに接続された第2端とを含み、前記第1端と前記第2端との間で開閉する第1のスイッチング素子(48)と
を有し、
 前記第2の単相ダイオードブリッジ(32)は、
 前記第2の整流電流(id2)を出力する高電位側出力端(+)と、
 低電位側出力端(-)と
を有し、
 前記第2のチョッパ(34)は、
 前記第2の単相ダイオードブリッジの前記高電位側出力端に接続される第2のインダクタ(52)と、
 前記第2のインダクタを介して前記第2の単相ダイオードブリッジに接続されたアノードと、前記第2の変調電流(m34)を出力するカソードとを含む第3のダイオード(54)と、
 前記第2の単相ダイオードブリッジの前記低電位側出力端に接続されたカソードとアノードとを含む第4のダイオード(56)と、
 前記第3のダイオードのアノードに接続された第3端と、前記第4のダイオードのカソードとに接続された第4端とを含み、前記第3端と前記第4端との間で開閉する第2のスイッチング素子(58)と
を有し、
 前記コンデンサの一端には前記第1のダイオードの前記カソードと前記第3のダイオードの前記カソードとが共通に接続され、
 前記コンデンサの他端には前記第2のダイオードの前記アノードと前記第4のダイオードの前記アノードとが共通に接続される、整流回路。
Description:
整流回路

 本発明は、整流回路に関し、特に三相電 を整流する技術に関する。

 図11は従来の三相PWMコンバータを例示す 回路図である。三相電圧源12から三相電圧Va, Vb,VcがコンバータCNVに印加されることにより 三相電流Ia,Ib,IcがコンバータCNVへとリアク 群Zを経由して流れる。図12は当該三相PWMコ バータの定常状態における入出力波形のシ ュレーション結果を示す図であり、電圧Vdc 700Vに設定すべく三相電流Ia,Ib,Icが波高値12A 流れる。

 なお、本発明に関連する技術として、三 電力を二相電力に変換する場合にPWM(Pulse Wi dth Modulation;パルス幅変調)電力変換装置を用 る技術が、特許文献1等に例示されている。

特開平11-018433号公報

 このようなコンバータでは以下に示す如 、起動時や、瞬停等からの復帰時に大電流 発生することがある。

 図13は従来の三相PWMコンバータにおける 停/復帰時の入出力波形のシミュレーション 果を示す図である。ここで、「復帰」とは 常運転している状態から瞬停の発生直後で 圧Vdcが0Vになる前に三相電源からの電圧が 加されることを指す。当該シミュレーショ では、三相電圧源12とリアクタ群Zの間に介 したスイッチSa,Sb,Scが同時に遮断/導通した とで仮想的な瞬停/復帰をシミュレーション た。すなわち三相全部が瞬間的に欠相した 合に相当する。第2段目のグラフはスイッチ Sa,Sb,Scの制御信号を示しており、時刻0.15sに いてスイッチSa,Sb,Scを導通状態から非導通状 態に遷移させ、時刻0.175sにおいてスイッチSa, Sb,Scを非導通状態から導通状態に遷移させた とを示している。復帰後に電流Ia,Ib,Icが過 的に大きく乱れ、電圧Vdcも定常時の4倍近く で過渡的に上昇することが示されている。

 図14も従来の三相PWMコンバータにおける 停/復帰時の入出力波形のシミュレーション 果を示す図であり、スイッチSbが導通した まスイッチSa,Scが同時に遮断/導通したこと 仮想的な瞬停/復帰をシミュレーションした すなわち電圧Va,Vcに対応する2つの相が瞬間 に欠相した場合に相当する。第2段目のグラ フはスイッチSa,Scの制御信号を示しており、 刻0.15sにおいてスイッチSa,Scを導通状態から 非導通状態に遷移させ、時刻0.175sにおいてス イッチSa,Scを非導通状態から導通状態に遷移 せたことを示している。この場合も、図8に 示されたグラフと同様に、復帰後に電流Ia,Ib, Ic、電圧Vdcが大きく乱れることが示されてい 。

 ところで、復帰後の過渡的な乱れを改善 るため、欠相していない三相電圧源12に対 てスイッチSa,Sb,Scを導通させるタイミングを 工夫することも考えられる。具体的には、ス イッチSa,Sb,Scを、それぞれ対応する相の電圧V a,Vb,Vcがゼロクロスする時点で導通させ始め 。

 図15は電圧Va,Vb,Vcがそれぞれ負から正へと 遷移するゼロクロスする時点において、それ ぞれスイッチSa,Sb,Scを導通させ始めて復帰し 場合の入出力波形のシミュレーション結果 示す図である。また、図16はスイッチSbが導 通したままでスイッチSa,Scを導通させ始めて 帰した場合の入出力波形のシミュレーショ 結果を示す図である。いずれの場合も、波 自体は図13、図14に示されたものと相違する が、電流Ia,Ib,Ic、電圧Vdcが大きく乱れること 変わりはない。ここで、図15の場合には電 Ia,Ib,Icの乱れによって電圧Vdcを維持すること ができず、0Vに漸近する。

 このように、従来のコンバータCNVを採用 ていると、ゼロクロスでのスイッチングと う工夫も奏功しないことが分かる。

 そしてこれらの大電流に耐え得るコンバ タを作成する場合には、高価な回路素子を 設したりする必要があるため、コンバータ 小型化が困難でしかも低コスト化が困難で る。また、当該大電流の発生に伴ってコン ータの制御が困難になるという問題もある

 本発明は上記課題に鑑み、起動時/復帰時 の大電流を抑制して小型化・低コスト化を実 現する技術を提供することを目的とする。

 上記課題を解決すべく、第1の発明は、三 相電圧源(12)から出力される第1の相電圧が印 される一端(S11)と、当該一端との導通/非導 が制御される他端(S12)とを有する第1のスイ チ(S1)と、前記三相電圧源から出力される第 2の相電圧が印加される一端(S21)と、当該一端 との導通/非導通が制御される他端(S22)とを有 する第2のスイッチ(S2)と、前記第1の相電圧と 、前記三相電圧源から出力される第3の相電 とを入力し、前記第3の相電圧を基準とした 記第1の相電圧である第4の相電圧(Vinv1)と、 記第2の相電圧を基準として前記第4の相電 と共に二相電圧を構成する第5の相電圧(Vinv2) とを出力する三相/二相変換インダクタ(14)と 前記第4の相電圧を整流して得られる第1の 流電流(id1)に対して第1のパルス幅変調を行 て第1の変調電流(m12)を出力する第1の単相パ ス幅変調コンバータ(16)と、前記第5の相電 を整流して得られる第2の整流電流(id2)に対 て第2のパルス幅変調を行って第2の変調電流 (m34)を出力する第2の単相パルス幅変調コンバ ータ(18)とを備える、整流回路(10)である。

 第2の発明は、第1の発明であって、前記 1のスイッチ(S1)は、前記第1の相電圧から前 第3の相電圧を差し引いた電圧が略ゼロのと に非導通状態から導通状態へと遷移し、前 第2のスイッチ(S2)は、前記電圧が極値をと 近傍で非導通状態から導通状態へと遷移す 。

 第3の発明は、第1の発明であって、前記 1のスイッチ(S1)は、前記第2のスイッチ(S2)が 導通時に、非導通状態から導通状態となり 前記第2のスイッチは、前記第1のスイッチ 導通時に、非導通状態から導通状態となる

 第4の発明は、第1ないし第3の発明のいず かであって、前記第1の単相パルス幅変調コ ンバータ(16)の出力側と、前記第2の単相パル 幅変調コンバータ(18)の出力側とのいずれに 対しても並列に接続されるコンデンサ(20)を に備える。

 第5の発明は、第1ないし第4の発明のいず かであって、前記第1の単相パルス幅変調コ ンバータ(16)は、前記第4の相電圧を全波整流 て前記第1の整流電流(id1)を出力する第1の単 相ダイオードブリッジ(22)と、前記第1の整流 流に第1のチョッパ動作を行って前記第1の 調電流(m12)を出力する第1のチョッパ(24)とを し、前記第2の単相パルス幅変調コンバータ (18)は、前記第5の相電圧を全波整流して前記 2の整流電流(id2)を出力する第2の単相ダイオ ードブリッジ(32)と、前記第2の整流電流に第2 のチョッパ動作を行って前記第2の変調電流(m 34)を出力する第2のチョッパ(34)とを有する。

 第6の発明は、第5の発明であって、前記 1の単相ダイオードブリッジ(22)は、前記第1 整流電流(id1)を出力する高電位側出力端(+)と 、低電位側出力端(-)とを有し、前記第1のチ ッパ(24)は、前記第1の単相ダイオードブリッ ジの前記高電位側出力端に接続される第1の ンダクタ(42)と、前記第1のインダクタを介し て前記第1の単相ダイオードブリッジに接続 れたアノードと、前記第1の変調電流(m12)を 力するカソードとを含む第1のダイオード(44) と、前記第1の単相ダイオードブリッジの前 低電位側出力端に接続されたカソードとア ードとを含む第2のダイオード(46)と、前記第 1のダイオードのアノードに接続された第1端 、前記第2のダイオードのカソードとに接続 された第2端とを含み、前記第1端と前記第2端 との間で開閉する第1のスイッチング素子(48) を有し、前記第2の単相ダイオードブリッジ (32)は、前記第2の整流電流(id2)を出力する高 位側出力端(+)と、低電位側出力端(-)とを有 、前記第2のチョッパ(34)は、前記第2の単相 イオードブリッジの前記高電位側出力端に 続される第2のインダクタ(52)と、前記第2の ンダクタを介して前記第2の単相ダイオード リッジに接続されたアノードと、前記第2の 変調電流(m34)を出力するカソードとを含む第3 のダイオード(54)と、前記第2の単相ダイオー ブリッジの前記低電位側出力端に接続され カソードとアノードとを含む第4のダイオー ド(56)と、前記第3のダイオードのアノードに 続された第3端と、前記第4のダイオードの ソードとに接続された第4端とを含み、前記 3端と前記第4端との間で開閉する第2のスイ チング素子(58)とを有し、前記コンデンサの 一端には前記第1のダイオードの前記カソー と前記第3のダイオードの前記カソードとが 通に接続され、前記コンデンサの他端には 記第2のダイオードの前記アノードと前記第 4のダイオードの前記アノードとが共通に接 される。

 第1の発明によれば、第1の変調電流と、 2の変調電流との位相差が略90度になるので 起動時/復帰時の大電流を抑制し、小型化・ コスト化できる。

 第2の発明によれば、第4の相電圧(Vinv1)の ロクロス近傍で第1のスイッチが非導通状態 から導通状態へと遷移し、第5の相電圧(Vinv2) ゼロクロス近傍で第2のスイッチが非導通状 態から導通状態へと遷移するので、起動時/ 帰時の大電流を抑制し、小型化・低コスト できる。

 第3の発明によれば、第4の相電圧(Vinv1)と 第5の相電圧(Vinv2)との位相差を、第1の単相 ルス幅変調コンバータに入力する電流と第2 の単相パルス幅変調コンバータに入力する電 流との位相差と合わせることができ、制御が 容易になる。

 第4の発明によれば、コンデンサに並列に 接続された負荷に対して平滑化された電圧を 供給できる。

 第5の発明によれば、第1の単相パルス幅 調コンバータ及び第2の単相パルス幅変調コ バータの実現に資する。

 第6の発明によれば、第1のチョッパ動作 び第2のチョッパ動作として昇圧チョッパを うことができ、第1の単相ダイオードブリッ ジや第2の単相ダイオードブリッジに流入す 交流電圧の波高値よりも高い直流電圧をコ デンサに印加できる。

 本発明の目的、特徴、局面及び、利点は 以下の詳細な説明と添付図面とによって、 り明白となる。

本発明の第1実施形態に係る直流電源供 給システムの構成を例示する回路図である。 ゼロクロス回路の概念図である。 起動時/復帰時の二相電圧の電圧波形を 例示するグラフである。 スイッチング信号を生成するスイッチ グ信号生成回路の構成を例示する回路図で る。 第1実施形態に係る起動時の入出力波形 のシミュレーション結果を示す図である。 第1実施形態に係る復帰時の入出力波形 のシミュレーション結果を示す図である。 第1実施形態に係る再起動時の入出力波 形のシミュレーション結果を示す図である。 第2実施形態に係る起動時の入出力波形 のシミュレーション結果を示す図である。 第2実施形態に係る復帰時の入出力波形 のシミュレーション結果を示す図である。 第2実施形態に係る再起動時の入出力 形のシミュレーション結果を示す図である 従来の三相PWMコンバータを例示する回 路図である。 三相PWMコンバータの定常状態における 入出力波形のシミュレーション結果を示す図 である。 従来の三相PWMコンバータにおける瞬停 /復帰時の入出力波形のシミュレーション結 を示す図である。 従来の三相PWMコンバータにおける瞬停 /復帰時の入出力波形のシミュレーション結 を示す図である。 電圧がそれぞれ負から正へと遷移する ゼロクロスする時点において、それぞれスイ ッチを導通させ始めて復帰した場合の入出力 波形のシミュレーション結果を示す図である 。 一のスイッチが導通したままで他のス イッチを導通させ始めて復帰した場合の再起 動時の入出力波形のシミュレーション結果を 示す図である。

 以下、本発明の好適な実施形態について 図面を参照しながら説明する。なお、図1を 初めとする以下の図には、本発明に関係する 要素のみを示す。

 〈第1実施形態〉
 〈回路構成〉
 図1は本発明の第1実施形態に係る直流電源 給システムの構成を例示する回路図である 当該直流電源供給システムは三相電圧源12と 、三相交流電圧を整流する整流回路10で構成 れる。整流回路10は、三相電圧源12から供給 される三相電力を三相/二相変換インダクタ14 で二相電力に変換し、更に第1の単相パルス 変調コンバータ16と、第2の単相パルス幅変 コンバータ18とがパルス幅変調を行って負荷 92を稼働させる。

 三相電圧源12は例えば、ブラシレスDCモー タや、誘導モータが採用され、第1の相電圧v1 、第2の相電圧v2及び第3の相電圧v3を出力する 。なお、三相電圧源12の原動力としては例え タービン、エンジンを採用するほか、自然 力、例えば風力や水力を採用することがで る。

 三相電圧源12が出力する3つの相電圧v1,v2,v 3のうち、第1の相電圧v1及び第2の相電圧v2に それぞれスイッチS1,S2が設けられている。具 体的にはスイッチS1は2つの接点S11,S12を有し おり、接点S11には第1の相電圧v1が印加され 接点S11と接点S12との間が開閉して導通/非導 を制御する。スイッチS2もまた2つの接点S21, S22を有しており、接点S21には第2の相電圧v2が 印加され、接点S21と接点S22との間が開閉して 導通/非導通を制御する。

 スイッチS1,S2は例えば、ゼロクロス回路60 (図2参照)に接続されており、スイッチS1は第1 の相電圧v1と第3の相電圧v3との差電圧が略0V ときに、スイッチS2は当該差電圧が極値をと る近傍のときに、それぞれ非導通状態から導 通状態に遷移する。ここで、スイッチS1はス ッチS2が非導通状態のときに、非導通状態 ら導通状態へと遷移し、スイッチS2はスイッ チS1が導通状態の時に、非導通状態から導通 態へと遷移する。

 〈ゼロクロス回路〉
 図2はゼロクロス回路60の概念図である。ゼ クロス回路60には第1の相電圧v1及び第3の相 圧v3の測定値が入力され、スイッチS1,S2の導 通/非導通状態が制御される。具体的には、 1の相電圧v1及び第3の相電圧v3を入力して、 者の差v1-v3(以下、第4の相電圧Vinv1と称する: 電圧と称する理由は後述する)が負から正へ と遷移するとき(ゼロクロスポイント)を検知 62が検知してパルスを発生させる。スイッ S1は当該パルスの発生前後で導通が許可され る。

 また、第4の相電圧Vinv1を逓倍器64が4倍に 倍する。第4の相電圧Vinv1が負から正へと遷 する一周期は位相角360°に等しいので、逓 された信号は位相角90°ごとに活性化するパ スとになる。

 逓倍器64が生成したパルスを用いて、位 シフタ66は検知部62が出力するパルスを90°シ フトさせる。スイッチS2は当該パルスの発生 後で導通が許可される。

 ゼロクロス回路60からの二種のパルスで 可されるタイミングにおいてスイッチS1,S2が 導通を開始したことを契機として、三相/二 変換インダクタ14が電圧の相変換を行う。三 相/二相変換インダクタ14は、第1の相電圧v1と 第3の相電圧v3とを入力し、第3の相電圧v3を基 準として前述の第4の相電圧Vinv1を出力する。 三相/二相変換インダクタ14はまた、第2の相 圧v2を基準として第1の相電圧Vinv1と共に二相 電圧を構成する第5の相電圧Vinv2を出力する( って電圧Vinv1を(第4の)「相電圧」と称した)

 具体的には例えば、三相/二相変換インダ クタ14としては、両端点142,144及び当該両端点 の中央にタップ146を有するコイル140が採用さ れる。端点142に第1の相電圧v1が、端点144に第 3の相電圧v3がそれぞれ印加される。そして、 タップ146から出力される電圧が、第2の相電 v2を基準として第5の相電圧Vinv2となる。なぜ なら、端点142とタップ146との間で形成される コイル部140aのインダクタンスと、端点144と ップ146との間で形成されるコイル部140bのイ ダクタンスとが等しいので、タップ146の電 が、端点142の電位と端点144の電位との中間 値となるからである。

 点146において合成されて出力された相電 を用いて、第2の相電圧v2を基準とする第5の 相電圧Vinv2を出力する。当該第5の相電圧Vinv2 位相は、第4の相電圧Vinv1の位相と90度の位 差をもち、第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧V inv2が二相電圧を構成する。

 図3は起動時/復帰時の二相電圧の電圧波 を例示するグラフである。上述のゼロクロ 回路60が出力するパルスは第4の相電圧Vinv1の ゼロクロスを示すパルス及びこれと90度位相 ずれたパルスを出力し、第4の相電圧Vinv1と 5の相電圧Vinv2とは90度位相がずれるので、 3に示す第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2 電圧値が0V近傍となったときにそれぞれス ッチS1,S2の導通が許可されることになる。

 第1の単相パルス幅変調コンバータ16は、 4の相電圧Vinv1を整流して第1の整流電流id1を 得、これにパルス幅変調を行って第1の変調 流m12を出力する。また、第2の単相パルス幅 調コンバータ18は、第5の相電圧Vinv2を整流 て第2の整流電流id2を得、これにパルス幅変 を行って第2の変調電流m34を出力する。

 整流回路10は、第1の変調電流m12と第2の変 調電流m34とを合成して出力電流miを出力する

 コンデンサ20と負荷92とが並列に接続され た回路90に対して出力電流miが供給されるこ により、コンデンサ20で支持された直流電圧 Vdcが負荷92に印加される。

 コンデンサ20は第1の単相パルス幅変調コ バータ16の出力側と、第2の単相パルス幅変 コンバータ18の出力側とのいずれに対して 並列に接続されることにより、第1の単相パ ス幅変調コンバータ16及び第2の単相パルス 変調コンバータ18の動作を簡単に制御でき 。

 上述のようなゼロクロス回路60と三相/二 変換インダクタ14とを経て得られる第1の交 電流Iinv1と第2の交流電流Iinv2とは相互に90度 の位相差を有しており、第1の変調電流m12と 2の変調電流m34とのリプルは相殺される。し がって、平滑された直流電圧Vdcにおける、 1の交流電流Iinv1及び第2の交流電流Iinv2の基 波成分を有するリプルを低減できる。さら 、第1の交流電流Iinv1と第2の交流電流Iinv2と 正弦波に近付け、これらの高調波成分を低 できる。

 第1の単相パルス幅変調コンバータ16は、 1の単相ダイオードブリッジ22と、第1のチョ ッパ24とを有している。第1の単相ダイオード ブリッジ22は、第1の交流電流Iinv1に対して全 整流を行って得られる第1の整流電流id1を出 力する。第1のチョッパ24は、第1の整流電流id 1に第1のチョッパ動作を行って第1の変調電流 m12を出力する。

 第2の単相パルス幅変調コンバータ18は、 2の単相ダイオードブリッジ32と、第2のチョ ッパ34とを有している。第2の単相ダイオード ブリッジ32は、第2の交流電流Iinv2に対して全 整流を行って得られる第2の整流電流id2を出 力する。第2のチョッパ34は、第2の整流電流id 2に第2のチョッパ動作を行って第2の変調電流 m34を出力する。

 第1の単相ダイオードブリッジ22は、第1の 整流電流id1を出力する高電位側出力端(図中 記号「+」を付す)と、低電位側出力端(図中 記号「-」を付す)とを有する。第1の整流電 id1は高電位側出力端から流れ出る方向を正 採る。第2の単相ダイオードブリッジ32は、 2の整流電流id2を出力する高電位側出力端(図 中に記号「+」を付す)と、低電位側出力端(図 中に記号「-」を付す)とを有する。第2の整流 電流id2も高電位側出力端から流れ出る方向を 正に採る。

 第1のチョッパ24は、入力側端子24a,24c及び 出力側端子24b,24d、第1のインダクタ42、第1の イッチング素子44、第1のダイオード46及び 2のダイオード48を含む。入力側端子24a,24cは れぞれ第1の単相ダイオードブリッジ22の高 位側出力端及び低電位側出力端に接続され 。また、出力側端子24b,24dはそれぞれコンデ ンサ20の高電位側端と低電位側端とに接続さ る。

 第1のインダクタ42は、入力側端子24aを介 て第1の単相ダイオードブリッジ22の高電位 出力端に接続される。第1のスイッチング素 子44は、第1のダイオード46のアノードに接続 れた第1端と、第2のダイオード48のカソード に接続された第2端とを有し、当該第1端と当 第2端との間で開閉する。具体例を挙げれば 第1のスイッチング素子44は環流ダイオード付 きのIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor;絶縁ゲー ト型バイポーラトランジスタ)で実現され、 のコレクタが第1のダイオード46のアノード 、そのエミッタが第2のダイオード48のカソ ドに、それぞれ接続される。IGBTや環流ダイ ードの材質としてはシリコンの他、バンド ャップがより大きな材質(例えば、炭化珪素 、砒化ガリウム、窒化ガリウム、ダイアモン ド)を採用することができる。

 第1のダイオード46のアノードは、第1のイ ンダクタ42を介して第1の単相ダイオードブリ ッジ22に接続される。第1のダイオード46のカ ードは出力側端子24bに接続され、ここから 1の変調電流(チョッパ電流)m12が流れ出る。

 第2のダイオード48のカソード及び第1のス イッチング素子44のエミッタは、入力側端子2 4cを介して第1の単相ダイオードブリッジ22の 電位側出力端に接続される。第2のダイオー ド48のアノードは出力側端子24dに接続される

 第2のチョッパ34は、入力側端子34a,34c及び 出力側端子34b,34d、第2のインダクタ52、第2の イッチング素子54、第3のダイオード56及び 4のダイオード58を含む。入力側端子34a,34cは れぞれ第2の単相ダイオードブリッジ32の高 位側出力端及び低電位側出力端に接続され 。また、出力側端子34b,34dはそれぞれコンデ ンサ20の高電位側端と低電位側端とに接続さ る。

 第2のインダクタ52は、入力側端子34aを介 て第2の単相ダイオードブリッジ32の高電位 出力端に接続される。第2のスイッチング素 子54は、第3のダイオード56のアノードに接続 れた第1端と、第4のダイオード58のカソード に接続された第2端とを有し、当該第1端と当 第2端との間で開閉する。具体例を挙げれば 第2のスイッチング素子54は環流ダイオード付 きのIGBTで実現され、そのコレクタが第3のダ オード56のアノードに、そのエミッタが第4 ダイオード58のカソードに、それぞれ接続 れる。

 第3のダイオード56のアノードは、第2のイ ンダクタ52を介して第2の単相ダイオードブリ ッジ32に接続される。第3のダイオード56のカ ードは出力側端子34bに接続され、ここから 2の変調電流(チョッパ電流)m34が流れ出る。

 第4のダイオード58のカソード及び第2のス イッチング素子54のエミッタは、入力側端子3 4cを介して第2の単相ダイオードブリッジ32の 電位側出力端に接続される。第4のダイオー ド58のアノードは出力側端子34dに接続される

 よって、コンデンサ20の高電位側端には 1のダイオード46のカソードと第3のダイオー 56のカソードとが共通に接続され、コンデ サ20の低電位側端には第2のダイオード48のア ノードと第4のダイオード58のアノードとが共 通に接続される。

 第1のチョッパ24及び第2のチョッパ34を上 のように構成することにより、第1のチョッ パ動作及び第2のチョッパ動作として昇圧チ ッパを行うことができる。これにより、第1 単相ダイオードブリッジ22や第2の単相ダイ ードブリッジ32に入力する第4の相電圧Vinv1 び第5の相電圧Vinv2の波高値よりも高い直流 圧Vdcを、コンデンサ20に支持させることがで きる。

 第1のスイッチング素子44や第2のスイッチ ング素子54は、それぞれに与えられるスイッ ング信号SW1,SW2に基づいて、それぞれのコレ クタとエミッタとの間の導通/非導通状態が 御され、第1のチョッパ動作及び第2のチョッ パ動作が行われる。

 上述の構成は既存の素子を採用すること できるので低コストで実現できる。

 〈信号生成回路〉
 図4はスイッチング信号SW1,SW2を生成するス ッチング信号生成回路9の構成を例示する回 図である。

 スイッチング信号生成回路9には第4の相 圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2、直流電圧Vdc、第 1の整流電流id1及び第2の整流電流id2の値が入 される。これらの値の入力手法は、周知の 流検出、電圧検出の手法を採用できるので ここでは詳述しない。

 第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2はそ ぞれ絶対値回路901,902において絶対値に変換 される。かかる変換は全波整流に対応する。

 電圧指令発生器903は所望する直流電圧Vdc 対応した電圧指令値Vdc*を発生する。そして 減算器904により電圧指令値Vdc*に対応する直 電圧Vdcの偏差たる電圧偏差Veが求められる。

 上述のように、コンデンサ20は第1の単相 ルス幅変調コンバータ16の出力側と、第2の 相パルス幅変調コンバータ18の出力側との ずれに対しても並列に接続されるので、両 の出力についての指令値は電圧指令値Vdc*で りる。

 電圧偏差Veは、PI制御器905によっていった んPI制御を受けた後にリミッタ906によって上 及び下限が設定され、さらに増幅器907によ てK倍に増幅される。

 上述の増幅結果は乗算器908において第4の 相電圧Vinv1の絶対値と乗算され、電流指令値i d1*が得られる。ここで、電流指令値id1*は第1 整流電流id1に対応する指令値である。

 そして減算器910により、電流指令値id1*に 対する第1の整流電流id1の偏差たる電流偏差ie 1が求められる。

 電流偏差ie1は、PI制御器912によっていっ んPI制御を受けた後にリミッタ914によって上 限及び下限が設定され、後述するPWM変調の信 号波i1となる。

 増幅器907の増幅結果は乗算器909において 5の相電圧Vinv2の絶対値と乗算され、電流指 値id2*が得られる。ここで、電流指令値id2* 第2の整流電流id2に対応する指令値である。

 そして減算器911により、電流指令値id2*に 対する第2の整流電流id2の偏差たる電流偏差ie 2が求められる。

 電流偏差ie2は、PI制御器913によっていっ んPI制御を受けた後にリミッタ915によって上 限及び下限が設定され、後述するPWM変調の信 号波i2となる。

 搬送波生成部916,917は所定のオフセットを 伴った搬送波C1,C2を発生する。搬送波C1,C2はPW M変調用の搬送波である。ただし、搬送波C1,C2 は互いに逆相(位相差が180°)である。この逆 の関係は図4において、搬送波生成部916,917に 付記された○印の位置が相違することで示さ れている。

 差動増幅器918は信号波i1と搬送波C1とを入 力し、前者が後者を超えるときに活性化する スイッチング信号SW1を出力する。差動増幅器 919は信号波i2と搬送波C2とを入力し、前者が 者を超えるときに活性化するスイッチング 号SW2を出力する。

 以上のようにしてスイッチング信号SW1,SW2 が生成されるので、スイッチング信号SW1,SW2 基づいて第1及び第2のスイッチング素子44,54 動作することにより、電圧指令値Vdc*に等し い直流電圧Vdcがコンデンサ20で支持されるよ に第1及び第2の整流電流id1,id2が流れる。

 〈シミュレーション結果〉
 上述の構成を備える整流回路10の動作をシ ュレーションした結果を以下で説明する。

 図5は第1実施形態に係る起動時の入出力 形のシミュレーション結果を示す図であり 最上段のグラフは三相電圧源12からの線電流 Iin1~Iin3の波形を、第2段目のグラフは第1の交 電流Iinv1及び第2の交流電流Iinv2の波形を、 3段目のグラフは第4の相電圧Vinv1及び第5の相 電圧Vinv2の波形を、最下段のグラフはコンデ サ20で支持された直流電圧Vdcの電圧値を、 れぞれ示している。各グラフの時間軸(横軸) は起動時から所定の期間だけ遡った時刻を基 準(時刻零)として統一して示している。

 図5に示す如く線電流Iin1~Iin3は起動してか ら0.01秒後以降は全ての波形が正弦波となっ 略安定する。

 また、第1の交流電流Iinv1及び第2の交流電 流Iinv2においても従来技術のような大電流の 生がなく、起動してから0.01秒後以降は両波 形が正弦波となって略安定する。

 また、第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vin v2においては従来技術のような大電圧の発生 なく、起動直後から両波形が正弦波となっ 略安定する。

 さらに、直流電圧Vdcもまた従来技術のよ な大電圧の発生がなく、起動から0.01秒後以 降から一定の電圧(例えば、約600V)で安定する 。

 図6は本発明の復帰時の入出力波形のシミ ュレーション結果を示す図であり、瞬停が発 生した場合のシミュレーション結果を示して いる。図5と同様に、各グラフはそれぞれ、 上段のグラフが線電流Iin1~Iin3の波形を示し 第2段目のグラフが第1の交流電流Iinv1及び第2 の交流電流Iinv2の波形を示し、第3段目のグラ フが第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2の波 形を示し、最下段のグラフが直流電圧Vdcの電 圧値を示している。

 各グラフの時間軸は正常に稼働している 態での任意の時刻を基準として統一してお 、当該基準時刻から0.08秒~0.083秒の間に瞬停 が発生した場合を示している。

 図6に示す如く線電流Iin1~Iin3は瞬停してか ら0.01秒後以降は全ての波形が正弦波となっ 略安定する。また、瞬停から0.01秒が経過す までの期間においても、上述した従来技術 ような大電流の発生が抑制される。

 また、第1の交流電流Iinv1及び第2の交流電 流Iinv2においても従来技術のような大電流の 生がなく、瞬停から0.01秒後以降は両波形が 正弦波となって略安定する。

 また、第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vin v2においては従来技術のような大電圧の発生 なく、瞬停直後から両波形が正弦波となっ 略安定する。

 さらに、直流電圧Vdcもまた従来技術のよ な大電圧の発生がなく、瞬停から0.01秒後以 降から一定の電圧(例えば、約600V)で安定する 。

 図7は本発明の再起動時の入出力波形のシ ミュレーション結果を示す図であり、瞬停が 発生して直流電圧Vdc=0Vとなってから起動した 状態を示している。ここで、「再起動」とは 瞬停を含む停電によって三相電圧源12からの 圧が、復帰に掛かる期間よりも長い間印加 れず、電圧Vdcが0Vになった後に三相電源か の電圧が印加されることを指す。図5及び図6 と同様に、各グラフはそれぞれ、最上段のグ ラフが線電流Iin1~Iin3の波形を示し、第2段目 グラフが第1の交流電流Iinv1及び第2の交流電 Iinv2の波形を示し、第3段目のグラフが第4の 相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2の波形を示し 最下段のグラフが直流電圧Vdcの電圧値を示 ている。

 各グラフの時間軸は正常に稼働している 態での任意の時刻を基準として統一してお 、当該基準時刻から0.06秒~0.83秒の間に電力 給が停止し、0.83秒経過時に再起動した場合 を示している。

 図7に示す如く線電流Iin1~Iin3は再起動から 0.01秒後以降は全ての波形が正弦波となって 安定する。また、再起動から0.01秒が経過す までの期間においても、上述した従来技術 ような大電流の発生が抑制される。

 また、第1の交流電流Iinv1及び第2の交流電 流Iinv2においても従来技術のような大電流の 生がなく、再起動から0.01秒後以降は両波形 が正弦波となって略安定する。

 また、第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vin v2においては従来技術のような大電圧の発生 なく、再起動直後から両波形が正弦波とな て略安定する。

 さらに、直流電圧Vdcもまた従来技術のよ な大電圧の発生がなく、再起動から0.01秒後 以降から一定の電圧(例えば、約600V)で安定す る。

 以上のことから、第4の相電圧Vinv1及び第5 の相電圧Vinv2の位相差が90度となる構成を採 し、かつスイッチS1,S2の導通開始時点をこれ らの第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2がゼ ロクロスする時点から採用することが望まし いことが分かる。

 ただし、スイッチS1,S2の導通開始時点を ずしも第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2 ゼロクロスする時点から採用することに限 なくても、後述するように、従来の技術と 較して効果は認められる。

 〈第2実施形態〉
 〈回路構成〉
 本実施形態においては上記第1実施形態と同 じ回路構成を採用し、スイッチS1,S2の導通開 時を第4の相電圧Vinv1及び第5の相電圧Vinv2が ロクロスする時点とは無関係にスイッチン した場合の態様について図面を参照しなが 説明する。

 〈シミュレーション結果〉
 図8乃至図10は、いずれも第2実施形態に係る 入出力波形のシミュレーション結果を示す図 であり、最上段のグラフは三相電圧源12から 線電流Iin1~Iin3の波形を、第2段目のグラフは 第1の交流電流Iinv1及び第2の交流電流Iinv2の波 形を、第3段目のグラフは第4の相電圧Vinv1及 第5の相電圧Vinv2の波形を、最下段のグラフ コンデンサ20で支持された直流電圧Vdcの電圧 値を、それぞれ示している。

 図8は起動時の場合を、図9は復帰時の場 を、図10は再起動時の場合を、それぞれ示し ている。各グラフの時間軸(横軸)は起動時あ いは復帰時あるいは再起動時から所定の期 だけ遡った時刻を基準(時刻零)として統一 ている。図9においては当該基準時刻から0.00 77秒~0.0080秒の間に瞬停が発生した場合を示し ている。図10においては当該基準時刻から0.06 秒~0.08秒の間に電力供給が停止し、当該基準 刻から0.08秒経過時に再起動した場合を示し ている。

 図8乃至図10に示す如くスイッチングの制 を行わずに起動、復帰、再起動した場合で っても、上記構成を備えていることにより 流電圧Vdcにおいて大電圧の発生を抑制でき 。また電流の変動も従来と比較して小さく っていることがわかる。

 以上、本発明は詳細に説明されたが、上 した説明はすべての局面において例示であ て、本発明がこれに限定されるものではな 。例示されていない無数の変形例が、本発 の範囲から外れることなく想定され得るも と解される。