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Title:
TRANSISTOR PIN GEOMETRIES THAT ARE SUITABLE FOR CONTACTING
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2003/039223
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a transistor that is comprised of a housing and of contact elements led out from said housing to establish an electrical connection with a printed circuit, with a conductor rail or the like. The transistor has contact elements (3) that are disposed side by side, aligned in parallel and provided with a grid spacing (4). Said contact elements (3) themselves form different contact element planes (5). In order to make it possible to mount transistors of the above-mentioned type to conductor rails (6), the grid spacing (4) is enlarged by bending individual contact elements (3) in the contact element plane (5) depending on the size of the new grid spacing (7). In this manner, it is possible to dispose conductor rails (6) directly on the free ends, said rails being welded or soldered with the contact elements (3) in a welding area (S).

Inventors:
WEISS GUENTHER (DE)
NUEBEL KARL-HEINZ (DE)
Application Number:
PCT/DE2002/003962
Publication Date:
May 08, 2003
Filing Date:
October 21, 2002
Export Citation:
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Assignee:
BOSCH GMBH ROBERT (DE)
WEISS GUENTHER (DE)
NUEBEL KARL-HEINZ (DE)
International Classes:
H05K3/30; (IPC1-7): H05K13/00; H05K3/30
Foreign References:
DE7527551U1976-02-26
DE2806683A11979-08-30
US5240422A1993-08-31
US4739125A1988-04-19
Other References:
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1996, no. 09 30 September 1996 (1996-09-30)
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 225 (E - 1541) 22 April 1994 (1994-04-22)
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Claims:
A N S P R Ü C H E
1. Transistor, bestehend aus einem Gehäuse und aus dem Gehäuse heraus führenden Kontaktelementen (3) zur Herstellung elektrischer Verbindun gen mit einer Leiterplatte, Stromschiene oder der gleichen, wobei die Kontaktelemente (3) nebeneinander parallel angeordnet sind und ein Ra stermass (4) in einer Kontal : telementebene (5) bilden, dadurch gekenn zeichnet, dass das Rastermass (4), das die Kontaktelemente (3) bilden, vergrössert wird, indem die Kontaktelemente (3) wahlweise einzeln oder einer Kontaktelementebene (5) zugehörig auf ein grösseres Mass (7) ge bogen werden, derart, dass eine Stromschiene (6) aufschiebbar, an schweissbar, bzw. verlötbar ist.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strom schienen (6) verbreitet ausgebildet sind, die an den freien Enden der Kontaktelemente (3) aufschiebbar sind.
3. Transistor nach Anspruch l oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromschienen (6) schuhartig ausgebildet sind.
Description:
Kontaktiergerechte Geometrien für Transistorpins Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, bestehend aus einem Ge- häuse und aus dem Gehäuse herausführenden Kontaktelementen zur Herstel- lung von elektrischen Verbindungen mit einer Leiterplatte, Stromschiene oder der gleichen, wobei die Kontaktelemente nebeneinander parallel ange- ordnet sind und so ein Rastermass bzw. jeweils eine Kontaktebene bilden.

Stand der Technik Kontaktelemente von Transistoren, die an sich ein Kunststoffgehäuse um- fassen, weisen zwischen den einzelnen Kontaktelementen sehr kleine Ab- stände auf. Transistoren der vorstehenden Art werden in Leiterplatinen bzw. in Leiterplatten vorgesehene Bohrungen eingesteckt und auf der Rück- seite der Leiterplatte verlötet, wobei die Bohrungen in der Leiterplatte dem Rastermass der Kontaktelemente entsprechen.

Dies ermöglicht bei der Montage, dass der Transistor mit seinen Kontakte- lementen gleichzeitig in alle Bohrungen in der LeiterDlstte eingeführt werden kann und auf der Rückseite die Leiterplatte entweder von Hand, maschinell oder in einem Lötbad fixiert bzw. verlöte-c werden kann.

Nachteile des Stands der Aus baulichen Gründen, beispielsweise bei der Anwendung von Transistoren bei Zündspulen, werden Transistoren auf sogenannte Stromschienen gelötet oder geschweisst. Stromschienen sind Elemente, die über die einzelnen Kontaktelemente der Transistoren geschoben bzw. Parallel dazu angeordnet werden, wobei eine Fixierung entweder mittels einer Vercrimpung, einer Verlötung, oder einer Verschweissung erfolgt.

Insbesondere ergibt sich der Nachteil bei Schweiss-und Lötvorgängen, dass zwischen den einzelnen Kontaktelementen auf Grund von Lot-oder Schweissbrücken Kontakte zu den nebeneinander angeordneten Kontaktelemen- ten entsteht, was zu technischen Schwierigkeiten, beispielsweise Kurz- schlüssen, führt.

Aufgabe der Erfindung Aufgabe der Erfindung ist es, eine kostengünstige Lösung zu schaffen, mittels der Transistoren, die ein sehr geringes Rastermass aufweisen, auf Stromschienen auf einfache Art und Weise kontaktsicher verschweisst bzw. verlötet werden können.

Lösung der Aufgabe Die Lösung der Aufgabe besteht darin, dass das Rastermass, das die Kon- taktelemente bilden, vergrcssert wird, indem die Kontaktelemente wahlwei- se einzeln oder einer Kontaktelementeben. e zugehörig auf ein grösseres Mass gebogen werden, derart, dass eine Stromschiene aufschiebbar, an- schweissbar, bzw. verlötbar ist.

Vorteile der Erfindung Der wesentliche Vorteil der Erfindung ist darin zu sehn, dass auf sehr einfache Art und Weise das Rastermass von Transistoren vergrössert wird, indem durch Erweiterung des Rastermasses ein ausreichender Abstand zwi- schen den'einzelnen Kontaktelementen geschaffen wird, so dass Stromschie- nen oder auch verbreiterte Stromschienen unmittelbar an den freien Enden

der Kontaktelemente benachbart angeordnet sind und dort entsprechend ver- schweissbar oder verlötbar sind.

Dabei kann die Erweiterung des F ; astermasses unabhängig von der Anzahl der einzelnen Kontaktelemente erfolgen, so dass auf sehr einfache Art und Weise und flexibel in Abhängigkeit von. den entsprechenden Anwendungsge- bieten Transistoren der vorstehenden Art geschaffen werden können.

Insbesondere besteht nun die Möglichkeit, verbreiterte Stromschienen auf die freien Enden der Kontaktelemente aufzusetzen, die ein einfacheres Kontaktieren der Transistoren ermöglichen. Dabei werden die Stromschienen auf die freien Enden aufgesetzt bzw. Unmittelbar daneben angeordnet und dort entsprechend mittels Lot-oder Schweissverfahren oder auch einem Crimp-Verfahren fixiert.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen gehen aus den nachfolgenden Be- schreibung, den Ansprüchen, sowie den Zeichnungen hervor.

Zeichnungen Es zeigt Fig. 1 eine Seitenansicht auf einen Transistor mit einem erweiterten Rastermass ; Fig. 2 eine rückwärtige Ansicht auf den Transistor gemäss Fig. 1.

Beschreibung eines Ausrührungsbeispiels In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eines Transistors mit einem erweiterten Rastermass dargestellt.

Der Transistor 1 besteht aus einem Gehäuse 2 und aus dem Gehäuse 2 her- ausführenden Kontaktelementen 3. Die Kontaktelemente 3 bilden in ihrer ursprünglichen Form ein Pastermass h und sind in einer Kontakte- lementebene 5 angeordnet, die parallel zur Zeichendarstellung gemäss Fig.

1 ausgerichtet ist.

Das Rastermass 4 wird auf ein grösseres Rastermass 7 am Punkt der Koniaktierung erweitert, in dem ein oder mehrere Kontaktelemente 3 in der

Kontaktelementebene 5 gebogen werden. Dadurch kommen die Schweiss-bzw.

Lötpunkte 8 der Stromschienen 6 und der Kontaktelemente 3 zur Deckung uns können in einem weiteren Arbeitsschritt dort verschweisst bzw. verlötet werden (siehe Fig. 2).