パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物

Japanese Patent JPWO2008015969

A1

電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。

WO/2002/041081	METHOD FOR FORMING PATTERN AND TREATING AGENT FOR USE THEREIN
JP2675138	[Title of the Invention] A method for producing a positive and negatively treated radiation mixture and a relief pattern.
JPH05100440	SILYLATION METHOD

Hikaru Sugita
Shinji Matsumura
Daisuke Shimizu
Toshiyuki Kai
Tsutomu Shimokawa

JP2008527723A

December 24, 2009

July 27, 2007

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JSR CORPORATION

G03F7/38; C08F212/04; C08F232/08; C08G77/04; G03F7/038; G03F7/075; H01L21/027

Ippei Watanabe
Koji Kikawa
Chongqing Sugano

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