次に、実施例及び比較例をあげて、本発� ��の半導体ウェーハ外周端部の研削方法を具� ��的に説明する。研削装置は、図4に示す装置 を使用した。

 本発明の実施例に使用した半導体ウェー� ��外周端部研削装置の詳細を図4に示す。

 図4に示すように、第1の実施形態である� �導体ウェーハ外周端部研磨装置は、主とし� �、ステージ24に設けられた、半導体ウェーハ 11の裏面(研削面)を上面にして水平状態に載� �する半導体ウェーハ保持台23と、この半導体 ウェーハ11を回転させるためにモータ32に連� �された半導体ウェーハ装着回転機構部21と、 半導体ウェーハ外周端部を研削するための研 削ヘッド40とを備えたものである。

 半導体ウェーハ保持台23は、円盤状の半� �体ウェーハ11を水平方向に載置して保持する ポーラスな皿形状のものである。半導体ウェ ーハ保持台23に載置された半導体ウェーハ11� �、半導体ウェーハ保持台23に連結した吸引管 28による吸引によって半導体ウェーハ保持台2 3に保持されている。吸引管28は外部に配置さ れた吸引ポンプ(図示せず)に連通している。

 なお、半導体ウェーハの保持台23上での� �置調整は、半導体ウェーハ11の外周を外径セ ンサー(レーザー式 透過量検出センサー)で� �出して 回転中心を調整可能としてある。

 半導体ウェーハ11の表面に対して、研削� �ッド40は略垂直に配置され、研削テープが半 導体ウェーハ11の上面側に対し、研削ヘッド4 0の上部を鉛直方向から10度以内に前傾した傾 斜状態で押し当てられるようになっている。 すなわち研削ヘッド40の上部を半導体ウェー� ��11側に向けた傾斜をさせる場合、その傾斜� �10°以内とすることが好ましい。傾斜を10度� �内にして外周端部を研削すると、その後裏� �研削をしたときに半導体ウェーハ外周端部� �鈍角及び鈍角近くになるので、端部の欠け� �発生し難くなるからである。研削ヘッド40の 上部を後傾に傾斜させたときも同様である。

 半導体ウェーハは、図3(a)に示すように、 半導体ウェーハ11の表面(半導体装置形成面)� �保護シート12で覆ったものを使用した。

 半導体ウェーハ装着回転機構部21は、回� �できる半導体ウェーハ保持台23と、これを回 転するためのモータ32が配置されている。半� ��体ウェーハ保持台23は、半導体ウェーハ11を 吸引保持するための真空チャック22を具備し� ��いる。研削加工するための半導体ウェーハ1 1を半導体ウェーハ保持台23に載置した後、吸 引管28を通して吸引して半導体ウェーハ11を� �着保持する。半導体ウェーハ保持台23は、回 転軸27を通して、ステージ24に固定されたベ� �リングホルダ25によって回転自由になってい る。また、半導体ウェーハ11の吸着を行うた� ��に、半導体ウェーハ装着回転機構部21は、� �転軸27の中に吸引管28を通し、さらにロータ� ��ジョイントで外部の吸引ポンプに連通して� ��る。半導体ウェーハ11の回転は、半導体ウ� �ーハ保持台23の回転軸27に固定されたベルト� ��ーリ26aとモータ32のモータシャフト33に固定 されたベルトプーリ26bとをベルト34で連結し� ��行われる。モータ32はモータ保持シャフト31 によりステージ24に固定されている。

 一方、研削ヘッド40は、プレート41からな る箱体である。研削テープ20は、このプレー� ��41に内装されている。研削ヘッド40は、送り 出しリール42に巻かれている研削テープ20が� �助ローラ45aと下側ローラ44a、上側ローラ44b� �通り、補助ローラ45bを通って、巻き取りリ� �ル43に巻き取られる構造となっている。この 研削テープ20の径路途中である下側ローラ44a� ��上側ローラ44との間で、研削テープ20が半導 体ウェーハ11の外周端部に押し当てガイド46� �よって押し当てられて、研削加工がなされ� �。ここで、下側ローラ44aと上側ローラ44bは� �研削テープ20を半導体ウェーハ11上面側に向� ��て、鉛直方向から10度以内の傾斜角度にな� �ように合わせてスムーズに送り込むように� �てある。なお研削ヘッド40の傾斜は、研削ヘ ッド40の上部が前傾斜する場合と後傾斜する� ��合の双方があり、半導体ウェーハ11の外周� �部の最先端位置に応じて適宜選択して研削� �る。なおいずれの傾斜も上記した理由から10 度以内の傾斜にする。

 なお、研削テープ20の走行系において、� �ープテンション調整ローラ、補助ローラを� �宜追加することができる。

 研削テープ20の押し当ては、押し当てガ� �ド46の先端にあるパッド47によって行われ、� ��し当てガイド46を通して圧力調整シリンダ48 に接続され、押し当て圧力が調整されるよう になっている。

 上記押し当てガイド46の押し当て圧力の� �整は、例えば図5の装置構成によるものによ� ��て行われる。エアー挿入管62に送られたエ� �ーをレギュレータ61によって所定の圧力に調 整し、圧力調整シリンダ48(エアーシリンダ)� �よって押し当てガイド46が移動する。押し当 てガイド46の先端には研削テープ20の裏面を� �すためのパッド47取り付けられ、研削テープ 20と共にウェーハ外周端部に押し当てて研削� ��行われる。

 なお、パッド47に使用される材質は、shore-A� ��度で20~50°の弾性体を使用するのが好ましい 。なお、走行する研削テープ裏面に対して、 摩擦抵抗の小さい材質、例えば、フッ素系樹 脂{ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テト� �フルオロエチレン・パーフルオロアルキル� �ニルエーテル共重合体(PFA)等}が好ましい。
さらに、パッド47の先端面(研削テープ接触面 )63に潤滑剤をコーティング又は塗布しておく ことも可能である。このようにすれば、押し 圧接触部の振動緩和およびテープ走行をスム ーズできるため半導体ウェーハにチッピング や欠けの発生を防止することになる。

 このような構成からなる半導体ウェーハ� ��周端部の研磨装置は、半導体ウェーハ保持� ��23に配置された半導体ウェーハ11を所定速度 で回転し、これに研磨ヘッド40に配置された� ��削テープ20を半導体ウェーハ11の上面側に対 し、研削ヘッドの上部を半導体ウェーハ11に� ��けた傾きを、鉛直方向から10度以内の角度� �傾斜させ研削面を形成する。なお、研削テ� �プ20は、所定の速度で送りながら加工を行う 。

 また図7及び図8に示す押し当て位置調整� �構を更に設けることで、半導体ウェーハ11の 外周端部に対する研削テープ20の押し当て位� ��の調整を行うことができる。以下に押し当� ��位置調整機構の概要とその動作を図7及び図 8を参照して説明する。

 図7は押し当て位置調整機構の概略正面図 、図8は位置調整機構の概略側面図であり、(a )は半導体ウェーハ外周端部への押し当て前� �状態、(b)は押し当てた状態を示した図であ� �。

 図7及び図8に示すように、押し当て位置� �整機構69は、押し当てガイド46を回動させる� ��スイング機能を有するものであり、研削ヘ� ��ド40のの内部に設けられる。押し当て位置� �整機構69は、先端にパッド47を装着した押し� ��てガイド46を2枚の板状部材71a、71bで挟持し� ��なる回動アーム70と、板状部材71a、71bに貫� �して連結されたシャフト72と、シャフト72に� ��結して回動アーム70を回動させるトルクを� �生するモータ74と、シャフト72とモータ74の� �に設けられたギヤヘッド73と、を有してなる ものである。

 回動アーム70の板状部材71a、71bは、さら� �下側ローラ44a、上側ローラ44b及び補助ロー� �45aを回動可能に挟持している。板状部材71a� �71bを貫設しているシャフト72は、円柱状の棒 状部材であり、ギヤヘッド73を介してモータ7 4に連結している。モータ74の駆動によりシャ フト72が回動すると、回動アーム70は、シャ� �ト72を中心に回動することになる。

 ギヤヘッド73はモータ74の回転数を変えて トルクを制御するものであり、回動アーム70� ��回動位置、すなわちスイング位置を制御す� ��。モータ74は例えばステッピングモータ、� �ーボモータが使用される。

 押し当てガイド46は、パッド47により押し 当てられる研削テープ20が半導体ウェーハ11� �外周端部を押し当てて研削できる回動アー� �70の所定位置に置かれ、板状部材71a、71bによ って挟持される。なお押し当てガイド46をス� ��イドさせる圧力調整シリンダ48は、押し当� �ガイド46の背面に設けられている。

 図7(a)に示すように、半導体ウェーハ保持 台(図示せず)に載置された半導体ウェーハ11� �外周端部に対向した位置に、押し当てガイ� �46及び押し当てガイドにより押し当てられる 研削テープ20が配置される。

 次に図7(b)に示すように、モータ74を駆動� ��せ、さらにギヤヘッドによりトルクを制御� ��、シャフト72を回動させる。シャフト72の回 動は、回動アーム70をシャフト72を中心にし� �回動させることになり、押し当てガイド46に より押し当てられている研削テープ20が、所� ��角度の接触により半導体ウェーハ11の外周� �部に押し当てられて、研削を行うことにな� �。

 このように、押し当て位置調整機構69に� �り半導体ウェーハ11の外周端部の研削対象位 置を調整することができるので、研削テープ 20の押し当て位置の角度調整、押し当て圧力� ��加減により研削精度を向上させることがで� ��る。

 以下に本発明の加工方法を実施例によって� ��明する。実施例及び比較例において使用し� ��研削方法と加工条件は以下の通りである。
(実施例1)
 半導体装置が形成された8インチの半導体ウ ェーハ表面に、ほぼ8インチの保護シート(例� ��ば、リンテック社製 半導体表面保護用粘� �テープ 熱硬化型 形式P7180)を貼り付け、保� ��シート側を下にして研削装置の保持テーブ� ��に位置調整を行った後、吸着配置した。

 研削テープ20は、PETフィルムの表面にバ� �ンダー樹脂として エポキシ樹脂 を塗布し� ��#600のカーボランダム(SiC)砥粒を静電散布法� ��よって散布し加熱硬化して付着されたもの� ��用いた。これを研磨ヘッド40に装着して加� �に供した。押し圧パッドとしては、shore-A硬� ��が30°のシリコンスポンジ、潤滑材として表 面に テフロン(登録商標)を貼り付けたもの� �使用した。

 加工条件を以下に示す。
            ウェーハ回転速度:1000rpm
           研削テープ送り速度:100mm/min
             パッドの加圧力:10N
             研削液量(純水):500ml/min
 上記条件で半導体ウェーハ外周端部を保護� ��ートと共に研削した。

 (実施例2)
 研削テープとして、#1000の静電塗布テープ� �使用した。その他の条件は、実施例1と同様� ��して加工を行った。

 (実施例3)
 研削テープとして、#2000の静電塗布テープ� �使用した。その他の条件は、実施例1と同様� ��して加工を行った。

 (比較例1)
 研削テープとして、PET基材フィルムの表面� ��#320のカーボランダム(炭化珪素)とバインダ� ��樹脂(ポリエステル)とを混合し、リバース� �ールコータで塗布、乾燥したテープを使用� �た。その他の条件は、実施例1と同様にして� ��工を行った。
(比較例2)
 研削テープとして、PET基材フィルムの表面� ��#600のカーボランダム(炭化珪素)とバインダ� ��樹脂(ポリエステル)とを混合し、リバース� �ールコータで塗布、乾燥したテープを使用� �た。その他の条件は、実施例1と同様にして� ��工をおこなった。
(比較例3)
 研削テープの変わりに、研削砥石を使用し� ��。研削砥石として、#1200のダイヤモンド砥� �を 樹脂結合した ダイヤモンドホイール � �用いた。

 加工装置としては、東京精密社製のウェ� ��ハエッジグラインディング装置 形式:W-GM-42 00を使用した。

 加工条件を以下に示す。
       ウェーハ回転速度  : 200rpm
       砥石回転数     : 5000rpm
       切り込み深さ    : 50μm/min(φ100μ m/min)
       研削液量      : 3L/min

 <評価方法>
加工速度は、単位研削時間におけるウェーハ の直径の変化を
直径寸法測定をMITUTOYO社製 デジタルノギス  CD-45Cで測定した。
チッピング観察及び計測を HIROX社製 KP-2700/M X-1060Zで実施した。

 研削面形状評価を、雄飛電子社製 EPRO212- ENで測定、評価した。

 <評価結果>
以下に上記加工方法による評価結果を表1に� �す。

(評価結果の説明)
 加工した半導体ウェーハについて、加工速� ��、チッピング深さ、目詰まり状況について� ��価した結果、以下の結果をえた。

 実施例1の方法においては、加工速度は従 来の ダイヤモンドホイール研削 以上の加� �速度が得られ、チッピング深さは7~5μmと良� �であり、テープ目詰りは観察されなかった� �

 また、実施例2及び3においては、加工速度� �若干低下したが、チッピング深さは
3~5μm、3μm以下であり、テープの目詰まりも� �察されなかった。

 一方、比較例1及び2に用いた塗布型テー� �では、加工速度が低く、逆にチッピング深� �が大きく増加していた。これはテープの目� �まりにより研削性が悪くなっているためと� �えられる。

 また、比較例3に用いた ダイヤモンドホ� ��ール研削 では、最初は研削性が良いが、� �第に目詰まりが起こり、それに伴ってチッ� �ングも増加した。

 以上、半導体ウェーハの外周端部の研削� ��法について述べたが、円盤状の結晶材料(例 えば、炭化珪素、サファイヤ、窒素化ガリウ ムなど)の外周端部研削にも適用できる。