Title:
炭化珪素半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2011010608
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は以下の工程を備えている。(ａ)ドリフト層(20)上にチャネル領域に対応する領域がマスク領域となり、ソース領域に対応する領域が第１の開口部となった第１のイオン注入マスク(4)と、第１のイオン注入マスクの外縁に接して設けられ、ベース領域を形成するための第２のイオン注入マスク(5)とをそれぞれフォトリソグラフィで形成することで、第３のイオン注入マスク(6)を構成する工程と、(ｂ)第３のイオン注入マスクを用いて第１の開口部から第１導電型の不純物をイオンビームにより注入して、炭化珪素ドリフト層の上層部にソース領域(40)を形成する工程と、(ｃ)ソース領域の形成後、第１のイオン注入マスクを除去する工程と、(ｄ)第１のイオン注入マスクが除去された後の第２のイオン注入マスクに形成される第２の開口部から、第２導電型の不純物をイオンビームにより注入して、ドリフト層の上層部にソース領域よりも深いベース領域(30)を形成する工程。
Inventors:
Hiroshi Watanabe
Shigehisa Miura
Shigehisa Miura
Application Number:
JP2011523625A
Publication Date:
December 27, 2012
Filing Date:
July 16, 2010
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L21/336; H01L29/12; H01L29/78
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita