以下、本発明の実施形態を図面に基づい� ��説明する。

 図1は発明の第1実施形態における電子部� �試験装置を示す平面図、図2は図1のII-II線に� ��った概略断面図、図3は本発明の第1実施形� �におけるコンタクトアームを示す概略断面� �、図4は本発明の第1実施形態におけるテスト ヘッド、テスタ及び移動装置の接続関係を示 すブロック図である。

 本発明の第1実施形態における電子部品試 験装置は、図1及び図2に示すように、ハンド� ��100、テストヘッド10及びテスタ20を備えてお り、テストヘッド10とテスタ20とはケーブル30 を介して接続されている。そして、ハンドラ 100が、ICデバイスをテストヘッド10のソケッ� �11に押し当て、テストヘッド10及びケーブル3 0を介してテスタ20がICデバイスのテストを実� ��し、その後、テストを終了したICデバイス� �、ハンドラ100がテスト結果に従って分類す� �。

 ハンドラ100は、各種トレイ111~113、搬送装 置120、ヒートプレート130、バッファ140及び移 動装置150を備えている。また、ハンドラ100の 装置基盤101には開口102が形成されている。図 2に示すように、この開口102を介して、テス� �ヘッド10のソケット11がハンドラ100内に臨ん� ��おり、ICデバイスをソケット11に押し当てる ことが可能となっている。

 搬送装置120は、X軸方向に沿って装置基盤 101上に架設された固定レール121と、固定レー ル121上にX軸方向に沿って移動可能に設けら� �た可動レール122と、ボールネジ機構を介し� �可動レール122をX軸方向に沿って移動させる� ��1のモータ123と、可動レール122にY軸方向に� �って移動可能に支持された可動ヘッド124と� �ボールネジ機構を介して可動ヘッド124をY軸� ��向に沿って移動させる第2のモータ125と、可 動ヘッド123の下部に装着された2つの吸着ヘ� �ド126と、を備えている。各吸着ヘッド126は� �特に図示しないZ軸方向アクチュエータによ� ��てZ軸方向(すなわち上下方向)に沿ってそれ� ��れ移動可能となっている。

 この搬送装置120は、試験前のICデバイス� �収容されている供給トレイ112と、試験済み� �ICデバイスが試験結果に応じて分類されて収 容されている分類トレイ113と、ICデバイスを� ��容していない空トレイ111と、ヒートプレー� ��130と、2つのバッファ部140と、を包含する動 作領域を有している。

 この搬送装置120は、試験前の2個のICデバ� ��スを供給トレイ112からヒートプレート130に� ��若しくは、ヒートプレート130からバッファ� ��140に同時に搬送し、又、試験済みの2個のIC� ��バイスをバッファ部140から分類トレイ113に� ��時に搬送することが可能となっている。な� ��、本発明においては、搬送装置120が同時に� ��送するICデバイスの数は、任意に設定する� �とができ、例えば、4個、8個、16個或いは32� �のICデバイスを同時に搬送するようにしても よい。

 ヒートプレート130は、例えば、ICデバイ� �を落とし込むための複数の凹部131が上面に� �成された金属プレートである。特に図示し� �いが、ヒートプレート130の下側には、ヒー� �プレート130を介してICデバイスを加熱するた めのヒータが設けられている。ヒートプレー ト130の各凹部131には、搬送装置120により供給 トレイ112からICデバイスがそれぞれ運ばれる� ��ヒートプレート130により所定の温度にICデ� �イスが加熱されると、搬送装置120により一� �の(例えば図1において上側の)バッファ部140� �当該ICデバイスが搬送される。

 2つのバッファ部140は、装置基盤101上に設 けられたレール141及び図示しないアクチュエ ータによって、搬送装置120の動作領域と移動 装置150の動作領域との間を往復移動すること が可能となっている。例えば、図1において� �側に位置するバッファ部140は、搬送装置120� �より供給トレイ112から直接搬送され、或い� �、ヒートプレート130から搬送されてきたICデ バイスを移動装置150の動作領域へ移送する作 業を行う。一方、同図において下側のバッフ ァ部140は、テストヘッド10でテストの終了し� ��ICデバイスを移動装置150の動作領域から搬� �装置120の動作領域へと払い出す作業を行う� �

 移動装置150は、X軸方向に沿って装置基盤 101上に架設された固定レール151と、固定レー ル151上にX軸方向に沿って移動可能に設けら� �た可動レール152と、ボールネジ機構を介し� �可動レール152をX軸方向に沿って移動させる� ��1のモータ153と、可動レール152にY軸方向に� �って移動可能に支持された可動ヘッド154と� �ボールネジ機構を介して可動ヘッド154をY軸� ��向に沿って移動させる第2のモータ155と、可 動ヘッド154の下部に装着され、ICデバイスを� ��着保持することが可能な2つのコンタクトア ーム160と、ボールネジ機構を介してコンタク トアーム160をそれぞれZ軸方向に沿って移動� �せる第3のモータ156(図4参照)と、を備えてい� ��。なお、移動装置150が、Z軸を中心として各 コンタクトアーム160を回転させる回転機構を 備えていてもよい。

 この移動装置150は、2つのバッファ部140と テストヘッド10を包含する動作領域を有して� ��る。そして、図1において上側のバッファ部 140から2個のICデバイスを同時に吸着保持し、 テストヘッド10のソケット11まで搬送してソ� �ット11に同時に押し付けた後、同図において 下側のバッファ部140に当該ICデバイスを搬送� ��る。なお、本発明においては、移動装置150� ��装着されるコンタクトアーム160の数は、テ� ��トヘッド10のソケット11の数に応じて、任意 に設定することができる。

 各コンタクトアーム160は、図3に示すよう に、テスト時にICデバイスをソケット11に押� �付けるプッシャ161を下部に有している。プ� �シャ161の下面の略中央には、ICデバイスを吸 着保持するための吸着パッド162が設けられて いる。この吸着パッド162は、コンタクトアー ム160内に設けられた配管163を介して、図外の 負圧源に接続されている。

 このプッシャ161には、例えば電気ヒータ� ��から構成される加熱器164が設けられており� ��プッシャ161を加熱することが可能となって� ��る。また、プッシャ161内には、冷却器を構� ��するウォータジャケット165が形成されてい� ��。このウォータジャケット165は、図外のチ� ��ーに接続されており、冷媒が内部を流通す� ��ことで、プッシャ161を冷却することが可能� ��なっている。

 また、プッシャ161には、当該プッシャ161� ��温度を測定するための温度センサ166が設け� ��れている。この温度センサ166の測定結果に� ��づいて、加熱器164及び冷却器の動作制御を� ��うことで、ICデバイスを所定温度に維持す� �ことが可能となっている。

 さらに、移動装置150は、図4に示すように、 第1~第3のモータ153,155,156を制御する制御装置1 57を備えている。この制御装置157は、第1~第3� ��モータ153,155,156を制御することで、コンタ� �トアーム160をX-Y-Z軸方向に沿って移動させる 。この制御装置157は、図4に示すように、テ� �タ20に電気的に接続されており、テスタ20に� ��り実行されたコンタクトテストにおける電� ��値及び電圧値を取得して接触抵抗値Rを算出 すると共に、その接触抵抗値Rを所定値r ₀ と比較することが可能となっている。

 図5は本発明の第1実施形態におけるICデバ イスの試験方法を示すフローチャート、図6� �本発明の第1実施形態においてコンタクトア� ��ムを微少往復移動させている状態を示す側� ��図、図7は本発明の第1実施形態におけるコ� �タクトアームの他の例を示す概略側面図、� �8は本発明の第2実施形態におけるソケットを 示す概略断面図、図9は本発明の第2実施形態� ��おけるソケットの他の例を示す概略断面図� ��図10は図7~図9に示す例におけるテストヘッ� �、テスタ、判断装置及び振動発生装置の接� �関係を示すブロック図である。

 以下に、本発明の第1実施形態におけるIC� ��バイスの試験方法について、図5を参照しな がら説明する。

 例えば図1の上側のバッファ部140からコン タクトアーム160が吸着パッド162によりICデバ� ��スを吸着保持すると、図3に示すように、移 動装置150がそのコンタクトアーム160をテスト ヘッド10のソケット11の上方に移動させる。� �いで、移動装置160がコンタクトアーム160を� �降させて、図6に示すように、ICデバイスを� �ケット11に押し付けて、ICデバイスの各半田� ��ールHBをソケット11のコンタクトピン12にそ� ��ぞれ電気的に接触させる(図5のステップS100) 。

 半田ボールHBをコンタクトピン12に接触さ せた状態で、制御装置157が、第2のモータ155� �一方向に微少回転駆動させた後に他方向に� �少回転駆動させて元の接触位置に戻るよう� �制御する(ステップS110)。

 この制御により、図6に示すように、それ ぞれのコンタクトアーム160がY軸方向に沿っ� �微少幅を一往復移動し、それぞれの半田ボ� �ルHBがコンタクトピン12に対して微少移動す� ��。これにより、半田ボールHBの表面をコン� �クトピン12が抉り、コンタクトピン12が酸化� ��膜を突き破って、半田ボールHBに喰い込む� �コンタクトアーム160による往復移動動作の� �幅は、本発明において特に限定されないが� �例えば、半田ボールHBの直径に対して1%~20%程 度であることが好ましい。

 なお、コンタクトアームを回転させる回� ��機構を移動装置150が備えている場合には、� ��記のステップS110において、制御装置157が、 Z軸を中心として回転機構を一方向に微少回� �させた後に他方向に回転させて元の接触位� �に戻るように制御する。また、それぞれの� �ンタクトアーム160が、第3のモータ156を制御� ��ることで、Z軸方向に沿って微少移動しても よい。本発明においては、コンタクトアーム 160の微少移動の方向、及び、微少回転の中心 軸の方向は、特定の方向に限定されない。

 また、半田ボールHB上の酸化被膜を確実� �突き破るために、上記のステップS110におい� ��、コンタクトアーム160を複数回往復移動/回 転(すなわち振動)させてもよい。本発明にお� ��ては特に限定されないが、この場合には、0 .1~100Hz程度の周波数(0.01~10sec程度の周期)で往� ��移動/回転を繰り返すことが好ましい。

 なお、図7に示すように、コンタクトアー ム160のプッシャ161に振動発生装置170を装着し てもよい。この振動発生装置170は、例えば電 動モータ等から構成されており、半田ボール HBとコンタクトピン12との接触方向に対して� �質的に直行する平面PLに沿って、例えば0.1~10 0Hz程度の低周波振動を発生することが可能と なっている。

 また、図8に示すように、テストヘッド10� ��装着されたソケット11において、コンタク� �ピン12を保持しているハウジング11aに振動発 生装置170を取り付けてもよい。この場合には 、振動発生装置170により発生した振動は、ソ ケット11のハウジング11aを介してコンタクト� ��ン12に伝達し、コンタクトピン12がICデバイ� ��の半田ボールHBに対して往復移動する。な� �、振動発生装置170の取付位置は、ハウジン� �11aの側面に限定されず、例えばハウジング11 aに埋め込んでもよい。

 さらに、図9に示すように、コンタクトピ ン12の根元に振動発生装置170を取り付けても� ��い。この場合には、振動発生装置170により� ��生した振動は、コンタクトピン12に直接伝� �し、コンタクトピン12がICデバイスの半田ボ� ��ルHBに対して往復移動する。

 なお、本発明においては、振動印加手段� ��より印加する振動の方向は、図7~図9に示さ� ��ているものに特に限定されず、例えば、鉛� ��方向に振動を印加してもよい。また、振動� ��加手段により印加される振動の周波数も特� ��の周波数に限定されない。

 図5に戻り、半田ボールHBとコンタクトピ� ��12とが接触した状態で、テスタ20は、テスト ヘッド10及びソケット11を介してICデバイスの コンタクト試験を実行し、このコンタクト試 験における電流値及び電圧値を移動装置150の 制御装置157に送出する。制御装置157は、コン タクト試験における電流値及び電圧値から、 半田ボールHBとコンタクトピン12との間の接� �抵抗値Rを算出する(ステップS120)。

 次いで、制御装置157は、算出された接触抵� ��値Rを所定値r ₀ と比較し、接触抵抗値Rが所定値r ₀ 以下である場合(R≦r ₀ )には、コンタクトピン12が酸化被膜を突き破 っていると判断して、DCテスト、機能テスト� ��ACテスト、スキャンテスト及び電源テスト� �いった一連のテストを実行する(ステップS140 )。

 一方、接触抵抗値Rが所定値r ₀ よりも大きい場合(R>r ₀ )には、コンタクトピン12により酸化被膜が突 き破られるまで、コンタクトアーム160の振動 動作を繰り返す(ステップS130にてNo)。

 因みに、図7~図9に示す例の場合には、図10� �示すように、電子部品試験装置は、コンピ� �ータ等から構成される判断装置180を備えて� �る。そして、この判断装置180は、テスタ20か ら送出された電流値及び電圧値に基づいて接 触抵抗値Rを算出して所定値r ₀ との比較を行い、その結果に基づいて振動発 生装置170の制御を行うようになっている。

 以上のように、本実施形態では、ICデバ� �スをソケット11に押し付けた状態で、ICデバ� ��スの半田ボールHBをソケット11のコンタクト ピン12に対して微少移動又は微少回転させる� ��これにより、半田ボールHBの表面に形成さ� �た酸化被膜を、コンタクト端子が突き破っ� �喰い込み、半田ボールHBとコンタクトピン12� ��の間の接触抵抗を低くすることができるの� ��、精度の良い試験を実行することができる� ��

 なお、以上説明した実施形態は、本発明� ��理解を容易にするために記載されたもので� ��って、本発明を限定するために記載された� ��のではない。したがって、上記の実施形態� ��開示された各要素は、本発明の技術的範囲� ��属する全ての設計変更や均等物をも含む趣� ��である。

 上述の実施形態では、ICデバイスを直接� �持してソケットに押し付けるタイプのハン� �ラに本発明を適用した例について説明した� �、本発明においては特にこれに限定されな� �。例えば、ハンドラ内を循環するテストト� �イにICデバイスを収容した状態で当該ICデバ� ��スをソケットに押し付けるタイプのハンド� ��において、プッシャに振動発生装置を取り� ��けるようにしてもよい。

 また、上述の実施形態では、最終工程を� ��たICデバイスを対象としたハンドラに本発� �を適用する例について説明したが、本発明� �おいては特にこれに限定されない。例えば� �半導体ウェハに造り込まれた(前段階の)ICデ� ��イスを対象としたプローバに本発明を適用� ��てもよい。