以下、本発明に係る一実施形態を、図1から 図14を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子1は、図1から図4に� ��すように、ベース基板2とリッド基板3とで2� ��に積層された箱状に形成されており、内部� ��キャビティC内に圧電振動片4が収容された� �面実装型の圧電振動子1である。
 なお、図4においては、図面を見易くするた めに後述する励振電極15、引き出し電極19、20 、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示 を省略している。

 圧電振動片4は、図5から図7に示すように、� ��晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウ� ��等の圧電材料から形成された音叉型の振動� ��であり、所定の電圧が印加されたときに振� ��するものである。
 この圧電振動片4は、平行に配置された一対 の振動腕部10、11と、該一対の振動腕部10、11� ��基端側を一体的に固定する基部12と、一対� �振動腕部10、11の外表面上に形成されて一対� ��振動腕部10、11を振動させる第1の励振電極13 と第2の励振電極14とからなる励振電極15と、� ��1の励振電極13及び第2の励振電極14に電気的� ��接続されたマウント電極16、17とを有してい る。
 また、本実施形態の圧電振動片4は、一対の 振動腕部10、11の両主面上に、該振動腕部10、 11の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝� ��18を備えている。この溝部18は、振動腕部10� ��11の基端側から略中間付近まで形成されて� �る。

 第1の励振電極13と第2の励振電極14とから� ��る励振電極15は、一対の振動腕部10、11を互� ��に接近又は離間する方向に所定の共振周波� ��で振動させる電極であり、一対の振動腕部1 0、11の外表面に、それぞれ電気的に切り離さ れた状態でパターニングされて形成されてい る。具体的には、図7に示すように、第1の励� ��電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と他� ��の振動腕部11の両側面上とに主に形成され� �第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側 面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に� �成されている。

 また、第1の励振電極13及び第2の励振電極14� ��、図5及び図6に示すように、基部12の両主面 上において、それぞれ引き出し電極19、20を� �してマウント電極16、17に電気的に接続され� ��いる。そして圧電振動片4は、このマウント 電極16、17を介して電圧が印加されるように� �っている。
 なお、上述した励振電極15、マウント電極16 、17及び引き出し電極19、20は、例えば、クロ ム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタ ン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成された� �のである。

 また、一対の振動腕部10、11の先端には、 自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振 動するように調整(周波数調整)を行うための� ��り金属膜21が被膜されている。なお、この� �り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使 用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使 用される微調膜21bとに分かれている。これら 粗調膜21a及び微調膜21bを利用して周波数調整 を行うことで、一対の振動腕部10、11の周波� �をデバイスの公称周波数の範囲内に収める� �とができる。

 このように構成された圧電振動片4は、図 2から図4に示すように、ベース基板2の上面に 、図示しない導電性接着剤で接合されている 。より具体的には、ベース基板2の上面にパ� �ーニングされた引き回し電極36、37上に、一� ��のマウント電極16、17がそれぞれ接触した状 態で接合されている。これにより、圧電振動 片4は、マウント電極16、17と引き回し電極36� �37とがそれぞれ電気的に接続された状態とな っている。

 上記リッド基板3は、ガラス材料、例えば ソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板で あり、図1、図3及び図4に示すように、板状に 形成されている。そして、リッド基板3の下� �側(ベース基板2が接合される接合面側)には� �圧電振動片4が収まる矩形状の凹部3aが形成� �れている。この凹部3aは、両基板2、3が重ね� ��わされたときに、後述するベース基板2の凹 部2aと共に、圧電振動片4を収容するキャビテ ィCを形成する。また、リッド基板3の下面側� ��は、導電性材料(例えば、アルミニウム)に� �り、陽極接合用の接合膜3bが全体にパターニ ングされている。そして、リッド基板3は、� �の接合膜3bを利用して、凹部3aをベース基板2 側に対向させた状態で該ベース基板2に対し� �陽極接合されている。

 上記ベース基板2は、リッド基板3と同様� �ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスから� �る透明な絶縁基板であり、図1から図4に示す ように、リッド基板3に対して重ね合わせ可� �な大きさで板状に形成されている。このベ� �ス基板2の上面側(リッド基板3が接合される� �合面側)には、図2から図4に示すように、キ� �ビティCを形成する凹部2aが設けられている� �より詳しく説明すると、凹部2aは、ベース基 板2上にマウントされた圧電振動片4の先端側� ��設けられている。よって、圧電振動片4の一 対の振動腕部10、11は、ベース基板2から浮い� ��状態になる。この凹部2aにより、圧電振動� �4の一対の振動腕部10、11の振動に必要な振動 ギャップを確保することができる。

 また、このベース基板2には、該ベース基 板2を貫通する一対のスルーホール30、31が形� ��されている。この際、一対のスルーホール3 0、31は、キャビティC内に収まるように形成� �れている。より詳しく説明すると、本実施� �態のスルーホール30、31は、マウントされた� ��電振動片4の基部12側に一方のスルーホール3 0が位置し、振動腕部10、11の先端側に他方の� ��ルーホール31が位置するように形成されて� �る。そして、これら一対のスルーホール30、 31には、該スルーホール30、31を埋めるように 一対の貫通電極32、33が形成されている。こ� �ら貫通電極32、33は、スルーホール30、31を完 全に塞いでキャビティC内の気密を維持して� �ると共に、引き回し電極36、37と外部電極38� �39とを導通させる役割を担っている。

 一対の引き回し電極36、37は、一対の貫通電 極32、33のうち、一方の貫通電極32と圧電振動 片4の一方のマウント電極16とを電気的に接続 すると共に、他方の貫通電極33と圧電振動片4 の他方のマウント電極17とを電気的に接続す� ��ように、ベース基板2の上面に導電性材料(� �えば、アルミニウム)により、パターニング� ��れている。より詳しく説明すると、一方の� ��き回し電極36は、圧電振動片4の基部12の真� �に位置するように一方の貫通電極32の真上に 形成されている。また、他方の引き回し電極 37は、一方の引き回し電極36に隣接した位置� �ら、振動腕部10、11に沿って該振動腕部10、11 の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電 極33の真上に位置するように形成されている� ��
 そして、これら一対の引き回し電極36、37上 には、圧電振動片4がマウントされている。� �れにより、圧電振動片4の一方のマウント電� ��16が、一方の引き回し電極36を介して一方の 貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17� �、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通 電極33に導通するようになっている。

 また、ベース基板2の下面には、図1、図3� ��び図4に示すように、一対の貫通電極32、33� �対してそれぞれ電気的に接続される外部電� �38、39が形成されている。つまり、一方の外� ��電極38は、一方の貫通電極32及び一方の引き 回し電極36を介して圧電振動片4の第1の励振� �極13に電気的に接続されている。また、他方 の外部電極39は、他方の貫通電極33及び他方� �引き回し電極37を介して、圧電振動片4の第2� ��励振電極14に電気的に接続されている。ま� �、図3に示すように、圧電振動片4の一対の振 動腕部10、11の先端側に形成された外部電極39 は、ベース基板2を下面から見た際、該振動� �部10、11の先端と重ならないように形成され� ��いる。

 このように構成された圧電振動子1を作動 させる場合には、ベース基板2に形成された� �部電極38、39に対して、所定の駆動電圧を印� ��する。これにより、圧電振動片4の第1の励� �電極13及び第2の励振電極14からなる励振電極 15に電流を流すことができ、一対の振動腕部1 0、11を接近・離間させる方向に所定の周波数 で振動させることができる。そして、この一 対の振動腕部10、11の振動を利用して、時刻� �、制御信号のタイミング源やリファレンス� �号源等として利用することができる。

 次に、上述した圧電振動子1を、図8に示� �フローチャートを参照しながら、ベース基� �用ウエハ(ベース基板)40とリッド基板用ウエ� ��(リッド基板)50とを利用して一度に複数製造 する製造方法について以下に説明する。なお 、本実施形態では、ウエハ状の基板を利用し て圧電振動子1を一度に複数製造するが、こ� �に限られたものではなく、予めベース基板2� ��びリッド基板3の外形に寸法を合わせたもの を加工して、一度に一つのみ製造する等して も構わない。

 初めに、圧電振動片作製工程を行って図5 から図7に示す圧電振動片4を作製する(S10)。� �体的には、まず水晶のランバート原石を所� �の角度でスライスして一定の厚みのウエハ� �する。続いて、このウエハをラッピングし� �粗加工した後、加工変質層をエッチングで� �り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加� �を行って、所定の厚みのウエハとする。続� �て、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した� �、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によ� �て圧電振動片4の外形形状でパターニングす� ��と共に、金属膜の成膜及びパターニングを� ��って、励振電極15、引き出し電極19、20、マ� ��ント電極16、17、重り金属膜21を形成する。� ��れにより、複数の圧電振動片4を作製するこ とができる。

 また、圧電振動片4を作製した後、共振周 波数の粗調を行っておく。これは、重り金属 膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を� ��発させ、重量を変化させることで行う。な� ��、共振周波数をより高精度に調整する微調� ��関しては、マウント後に行う。これについ� ��は、後に説明する。

 次に、後にリッド基板3となるリッド基板用 ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで� ��製する第1のウエハ作製工程を行う(S20)。ま� ��、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨� ��工して洗浄した後に、エッチング等により� ��表面の加工変質層を除去した円板状のリッ� ��基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、図 9に示すように、リッド基板用ウエハ50の下面 に、エッチング等により行列方向にキャビテ ィC用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を 行う(S22)。
 次いで、凹部3aが形成されたリッド基板用� �エハ50の下面全体に、蒸着やスパッタリング 等の方法により導電性の接合膜3bを形成する� ��合膜形成工程を行う(S23)。この時点で、第1� ��ウエハ作製工程が終了する。

 次に、上記工程と同時或いは前後のタイ� ��ングで、後にベース基板2となるベース基板 用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態ま� ��作製する第2のウエハ作製工程を行う(S30)。� ��ず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研� ��加工して洗浄した後に、エッチング等によ� ��最表面の加工変質層を除去した円板状のベ� ��ス基板用ウエハ40を形成する(S31)。

 次いで、ベース基板用ウエハ40の上面に� �エッチング等により行列方向にキャビティC� ��の凹部2aを複数形成する凹部形成工程を行� �(S32)。この際、凹部2aを、圧電振動片4の振動 腕部10、11の先端側に位置するように形成す� �。

 次いで、ベース基板用ウエハ40に、一対� �貫通電極32、33を複数形成する貫通電極形成� ��程を行う(S33)。具体的には、まず、一対の� �ルーホール30、31を、サンドブラスト法やプ� ��ス加工等の方法で複数形成する。そして、� ��れら複数の一対のスルーホール30、31内に、 一対の貫通電極32、33を形成する。この一対� �貫通電極32、33により、一対のスルーホール3 0、31を封止すると共に、ベース基板用ウエハ 40の上面側から下面側との電気導通性が確保� ��れる。

 次に、ベース基板用ウエハ40の上面に導� �性材料をパターニングして、図10及び図11に� ��すように、各一対の貫通電極32、33にそれぞ れ電気的に接続された引き回し電極36、37を� �数形成する引き回し電極形成工程を行う(S34) 。なお、図10及び図11に示す点線Mは、後に行� ��切断工程で切断する切断線を図示している� ��この時点で第2のウエハ作製工程が終了する 。

 次に、作製した複数の圧電振動片4を、そ れぞれ引き回し電極36、37を介してベース基� �用ウエハ40の上面に接合するマウント工程を 行う(S40)。これにより、圧電振動片4は、マウ ント電極16、17と引き回し電極36、37とが電気� ��に接続された状態となる。よって、この時� ��で圧電振動片4の一対の励振電極15は、一対� ��貫通電極32、33に対してそれぞれ導通した状 態となる。

 マウント工程後、重ね合わせた2枚のウエ ハ40、50を図示しない陽極接合装置に入れ陽� �接合する接合工程を行う(S50)。より具体的に は、まず、ベース基板用ウエハ40に対してリ� ��ド基板用ウエハ50を重ね合わせる重ね合わ� �工程を行う(S51)。具体的には、図示しない基 準マーク等を指標としながら、両ウエハ40、5 0を正しい位置にアライメントする。これに� �り、マウントされた圧電振動片4が、両ウエ� ��40、50で囲まれるキャビティC内に収容され� �状態となる。

 続いて、図12に示すように、ダミー材Rを� ��属治具(電極板)J上に載置すると共に、ベー� ��基板用ウエハ40をダミー材R側にした状態で� ��ね合わせた両ウエハ40、50をダミー材R上に� �置するセット工程を行う(S52)。この際、ダミ ー材Rとして、接合温度で内部のイオンが移� �可能な材料からなるものを用いる。具体的� �は、例えばベース基板用ウエハ40と同一材料 であるガラス材料を用いる。また、金属治具 Jとしては、例えばステンレス鋼(SUS)等を用い る。なお、図12では、説明のために両ウエハ4 0、50全体でなく、圧電振動子1の一つに相当� �る部分を示している。

 次いで、セットされたベース基板用ウエ� ��40及びダミー材Rを接合温度(例えば、200度か ら300度)まで加熱した後、金属治具Jと接合膜3 bとの間に接合電圧(例えば、0.5~5.0kV)を印加す る印加工程を行う(S53)。すると、接合膜3bと� �ース基板用ウエハ40との界面に電気化学的な 反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して 陽極接合される。

 これにより、圧電振動片4をキャビティC� �に封止することができ、ベース基板用ウエ� �40とリッド基板用ウエハ50とが接合した図13� �示すウエハ体60を得ることができる。なお、 図13においては、図面を見易くするために、� ��エハ体60を分解した状態を図示しており、� �ッド基板用ウエハ50に形成された接合膜3bの� ��示を省略している。また、図13に示す点線M� ��、後に行う切断工程で切断する切断線を図� ��している。

 そして、上述した陽極接合が終了した後� ��ベース基板用ウエハ40の下面に導電性材料� �パターニングして、一対の貫通電極32、33に� ��れぞれ電気的に接続された一対の外部電極3 8、39を複数形成する外部電極形成工程を行う (S60)。この工程により、外部電極38、39を利用 してキャビティC内に封止された圧電振動片4� ��作動させることができる。

 次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC� ��に封止された個々の圧電振動子1の周波数を 微調整して所定の範囲内に収める微調工程を 行う(S70)。具体的に説明すると、ベース基板� ��ウエハ40の下面に形成された一対の外部電� �38、39に電圧を印加して圧電振動片4を振動さ せる。そして、周波数を計測しながらベース 基板用ウエハ40を通して外部からレーザ光を� ��射し、重り金属膜21の微調膜21bを蒸発させ� �。これにより、一対の振動腕部10、11の先端� ��の重量が変化するので、圧電振動片4の周波 数を、公称周波数の所定範囲内に収まるよう に微調整することができる。

 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ� ��60を図13に示す切断線Mに沿って切断して小� �化する切断工程を行う(S80)。その結果、互い に陽極接合されたベース基板2とリッド基板3� ��の間に形成されたキャビティC内に圧電振動 片4が封止された、図1に示す2層構造タイプの 表面実装型の圧電振動子1を一度に複数製造� �ることができる。
 なお、切断工程(S80)を行って個々の圧電振� �子1に小片化した後に、微調工程(S70)を行う� �程順序でも構わない。但し、上述したよう� �、微調工程(S70)を先に行うことで、ウエハ体 60の状態で微調を行うことができるので、複� ��の圧電振動子1をより効率よく微調すること ができる。よって、スループットの向上化を 図ることができるので好ましい。

 その後、内部の電気特性検査を行う(S90)� �即ち、圧電振動片4の共振周波数、共振抵抗� ��、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振 抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェ� �クする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチ� �ックする。そして、最後に圧電振動子1の外� ��検査を行って、寸法や品質等を最終的にチ� ��ックする。これをもって圧電振動子1の製造 が終了する。

 特に、ダミー材Rとして、接合温度で内部 のイオンが移動可能なガラス材料からなるも のを用いる。従って、加熱工程及び印加工程 によって、接合温度まで加熱すると共に、金 属治具Jと接合膜3bとの間に駆動電圧を印加す ることで、金属治具Jと接合膜3bとに挟み込ま れているベース基板用ウエハ40及びダミー材R には、局所的にイオン(荷電粒子)の移動が生� ��電流が流れる。より具体的には、接合膜3b� �陽極側、ダミー材Rが陰極側に接続されてい� ��場合、図14に示すように、ベース基板用ウ� �ハ40及びダミー材Rを形成するガラス材料内� �ナトリウムイオンが接合膜3b側からダミー材 R側に移動すると共に、電子が反対方向に移� �する。

 これに対して、貫通電極32、33には接合膜 3bが接触しておらず、貫通電極32、33が金属治 具Jと接合膜3bとの間に挟まれていないので、 接合膜3bと金属治具Jとの間に電圧が印加され た場合であっても、イオン移動が生じること はない。しかも、貫通電極32、33と金属治具J� ��の間にダミー材Rが挟まれているので、金属 治具Jから貫通電極32、33に対して直接的に電� ��が流れることがない。つまり、印加工程の� ��、接合膜3bと金属治具Jとの間に接合電圧を� ��加しても、貫通電極32、33に電流が流れるこ とがなく、接合膜3bとの間には接合電圧ほど� ��きな電位差は生じ得ない。このため、接合� ��3bと貫通電極32、33との間で従来、頻発して� ��た放電現象(火花放電)の発生を抑制するこ� �ができる。

 これにより、放電現象による貫通電極32、33 の溶融を防止することができる。このため、 圧電振動片4と外部電極38、39との安定した導� ��性を確保できると共に、キャビティ内の気� ��を確保できる。よって、圧電振動子1の高品 質化を図ることができる。
 加えて、放電現象を抑制することで、接合� ��3b及びベース基板用ウエハ40内に流れる電流 を十分確保することができる。従って、陽極 接合によって両者をそれぞれ強固に密着させ ることができ、両ウエハ40、50の接合面にお� �ても気密性を確保することができる。
 また、単にベース基板用ウエハ40と金属治� �Jとの間にダミー材Rを挟むだけの簡単な方法 であるので、従来の設備を利用することがで きる。そのため、低コストで実施することが できる。

 更に、本実施形態においては、ダミー材R として、ベース基板用ウエハ40と同一材料で� ��るガラス材料を用いる。よって、印加工程� ��に加熱した際、ベース基板用ウエハ40とダ� �ー材Rとが同じように熱膨張する。従って、� ��方だけが過度に膨張してしまい、ベース基� ��用ウエハ40の一部がダミー材Rから浮いた状� ��になる等の恐れがない。つまり、ベース基� ��用ウエハ40とダミー材Rとを密着させた状態� ��印加工程を実施することができる。これに� ��り、より確実にベース基板用ウエハ40とリ� �ド基板用ウエハ50との陽極接合を実施するこ とができ、圧電振動子1の更なる高品質化を� �ることができる。

 次に、本発明に係る発振器の一実施形態に� ��いて、図15を参照しながら説明する。
 本実施形態の発振器100は、図15に示すよう� �、圧電振動子1を、集積回路101に電気的に接� ��された発振子として構成したものである。� ��の発振器100は、コンデンサ等の電子部品102� ��実装された基板103を備えている。基板103に� ��、発振器用の上記集積回路101が実装されて� ��り、この集積回路101の近傍に、圧電振動子1 が実装されている。これら電子部品102、集積 回路101及び圧電振動子1は、図示しない配線� �ターンによってそれぞれ電気的に接続され� �いる。なお、各構成部品は、図示しない樹� �によりモールドされている。

 このように構成された発振器100において、� ��電振動子1に電圧を印加すると、該圧電振動 子1内の圧電振動片4が振動する。この振動は� ��圧電振動片4が有する圧電特性により電気信 号に変換されて、集積回路101に電気信号とし て入力される。入力された電気信号は、集積 回路101によって各種処理がなされ、周波数信 号として出力される。これにより、圧電振動 子1が発振子として機能する。
 また、集積回路101の構成を、例えば、RTC(リ アルタイムクロック)モジュール等を要求に� �じて選択的に設定することで、時計用単機� �発振器等の他、当該機器や外部機器の動作� �や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等� �提供したりする機能を付加することができ� �。

 上述したように、本実施形態の発振器100� ��よれば、キャビティC内の気密が確実で、圧 電振動片4と外部電極38、39との安定した導電� ��を確保した高品質な圧電振動子1を備えてい るので、発振器100自体も同様に高品質化を図 ることができる。さらにこれに加え、長期に わたって安定した高精度な周波数信号を得る ことができる。

 次に、本発明に係る電子機器の一実施形� ��について、図16を参照して説明する。なお� �子機器として、上述した圧電振動子1を有す� ��携帯情報機器110を例にして説明する。始め� ��本実施形態の携帯情報機器110は、例えば、� ��帯電話に代表されるものであり、従来技術� ��おける腕時計を発展、改良したものである� ��外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する� ��分に液晶ディスプレイを配し、この画面上� ��現在の時刻等を表示させることができるも� ��である。また、通信機として利用する場合� ��は、手首から外し、バンドの内側部分に内� ��されたスピーカ及びマイクロフォンによっ� ��、従来技術の携帯電話と同様の通信を行う� ��とが可能である。しかしながら、従来の携� ��電話と比較して、格段に小型化及び軽量化� ��れている。

 次に、本実施形態の携帯情報機器110の構� ��について説明する。この携帯情報機器110は� ��図16に示すように、圧電振動子1と、電力を� ��給するための電源部111とを備えている。電� ��部111は、例えば、リチウム二次電池からな� ��ている。この電源部111には、各種制御を行� ��制御部112と、時刻等のカウントを行う計時� ��113と、外部との通信を行う通信部114と、各� ��情報を表示する表示部115と、それぞれの機� ��部の電圧を検出する電圧検出部116とが並列� ��接続されている。そして、電源部111によっ� ��、各機能部に電力が供給されるようになっ� ��いる。

 制御部112は、各機能部を制御して音声デ� ��タの送信及び受信、現在時刻の計測や表示� ��、システム全体の動作制御を行う。また、� ��御部112は、予めプログラムが書き込まれたR OMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み� ��して実行するCPUと、該CPUのワークエリアと� ��て使用されるRAM等とを備えている。

 計時部113は、発振回路、レジスタ回路、� ��ウンタ回路及びインターフェース回路等を� ��蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えて いる。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電� �動片4が振動し、該振動が水晶の有する圧電� ��性により電気信号に変換されて、発振回路� ��電気信号として入力される。発振回路の出� ��は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回� ��とにより計数される。そして、インターフ� ��ース回路を介して、制御部112と信号の送受� ��が行われ、表示部115に、現在時刻や現在日� ��或いはカレンダー情報等が表示される。

 通信部114は、従来の携帯電話と同様の機能� ��有し、無線部117、音声処理部118、切替部119� ��増幅部120、音声入出力部121、電話番号入力� ��122、着信音発生部123及び呼制御メモリ部124� ��備えている。
 無線部117は、音声データ等の各種データを� ��アンテナ125を介して基地局と送受信のやり� ��りを行う。音声処理部118は、無線部117又は� ��幅部120から入力された音声信号を符号化及� ��複号化する。増幅部120は、音声処理部118又� ��音声入出力部121から入力された信号を、所� ��のレベルまで増幅する。音声入出力部121は� ��スピーカやマイクロフォン等からなり、着� ��音や受話音声を拡声したり、音声を集音し� ��りする。

 また、着信音発生部123は、基地局からの呼� ��出しに応じて着信音を生成する。切替部119� ��、着信時に限って、音声処理部118に接続さ� ��ている増幅部120を着信音発生部123に切り替� ��ることによって、着信音発生部123において� ��成された着信音が増幅部120を介して音声入� ��力部121に出力される。
 なお、呼制御メモリ部124は、通信の発着呼� ��御に係るプログラムを格納する。また、電� ��番号入力部122は、例えば、0から9の番号キ� �及びその他のキーを備えており、これら番� �キー等を押下することにより、通話先の電� �番号等が入力される。

 電圧検出部116は、電源部111によって制御� ��112等の各機能部に対して加えられている電� ��が、所定の値を下回った場合に、その電圧� ��下を検出して制御部112に通知する。このと� ��の所定の電圧値は、通信部114を安定して動� ��させるために必要な最低限の電圧として予� ��設定されている値であり、例えば、3V程度� �なる。電圧検出部116から電圧降下の通知を� �けた制御部112は、無線部117、音声処理部118� �切替部119及び着信音発生部123の動作を禁止� �る。特に、消費電力の大きな無線部117の動� �停止は、必須となる。更に、表示部115に、� �信部114が電池残量の不足により使用不能に� �った旨が表示される。

 即ち、電圧検出部116と制御部112とによって� ��通信部114の動作を禁止し、その旨を表示部1 15に表示することができる。この表示は、文� ��メッセージであっても良いが、より直感的� ��表示として、表示部115の表示面の上部に表� ��された電話アイコンに、×(バツ)印を付ける ようにしても良い。
 なお、通信部114の機能に係る部分の電源を� ��選択的に遮断することができる電源遮断部1 26を備えることで、通信部114の機能をより確� ��に停止することができる。

 上述したように、本実施形態の携帯情報� ��器110によれば、キャビティC内の気密が確実 で、圧電振動片4と外部電極38、39との安定し� ��導電性を確保した高品質な圧電振動子1を備 えているので、携帯情報機器自体も同様に高 品質化を図ることができる。さらにこれに加 え、長期にわたって安定した高精度な時計情 報を表示することができる。

 次に、本発明に係る電波時計の一実施形態� ��ついて、図17を参照して説明する。
 本実施形態の電波時計130は、図17に示すよ� �に、フィルタ部131に電気的に接続された圧� �振動子1を備えたものであり、時計情報を含� ��標準の電波を受信して、正確な時刻に自動� ��正して表示する機能を備えた時計である。� �
 日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)� �に、標準の電波を送信する送信所(送信局)が あり、それぞれ標準電波を送信している。40k Hz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播� �る性質と、電離層と地表とを反射しながら� �播する性質とを併せもつため、伝播範囲が� �く、上述した2つの送信所で日本国内を全て� ��羅している。

 以下、電波時計130の機能的構成について詳� ��に説明する。
 アンテナ132は、40kHz若しくは60kHzの長波の標 準電波を受信する。長波の標準電波は、タイ ムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しく� ��60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。 受信された長波の標準電波は、アンプ133によ って増幅され、複数の圧電振動子1を有する� �ィルタ部131によって濾波、同調される。
 本実施形態における圧電振動子1は、上記搬 送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数� �有する水晶振動子部138、139をそれぞれ備え� �いる。

 更に、濾波された所定周波数の信号は、検� ��、整流回路134により検波復調される。続い� ��、波形整形回路135を介してタイムコードが� ��り出され、CPU136でカウントされる。CPU136で� ��、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報� ��読み取る。読み取られた情報は、RTC137に反� ��され、正確な時刻情報が表示される。
 搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水 晶振動子部138、139は、上述した音叉型の構造 を持つ振動子が好適である。

 なお、上述の説明は、日本国内の例で示� ��たが、長波の標準電波の周波数は、海外で� ��異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの 標準電波が用いられている。従って、海外で も対応可能な電波時計130を携帯機器に組み込 む場合には、さらに日本の場合とは異なる周 波数の圧電振動子1を必要とする。

 上述したように、本実施形態の電波時計1 30によれば、キャビティC内の気密が確実で、 圧電振動片4と外部電極38、39との安定した導� ��性を確保した高品質な圧電振動子1を備えて いるので、電波時計自体も同様に高品質化を 図ることができる。さらにこれに加え、長期 にわたって安定して高精度に時刻をカウント することができる。

 なお、本発明の技術範囲は上記実施の形� ��に限定されるものではなく、本発明の趣旨� ��逸脱しない範囲において種々の変更を加え� ��ことが可能である。

 例えば、上記実施形態では、圧電振動片4の 一例として振動腕部10、11の両面に溝部18が形 成された溝付きの圧電振動片4を例に挙げて� �明したが、溝部18がないタイプの圧電振動片 でも構わない。但し、溝部18を形成すること� ��、一対の励振電極15に所定の電圧を印加さ� �たときに、一対の励振電極15間における電界 効率を上げることができるので、振動損失を より抑えて振動特性をさらに向上することが できる。つまり、CI値(Crystal Impedance)をさら� �低くすることができ、圧電振動片4のさらな� ��高性能化を図ることができる。この点にお� ��て、溝部18を形成する方が好ましい。
 また、上記実施形態では、音叉型の圧電振� ��片4を例に挙げて説明したが、音叉型に限ら れるものではない。例えば、厚み滑り振動片 としても構わない。

 また、上記実施形態では、ベース基板2に 凹部2aを形成することで、圧電振動片4の一対 の振動腕部10、11の振動ギャップを確保した� �、これに限らない。例えば、凹部2aを形成せ ず、引き回し電極36、37上にバンプを形成し� �バンプ接合しても構わない。バンプ接合に� �れば、圧電振動片4をベース基板2の上面から 浮かすことができ、振動に必要な最低限の振 動ギャップを自然と確保することができる。

 また、上記実施形態では、ダミー材Rとして 、ベース基板用ウエハ40と同一材料のガラス� ��料を用いたが、これに限られるものではな� ��。ダミー材Rは、接合温度で内部のイオンが 移動可能な材料からなるものであれば構わな い。
 但し、ダミー材Rは、上記実施形態で用いた 材料のように、熱膨張係数がベース基板用ウ エハ40と略等しいものが好ましい。これによ� ��ば、上述したようにベース基板用ウエハ40� �ダミー材Rとが同じように熱膨張することに� ��り、圧電振動子1の更なる高品質化を図るこ とができる。
 更に、ダミー材Rは、陽極接合可能なガラス であることが好ましい。陽極接合可能なガラ スは、平常時は絶縁性であるが、接合温度ま で加熱されるとイオン移動が活発になる。そ のため、接合工程時に、ベース基板用ウエハ 40と共に適度な導電性を確保できる。