(第1の実施形態)
 以下、本発明の第1の実施形態を図1~図11に� �って説明する。
 第1の実施形態の露光装置と光学部材冷却装 置と鏡筒は、例えば半導体素子製造用の露光 装置と、ミラーを冷却するミラー冷却装置と 、照明光学系を収容する鏡筒である。なお、 本実施形態では、露光装置として、極端紫外 (EUV)光を使用するEUV露光装置を例に説明する� ��

 図1には、本例の露光装置20の全体構成が� ��略的に示されている。以下では、投影光学� ��25の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平 面内で図1における紙面内左右方向にY軸を取� ��、紙面に直交する方向にX軸を取って説明す る。露光装置20は、マスクとしてのレチクル2 2に形成された回路パターンの一部の像を投� �光学系25を介して物体または基板としてのウ エハ24上に投影しつつ、レチクル22とウエハ24 とを投影光学系25に対して1次元方向(ここで� �Y方向)に相対走査することによって、レチク ル22の回路パターンの全体をウエハ24上の複� �のショット領域の各々にステップ・アンド� �スキャン方式で転写するものである。

 露光装置20は、軟X線領域の光、即ち波長1 00nm程度以下のEUV光(極端紫外光)EXを露光用の� ��明光(露光ビーム)として射出するEUV光源21、 このEUV光源21からのEUV光EXを反射して所定の� �射角、例えば約50mradでレチクル22のパターン 面(下面)に入射させる光路折り曲げ用のミラ� ��Mを含む照明光学系(不図示)、レチクル22を� �持するレチクルステージ26、レチクル22のパ� ��ーン面で反射されたEUV光EXをウエハ24の被露 光面(上面)に照射する投影光学系25、及びウ� �ハ24を保持するウエハステージ27を備えてい� ��。なお、ミラーMは、平面ミラーで形成され 、投影光学系25の鏡筒2の内部に配置されてい るが、実際には照明光学系の一部である。EUV 光源21としては、一例として、レーザ励起プ� ��ズマ光源が用いられている。また、EUV光EX� �しては、一例として、主に波長5~20nm、例え� �波長13.5nmのEUV光が用いられる。EUV光EXの気体 による吸収を防止するため、露光装置20は不� ��示の真空チャンバ内に収容されている。

 照明光学系は、複数の照明用ミラー、波� ��選択窓等(いずれも図示省略)、及びミラーM� ��を含んで構成されている。EUV光源21から射� �され、照明光学系の端部のミラーMで反射さ� ��たEUV光EXは、レチクル22のパターンの一部の 領域を円弧スリット状で照明する。

 レチクルステージ26の下面側に不図示の� �電チャック方式(又はメカチャック方式)のレ チクルホルダが設けられ、該レチクルホルダ によってレチクル22が保持されている。この� ��チクル22としては、照明光としてEUV光が用� �られていることから反射型レチクルが用い� �れている。レチクル22は、シリコンウエハ、 石英、低膨張ガラスなどの薄い板から成る。 レチクル22のパターン面には、EUV光を反射す� ��反射膜が形成されている。この反射膜は、� ��リブデンMoとシリコンSiとの膜が交互に約5.5 nmの周期で、約50ペア積層された多層膜であ� �。この多層膜は波長13.5nmのEUV光に対して約70 %の反射率を有する。なお、ミラーM、その他� ��照明光学系及び投影光学系25内の各ミラー� �反射面にも同様の構成の多層膜が形成され� �いる。レチクル22のパターン面に形成された 多層膜上には、吸収層として例えばニッケル Ni又はアルミニウムAlが一面に塗布され、そ� �吸収層にパターンニングが施されて反射部� �しての回路パターンが形成されている。そ� �回路パターンで反射されたEUV光EXが投影光学 系25に向かう。

 投影光学系25は、開口数NAが例えば0.3で、 反射光学素子(ミラー)のみから成る反射光学� ��が使用されており、本例の投影倍率は1/4倍� ��ある。投影光学系25の鏡筒2には、ミラーMに 入射するEUV光EX及びレチクル22に入射して反� �されるEUV光EXをそれぞれ通過させるための開 口2a及び2bが形成され、投影光学系25からウエ ハ24に入射するEUV光EXを通過させるための開� �(不図示)も形成されている。レチクル22によ� ��て反射されたEUV光EXは、投影光学系25を介し てウエハ24上に照射され、これによりレチク� ��22上のパターンは1/4に縮小されてウエハ24に 転写される。

 ウエハステージ27の上面には、静電チャッ� �方式の不図示のウエハホルダが載置され、� �ウエハホルダによってウエハ24が吸着保持さ れている。
 次に、投影光学系25について詳細に説明す� �。図2は、投影光学系25を構成する複数の光� �部材としての6枚のミラーM1~M6の配置を示し� �この図2において、レチクル22からウエハ24に 向かって、反射面を下方(-Z方向)に向けたミ� �ーM2、反射面を下方に向けたミラーM4、反射� ��を上方(+Z方向)に向けたミラーM3、反射面を� ��方に向けたミラーM1、反射面を下方に向け� �ミラーM6、及び反射面を上方に向けたミラー M5が配置され、照明光学系の一部であるミラ� ��Mは、ミラーM3及びM4の反射面を延長した2つ� ��面Ca及びCbの間に配置されている。ミラーM1~ M6の反射面は、球面又は非球面などの回転対� ��な面であり、その回転対称軸が投影光学系2 5の光軸AXにほぼ一致するように位置調整され ている。また、ミラーM1,M2,M4,M6は凹面鏡であ� ��、他のミラーM3,M5は凸面鏡である。ミラーM1 ~M6それぞれの反射面は、設計値に対して露光 波長の約50分の1から60分の1以下の凹凸となる 加工精度で加工され、RMS値(標準偏差)で0.2nm� �ら0.3nm以下の平坦度誤差のみが残存している 。各ミラーの反射面の形状は、計測と加工と を交互に繰り返しながら形成されている。

 図2の構成において、レチクル22で反射さ� ��たEUV光EXは、ミラーM1で上方に反射され、ミ ラーM2で下方に反射された後、ミラーM3で上� �に反射され、ミラーM4で下方に反射される。 そして、ミラーM5で上方に反射されたEUV光EX� �、ミラーM6で下方に反射されて、ウエハ24上� ��レチクル22のパターンの像を形成する。

 ウエハ24上の一つのショット領域を露光� �るときには、EUV光EXが照明光学系によりレチ クル22の照明領域に照射され、レチクル22と� �エハ24とは投影光学系25に対して投影光学系2 5の縮小倍率に応じた速度比でY方向に同期し� ��移動する。その後、ウエハステージ27を駆� �してウエハ24をステップ移動した後、ウエハ 24上の次のショット領域に対してレチクル22� �パターンが走査露光される。このステップ� �動と走査露光を繰り返すことによって、ウ� �ハ24上の複数のショット領域にレチクル22の� ��ターンの像が露光される。

 前述の通り、照明光学系及び投影光学系2 5は、約70%の反射率を有する多層膜が形成さ� �た複数のミラーで構成されている。そのた� �、EUV光EXのエネルギーの一部(残りの約30%)は� ��ラー自身に吸収される。そして、その際に� ��収される熱量は数サブW~数Wであり、ミラー� ��反射面を熱変形させる可能性があり、投影� ��学系25の結像性能を低下させる可能性があ� �。

 図3は、本発明の実施形態に係るミラー及 びそのミラー冷却装置を示す図である。図4� �ミラーの特定の表面(非光学面)を示す平面図 、図5は図4の5-5線断面図を示している。

 なお、ここで説明するミラー41は、照明� �学系又は投影光学系25を構成する複数のミラ ーの一つである。図4及び図5に示すミラー41� �、厚さ1~2cm程度の略八角形ミラーであるが、 照明光学系内又は投影光学系25内に配置され� ��位置に応じて、八角形以外の形状、例えば� ��円盤状や扇盤状、八角形以外の多角形状等� ��用いられる場合もある。本実施形態におけ� ��ミラー冷却装置は、多種多様のミラー形状� ��適用できることはいうまでもない。

 ミラー41は、反射面(入射面ともいう)41Aと 、反射面41Aと反対側の面、すなわち、特定の 表面を形成する裏面41Bと、側面41Cとを有する 。なお、反射面41Aを光学面と定義したとき、 裏面41B及び側面41Cを非光学面と定義すること ができる。このミラー41は、ゼロデュア(登録 商標)等の低熱膨張性ガラスで形成され、反� �面41AはMo/Si多層膜42により形成されている。� ��た、この裏面41Bは、光学面並みに研磨して� ��面度が高められている。

 このミラー41には、側面41Cの一部に支持� �43が周方向に離れて3箇所に形成されている� �ミラー41は、各支持部43において支持部材(図 示略)を介して鏡筒2内に支持されている。

 図4に示すように、ミラー41の裏面41Bには� ��反射面41AにおけるEUV光EXの照射領域RAと対応 する領域内に複数(本実施形態では6個)の係止 部44が形成されている。この係止部44は、第1� ��係合部として作用する。この係止部44は、� �定方向に延び、かつ所定方向の両端部に曲� �を有する溝部46と、この溝部46の一端部の周� ��の一部を覆い、溝部46の縁の部分が溝部46の 中央部に向けて張り出した張出部48とを有す� ��。この張出部48によって、ミラー41の裏面41B には、円形の挿入孔45と、その挿入孔45の径� �り小さい幅を有する開口部47とが形成される 。挿入孔45は、溝部46の他端部がそのまま露� �して形成されたものである。

 図3に示すように、ミラー41の裏面41Bには� ��後述する係合機構52を介して、例えばイン� �ー(登録商標)等の低熱膨張鋼または合金製の 平板状をなす冷却部材51が固定される。また� ��図3において、複数(本実施形態では6個)の係 合機構52のうち、一つの係合機構52について� �、カバー53を取り外した状態で示している。 なお、冷却部材51とミラー41との接触精度を� �めるため、すなわち、冷却部材51の接触面51A とミラー41の裏面41Bとが互いにぴったりと接� ��するために、それらの接触面を平面加工す� ��ことが望ましい。なお、好ましくは、冷却� ��材51におけるミラー41との接触面51Aには、低 熱膨張鋼または合金より加工の容易な物質の 層、例えばニッケル-リンめっき等の層を設� �、鏡面加工を施すことにより接触面51Aの平� �度を高めてもよい。また、ミラー41の裏面41B にも、冷却部材51と同様に、低熱膨張鋼また� ��合金より加工の容易な物質の層、例えばニ� ��ケル-リンめっき等の層を設け、鏡面加工を 施すことにより裏面41Bの平面度を高めてもよ い。なお、加工の容易な物質の層は、ミラー 41の裏面41Bあるいは冷却部材の接触面51Aのい� ��れか一方に設けてもよい。

 この冷却部材51の内部には、例えば純水� �の冷媒が流通する冷媒通路54が係合機構52の� ��を蛇行するように形成されている。また、� ��却部材51には、この冷媒通路54の入口と出口 の中間部、すなわち、ミラー41の裏面41Bの中� ��部に対応して、冷媒通路54の前記中間部を� �通する冷媒の温度を検出するための温度セ� �サ55が設けられている。本実施形態では、温 度センサ55の検出結果に基づいて、冷媒通路5 4に供給する冷媒の温度を調整している。

 図6は、ミラー41と冷却部材51とを、係合� �構52を用いて固定した状態を示す断面図であ る。図6に示すように、冷却部材51には、接触 面(内面ともいう)51Aと反対側の面(外面ともい う)51Bとの間を貫通する貫通孔56が形成されて いる。係合機構52は、冷却部材51に設けられ� �、第2の係合部として作用する。係合機構52� �、冷却部材51の貫通孔56に挿通され、かつ一� ��部にばね受け59が取り付けられた軸部57と、 この軸部57をばね受け59と面51Bとの間に配置� �れるばね58と共に覆うカバー53とを有する。� ��ね58は、軸部57を接触面51Aとは反対側の面51B 側に付勢する付勢力を備え、付勢部材として 作用する。

 軸部57の他端部には、ミラー41の裏面41Bに 設けられた円形の挿入孔45に係合する係合部� ��60がフレクシャ部61を介して取り付けられて いる。この係合部材60は、軸部57より大径の� �板状で形成され、挿入孔45、すなわち溝部46� ��係合する。また、軸部57は、開口部47の開口 幅に対応する径を有する。そして、本実施形 態では、第1の係合部として作用する係止部44 、第2の係合部として作用する係合機構52、付 勢部材として作用するばね58により、ミラー4 1と冷却部材51とを固定する固定機構が構成さ れている。

 ミラー41と冷却部材51とを固定機構を介し て取り付ける場合には、係合部材60をミラー4 1の裏面41Bに設けられた挿入孔45に係合する。 その後、挿入孔45から溝部46の他端部に向か� �て、係合部材60をスライドさせると、軸部57� ��張出部48の開口部47に沿って移動する。すな わち、軸部57は、張出部48と嵌合することに� �る。したがって、張出部48は、軸部57と嵌合� ��る嵌合部として機能する。

 そして、ミラー41と冷却部材51とは、ばね 58の付勢力が軸部57の係合部材60を介して張出 部48に伝達され、ミラー41と冷却部材51とが互 いに押し付け合うように固定される。

 ここで、ミラー41の挿入孔45は、軸部57の係� ��部材60よりさらに大径に形成されていても� �い。
 フレクシャ部61は、軸部57の軸方向において 異なる位置に形成された一対の首部を有する 。各首部は、軸部57の両側から掘り込み加工� ��ることよって形成されている。一対の首部� ��、軸部57の軸線方向における異なる位置に� �成され、掘り込み加工の方向が両首部で異� �っている。すなわち、一方の首部が所定方� �に掘り込み加工された場合、他方の首部は� �定方向に直交する方向に掘り込み加工して� �成される。このフレクシャ部61により、軸部 57の係合部材60が、一対の首部を回転軸とし� �溝部46の表面に沿って傾斜可能になっている 。

 次に、冷却部材51をミラー41に固定する方法 について、図6~図11に基づいて説明する。
 図7は、冷却部材51をミラー41に取り付ける� �の状態を示した断面図であり、この状態で� �、係合機構52の軸部57の係合部材60は、ばね58 の付勢力により冷却部材51の接触面51Aに当接� ��れている。この状態で、図8に示すように、 冷却部材51に対して断面逆U字状の取付ジグ62� ��、軸部57を跨ぐように取り付ける。この取� �ジグ62には、軸部57の一端部に当接して軸部5 7を係合部材60が接触面51Aから離間するように 移動させるねじ63が設けられている。

 ついで、図9に示すように、取付ジグ62の� ��じ63をねじ込んで、ばね58の付勢力に抗して 、軸部57の係合部材60を冷却部材51の接触面51A から離間させる。この際、軸部57の係合部材6 0を、接触面51Aとの間に張出部48の厚さよりわ ずかに大きな隙間ができるように移動させて おく必要がある。そして、ミラー41の裏面41B� ��、係合機構52の係合部材60が挿入孔45に係合� ��るように、冷却部材51の接触面51Aを対向さ� �る。

 図10に示すように、係合部材60を挿入孔45� ��係合させた後、冷却部材51を溝部46の延びる 方向に平行移動させる。この平行移動によっ て、係合部材60は、溝部46に沿って移動し、� �つ軸部57が張出部48に嵌合しながら移動し、� ��合部材60は、溝部46の底面と、張出部48との� ��に配置される。その後、取付ジグ62のねじ63 を緩め、軸部57の係合部材60を張出部48に当接 させる。これにより、ばね58の付勢力によっ� ��、ミラー41と冷却部材51とが互いに押し付け 合った状態で固定される。ついで、図11に示� ��ように、取付ジグ62を冷却部材51から取り外 し、さらに、図6に示すように軸部57を覆うよ うに冷却部材51にカバー53を取り付ける。

 なお、図では、2つの係合機構52のみを示し� ��が、冷却部材51をミラー41に固定する場合に は、すべての係合機構52を同じように操作す� ��ばよい。
 従って、本実施形態によれば、以下に示す� ��果を得ることができる。

 (1)このミラー41には、その裏面41Bと冷却� �材51の接触面51Aとが互いに押し付け合った状 態で、冷却部材51に取り付けられた係合機構5 2に係合する係止部44が設けられている。この ため、冷却部材51を、ミラー41の裏面41Bに直� �接触させた状態で固定することができる。� �れにより、EUV光EXの照射により、ミラー41が� ��熱したとしても、ミラー41の熱は直接熱伝� �により冷却部材51に移動され、ミラー41を極� ��て効率よく冷却することができる。従って� ��高エネルギーのEUV光EXを用いたとしても、� �ラー41の熱変形を効果的に抑制することがで きる。そして、ミラー41の反射面41Aの面精度� ��高く保つことができ、レチクル22上のパタ� �ンをウエハ24上に精度よく転写することがで きる。

 (2)この冷却部材51の接触面51Aには、冷却� �材51を構成する材料よりも加工し易い金属層 が形成されている。このため、冷却部材51の� ��触面51Aの平面度を容易に向上させることが� ��きる。これにより、ミラー41と冷却部材51と の密着性を向上することができ、冷却部材51� ��冷却効率をさらに高めることができる。ま� ��、冷却部材51をミラー41に接合した際に、ミ ラー41の反射面41Aの面精度に与える影響を小� ��くすることができる。

 (3)このミラー41と冷却部材51とは、ミラー 41の係止部44と冷却部材の係合機構52との係合 により固定され、係合機構52にはミラー41を� �却部材51側に付勢するばね58が設けられてい� ��。このため、簡易な構成でかつ安定にミラ� ��41と冷却部材51とを互いに押し付け合った状 態で固定することができる。また、例えばミ ラー41の反射面41Aの再加工が必要になった場� ��にも、ばね58を撓ませることにより、冷却� �材51をミラー41から取り外すことができる。� ��らに、冷却部材51をミラー41に再度取り付け た際にも、再現性よく押し付け力を発生させ ることができる。

 (4)係合機構52が、大径の係合部材60とその 係合部材60より小径の軸部57とを有している� �一方、ミラー41の裏面41Bには、係合機構52の� ��合部材60が係合可能で、かつ所定方向に延� �る溝部46と、その溝部46の一部を覆い、かつ� ��部57と嵌合可能な張出部48とを有する係止部 44が形成されている。このため、係合機構52� �軸部57を係止部44内に挿入して係合部材60を� �部46に沿って移動させ係止することで、冷却 部材51をミラー41に固定することができる。

 (5)係合機構52には、係合部材60と軸部57と� ��連結するフレクシャ部61が設けられている� �このため、係合機構52が係止部44の張出部48� �当接する際に、係合部材60を張出部48に負荷� ��を生じさせることなく沿わせることができ� ��。従って、冷却部材51をミラー41に固定する ことによる反射面41Aの面精度への影響をさら に小さくすることができる。

 (6)このミラー41では、係合機構52を係止す る係止部44が、裏面41Bに複数設けられている� ��このため、ミラー41と冷却部材51とを隙間な くかつ均一に密着させることができ、冷却部 材51による冷却効果を高めることができる。

 (7)このミラー41では、係止部44が、その裏 面41BのEUV光EXが入射する反射面41Aの照射領域R Aに対応する領域内に複数設けられている。� �のため、ミラー41の発熱しやすい領域におい て、冷却部材51をより確実に密着させること� ��でき、ミラー41を効率よく冷却することが� �きる。

 (8)この冷却部材51には、冷媒通路54が設け られており、冷媒通路54に冷媒を流すことに� ��り、ミラー41から伝達された熱を速やかに� �却部材51の外部に放出することができる。

 (9)この冷却部材51には、冷媒通路54内の冷 媒の温度を検出する温度センサ55が設けられ� ��いる。これにより冷却部材51の温度を求め� �ことができ、この温度センサ55の検出結果に 基づいて、冷媒通路54に供給する冷媒の温度� ��調整することで、より確実にミラー41の冷� �を行うことができる。

 (10)このミラー41は、真空雰囲気内に配置� ��れるミラーである。このため、輻射冷却で� ��、ミラー41を十分に冷却することが難しい� �とがある。これに対して、このミラー41は冷 却部材51と隙間なく直接接触されている。従� ��て、ミラー41の熱を熱伝達により、より確� �かつ効率よく冷却部材51に移行させることが でき、このミラー41及び冷却部材51の構成は� �真空雰囲気内に配置されるミラーと冷却部� �との構成として、特に好適である。

 (11)この鏡筒2及び露光装置20は、少なくと も1つのミラー41が、前記(1)~(10)に記載の優れ� ��効果を有するミラー冷却装置により冷却さ� ��ている。このため、ミラー41の熱変形を効� �的に抑制することができ、露光装置20の露光 精度を向上することができる。

 なお、本実施形態の冷却部材51は、照明� �学系及び投影光学系25を構成するミラーのそ れぞれに設け、そして、冷却部材51に設けら� ��た温度センサの検出結果に基づいて、ミラ� ��毎に温度調整することが望ましい。

 (第2の実施形態)
 次に、本発明の第2の実施形態を図12及び図1 3に従って説明する。なお、第2の実施形態は� ��ミラー冷却装置の構成が第1の実施形態と異 なっている。したがって、以下の説明におい ては、第1の実施形態と相違する部分につい� �主に説明するものとし、第1の実施形態と同� ��又は相当する部材構成には同一符号を付し� ��重複説明を省略するものとする。

 図12に示すように、ミラー41の反射面41A全 体にEUV光EXが入射するとは限らない。例えば� ��図4の例では、ミラー41の反射面41AがEUV光EX� �よって対称的にまたは偏りなく照射される� �、図12のように、反射面41AがEUV光EXによって� ��対称的にまたは偏って照射されることがあ� ��。この場合、ミラー41の反射面41Aには、図12 にて一点鎖線で示す境界線よりも左側に位置 し、且つEUV光EXが入射する入射面70と、図12に て一点鎖線で示す境界線よりも右側に位置し 、且つEUV光EXが入射しない非入射面71とが形� �されることがある。こうして反射面41Aに入� �面70及び非入射面71が偏って形成される場合� ��ミラー41のうち入射面70に対応する入射部分 と、非入射面71に対応する非入射部分とでは� ��熱エネルギーの蓄熱量が異なる。そこで、� ��実施形態のミラー冷却装置は、ミラー41の� �ち入射部分を冷却する効率と非入射部分を� �却する効率とが互いに異なるように構成さ� �ている。なお、以降の記載において、ミラ� �41において特定の表面を形成する裏面41Bのう ち入射部分に対応する領域のことを第1の面72 というものとし、非入射部分に対応する領域 のことを第2の面73というものとする。

 具体的には、図13に示すように、ミラー� �却装置は、ミラー41の裏面41Bに接触する接触 面51Aを有する冷却部材51を備えている。この� ��却部材51の接触面51Aのうちミラー41の第1の� �72に接触可能な領域は第1接触面74とされると 共に、接触面51Aのうち第2の面73に接触可能な 領域は第2接触面75とされる。そして、冷却部 材51は、上記第1の実施形態と同様に、複数(� �実施形態では6つ)の係合機構52によって、そ� ��接触面51Aと裏面41Bとが互いに押し付け合う� ��態でミラー41に固定されている。

 また、冷却部材51内には、冷媒が流通す� �複数(本実施形態では2つ)の冷媒流路76,77が形 成されている。具体的には、第1冷媒流路76は 、冷却部材51のうち第1接触面74に対応する部� ��内に形成されていると共に、第2冷媒流路77� ��、冷却部材51のうち第2接触面75に対応する� �分内に形成されている。また、冷却部材51に は、冷媒流路76,77に個別対応する複数(本実施 形態では2つ)の温度センサ78,79が設けられて� �る。第1冷媒流路76用の温度センサ78は、冷却 部材51のうち第1接触面74に対応する部分の中� ��付近であって、且つ冷却部材51の第1の面72� �温度を検出可能な状態で配置されている。� �た、第2冷媒流路77用の温度センサ79は、冷却 部材51のうち第2接触面75に対応する部分の中� ��付近であって、且つ冷却部材51の第2の面73� �温度を検出可能な状態で配置されている。

 ミラー冷却装置には、温度センサ78,79に� �続された温度調整装置80が設けられている。 温度調整装置80は、温度センサ78,79からの電� �信号に基づき冷媒流路76,77内を流通させる冷 媒の温度を個別に調整可能である。具体的に は、温度調整装置80は、冷却部材51において� �1の面72の温度と第2の面73の温度とが等しく� �るように冷媒流路76,77内に供給する冷媒の温 度を個別に調整し、該冷媒を冷媒流路76,77内� ��冷媒供給管路81,82を介してそれぞれ供給す� �。

 本実施形態の冷却部材51においては、入� �部分のほうが非入射部分よりも熱エネルギ� �の蓄熱量が多い。そのため、冷却部材51全体 を均一に冷却する場合には、入射部分のほう が非入射部分よりも高温になりやすく、ミラ ー41に不均一な温度分布が発生する可能性が� ��る。そこで、第1冷媒流路76内では、第2冷媒 流路77内を流通する冷媒の温度よりも低温の� ��媒が流通する。

 すなわち、冷却部材51において第1接触面7 4によるミラー41の入射部分の冷却効率のほう が、第2接触面75によるミラー41の非入射部分� ��冷却効率よりも高い。そのため、本実施形� ��のミラー冷却装置は、ミラー41に入射部分� �び非入射部分が形成される場合であっても� �ミラー41内に不均一な温度分布を形成させる ことなく、該ミラー41が冷却される。

 したがって、本実施形態では、上記第1の実 施形態の効果(1)~(11)に加えて以下に示す効果� ��得ることができる。
 (12)本実施形態のミラー冷却装置は、ミラー 41の入射部分の冷却効率が非入射部分の冷却� ��率よりも高効率となるように構成されてい� ��。そのため、入射部分と非入射部分とが形� ��されるようなミラー41を冷却する場合には� �ミラー41の裏面41Bを一様に冷却する場合に比 して、ミラー41内に不均一な温度分布が形成� ��れることを抑制できる。したがって、ミラ� ��41の一部分(例えば、入射部分)のみが熱変形 してしまうことを抑制でき、ミラー41の反射� ��性を良好に維持できる。

 (第3の実施形態)
 次に、本発明の第3の実施形態を図14に従っ� ��説明する。なお、第3の実施形態は、冷却部 材の構成が第2の実施形態と異なっている。� �たがって、以下の説明においては、第1及び� ��2の実施形態と相違する部分について主に説 明するものとし、第1及び第2の実施形態と同� ��又は相当する部材構成には同一符号を付し� ��重複説明を省略するものとする。

 図14に示すように、本実施形態のミラー� �却装置は、ミラー41の裏面41Bに接触する冷却 部材51と、該冷却部材51の温度を調整する温� �調整装置80とを備えている。冷却部材51は、� ��ラー41の裏面41Bのうち第1の面72に接触する� �1接触面74を有する複数(本実施形態では4つ)� �第1冷却部85と、第2の面73に接触する第2接触� ��75を有する複数(本実施形態では2つ)の第2冷� ��部86とを備える。

 第1冷却部85及び第2冷却部86は、係合機構5 2によって、それらの第1接触面74及び第2接触� ��75がミラー41の第1の面72及び第2の面73にそれ ぞれ押し付け合った状態で固定されている。 また、複数の冷却部85及び86には、第1の面72� �び第2の面73の温度を検出するための温度セ� �サ87A,87B,87C,87D,87E,87Fがそれぞれ設けられてい る。そして、これら温度センサ87A~87Fは、対� �づけられた第1の面72及び第2の面73の温度に� �応した電気信号を温度調整装置80に出力する ようになっている。

 また、各第1冷却部85内には、該第1冷却部 85を介してミラー41の入射部分を冷却させる� �めの冷媒を流通させる第1冷媒流路76が形成� �れている。また、各第2冷却部86内には、該� �2冷却部86を介してミラー41の非入射部分を冷 却させるための冷媒を流通させる第2冷媒流� �77が形成されている。そして、複数の冷媒流 路76及び77内には、温度調整装置80によって個 別に温度調整された冷媒がそれぞれ供給され る。

 したがって、本実施形態では、上記第1及び 第2の実施形態の効果(1)~(12)に加えて以下に示 す効果を得ることができる。
 (13)本実施形態の冷却部材51は、複数の冷却� ��85,86から構成されている。しかも、冷却部85 ,86には、冷媒流路76,77がそれぞれ形成されて� ��る。そのため、ミラー41の部分毎の温度調� �を、より細やかに行うことができる。した� �って、ミラー41の各部分での熱エネルギーの 蓄熱量が異なったとしても、好適に対応でき る。

 (第4の実施形態)
 次に、本発明の第4の実施形態を図15及び図1 6に従って説明する。なお、第4の実施形態は� ��ミラー冷却装置の構成が第1~第3の実施形態� ��異なっている。したがって、以下の説明に� ��いては、第1~第3の実施形態と相違する部分� ��ついて主に説明するものとし、第1~第3の実� ��形態と同一又は相当する部材構成には同一� ��号を付して重複説明を省略するものとする� ��

 図15に示すように、本実施形態のミラー� �却装置は、ミラー41の裏面41B側に固定される 冷却機構90と、該冷却機構90を制御する制御� �置91とを備えている。冷却機構90は、図15及� �図16に示すように、ミラー41の特定の表面で� ��る裏面41Bに吸熱面92が接触する複数(本実施� ��態では6つ)のペルチェ素子93と、該各ペルチ ェ素子93の放熱面94と接触する接触面51Aを有� �る冷却部材51とを備えている。そして、各ペ ルチェ素子93及び冷却部材51は、ペルチェ素� �93と同数(本実施形態では6つ)の係合機構52に� ��って、吸熱面92と裏面41Bとを互いに押し付� �合わせると共に放熱面94と接触面51Aとを互い に押し付け合わせた状態で、ミラー41に固定� ��れる。

 各ペルチェ素子93は、円環状をなしてお� �、係合機構52の軸部57を包囲するように配置� ��れている。すなわち、各ペルチェ素子93は� �係合機構52によって付与される押圧力が最も 強い位置に配置されている。なお、冷却部材 51内には、各ペルチェ素子93の放熱面94を冷却 させるための冷媒が流通する冷媒通路54が形� ��されている。

 本実施形態では、各ペルチェ素子93の吸� �面92及び放熱面94は、ミラー41及び冷却部材51 との接触精度を高めるために、平面加工する ことが望ましい。なお、好ましくは、各ペル チェ素子93の吸熱面92及び放熱面94には、低熱 膨張鋼または合金より加工の容易な物質の層 、例えばニッケル-リンめっき等の層を設け� �鏡面加工を施すことにより吸熱面92及び放熱 面94の平面度を高めてもよい。また、ミラー4 1の裏面41B及び冷却部材51の接触面51Aにも、冷 却部材51と同様に、低熱膨張鋼または合金よ� ��加工の容易な物質の層、例えばニッケル-リ ンめっき等の層を設け、鏡面加工を施すこと により裏面41B及び接触面51Aの平面度を高めて もよい。

 また、冷却機構90には、ミラー41の裏面41B の中央部に対応した位置に、該ミラー41の裏� ��41Bの温度を検出するための温度センサ55が� �けられている。この温度センサ55は、ミラー 41の裏面41Bの温度に対応した電気信号を制御� ��置91に出力するようになっている。

 制御装置91は、図示しないCPU、ROM及びRAM� �どを有するデジタルコンピュータを有して� �る。そして、制御装置91は、温度センサ55か� ��の電気信号に基づき、ミラー41の裏面41Bの� �度を演算により検出し、該検出結果に応じ� �各ペルチェ素子93によるミラー41の冷却効率� ��制御している。すなわち、本実施形態では� ��上記各実施形態とは異なり、ミラー41は、� �ルチェ素子93によって冷却され、冷却部材51� ��、ペルチェ素子93の放熱面94を冷却している 。このように構成しても、ミラー41は、ミラ� ��冷却装置によって好適に冷却される。

 したがって、本実施形態では、上記第1~第3� ��実施形態の効果(3)~(8)に加えて以下に示す効 果を得ることができる。
 (14)このミラー41には、その裏面41Bと各ペル� ��ェ素子93の吸熱面92とが互いに押し付け合う と共に、各ペルチェ素子93の放熱面94と冷却� �材51の接触面51Aとが互いに押し付け合った状 態で、冷却部材51に取り付けられた係合機構5 2に係合する係止部44が設けられている。この ため、各ペルチェ素子93を、吸熱面92がミラ� �41の裏面41Bに直接接触した状態で固定するこ とができる。これにより、EUV光EXの照射によ� ��、ミラー41が発熱したとしても、ミラー41の 熱は熱伝導により各ペルチェ素子93を介して� ��却部材51に移動され、ミラー41を極めて効率 よく冷却することができる。したがって、高 エネルギーのEUV光EXを用いたとしても、ミラ� ��41の熱変形を効果的に抑制することができ� �。そして、ミラー41の反射面41Aの面精度を高 く保つことができ、レチクル22上のパターン� ��ウエハ24上に精度よく転写することができ� �。

 (15)ミラー41の裏面41B及び各ペルチェ素子9 3の吸熱面92には、ミラー41とペルチェ素子93� �の接触精度を高めるために、平面加工が施� �れている。そのため、各ペルチェ素子93の放 熱面94とミラー41との密着性を向上すること� �でき、各ペルチェ素子93による冷却効率をさ らに高めることができる。

 (16)また、各ペルチェ素子93の放熱面94及� �冷却部材51の接触面51Aには、ペルチェ素子93� ��冷却部材51との接触精度を高めるために、� �面加工が施されている。そのため、各ペル� �ェ素子93の放熱面94と冷却部材51との密着性� �向上することができ、冷却部材51による各ペ ルチェ素子93からの吸熱効率をさらに高める� ��とができる。

 (17)各ペルチェ素子93は、係合機構52から� �押圧力が最も強い位置に配置されている。� �のため、各ペルチェ素子93が係合機構52から� ��間した位置に配置される場合に比して、各� ��ルチェ素子93とミラー41との密着性を高める ことができる分、ミラー41の冷却効率を高め� ��ことができる。

 (18)また、一般的に、加工精度のため、ペ ルチェ素子93の形状誤差は、ミラー41などに� �して、大きく、複数のペルチェ素子93の厚み を高精度に揃えることは困難である。そのた め、1つの係合機構52だけでミラー41にペルチ� ��素子93や冷却部材51を固定させようとした場 合には、ミラー41や冷却部材51に対して密着� �の低い状態で接触するペルチェ素子93が存在 する可能性がある。この点、本実施形態では 、係合機構52は、ペルチェ素子93毎に設けら� �ている。そのため、各ペルチェ素子93を、そ の形状誤差などに関係なく、ミラー41及び冷� ��部材51に確実に密着させることができる。� �のため、各ペルチェ素子93による吸熱性能を 十分に発揮させることができる。

 (19)ミラー41は、真空雰囲気内に配置され� ��ミラーである。このため、輻射冷却では、� ��ラー41を十分に冷却すること難しいことが� �る。これに対して、このミラー41はペルチェ 素子93の吸熱面92と隙間なく直接接触されて� �る。したがって、ミラー41の熱を熱伝達によ り、より確実かつ効率よくペルチェ素子93を� ��して冷却部材51に移行させることができ、� �のミラー41、ペルチェ素子93及び冷却部材51� �構成は、真空雰囲気内に配置されるミラー� �熱伝達部材及び冷却部材の構成として、特� �好適である。

 (第5の実施形態)
 次に、本発明の第5の実施形態を図17に従っ� ��説明する。なお、第5の実施形態は、冷却部 材の構成が第4の実施形態と異なっている。� �たがって、以下の説明においては、第1~第4� �実施形態と相違する部分について主に説明� �るものとし、第1~第4の実施形態と同一又は� �当する部材構成には同一符号を付して重複� �明を省略するものとする。

 前述したように、ミラー41の反射面41Aに� �、EUV光EXが入射する入射面70と、EUV光EXが入� �しない非入射面71とが形成されることがある 。こうしたミラー41を冷却するためのミラー� ��却装置は、ミラー41のうち入射部分を冷却� �る効率と、非入射部分を冷却する効率とが� �いに異なるように構成されていることが好� �しい。

 すなわち、図17に示すように、本実施形� �の冷却部材51は、ミラー41の入射部分を冷却� ��るための複数(本実施形態では4つ)の第1冷却 部85と、ミラー41の非入射部分を冷却するた� �の複数(本実施形態では2つ)の第2冷却部86と� �備える。第1冷却部85及び第2冷却部86内には� �ペルチェ素子93の放熱面94を冷却させるため� ��冷媒を流通させる冷媒流路76,77がそれぞれ� �成されている。

 また、各第1冷却部85には、第1の面72に接� ��する吸熱面92を有するペルチェ素子93(第1熱� ��達部材ともいう)の放熱面94に接触する第1接 触面74が形成されている。各第2冷却部86には� ��第2の面73に接触する吸熱面92を有するペル� �ェ素子93(第2熱伝達部材ともいう)の放熱面94� ��接触する第2接触面75が形成されている。ま� ��、各第1冷却部85及び各第2冷却部86は、係合� ��構52によって、ペルチェ素子93と共にミラー 41に固定されている。さらに、複数の第1冷却 部85には、ミラー41の第1の面72の温度を検出� �るための温度センサ87A,87B,87C,87Dがそれぞれ� �けられると共に、複数の第2冷却部86には、� �ラー41の第2の面73の温度を検出するための温 度センサ87E,87Fがそれぞれ設けられている。� �して、制御装置91は、各温度センサ87A~87Fか� �の電気信号に応じて検出した温度に基づき� �各ペルチェ素子93を個別に制御するようにな っている。

 したがって、本実施形態では、上記第1~第4� ��実施形態の効果(3)~(8)(14)~(19)に加えて以下に 示す効果を得ることができる。
 (20)本実施形態では、ペルチェ素子93毎に冷� ��部85,86が設けられるため、各ペルチェ素子93 によるミラー41の冷却効率を、良好に維持で� ��る。

 (21)また、各ペルチェ素子93は、該ペルチ� ��素子93毎に設けられた温度センサ87A~87Fから� ��電気信号に応じて個別に制御される。その� ��め、1つの温度センサにて各ペルチェ素子93� ��制御する場合に比して、ミラー41の不均一� �温度分布の発生を好適に抑制できる。

 上記各実施形態は以下のような別の実施形� ��に変更してもよい。
 ・図3においては、ミラー41と冷却部材51と� �直接接触させていたが、図18に示すように、 ミラー41と冷却部材51との間には、軟質性の� �伝達物質の層、例えばインジウムやその合� �からなる軟金属層64を形成して、この軟金属 層64を介してミラー41と冷却部材51とが接触す るようにしてもよい。また、軟質性の熱伝達 物質として、高熱伝導性を有する液体金属(� �えば、ガリウムやインジウムなどを含む液� �金属)を用いてもよい。このように構成すれ� ��、軟金属層64が変形することにより、ミラ� �41の裏面41B及び冷却部材51の接触面51A上の微� ��な凹凸が吸収され、ミラー41の裏面41B及び� �却部材51の接触面51Aの平面加工を厳密に行う ことなく、より確実に密着させることができ る。

 ・同様に、第2及び第3の実施形態におい� �、ミラー41と冷却部材51との間には、軟質性� ��熱伝達物質の層、例えばインジウムやその� ��金からなる軟金属層64を形成して、この軟� �属層64を介してミラー41と冷却部材51とが接� �するようにしてもよい。また、軟質性の熱� �達物質として、高熱伝導性を有する液体金� �を用いてもよい。

 ・同様に、第4及び第5の実施形態におい� �、ミラー41とペルチェ素子93との間には、軟� ��性の熱伝達物質の層、例えばインジウムや� ��の合金からなる軟金属層を形成して、この� ��金属層を介してミラー41とペルチェ素子93と が接触するようにしてもよい。また、ペルチ ェ素子93と冷却部材51との間にも、軟質性の� �伝達物質からなる軟金属層を形成して、こ� �軟金属層を介してペルチェ素子93と冷却部材 51とが接触するようにしてもよい。なお、軟� ��性の熱伝達物質として、高熱伝導性を有す� ��液体金属を用いてもよい。

 ・第2の実施形態において、冷却部材51の� ��ち第1接触面74に対応する部分内には、複数( 例えば4つ)の第1冷媒流路76を形成してもよい� ��また、冷却部材51のうち第2接触面75に対応� �る部分内には、複数(例えば2つ)の第2冷媒流� ��77を形成してもよい。

 ・第2実施形態において、第2冷媒流路77に は、第1冷媒流路76内を流通した後の冷媒を供 給してもよい。このように構成しても、第1� �媒流路76内を流通する冷媒と、第2冷媒流路77 内を流通する冷媒との間で温度差を発生させ ることができる。

 ・第1~第3の実施形態において、温度センサ5 5,78,79,87A~87Fは、冷却部材51の接触面51Aの温度� ��検出できるように配置してもよい。
 ・第4及び第5の実施形態において、温度セ� �サ55,87A~87Fは、ペルチェ素子93の吸熱面92の温 度を検出できるように配置してもよい。

 ・各実施形態において、ミラー41の裏面41B� �少なくとも一部を、冷却部材51の接触面51Aに 接触するようにしてもよい。
 ・第1~第3の実施形態において、冷却部材51� �ミラー41に、例えばねじ止め等により、ミラ ー41と冷却部材51とが互いに押し付け合うよ� �に固定してもよい。この場合、ねじが固定� �構を構成する。

 ・同様に、第4及び第5の実施形態において� �ねじ止めなどにより、ペルチェ素子93を介在 させた状態で冷却部材51をミラー41に固定さ� �てもよい。
 ・第4及び第5の実施形態において、各ペル� �ェ素子93を、互いに隣り合う係合機構52同士� ��間に配置してもよい。

 ・各実施形態において、ミラー41を、例え� �銅、ステンレス鋼等の金属により構成して� �よい。
 ・各実施形態では、露光装置内を真空雰囲� ��としたが、照明光学系及び投影光学系の鏡� ��のみを真空雰囲気としてもよい。また、鏡� ��内を、例えば空気や、窒素、ヘリウム、ア� ��ゴン、クリプトン、ラドン、ネオン、キセ� ��ン等の不活性ガス等で満たすものとしても� ��い。

 ・各実施形態では、本発明の光学部材冷� ��装置を、ミラー41を冷却する光学部材冷却� �置に具体化した。これに対して、本発明の� �学部材冷却装置は、例えばレンズ、ハーフ� �ラー、平行平板、プリズム、プリズムミラ� �、ロッドレンズ、フライアイレンズ、位相� �板等の他の光学部材を冷却する光学部材冷� �装置に具体化してもよい。

 ・各実施形態において、光学部材冷却装� ��は、実施形態の露光装置20の照明光学系に� �けるミラー41の冷却構成に限定されることな い。例えば、レチクル22の冷却構成に具体化� ��てもよい。さらに、他の光学機械、例えば� ��微鏡、干渉計等の光学系における光学部材� ��冷却構成に具体化してもよい。

 ・また、露光光がArF波長域の場合には、� ��影光学系として反射屈折型の光学系を用い� ��ことがある。この場合には、反射屈折型の� ��学系が有するミラーに、本実施形態のミラ� ��冷却装置を適用することができる。

 ・また、ミラーの裏面に曲率がある場合に� ��、その曲率に合わせて、冷却部材の接触面� ��加工すればよい。
 ・さらに、ミラーに開口が形成されている� ��合には、その開口を囲むような冷却部材を� ��成すればよい。

 ・各実施形態の露光装置20は、液体として� �(純水)、フッ素系液体、デカリン(C ₁₀ H ₁₈ )を用いる液浸露光装置、投影光学系25とウエ ハ24との間の所定の気体(空気、不活性ガスな ど)で満たされた露光装置にも適用すること� �可能である。さらに、投影光学系を用いる� �となく、マスクと基板とを密接させてマス� �のパターンを露光するコンタクト露光装置� �マスクと基板とを近接させてマスクのパタ� �ンを露光するプロキシミティ露光装置の光� �系にも適用することができる。

 ・さらに、本発明の露光装置20は、縮小露� �型の露光装置に限定されるものではなく、� �えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置で� �ってもよい。
 ・また、半導体素子などのマイクロデバイ� ��だけでなく、光露光装置、X線露光装置、及 び電子線露光装置などで使用されるレチクル またはマスクを製造するために、マザーレチ クルからガラス基板やシリコンウエハなどへ 回路パターンを転写する露光装置にも本発明 を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空 紫外)光などを用いる露光装置では一般に透� �型レチクルが用いられ、レチクル基板とし� �は、石英ガラス、フッ素がドープされた石� �ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、また� �水晶などが用いられる。また、プロキシミ� �ィ方式のX線露光装置や電子線露光装置など� ��は、透過型マスク(ステンシルマスク、メン バレンマスク)が用いられ、マスク基板とし� �はシリコンウエハなどが用いられる。

 ・もちろん、半導体素子の製造に用いら� ��る露光装置だけでなく、液晶表示素子(LCD)� �どを含むディスプレイの製造に用いられて� �バイスパターンをガラスプレート上へ転写� �る露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用� �られて、デバイスパターンをセラミックウ� �ハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像� �子の製造に用いられる露光装置などにも本� �明を適用することができる。

 ・さらに、本発明は、マスクと基板とが� ��対移動した状態でマスクのパターンを基板� ��転写し、基板を順次ステップ移動させるス� ��ャニング・ステッパ、マスクと基板とが静� ��した状態でマスクのパターンを基板へ転写� ��、基板を順次ステップ移動させるステップ� ��アンド・リピート方式のステッパとを問わ� ��適用することができる。

 ・また、露光装置20の光源としては、例え� �g線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(247nm) 、ArFエキシマレーザ(193nm)、F ₂ レーザ(157nm)、Kr ₂ レーザ(146nm)、Ar ₂ レーザ(126nm)等を用いてもよい。また、DFB半� �体レーザまたはファイバレーザから発振さ� �る赤外域、または可視域の単一波長レーザ� �を、例えばエルビウム(またはエルビウムと� ��ッテルビウムの双方)がドープされたファイ バアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて 紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい 。

 ・なお、各実施形態の露光装置20は、例え� �次のように製造される。
 すなわち、まず、照明光学系、投影光学系2 5を構成する複数のミラーの少なくとも一つ� �、本実施形態の冷却部材51を固定し、この照 明光学系及び投影光学系25を露光装置20の本� �に組み込み、光学調整を行う。次いで、多� �の機械部品からなるウエハステージ27(スキ� �ンタイプの露光装置の場合は、レチクルス� �ージ26も含む)を露光装置20の本体に取り付け て配線を接続する。そして、EUV光EXの光路内� ��ら気体を吸引する真空配管を接続した上で� ��さらに総合調整(電気調整、動作確認など)� �行う。

 ここで、冷却部材51を構成する各部品は� �超音波洗浄などにより、加工油や、金属物� �などの不純物を落としたうえで、組み上げ� �れる。なお、露光装置20の製造は、温度、湿 度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整 されたクリーンルーム内で行うことが望まし い。

 ・各実施形態におけるミラー41の材料と� �て、ゼロデュア(登録商標)を例に説明したが 、蛍石、合成石英、フッ化リチウム、フッ化 マグネシウム、フッ化ストロンチウム、リチ ウム-カルシウム-アルミニウム-フロオライド 、及びリチウム-ストロンチウム-アルミニウ� ��-フロオライド等の結晶や、ジルコニウム-� �リウム-ランタン-アルミニウムからなるフッ 化ガラスや、フッ素をドープした石英ガラス 、フッ素に加えて水素もドープされた石英ガ ラス、OH基を含有させた石英ガラス、フッ素� ��加えてOH基を含有した石英ガラス等の改良� �英を用いた場合にも、前記実施形態の冷却� �成を適用することができる。

 次に、上述した露光装置20をリソグラフィ� �程で使用したデバイスの製造方法の実施形� �について説明する。
 図19は、デバイス(ICやLSI等の半導体素子、� �晶表示素子、撮像素子(CCD等)、薄膜磁気ヘッ ド、マイクロマシン等)の製造例のフローチ� �ートを示す図である。図19に示すように、ま ず、ステップS101(設計ステップ)において、デ バイス(マイクロデバイス)の機能・性能設計( 例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行� �、その機能を実現するためのパターン設計� �行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ス テップ)において、設計した回路パターンを� �成したマスク(レチクル22等)を製作する。一� ��、ステップS103(基板製造ステップ)において� ��シリコン、ガラスプレート等の材料を用い� ��基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハ となる。)を製造する。

 次に、ステップS104(基板処理ステップ)に� ��いて、ステップS101~S103で用意したマスクと� ��板を使用して、後述するように、リソグラ� ��ィ技術等によって基板上に実際の回路等を� ��成する。次いで、ステップS105(デバイス組� �ステップ)において、ステップS104で処理され た基板を用いてデバイス組立を行う。このス テップS105には、ダイシング工程、ボンディ� �グ工程、及びパッケージング工程(チップ封� ��等)等の工程が必要に応じて含まれる。

 最後に、ステップS106(検査ステップ)にお� ��て、ステップS105で作製されたデバイスの動 作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う 。こうした工程を経た後にデバイスが完成し 、これが出荷される。

 図20は、半導体デバイスの場合における� �図19のステップS104の詳細なフローの一例を� �す図である。図20において、ステップS111(酸� ��ステップ)では、ウエハの表面を酸化させる 。ステップS112(CVDステップ)では、ウエハ表面 に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成� ��テップ)では、ウエハ上に電極を蒸着によっ て形成する。ステップS114(イオン打込みステ� ��プ)では、ウエハにイオンを打ち込む。以上 のステップS111~S114のそれぞれは、ウエハ処理 の各段階の前処理工程を構成しており、各段 階において必要な処理に応じて選択されて実 行される。

 ウエハプロセスの各段階において、上述� ��前処理工程が終了すると、以下のようにし� ��後処理工程が実行される。この後処理工程� ��は、まず、ステップS115(レジスト形成ステ� �プ)において、ウエハに感光剤を塗布する。� ��き続き、ステップS116(露光ステップ)におい� ��、先に説明したリソグラフィシステム(露光 装置21)によってマスク(レチクル)の回路パタ� ��ンをウエハ上に転写する。次に、ステップS 117(現像ステップ)では露光されたウエハを現� ��し、ステップS118(エッチングステップ)にお� ��て、レジストが残存している部分以外の部� ��の露出部材をエッチングにより取り去る。� ��して、ステップS119(レジスト除去ステップ)� ��おいて、エッチングが済んで不要となった� ��ジストを取り除く。

 これらの前処理工程と後処理工程とを繰り� ��し行うことによって、ウエハ上に多重に回� ��パターンが形成される。
 以上説明した本実施形態のデバイス製造方� ��を用いれば、露光工程(ステップS116)におい� ��上記の露光装置20が用いられ、EUV光EXにより 解像力の向上が可能となり、しかも露光量制 御を高精度に行うことができる。従って、結 果的に最小線幅が0.1μm程度の高集積度のデバ イスを歩留まりよく生産することができる。