図1は、本発明の好ましい実施形態である 粘着テープの概略断面図である。また、図1� �、本発明の製造方法で得られる好ましい実� �形態である粘着テープの概略断面図でもあ� �。この粘着テープ100は、支持体10と、斜め柱 状構造体30の集合層20とを有する。斜め柱状� �造体30の集合層20は、支持体10の全面に設け� �れていても良いし、支持体10の表面の一部の みに設けられていても良い。斜め柱状構造体 30の集合層20は、支持体10の片面に設けられて いても良いし、両面に設けられていても良い 。

 斜め柱状構造体の集合層20は、複数の斜� �柱状構造体30の集合層である。斜め柱状構造 体の集合層20は、粘着剤層あるいはクリーニ� ��グ層として作用し得る。

 複数の斜め柱状構造体の集合層とするこ� ��で、被着体との立体的な絡み合い効果や表� ��積増加に伴うファンデルファールス力効果� ��より、本発明の粘着テープと被着体との粘� ��力が発現し、特に、サブミクロン以下の微� ��な異物に対して効率的に除去することがで� ��る粘着テープを提供できる。

 斜め柱状構造体30は、図2に示すように、� ��持体10の表面に該表面からの仰角αが90度未� ��で突出している。仰角αは、好ましくは10~85 度、より好ましくは20~80度、さらに好ましく� ��30~70度である。仰角αが90度未満であること� ��より、本発明の粘着テープあるいは本発明� ��製造方法で得られる粘着テープは、被着体� ��対して必要な粘着力を有し、クリーニング� ��位に汚染を生じることなくサブミクロンレ� ��ルの異物も除去でき、使用後に被着体から� ��き剥がす際に容易に剥離する事が可能とな� ��。

 斜め柱状構造体30は、図3に示すように、� ��持体10の表面から仰角αで実質的にまっすぐ に突出していても良いし、図4に示すように� �支持体10の表面から初期仰角αで突出したの� ��に曲がった形状となっていても良い。

 斜め柱状構造体は、柱状構造を有してい� ��。柱状構造としては、厳密に柱状の構造の� ��ならず略柱状の構造をも含む。例えば、円� ��状構造、多角形柱状構造、コーン状構造、� ��維状構造などが好ましく挙げられる。また� ��柱状構造の断面形状は、柱状構造体全体に� ��たって均一であってもよいし不均一であっ� ��も良い。

 上記斜め柱状構造体のアスペクト比は1以 上である。本発明において「アスペクト比」 とは、斜め柱状構造体の長さ(A)と斜め柱状構 造体の径が最も太い部分の径の長さ(B)の比(� �だし、(A)と(B)の単位は同じものとする)を表� ��。上記アスペクト比は、好ましくは2~20、よ り好ましくは3~10である。上記斜め柱状構造� �のアスペクト比が上記の範囲にあることに� �り、微細な異物、好ましくはサブミクロン� �ベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得� �。このような効果は、斜め柱状構造体の集� �層とクリーニング部位(被着体)との間にファ ンデルワールス力が働くためと考えられる。

 斜め柱状構造体の長さは、好ましくは100n m以上であり、より好ましくは200~100000nm、さ� �に好ましくは300~10000nm、特に好ましくは500~50 00nmである。上記斜め柱状構造体の長さが上� �の範囲にあることにより、微細な異物、好� �しくはサブミクロンレベルの異物を簡便、� �実、十分に除去し得る。このような効果は� �斜め柱状構造体の集合層とクリーニング部� �(被着体)との間にファンデルワールス力が働 くためと考えられる。

 斜め柱状構造体の径は、好ましくは1000nm� ��下であり、より好ましくは10~500nm、さらに� �ましくは100~300nmである。上記斜め柱状構造� �の径が上記の範囲にあることにより、微細� �異物、好ましくはサブミクロンレベルの異� �を簡便、確実、十分に除去し得る。このよ� �な効果は、斜め柱状構造体の集合層とクリ� �ニング部位(被着体)との間にファンデルワー ルス力が働くためと考えられる。

 斜め柱状構造体の長さおよび径は、任意� ��適切な測定方法によって測定すれば良い。� ��定の容易さ等の点から、好ましくは、走査� ��電子顕微鏡(SEM)を用いた測定が挙げられる� �走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた測定は、例え ば、SEM観察試料台に本発明の粘着テープを貼 り付け、側面方向から観察することで、斜め 柱状構造体の長さおよび径を求めることが可 能である。

 支持体の表面の単位面積当たりの斜め柱状� ��造体の本数は、好ましくは1×10 ⁸ 本/cm ² 以上、より好ましくは1×10 ⁸ ~1×10 ¹² 本/cm ² 、さらに好ましくは3×10 ⁸ ~1×10 ¹⁰ 本/cm ² である。支持体の表面の単位面積当たりの斜 め柱状構造体の本数が上記の範囲にあること により、微細な異物、好ましくはサブミクロ ンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し 得る。このような効果は、斜め柱状構造体の 集合層とクリーニング部位(被着体)との間に� ��ァンデルワールス力が働くためと考えられ� ��。

 本発明の粘着テープにおける支持体ある� ��は本発明の製造方法で得られる粘着テープ� ��おける支持体としては、任意の適切な材料� ��採用し得る。例えば、ポリイミド(PI)系樹脂 、ポリエステル(PET)系樹脂、ポリエチレンナ� ��タレート(PEN)系樹脂、ポリエーテルサルフ� �ン(PES)系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン (PEEK)系樹脂、ポリアリレート(PAR)系樹脂、ア� ��ミド系樹脂、または液晶ポリマー(LCP)樹脂� �フッ素系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ� �樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビ� �ル、EVA、PMMA、POM等の有機高分子樹脂からな� ��シートや基板のほか、石英基板、ガラス基� ��、シリコンウェハなどの無機材料などから� ��る基板も用いられる。これらの中でも、特� ��、ポリイミド系樹脂シート、シリコンウェ� ��は、耐熱性があるので、好適に用いられる� ��

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープにおいては、支� ��体の表面に予めプラズマ(スパッタ)処理、� �ロナ放電、紫外線照射、火炎、電子線照射� �化成、酸化などのエッチング処理や、有機� �の下塗り処理を施して、斜め柱状構造体と� �持体との密着性を向上させてもよい。また� �必要に応じて、溶剤洗浄や超音波洗浄など� �より、除塵清浄化してもよい。

 支持体の厚みとしては、任意の適切な厚� ��を採用し得る。例えば、シート状であれば� ��好ましくは10~250μm、基板状であれば、好ま� ��くは0.1~10mmである。なお、支持体は単層で� �良いし、2層以上の積層体でも良い。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製造� ��法で得られる粘着テープにおける斜め柱状� ��造体としては、任意の適切な材料を採用し� ��る。例えば、アルミニウム、亜鉛、金、銀� ��プラチナ、ニッケル、クロム、銅、白金、� ��ンジウムなどの金属類やサファイア、炭化� ��素(SiC)、チッ化ガリウム(GaN)などの無機材料 、一酸化ケイ素(SiO)、二酸化ケイ素(SiO ₂ )、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、酸化クロム(Cr ₂ O ₃ )、酸化ガリウム(Ga ₂ O ₃ )、酸化ハフニウム(HfO ₂ )、五酸化タンタル(Ta ₂ O ₅ )、酸化イットリウム(Y ₂ O ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、一酸化チタン(TiO)、二酸化チタン(TiO ₂ )、五酸化チタン(Ti ₃ O ₅ )、酸化ニッケル(NiO)、酸化マグネシウム(MgO)� ��ITO(In ₂ O ₃ +SnO ₂ )、五酸化ニオブ(Nb ₂ O ₅ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ジルコニウム(ZrO ₂ )などの酸化物も使用できる。また、ポリイ� �ド、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウ� �、フッ化セリウム、フッ化ランタン、フッ� �リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ネ� �ジウム、フッ化ナトリウムなどのフッ素系� �料、シリコーンなどの樹脂等も利用できる� �これらの材料は、1種のみを単独で用いても� ��いし、2種以上を混合して用いても良いし、 2層以上の多層構造としても良い。特に、親� �性を有する材料である二酸化ケイ素(SiO ₂ )、二酸化チタン(TiO ₂ )などの酸化物が好適に用いられる。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープにおける集合層� ��表面の水接触角は、好ましくは10度以下、� �り好ましくは8度以下、さらに好ましくは5度 以下である。集合層の表面の水接触角が上記 の範囲にあることにより、集合層の表面の濡 れ性が向上し、被着体との密着性が増加し、 粘着力や異物除去性が大きくなる。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製造� ��法で得られる粘着テープにおける集合層の� ��面の表面自由エネルギーは、好ましくは70mJ /m ² 以上、より好ましくは73mJ/m ² 以上、さらに好ましくは75mJ/m ² 以上である。集合層の表面の表面自由エネル ギーが上記の範囲にあることにより、集合層 の表面の濡れ性が向上し、被着体との密着性 が増加し、粘着力や異物除去性が大きくなる 。

 ここで、表面自由エネルギーとは、固体表� ��に対して水およびヨウ化メチレンを用いて� ��れぞれ接触角を測定し、この測定値と接触� ��測定液体の表面自由エネルギー値(文献より 既知)を、Youngの式および拡張Fowkesの式から導 かれる下記の式(1)に代入し、得られる二つの 式を連立一次方程式として解くことにより、 求められる固体の表面自由エネルギー値を意 味するものである。
 (1+cosθ)r _L =2√(r _S ^d r _L ^d )+2√(r _S ^v r _L ^v )・・・(1)
 ただし、式中の各記号は、それぞれ以下の� ��りである。
θ:接触角
r _L :接触角測定液体の表面自由エネルギー
r _L ^d :rLにおける分散力成分
r _L ^v :rLにおける極性力成分
r _S ^d :固体の表面自由エネルギーにおける分散力� �分
r _S ^v :固体の表面自由エネルギーにおける極性力� �分

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープにおける集合層� ��厚みは、本発明の目的を達成し得る範囲に� ��いて、任意の適切な条件を採用し得る。好� ��しくは100nm以上、より好ましくは200~10000nm、 さらに好ましくは500~5000nmである。このよう� �範囲であれば、微細な異物、好ましくはサ� �ミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分� �除去し得る。

 上記集合層は、好ましくは、実質的に粘� ��力を有しない。ここで、実質的に粘着性を� ��しないとは、粘着の本質を滑りに対する抵� ��である摩擦としたとき、粘着性の機能を代� ��する感圧性タックがないことを意味する。� ��の感圧性タックは、たとえばDahlquistの基準� ��したがうと、粘着性物質の弾性率が1MPaまで の範囲で発現するものである。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープにおける集合層� ��表面を保護するために、保護フィルムを用� ��てもよい。保護フィルムは、使用時など適� ��な段階で剥離され得る。保護フィルムとし� ��は、任意の適切な材料から形成される保護� ��ィルムを用い得る。例えば、シリコーン系� ��長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪酸アミド� ��、シリカ系の剥離剤などで剥離処理された� ��リ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリ� ��チレンテレフタレート、ポリブチレンテレ� ��タレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビ� ��ル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン� ��(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メ� ��)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレ ン、ポリカーボネートなどからなるプラスチ ックフィルムが挙げられる。また、ポリエチ レン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブ タジエン、ポリメチルペンテンなどのポリオ レフィン樹脂系のフィルムについては、離型 処理剤を用いなくとも離型性を有するので、 それ単体を保護フィルムとして使用すること もできる。

 保護フィルムの厚さは、好ましくは1~100μ mであり、より好ましくは10~100μmである。保� �フィルムの形成方法は、本発明の目的を達� �し得る範囲において、任意の適切な方法が� �用され得る。例えば、射出成形法、押出成� �法、ブロー成形法により形成することがで� �る。

 本発明の粘着テープは、支持体の表面に� ��斜め柱状構造体を形成させて製造し得る。� ��め柱状構造体の形成方法としては、任意の� ��切な方法を採用し得る。好ましくは、斜め� ��着法である。

 斜め蒸着法としては、任意の適切な斜め� ��着法の技術を採用し得る。例えば、特開平8 -27561号公報に記載の方法が挙げられる。好ま しくは、真空蒸着装置を用い、ロールで送り 出される支持体上に蒸着材料を蒸着させて行 う。好ましい実施態様として、図5に示すよ� �に、真空にした容器(チャンバー)の中で、蒸 着材料を蒸着源60として加熱し気化もしくは� ��華して、離れた位置に置かれた支持体10の� �面に付着させる際に、遮へい板50を用い、蒸 着材料を支持体10に対して傾斜させて蒸着さ� ��る。蒸着材料を支持体10に対して傾斜し蒸� �させることで、支持体10表面に対して傾斜し た斜め柱状構造体30が形成される。このとき� ��支持体10は蒸着ロール40で送り出される。

 上記蒸着材料の加熱・気化方法としては� ��任意の適切な方法を採用し得る。例えば、� ��抗加熱、電子ビーム、高周波誘導、レーザ� ��などの方法で加熱・気化する。好ましくは� ��子ビームである。

 斜め蒸着法の条件としては、任意の適切� ��条件を採用し得る。例えば、チャンバー真� ��度、蒸着時間、加熱条件(電子ビーム出力電 流、加速電圧など)、基板温度などを適宜変� �して、条件を設定し得る。

 上記蒸着材料としては、任意の適切な材料� ��採用し得る。例えば、アルミニウム、亜鉛� ��金、銀、プラチナ、ニッケル、クロム、銅� ��白金、インジウムなどの金属類やサファイ� ��、炭化珪素(SiC)、チッ化ガリウム(GaN)などの 無機材料、一酸化ケイ素(SiO)、二酸化ケイ素( SiO ₂ )、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、酸化クロム(Cr ₂ O ₃ )、酸化ガリウム(Ga ₂ O ₃ )、酸化ハフニウム(HfO ₂ )、五酸化タンタル(Ta ₂ O ₅ )、酸化イットリウム(Y ₂ O ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、一酸化チタン(TiO)、二酸化チタン(TiO ₂ )、五酸化チタン(Ti ₃ O ₅ )、酸化ニッケル(NiO)、酸化マグネシウム(MgO)� ��ITO(In ₂ O ₃ +SnO ₂ )、五酸化ニオブ(Nb ₂ O ₅ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ジルコニウム(ZrO ₂ )などの酸化物も使用できる。また、ポリイ� �ド、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウ� �、フッ化セリウム、フッ化ランタン、フッ� �リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ネ� �ジウム、フッ化ナトリウムなどのフッ素系� �料、シリコーンなどの樹脂等も利用できる� �これらの材料は、1種のみを単独で用いても� ��いし、2種以上を混合して用いても良いし、 2層以上の多層構造としても良い。特に、親� �性を有する材料である二酸化ケイ素(SiO ₂ )、二酸化チタン(TiO ₂ )などの酸化物が好適に用いられる。

 本発明の粘着テープの製造方法は、支持� ��の表面に該表面からの仰角が90度未満で突� �した斜め柱状構造体の集合層を備える粘着� �ープの製造方法であって、該支持体の表面� �該斜め柱状構造体を斜め蒸着法によって形� �する。

 斜め蒸着法としては、任意の適切な斜め� ��着法の技術を採用し得る。例えば、特開平8 -27561号公報に記載の方法が挙げられる。好ま しくは、真空蒸着装置を用いる。また、ロー ルで送り出される支持体上に蒸着材料を蒸着 させて行うことも好ましい。また、蒸着源と 支持体との間に部分的な遮へい板を設けるこ とによって該支持体上に蒸着材料を斜め蒸着 させることも好ましい。ここで、「部分的な 遮へい板」とは、蒸着源と支持体との間の空 間に遮へい板を配置するにあたって、蒸着源 から見て支持体が完全に隠れるように遮へい 板を配置しないことを意味する。すなわち、 蒸着源から見て支持体の少なくとも一部が見 えるように遮へい板を配置することを意味す る。

 好ましい実施態様として、図5に示すよう に、真空にした容器(チャンバー)の中で、蒸� ��材料を蒸着源60として加熱し気化もしくは� �華して、離れた位置に置かれた支持体10の表 面に付着させる際に、遮へい板50を用い、蒸� ��材料を支持体10に対して傾斜させて蒸着さ� �る。蒸着材料を支持体10に対して傾斜し蒸着 させることで、支持体10表面に対して傾斜し� ��斜め柱状構造体30が形成される。このとき� �支持体10は蒸着ロール40で送り出される。図5 に示すような真空蒸着装置を用いる場合、支 持体の表面に該表面からの仰角が90度未満で� ��出した斜め柱状構造体の集合層を設けるこ� ��ができ、且つ、該斜め柱状構造体のアスペ� ��ト比が1以上であるように制御するために、 装置設計上、特に重要となるのは、蒸着ロー ルの半径Rと、蒸着ロールの表面から蒸着源� �での最短距離L3である。

 図5に示すような真空蒸着装置を用いる場 合、蒸着ロールの半径Rは、支持体の表面に� �表面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱 状構造体の集合層を設けることができ、且つ 、該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上� �あるように制御できる限り、任意の適切な� �径を採用し得る。効率よく本発明の効果を� �現するためには、蒸着ロールの半径Rは、好� ��しくは、0.1~5m、より好ましくは0.2~1mである� ��

 図5に示すような真空蒸着装置を用いる場 合、蒸着ロールの表面から蒸着源までの最短 距離L3は、支持体の表面に該表面からの仰角� ��90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合� �を設けることができ、且つ、該斜め柱状構� �体のアスペクト比が1以上であるように制御� ��きる限り、任意の適切な距離を採用し得る� ��効率よく本発明の効果を発現するためには� ��蒸着ロールの表面から蒸着源までの最短距� ��L3は、好ましくは、0.1~5m、より好ましくは0. 3~3mである。

 図5に示すような真空蒸着装置を用いる場 合、蒸着ロールの中心から蒸着源までの最短 距離L1は、支持体の表面に該表面からの仰角� ��90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合� �を設けることができ、且つ、該斜め柱状構� �体のアスペクト比が1以上であるように制御� ��きる限り、任意の適切な距離を採用し得る� ��なお、L1は、L1=R+L3で決まる長さである。し� ��がって、効率よく本発明の効果を発現する� ��めには、蒸着ロールの中心から蒸着源まで� ��最短距離L1は、好ましくは、0.2~10m、より好� ��しくは0.5~4mである。

 図5に示すような真空蒸着装置を用いる場 合、遮へい板から蒸着源までの最短距離L2は� ��支持体の表面に該表面からの仰角が90度未� �で突出した斜め柱状構造体の集合層を設け� �ことができ、且つ、該斜め柱状構造体のア� �ペクト比が1以上であるように制御できる限� ��、任意の適切な距離を採用し得る。なお、L 2はL3に依存して設定され得る長さであるが、 効率よく本発明の効果を発現するためには、 一般的には、L2は、好ましくはL3の1/2以上、� �り好ましくは2/3以上である。L2がこれよりも 小さいと、蒸着膜が等方的に成膜されやすく なり、上記の角度、アスペクト比が制御しに くいおそれがある。

 図5に示すような真空蒸着装置を用いる場 合、遮へい板の長さL4は、支持体の表面に該� ��面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱� �構造体の集合層を設けることができ、且つ� �該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上で� ��るように制御できる限り、任意の適切な長� ��を採用し得る。なお、L4はRに依存して設定� ��れ得る長さであるが、蒸着角度をつける必� ��があることから、好ましくはR<L4<2Rで設 定し得る。L4は、好ましくは0.1~10m、より好ま しくは0.2~2mである。また、具体的には、支持 体の表面に該表面からの仰角αが90度未満、� �ましくは10~85度、より好ましくは20~80度、さ� ��に好ましくは30~70度で突出した斜め柱状構� �体が設けられるように、遮へい板の長さL4を 調整する。図5の場合、遮へい板50の右端部の 位置を水平方向に調整する。

 上記真空蒸着装置内の到達真空度は、好ま� ��くは1×10 ^-3 torr以下、より好ましくは5×10 ^-4 torr以下、さらに好ましくは1×10 ^-4 torr以下である。上記真空蒸着装置内の到達� �空度が上記範囲から外れると、本発明の効� �を十分に発揮させ得る斜め柱状構造体を形� �できないおそれがある。

 上記真空蒸着装置内において支持体が送� ��出されるライン速度は、装置サイズ等を考� ��して、支持体の表面に該表面からの仰角が9 0度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層� �設けることができ、且つ、該斜め柱状構造� �のアスペクト比が1以上であるように制御で� ��るように、任意の適切な速度を設定すれば� ��い。

 上記真空蒸着装置内における蒸着材料の� ��着は、該蒸着材料を加熱・気化できる方法� ��あれば、任意の適切な方法を採用し得る。� ��えば、抵抗加熱、電子ビーム、高周波誘導� ��レーザーなどの方法で加熱・気化する。好� ��しくは、上記真空蒸着装置内における蒸着� ��料の蒸着が電子ビームによる加熱・気化に� ��って行われる。

 上記電子ビームのエミッション電流は、� ��置サイズ等を考慮して、支持体の表面に該� ��面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱� �構造体の集合層を設けることができ、且つ� �該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上で� ��るように制御できるように、任意の適切な� ��ミッション電流を設定すれば良い。

 斜め蒸着法の条件としては、上記の条件� ��他に、任意の適切な条件を採用し得る。例� ��ば、蒸着時間、基板温度などを適宜変更し� ��、条件を設定し得る。

 上記蒸着材料としては、任意の適切な材料� ��採用し得る。例えば、アルミニウム、亜鉛� ��金、銀、プラチナ、ニッケル、クロム、銅� ��白金、インジウムなどの金属類やサファイ� ��、炭化珪素(SiC)、チッ化ガリウム(GaN)などの 無機材料、一酸化ケイ素(SiO)、二酸化ケイ素( SiO ₂ )、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ )、酸化セリウム(CeO ₂ )、酸化クロム(Cr ₂ O ₃ )、酸化ガリウム(Ga ₂ O ₃ )、酸化ハフニウム(HfO ₂ )、五酸化タンタル(Ta ₂ O ₅ )、酸化イットリウム(Y ₂ O ₃ )、酸化タングステン(WO ₃ )、一酸化チタン(TiO)、二酸化チタン(TiO ₂ )、五酸化チタン(Ti ₃ O ₅ )、酸化ニッケル(NiO)、酸化マグネシウム(MgO)� ��ITO(In ₂ O ₃ +SnO ₂ )、五酸化ニオブ(Nb ₂ O ₅ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ジルコニウム(ZrO ₂ )などの酸化物も使用できる。また、ポリイ� �ド、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウ� �、フッ化セリウム、フッ化ランタン、フッ� �リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ネ� �ジウム、フッ化ナトリウムなどのフッ素系� �料、シリコーンなどの樹脂等も利用できる� �これらの材料は、1種のみを単独で用いても� ��いし、2種以上を混合して用いても良いし、 2層以上の多層構造としても良い。特に、親� �性を有する材料である二酸化ケイ素(SiO ₂ )、二酸化チタン(TiO ₂ )などの酸化物が好適に用いられる。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープは、任意の適切� ��用途に用い得る。好ましくは、例えば、電� ��部品製造用、構造用、自動車用など、耐熱� ��や凝集力が求められる用途に用い得る。特� ��、被着体から引き剥がす場合の糊残りの問� ��が生じないので、電子部品や半導体デバイ� ��、LCDやPDPなどのフラットディスプレイなど� ��電子部品製造用の剥離が必要となる用途に� ��適に用い得る。

 本発明の粘着テープあるいは本発明の製� ��方法で得られる粘着テープは、クリーニン� ��部材として使用し得る。

 クリーニング部材の用途としては、任意� ��適切な用途を採用し得る。好ましくは、基� ��上の異物の除去や、基板処理装置内の異物� ��除去に用いられる。より具体的には、例え� ��、半導体、フラットパネルディスプレイ、� ��リント基板などの製造装置や検査装置など� ��微細な異物を嫌う基板処理装置のクリーニ� ��グ用途に好適に用いられる。

 基板処理装置内を搬送させることによっ� ��クリーニングする場合、支持体として、任� ��の適切な搬送部材を用いる。すなわち、搬� ��部材の表面に該表面からの仰角が90度未満� �突出した斜め柱状構造体の集合層を備える� �このようなクリーニング部材を基板処理装� �内で搬送し、被洗浄部位に接触・移動させ� �ことにより、上記装置内に付着する異物に� �る搬送トラブルを生じることなく簡便かつ� �実にクリーニング除去することができる。� �送部材としては、例えば、半導体ウェハ、LC D、PDPなどのフラットパネルディスプレイ用� �板、その他のコンパクトディスク、MRヘッド などの基板が挙げられる。

 除塵が行われる基板処理装置としては、� ��意の適切な装置を採用し得る。例えば、露� ��装置、レジスト塗布装置、現像装置、アッ� ��ング装置、ドライエッチング装置、イオン� ��入装置、PVD装置、CVD装置、外観検査装置、� ��エハプローバーなどがあげられる。