リッジ導波路型の半導体レーザ装置にお� ��ては、リッジ導波路部からの漏れ光によっ� ��、近視野像(NFP)が悪化することが知られて� �る。本願発明者らは、まず、リッジ導波路� �からの漏れ光がどのように起きているのか� �詳細に調べた。その結果、リッジ導波路部� �微小なゆらぎ及び半導体層表面のモフォロ� �によってリッジ導波路部内を伝播する光が� �乱されるために、漏れ光が発生することが� �らかになった。また、リッジ幅が狭くなる� �ど散乱の影響を強く受けるため、漏れ光が� �大することも明らかになった。

 漏れ光はNFPにおいてはリッジ導波路部の両� ��に存在し、NFPのピーク強度で規格化した相� ��強度が1×10 ^-3 程度になると遠視野像(FFP)のリップルが顕著� ��現れることが明らかになった。逆に漏れ光� ��相対強度が5×10 ^-4 以下になるとFFPのリップルはかなり低減され 、相対強度が1×10 ^-4 以下になると、FFPにリップルは完全に認めら れなくなり、良好なFFP形状を実現できること が明らかになった。

 窒化物半導体レーザ装置のリッジ幅は一� ��に1μm~2μm程度と比較的狭い。このため、窒� ��物半導体レーザ装置は、漏れ光が生じやす� ��。リッジ幅を広げることで、FFP形状の改善� ��期待されるが、閾値電流、キンク及び拡が� ��角等の他の特性の悪化を招くおそれがあり� ��リッジ幅の変更は容易ではない。また、窒� ��物半導体レーザ装置においては、自発分極� ��歪みによるピエゾ効果によるバンドベンデ� ��ング、高い注入キャリア密度によるバンド� ��ュリンク及び発熱による発振波長の長波長� ��フト等の現象が生じる。これにより、リッ� ��導波路部における発振波長が、周辺領域の� ��収端の波長よりも長波長となることが多い� ��このため、漏れ出た光が吸収されることな� ��、リッジ導波路部の外を伝播する迷光とな� ��てしまう。この迷光は、最終的に光出射端� ��から出射され、FFP形状にリップルとして現� ��る。

 このように窒化物半導体レーザ装置にお� ��ては、構造的に漏れ光の発生を防止するこ� ��が困難である。従って、NFP及びFFPを改善す� ��ためには、光出射端面からの漏れ光の放出� ��何らかの方法で防ぐ必要がある。本願発明� ��らは、検討の結果、リッジ導波路部以外の� ��域において半導体層の上に光吸収の大きな� ��料を光吸収層として形成することで、漏れ� ��を効果的に吸収できることを見いだした。

 リッジ導波路部からの漏れ光はリッジ導� ��路部に対してほぼ対称に発生しうるため、� ��吸収層はリッジ導波路部の両側に対称に形� ��することが効果的であると考えられる。

 また、光吸収層は光出射端面の近傍に形� ��することが最も効果的であることが明らか� ��なった。これは、漏れ光が、共振器方向に� ��に伝播し、最終的に光出射端面から放出さ� ��ることと、共振器方向の光密度分布が光出� ��端面の近傍において最も高くなることとが� ��因であると考えられる。

 以下に、以上の検討結果に基づいて実現� ��た、FFPの形状が改善された半導体レーザ装� ��について具体的に説明する。

 (第1の実施形態)
 本発明の第1の実施形態について図面を参照 して説明する。図1(a)~(d)は第1の実施形態に係 る半導体レーザ装置であり、(a)は平面構成を 示し、(b)~(c)はそれぞれ、(a)のIb-Ib線、Ic-Ic線� ��びId-Id線における断面構成を示している。

 本実施形態の半導体レーザ装置は、劈開� ��より形成され、互いに対向する1対の共振器 端面を有する共振器構造を備えている。共振 器構造は、基板の上に形成され、共振器方向 に延びるストライプ状のリッジ導波路部12aを 有する半導体層積層体12と、共振器端面に形� ��された多層誘電体反射膜とにより形成され� ��いる。また、本実施形態の半導体レーザ装� ��は、半導体層積層体12の上におけるリッジ� �波路部12aの両側方に形成された、光吸収層17 を備えている。これにより、リッジ導波路部 12aからの漏れ光を吸収することができ、FFPの 形状を改善することができる。

 具体的に、半導体層積層体12は、n型のGaN� ��らなる基板10の上に、順次形成されたn型半� ��体層13と活性層14とp型半導体層15とを有して いる。半導体層積層体12はレーザ共振器が形� ��できればどのようなものでもよいが、例え� ��以下のような構成とすればよい。

 n型半導体層13は、膜厚が1μmのn型GaN層31と、 膜厚が2.5μmのn-Al _0.04 Ga _0.96 Nからなるn型クラッド層32と、膜厚が150nmのn� �のGaN(n-GaN)からなるn型ガイド層33を有してい� ��。活性層14は、膜厚が3nmのIn _0.10 Ga _0.90 Nからなるウェル層と、膜厚が7.5nmのIn _0.02 Ga _0.98 Nからなるバリア層との三重量子井戸からな� �。p型半導体層15は、膜厚が120nmのp型のGaN(p-Ga N)からなる光ガイド層51と、膜厚が0.5μmのp-Al _0.05 Ga _0.95 Nからなるp型クラッド層52と、膜厚が100nmのp-G aNからなるp型コンタクト層53とを有している� ��

 半導体層積層体12と基板10との間にはバッフ ァ層が形成されていてもよく、バッファ層は 例えば膜厚が200nmのn-GaNとすればよい。半導� �層積層体12は有機金属気相堆積(MOCVD)法等に� �り形成すればよい。n型の層を形成する際に� ��、ドナー不純物としてシリコン(Si)を5×10 ¹⁷ cm ^-3 程度ドーピングすればよい。p型の層を形成� �る際には、アクセプタ不純物としてマグネ� �ウム(Mg)を1×10 ²⁰ cm ^-3 程度ドーピングすればよい。

 半導体層積層体12には、共振器方向に延び� �リッジ導波路部12aが形成されている。リッ� �導波路部12aは、p型クラッド層52の一部及びp� ��コンタクト層53をドライエッチング等によ� �選択的に除去することにより形成すればよ� �。リッジ導波路部12aの側面及びリッジ導波� �部12aを除くp型クラッド層52の上には、膜厚� �200nm酸化シリコン(SiO ₂ )からなる誘電体層16が形成されている。なお 、誘電体層16はリッジ導波路部12aの側面全体� ��覆っている必要はなく、少なくとも一部を� ��っていればよい。

 誘電体層16は、リッジ導波路部12aの両側� �の所定の位置にp型クラッド層52を露出する� �口部を有し、開口部を埋めるようにアモル� �ァスシリコンからなる光吸収層17が形成され ている。光吸収層17の位置、大きさ及び材質� ��については後で詳しく説明する。

 リッジ導波路部12aの上には、p型コンタク ト層53を介在させてp側電極21が形成されてい� ��。基板10の半導体層積層体12と反対側の面(� �面)には、n側電極22が形成されている。誘電� ��層16の上には、p側電極パッド23が形成され� �いる。p側電極パッド23は、リッジ導波路部12 aを覆うように形成されており、p側電極21と� �気的に接続されている。

 p側電極21は例えばパラジウム(Pd)と白金(Pt )との積層膜とすればよい。p側電極21を形成� �る際には、基板を70℃~100℃に過熱した状態� �電子線蒸着を行い、その後400℃程度で熱処� �を行うことが好ましい。このようにすれば� �p側電極21のコンタクト抵抗を低減すると共� �、密着性を向上させることができる。p側電� ��パッド23及びn側電極22は、チタン(Ti)と白金( Pt)と金(Au)との積層膜とすればよい。

 p側電極パッド23は、光吸収層17と間隔を� �いて形成されており、p側電極21と光吸収層17 とは電気的に絶縁されている。このため、p� �クラッド層52と接して形成された光吸収層17� ��介して半導体層積層体12にリーク電流が流� �ることはない。

 半導体層積層体12のレーザ光が出射する� �出射端面12Aには、反射率50%の多層誘電体反� �膜(図示せず)が形成されており、光出射端面 12Aと反対側の後端面12Bには反射率95%の多層誘 電体反射膜(図示せず)が形成されている。こ� ��により、半導体層積層体12はレーザ共振器� �して機能する。

 以下に、光吸収層17の形成位置及び大き� �についてさらに詳細に説明する。図2は、光� ��収層17とリッジ導波路部12aとの平面的な位� �関係を示している。リッジ導波路部12aから� �漏れ光を吸収するという観点からは、光吸� �層17をリッジ導波路部12aを除いてp型クラッ� �層上の全面に形成すればよい。しかし、実� �には光吸収層17を形成する領域には種々の制 約が課せられる。

 光吸収層17は、原理的には光出射端面12A� �接して形成することが最も効果的であると� �えられる。しかし、素子の劈開工程前に劈� �線をまたいで光吸収層17を形成すると、劈開 時の妨げとなり劈開端面にクラックや段差が 発生し、FFP形状の改善効果が低下してしまう ことがわかった。光吸収層17は、光吸収特性� ��優れた材料により形成する必要がある。こ� ��ため、後で述べるように金属材料を用いる� ��とが好ましい。一般的な蒸着により形成し� ��金属層は、アモルファス成分が多いため、� ��展性があり劈開性がない。このため、素子� ��劈開部をまたいで金属層を形成すると、劈� ��時に妨げになり劈開端面にクラック及び段� ��が発生したり、金属層のみが劈開線から逸� ��した位置で分離したりする。これにより、� ��えってFFPの形状が悪化してしまう。以上の� ��とから、光吸収層17は、光出射端面と間隔� �おいて形成する必要がある。

 また、光吸収層17とリッジ導波路部12aと� �接していると、リッジ導波路部12a内を伝搬� �る主ビームが吸収されてしまう。このため� �光吸収層17はリッジ導波路部12aと間隔をおい て形成する必要がある。しかし、光吸収層17� ��リッジ導波路部12aとの間隔が大きすぎると� ��FFPの形状に影響を与える漏れ光を吸収する� ��とができなくなるおそれがある。

 図3(a)及び(b)は、リッジ導波路部の幅が1μ mの従来の半導体レーザ装置において得られ� �水平FFPの強度分布と、水平FFPの強度分布か� �推定したNFPの強度分布とをそれぞれ示して� �る。NFPの推定はFFP分布を逆フーリエ変換す� �ことにより行った。FFP強度分布においては� �光の位相情報が消失しているためNFPの正確� �強度分布を求めることはできない。つまり� �NFPの左右分布の非対称性については位相情� �がないため、見積もることは不可能である� �しかし、NFPの観察結果との比較から推定NFP� �位置及び相対強度は概ね一致することが確� �できている。

 図3(b)に示すように、リッジ導波路部の中心 から2μm程度の所までは、主ビームが伝搬し� �いるため、図2に示すリッジ導波路部の中心� ��光吸収層17との距離d1を2μm未満とすること� �好ましくない。また、先に述べたように、� �れ光の相対強度が1×10 ^-4 以下となるとFFPの形状への影響はほとんど生 じない。従って、図2に示すリッジ導波路部12 aの中心から光吸収層17までの距離d1は10μm以� �とすることが好ましい。リッジ導波路部の� �心から2μm~10μm程度の領域において最も大き� ��と考えられるため、d1を2μm~3μm程度とする� �とがさらに好ましい。

 次に、図2に示す光吸収層17の共振器方向� ��奥行きd2について検討する。d2は少なくとも 、漏れ光の吸収効果が十分発揮される長さと する必要がある。図4は、吸収係数が異なる� �吸収層17における吸収率とd2との関係を示し� ��いる。

 図4に示すように、実効吸収係数αeが100cm ^-1 の場合、漏れ光を1/2に低減するためには、d2� ��70μm程度とする必要がある。また、1/10に低� ��するためにはd2を250μm程度としなければな� �ない。一方、実効吸収係数αeが1000cm ^-1 の場合には、漏れ光を1/2にするためには、d2� ��7μm程度とし、1/10にするためにはd2を25μm程� ��としなければならない。なお、実効吸収係� ��αeとは、p型クラッド層52の上に形成された� ��吸収層17の下部における光の実効的な吸収� �数である。

 但し、実際には、共振器内を伝播する漏れ� ��は光出射端面及び後端面において反射され� ��がら、光吸収層17が形成された領域を多数� �通過する。光出射端面における反射率が50%� �後端面における反射率が95%の場合には、平� �3回程度光吸収層が形成された領域を通過す� ��と見積もられる。このため、実効吸収係数� �eが100cm ^-1 の場合でも、d2が25μm程度あれば漏れ光を1/2� �低減できると考えられる。実効吸収係数αe� �1000cm ^-1 の場合には、さらにd2を小さくすることが可� ��である。

 図5は、漏れ光を1/2に低減する場合及び1/10� �低減する場合のd2と実効吸収係数αeとの関係 を示している。このように、d2と実効吸収係� ��αeの逆数とは比例関係にある。従って、最� ��限のd2の値は、
d2=c×(1/αe)
により求めることができる。但し、cは漏れ� �の低減率によって決まる係数である。cの値� ��一例を挙げると、漏れ光を1/2に低減する場� ��には約7000であり、1/10に低減する場合には� �23000である。但し、本実施形態におけるp型� �ラッド層のAl組成が3%の条件においての値で� ��り、p型クラッド層52のAl組成等によりcの値� ��変動する。cの値はp型クラッド層のAl組成が 高くなると小さくなる傾向にある。

 以上のことから、光吸収層17の共振器方� �の奥行きd2は、光吸収層17の材質及び必要と� ��る漏れ光の低減の程度により変更する必要� ��あるが、2μm~50μm程度とすることが好ましい 。

 窒化物半導体レーザの標準的な共振器長� ��400μm~800μm程度である。従って、d2の値が2μm ~50μm程度の範囲であれば、光吸収層17とp側電 極パッド23とを空間的に離間させることが可� ��である。従って、光吸収層17が導電性であ� �場合にも、光吸収層17とp側電極パッド23とを 、絶縁膜等を設けることなく絶縁することが できる。その結果、簡便なプロセスでFFP形状 の改善を実現できる。但し、共振器長が長く 光吸収層17とp側電極パッド23とを空間的に離� ��させることができる場合には、d2をさらに� �きくしても何ら問題はない。

 図2に示す光吸収層17の端面方向の幅d3は� �図3に示すように10μm程度あれば、漏れ光の� �在する主な部分がカバーできる。このため� �10μm以上とすることが好ましい。また、共振 器方向の二次劈開時にも、一次劈開時と同様 に、劈開部分には光吸収層17が形成されてい� ��い方が、劈開精度が向上する。従って、光� ��収層17の端面方向の幅d3は、共振器の側面に 到達しない幅とすることが好ましい。

 次に、光吸収層17の材質について検討する� �先に説明したように、光吸収層17の下部にお ける実効吸収係数αeは100cm ^-1 以上とすることが好ましい。光吸収層17は漏� ��光が伝播する層の上部に形成されており、� ��れ光の光分布とは空間的なずれがあるため� ��吸収の効果は限定的にならざるを得ない。� ��かし、光吸収層の実効吸収係数αeは、光吸� ��層の屈折率n、消衰係数k及びp型クラッド層� ��材質から大まかに見積もることができる。

 図6は、波長405nmにおける屈折率nと消衰係 数kと実効吸収係数αeとの関係を求めた結果� �示している。実効吸収係数αeは、p型クラッ� ��層の上に形成された光吸収層の下部におけ� ��光の実効的な吸収を示す指標である。従っ� ��、光吸収層による光の吸収特性及び光吸収� ��とp型クラッド層との屈折率の違い等によっ て決定される。図6に示すように大まかには� �屈折率nが2程度よりも大きく、消衰係数kが0. 001以上の材料、屈折率nが1~2程度であり、消� �係数kが1~4程度の材料を用いることができる� ��さらに詳細には、n≧1且つn+2k≧2を満たす材 料が好ましく、n>2且つ0.001<k<2.5を満た� ��材料がさらに好ましい。但し、この場合、p 型クラッド層のAl組成は3%としている。Al組成 が増加すると、実効的吸収係数αeの値は大き くなる傾向にある。

 図7には、主な材料の屈折率nと消衰係数k� ��の値を示す。先に述べた条件を満たす材料� ��ある銅(Cu)、パラジウム(Pd)、ジルコン(Zr)、� ��オブ(Nb)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、金(Au)、 白金(Pt)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリ� ��デン(Mo)若しくはタンタル(Ta)等の金属材料� �窒化チタン(TiN)、窒化クロム(CrN)、窒化ジル� ��ン(ZrN)、窒化にオブ(NbN)、窒化タンタル(TaN)� ��しくは窒化モリブデン(MoN)等の金属窒化物� �はアモルファスシリコン(a-Si)等を用いるこ� �が好ましい。また、これらの材料の積層膜� �は合金等を用いることも可能である。なお� �光吸収層の共振器方向の奥行きd2を大きく確 保できれば、この範囲を外れる銀(Ag)又はア� �ミニウム(Al)等の材料を用いることも可能で� ��る。

 図8(a)及び(b)は、本実施形態の半導体レー ザ装置における水平FFPの強度分布と、FFPから 推定したNFPの強度分布を示す。図8は、光吸� �層17がアモルファスSiからなり、リッジ導波� ��部12aの中心との距離d1が2μm、共振器方向の� ��行きd2が10μm、端面方向の幅d3が50μmの場合� �ついて測定した結果を示している。図3に示� ��た光吸収層を形成していない場合と比べ、� ��ップルが大幅に低減され、ガウシアン形状� ��近いFFPの形状が得られている。

 光吸収層17の形状が平面方形状である例� �示したが、図9(a)~(c)に示すように他の形状で あってもよい。但し、漏れ光の分布及び共振 器方向の光強度分布を考慮すると、光出射端 面の近傍ほど端面方向の幅が大きく、リッジ 導波路部の近傍ほど共振器方向の奥行きが大 きい形状であることが好ましい。

 本実施形態の半導体レーザ装置は、光吸� ��層17を形成することを除けば、通常の半導� �レーザ装置の形成方法と同じである。まず� �基板10の上に、常法に従ってい半導体層積層 体12を形成する。次に、p型クラッド層52及びp 型コンタクト層53を選択的にエッチングして� ��ッジ導波路部12aを形成する。次に、リッジ� ��波路部12aが形成された半導体層積層体12の� �に誘電体層16を形成した後、リッジ導波路部 12aの上面を露出する第1の開口部を形成する� �次に、第1の開口部にPdとPtとからなるp側電� �を形成する。次に、誘電体層16の所定の領域 にp型クラッド層52を露出する第2の開口部を� �成する。第2の開口部の形成は、例えばフォ� ��リソグラフィーとバッファードフッ酸(BHF)� �により行えばよい。次に、第2の開口部を埋� ��るようにシリコン又は金属等の材料を蒸着� ��、光吸収層17を形成すればよい。この後、� �定の位置にp側電極パッドを形成し、基板10� �薄膜化した後、基板裏面にn側電極を形成す� ��。次に、基板裏面からのブレーキングによ� ��一次劈開を行い共振器端面を形成した後、� ��振器端面に多層誘電体反射膜を形成する。� ��に、共振器方向に二次劈開を行うことによ� ��共振器構造を有する半導体レーザ装置が得� ��れる。得られた半導体レーザ装置は、パッ� ��ージに実装し配線を行う。

 また、以下に示すような工程により光吸� ��層17を形成することにより、工程数を低減� �ることも可能である。誘電体層16を半導体層 積層体12の上に形成した後、リッジ導波路部1 2aの上面及び光吸収層17を形成する部分に選� �的に開口部を形成する。次に、電子線蒸着� �等により、開口部にPd及びPtを順次形成する� ��これにより、p側電極21及び光吸収層17が同� �に形成される。Pd及びPtの厚さは、例えば40nm 及び35nmとすればよい。また、PdとPtとの積層� ��に代えて他の材料を用いてもよい。

 このようにすれば、p側電極と光吸収層と を同時に形成できるため、工程数を削減でき る。p側電極と光吸収層とにPdとPtとの積層体� ��用いた場合において、光吸収層のリッジ中� ��からの距離d1を2μm、共振器方向の奥行きd2� �25μm、端面方向の幅d3を50μmとすると、アモ� �ファスシリコンを用いて共振器方向の奥行� �d2を10μmとした場合とほぼ同等の漏れ光の吸� ��効果が得られた。

 (第2の実施形態)
 以下に、本発明の第2の実施形態について図 面を参照して説明する。図10(a)~(d)は、第2の� �施形態に係る半導体レーザ装置であり、(a)� �平面構成を示し、(b)~(c)はそれぞれ、(a)のXb-X b線、Xc-Xc線及びXd-Xd線における断面構成を示� ��ている。図10において図1と同一の構成要素� ��は同一の符号を附すことにより説明を省略� ��る。

 本実施形態の半導体レーザ装置は、光吸� ��層17が光出射端面12A側に形成された第1の部� ��17Aと、後端面12B側に形成された第2の部分17B と有している。

 光吸収層の漏れ光を吸収する効果は、光� ��収層の共振器方向の長さに依存する。この� ��め、後端面側にも光吸収層を形成すること� ��より、光吸収の効果を約2倍に向上させるこ とができる。

 半導体レーザ装置を製造する工程の観点� ��らみた場合、第1の部分17Aと第2の部分17Bと� �同一の形状であり且つ第1の部分17Aと光出射� ��面との間隔及び第2の部分17Bと後端面との間 隔が互いに等しいことが好ましい。つまり、 半導体レーザ装置を製造する工程において、 第1の部分17Aと第2の部分17Bとが一次劈開線に� ��して対称となるようにすることが好ましい� ��

 具体的には図11に示すように、基板上に� �振器方向に連続して形成された2つのレーザ� ��振器において、第1の部分17Aと第2の部分17B� �を一次劈開線61に対して線対称となるように する。劈開線に対して非対称な構造が存在す ると、劈開ずれ、クラック及び段差等の劈開 不良が起こりやすくなる。劈開不良はFFP形状 を劣化させる原因となる。第1の部分17Aと第2� ��部分17Bとを一次劈開線に対して対象とする� ��とにより、劈開不良の発生を低減すること� ��できる。これによりFFP形状を改善すること� ��できると共に、歩留まりも向上させること� ��できる。この場合、劈開により得られた半� ��体レーザ装置においては、第1の部分17Aと第 2の部分17Bとが、共振器構造における端面方� �の中心線に対して線対称となる。

 また、さらに劈開を容易とするために、� ��12に示すように劈開ガイド溝62を形成しても よい。劈開ガイド溝62は、どのような形状で� ��よいが、先端がV字型となっていた方が正確 にガイドできる。また、深さを3μ程度とし、 n型クラッド層32又はn型GaN層31まで達していれ ば、劈開を正確にガイドすることができる。

 劈開ガイド溝を形成した場合には、図13� �示すように劈開ガイド溝の痕跡である段差� �62aが光出射端面12A及び後端面12Bに生じる。� �お、第1の実施形態に示した、光吸収層17が� �出射端面12A側にのみ形成されている場合に� �劈開ガイド溝を形成すれば、劈開不良を低� �することができる。

 本実施形態においても、光吸収層17とp側� ��極21とを同じ材料により形成すれば工程を� �減することが可能となる。

 (第3の実施形態)
 以下に、本発明の第3の実施形態について図 面を参照して説明する。図14(a)~(d)は、第3の� �施形態に係る半導体レーザ装置であり、(a)� �平面構成を示し、(b)~(c)はそれぞれ、(a)のXIVb -XIVb線、XIVc-XIVc線及びXIVd-XIVd線における断面� ��成を示している。図14において図1と同一の� ��成要素には同一の符号を附すことにより説� ��を省略する。

 本実施形態の半導体レーザ装置は、光吸収� ��17が誘電体層16に覆われている。従って、光 吸収層17の共振器方向の奥行きが大きい場合� ��もp側電極パッドと光吸収層17との電気的絶� ��を確保することができる。このため、実効� ��収係数αeが小さい材料を用いて光吸収層17� �形成することが可能となる。例えば、実効� �収係数αeが100cm ^-1 の材料を用いた場合においても、光吸収層17� ��共振器方向の奥行きを300μm以上とすれば、� ��れ光の強度を1/10以下にすることが可能であ る。

 また、共振器長が短い半導体レーザ装置� ��おいても、共振器方向の奥行きを大きく確� ��することができる。例えば、共振器長が400� �mの場合、端面近傍の5μmを除いた390μmの奥行 きの光吸収層を形成することができる。

 本実施形態の半導体レーザ装置は以下のよ� ��にして形成すればよい。第1の実施形態と同 様にして、リッジ導波路部12aを形成する。次 に、リッジ導波路部12aの両側方に膜厚が200nm� ��アモルファスシリコンからなる光吸収層17� �選択的に形成する。続いて、基板10上の全面 に膜厚が200nmのSiO ₂ 膜を形成した後、SiO ₂ 膜におけるリッジ導波路部12aの上に形成され た部分を選択的に除去して誘電体層16を形成� ��る。続いて、リッジ導波路部12aの上にp側電 極21を形成する。次に、p側電極パッド23及びn 側電極22等を形成した後、劈開及び反射膜の� ��成等を行う。

 このようにすれば、リッジ導波路部12aを形� ��した直後に光吸収層を形成するため、電流� ��窄及び光閉じ込め用のSiO ₂ 誘電体層16だけで光吸収層17とp側電極21及びp� ��電極パッド23との絶縁を確保することがで� �る。従って、第1の実施形態と同じ工程数で� ��より漏れ光の吸収効果が高い光吸収層を形� ��できる。これにより、FFP形状のより良好な� ��化物半導体レーザを実現できる。なお、本� ��施形態においても、劈開ガイド溝を設ける� ��とが可能である。

 (第4の実施形態)
 以下に、本発明の第4の実施形態について図 面を参照して説明する。図15(a)~(d)は、第4の� �施形態に係る半導体レーザ装置であり、(a)� �平面構成を示し、(b)~(c)はそれぞれ、(a)のXVb- XVb線、XVc-XVc線及びXVd-XVd線における断面構成� ��示している。図15において図1と同一の構成� ��素には同一の符号を附すことにより説明を� ��略する。

 本実施形態の半導体レーザ装置は、光吸� ��層17とp側電極パッド23との間に形成された� �縁層18を備えている。絶縁層18を設けること� ��より、光吸収層17の共振器方向の奥行きが� �きい場合にもp側電極パッド23と光吸収層17と の電気的絶縁性を確保できる。また、絶縁層 18を設けることにより、p側電極21を形成し熱� ��理を行った後、光吸収層17を形成すること� �可能となる。これにより、p側電極21及び光� �収層17の材料選択の幅が広がるという効果も 得られる。

 本実施形態の半導体レーザ装置は以下のよ� ��にして形成すればよい。第1の実施形態と同 様にしてp側電極21及び光吸収層17を形成した� ��、基板10上の全面に膜厚が50nmのSiO ₂ からなる絶縁層18を形成する。次に、フォト� ��ソグラフィーとBHFによるウエットエッチン� ��とを用いて、絶縁層18にp側電極21を露出す� �開口部を形成する。次に、p側電極パッド23� �びn側電極22等を形成した後、劈開及び反射� �の形成等を行う。なお、絶縁層18は、SiO ₂ に代えて他の材料を用いて形成してもよい。 また、p側電極21と光吸収層17とを同一の材料� ��より形成すれば、工程数を削減することが� ��能となる。さらに、劈開ガイド溝を設ける� ��とも可能である。