Title:
ｐ型酸化物半導体及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2018004009
Kind Code:
A1
Abstract:
良好な導電性を有する新規且つ有用なｐ型酸化物半導体とその製造方法を提供する。周期律表のｄブロック金属及び周期律表の第１３族金属を含む原料溶液を霧化してミストを生成する霧化工程と、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍まで前記ミストを搬送する搬送工程と、前記ミストを前記基体表面近傍にて酸素雰囲気下で熱反応させることにより、前記基体上に、周期律表のｄブロック金属及び周期律表の第１３族金属を含む金属酸化物を主成分とするｐ型酸化物半導体を形成する。
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Inventors:
Shizuo Fujita
Kentaro Kaneko
Torami Tora
Tanigawa Koto
Kentaro Kaneko
Torami Tora
Tanigawa Koto
Application Number:
JP2018525323A
Publication Date:
May 30, 2019
Filing Date:
June 30, 2017
Export Citation:
Assignee:
Flosfia Co., Ltd.
Kyoto University
Kyoto University
International Classes:
H01L21/365; H01L21/337; H01L21/338; H01L21/368; H01L29/12; H01L29/24; H01L29/739; H01L29/778; H01L29/78; H01L29/808; H01L29/812; H01L29/872
Domestic Patent References:
| JP2016081946A | 2016-05-16 | |||
| JP2016051825A | 2016-04-11 | |||
| JP2016025256A | 2016-02-08 | |||
| JP2011204814A | 2011-10-13 | |||
| JP2006066215A | 2006-03-09 | |||
| JP2007157982A | 2007-06-21 |
Other References:
金子健太郎: "コランダム構造酸化ガリウム系混晶薄膜の成長と物性（Dissertation_全文）", 京都大学博士論文, JPN7021003382, 31 January 2014 (2014-01-31), JP, pages 27 - 30, ISSN: 0004582480