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Title:
抵抗スイッチングメモリ素子の形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2014533429
Kind Code:
A
Abstract:
フォーミング電圧が低いランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ）抵抗スイッチング素子を製造する方法であって、誘電体フィルム中に酸素空孔を作るドーピングを行う。誘電体フィルム中の酸素空孔は、導電経路の形成を促進する。絶縁体を、絶縁体の導電経路形成能力を強化するドーパントでドーピングすることによって、低いフォーミング電圧とセット電圧が得られる。ドーパントは、絶縁体全体に均一に分散されるか、あるいじゃ、絶縁体と電極間のインターフェース近傍の領域で均一に分散される。【選択図】図３

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Inventors:
トン，ジンホン
ヒグチ，ランドール
ハシム，イムラン
ゴパール，ヴィデュット
Application Number:
JP2014528466A
Publication Date:
December 11, 2014
Filing Date:
August 23, 2012
Export Citation:
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Assignee:
インターモレキュラー， インコーポレイテッド
International Classes:
H01L27/105; C23C16/455; H01L21/316; H01L45/00; H01L49/00
Attorney, Agent or Firm:
Patent business corporation north Aoyama International



 
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