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Title:
半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017169959
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の３つの工程を少なくとも備えている。（Ａ）回路形成面を有する半導体ウェハと、上記半導体ウェハの上記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルム（１００）と、を備える構造体を準備する工程（Ｂ）上記半導体ウェハの上記回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程（Ｃ）粘着性フィルム（１００）に紫外線を照射した後に上記半導体ウェハから粘着性フィルム（１００）を除去する工程粘着性フィルム（１００）として、基材層（１０）と、基材層（１０）の一方の面側に設けられた紫外線硬化型の粘着性樹脂層（２０）と、を備える粘着性フィルムを用いる。そして、粘着性フィルム（１００）において、粘着性樹脂層（２０）は紫外線硬化型粘着性樹脂を含み、特定の方法で測定される、紫外線硬化後の粘着性樹脂層（２０）の表面の飽和帯電圧Ｖ１が２．０ｋＶ以下である。

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Inventors:
Hiroka Kurihara
Hideki Fukumoto
Application Number:
JP2018509077A
Publication Date:
December 20, 2018
Filing Date:
March 21, 2017
Export Citation:
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Assignee:
Mitsui Chemicals Tohcello Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/304; C09J7/30; C09J7/38; C09J11/06; C09J133/00
Domestic Patent References:
JP2010177542A2010-08-12
JP2007070491A2007-03-22
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JP2012193317A2012-10-11
Foreign References:
WO2015132852A12015-09-11
Attorney, Agent or Firm:
Shinji Hayami



 
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